In the structure of ITO/HIL/$Alq_3$/Al device, we investigated an efficiency improvement of the Organic Light-Emitting Diodes depending on thickness variation of hole-injection layer. Using the thermal evaporation in a base vacuum $5{\times}10^{-5}$[Torr], we have measured efficiency after the $Alq_3$ was evaporated to 100 [nm] as a deposition rate $1.5[{\AA}/s]$. In optimal condition, when PTFE thickness increased from 0 to 3.0 [nm], we have obtained that an optimal thickness of PTFE was 2.5 [nm]. And using the PTFE, luminance efficiency and external quantum efficiency of the device were improved by 12.8 times and 11.1 times, respectively.

OLEDs based on organic thin films are similar to semiconductor base light-emitting diodes in that they were also considered to be one of the next generation flat-panel displays. They are attractive because of low-operating voltage, low power consumption, ease of fabrication, and low cost. In this study, we used poly (3,4-ethylenedioxythiophene)/poly (4-styrenesulfonate) (PE DOT : PSS) as a hole injection layer. In this experiment spin coating method was used with various speed rate. The fundamental structure of the OLEDs was ITO/PEDOT:PSS/NPB/$Alq_3$/Al. As a result, we obtained the enhancement performance of OLEDs when the spin coating speed was 4000 rpm. We obtained a maximum luminance of 24334 $cd/m^2$ at a current density of 967 $mA/cm^2$.

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.

Omega-shaped-gate (OSG) nanowire-based field effect transistors (FETs) have been attracted recently attention due to their highdevice performance expected from theoretical simulations among nanowire-based FETs with other gate geometries. OSG FETs with the channels of ZnO nanowires were successfully fabricated in this study with photolithographic processes. In the OSG FETs fabricated on oxidized Si substrates, the channels of ZnO nanowires with diameters of about 60 nm are coated surroundingly by $Al_{2}O_{3}$ as gate dielectrics with atomic layer deposition. About 80 % of the surfaces of the nanowires coated with $Al_{2}O_{3}$ is covered with gate metal to form OSG FETs. A representative OSG FET fabricated in this study exhibits a mobility of 98.9 $cm^{2}/Vs$, a peak transconductance of 0.4 ${\mu}S$, and an Ion/Ioff ratio of $10^6$ the value of the Ion/Ioff ratio obtained from this OSG FET is the highest among nanowire-based FETs, to our knowledge. Its mobility, peak transconductance, and Ion/Ioff ratio arc remarkably enhanced by 11.5, 32, and $10^6$ times, respectively, compared with a back-gate FET with the same ZnO nanowire channel as utilized in the OSG FET.

Floating p-well 전압 감지를 이용한 시간 지연 회로를 적용하여 punch-though형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (PT-IGBT)의 최적화된 보호 회로를 제안하였다. Floating P-well 축전기와 게이트 저항은 정상 스위칭 동작시 단락 회로 감지 동작 (false detection of fault)을 차단하며, floating p-well 전압은 단락회로 상황시 풀-다운 (pull-down) MOSFET의 문턱 전압 이상으로 상승되어 풀-다운 MOSFET을 턴-온(turn-on) 시킴으로서 IGBT의 게이트 전압을 감소시킨다. 이에 따라 IGBT의 컬렉터 전류는 자연스럽게 감소된다. 실험 결과를 통해, 단락회로 상황에서 최적화된 IGBT의 보호회로가 소프트-셧다운 (soft-shutdown) 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다.

In this paper, embedded spiral inductors are investigated into the PCB substrate for low cost RF SOP applications. The spiral inductors designed with geometrical variations were simulated, fabricated, measured, and characterized by using 3D EM simulator, 8 layered PCB standard process and HP 8510B network analyzer (or verifying their applicability. The fabricated embedded spiral inductor has inductance of 9.4 nH at 800MHz, maximum quality factor of 64.8 at 1.09GHz and self resonant frequency of 3.93GHz, respectively. As the measured inductances and quality factors are well matched with simulated ones. PCB embedded spiral inductors are promising for advanced electronic systems with various functionality, low cost, small size and volume.

본 연구에서는 ICP-CVD (inductively coupled plasma chemical vapor deposition)를 이용해 미세결정 실리콘 (nanocrystalline silicon thin film transistor, ns-Si TFT) 초기 성장 단계에 발생하는 비정질의 Incubation layer를 줄이기 위한 실험을 수행하였다. ICP-CVD를 사용하여 증착한 Si-rich $SiN_x$ Seed layer 상의 미세절정 실리콘의 성막조건을 알아보고 특성을 평가하였다. 미세결정 실리콘 박막은 Raman Spectroscopy를 이용해 분석하였다. 미세결정 실리콘의 초기 성장 단계에 발생하는 비정질 Incubation layer를 줄이기 위하여 Si-rich $SiN_x$를 Seed layer로 사용하는 것이 효과적임을 확인하였다. 또한 Si-rich $SiN_x$ 위에서의 미세결정 실리콘 표면 형태와 Seed 성장 기회의 관계를 알아보았다. 높은 전압의 수소 플라즈마 처리는 Seed 성장 기회를 늘이고, 박막의 결정화도를 높임을 확인하였다. 얇은 Incubation layer를 가지는 35nm 이하 두께의 미세결정 실리콘이 성공적으로 증착되었다. 본 연구 결과는 bottom 게이트 방식 박막 트랜지스터에 증착되는 미세결정 실리콘의 전기적 특성 향상에 유용할 것으로 판단된다.

A monolayer assembly of anthracene-viologen linked thiol ($AMVC_{8}SH$) was fabricated on a gold electrode by self-assembly method. Structural property of the self-assembled monolayers (SAMs) was carried out by optical and electrochemical method. Firstly, we investigated PL spectrum and UV/visible absorption for the optical properties in solution state. Secondly, we determined the characteristics of charge transfer in different electrolyte solutions by electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM). From the data, the PL spectrum and UV/visible absorption were observed and the well-defined shape peaks were nearly equal charges during redox reactions and existed to an excellent linear relationship between the scan rates and existed to currents. The mass change was determined during redox reaction. The mass change behavior of SAMs was not only governed by the mobility of the ion in the viologen but the valence of the ion in the electrolyte solution.

국내의 가공 송전선 지지물($60m{\sim}180m$)에는 야간에 항공기의 안전한 운항을 위한 목적으로 태양전지식 LED 항공장애등(LED aviation obstacle light) 및 그 조절장치를 사용하계 되어있다. 항공장애등은 설치되는 지역이 산간지역등과 같은 환경적인 가혹인자에 노출되기 때문에 등구(globe)의 온도충격 및 온도변화에 따른 크랙방지, 자외선에 강한 재질, 투과성이 우수한 재질을 선정하는 것이 중요하다. 따라서 본 평가기술에서는 여러 제품의 엔지니어링 플라스틱에 대하여 장시간 평가시험이 필요한 내후성시험을 통하여 우수한 재질을 선정하여 등구를 제작하여 항공장애등에 적용하고자 한다.

사이리스터 소자의 신뢰성은 HVDC, SVC, FACTs와 같은 대용량 전력 시스템의 신뢰성에 많은 영향을 미친다. 따라서 사이리스터 소자의 신뢰성을 분석하는 것은 시스템의 안정적인 운용과 신뢰성의 확보에 필수적이다. 본 논문에서는 장시간동안 전압 및 열을 인가하여 사이리스터를 가속열화 시켰을 때 사이리스터 소자의 차단전압 및 누설전류 특성의 변화에 대해 실험을 통해 분석하였다. 가속열화 시험에는 14개의 사이리스터가 사용되었고, 1000V, $100^{\circ}C$의 조건에서 가속열화를 진행하였으며, 7일에서 10일의 간격으로 소자의 누설전류 및 차단전압 특성을 측정하여 초기 특성과 비교 분석하였다.

This paper describes the ohmic contact formation between a TiW film as a contact material deposied by RF magnetron sputter and polycrystalline 3C-SiC films deposied on thermally grown Si wafers. The specific contact resistance (${\rho}_c$) of the TiW contact was measured by using 4he C-TLM. The contact phase and interfacial reaction between TiW and 3C-SiC at high-temperature were also analyzed by XRD and SEM. All of the samples didn't show cracks of the TiW film and any interfacial reaction after annealing. Especially, when the sample was annealed at $800^{\circ}$ for 30min., the lowest contact resistivity of $2.90{\times}10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm^2$ of was obtained due to the improved interfacial adhesion.

The polycrystalline 3C-SiC thin films heteroepitaxially grown by LPCVD method using single precursor 1,3-disilabutane at $850^{\circ}C$. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XRD and FT-IR. Residual strain was investigated by Raman scattering. The surface morphology was also observed by AFM and voids or dislocations between SiC and $SiO_2$ were measured by SEM. The grown poly 3C-SiC thin film is very good crystalline quality, surface like mirror, and low defect and strain. Therefore, the polycrystalline 3C-SiC is suitable for harsh environment MEMS applications.

Microarray-based DNA chips provide an architecture for multi-analyte sensing. In this paper, we report a new approach for DNA chip microarray fabrication. Multifunctional DNA chip microarray was made by immobilizing many kinds of biomaterials on transducers (particles). DNA chip microarray was prepared by randomly distributing a mixture of the particles on a chip pattern containing thousands of m-scale sites. The particles occupied a different sites from site to site. The particles were arranged on the chip pattern by the random fluidic self-assembly (RFSA) method, using a hydrophobic interaction for assembly.

In this paper, we have been described a new constructing method of multichannel biosensor using self-assembly by magnetic force interaction. A metal particle and an array was fabricated by photolithographic. Biomaterials were immobilized on the metal particle. The array and the particles were mixed in a buffer solution, and were arranged by magnetic force interaction and self-assembly. A quarter of total Ni dots were covered by the particles. The binding direction of the particles was controllable, and condition of particles was almost with Au surface on top. The particles were successfully arranged on the array. The biomaterial activities were detected by chemiluminescence.

This research aims to develop the multiple channel electrochemical DNA chip that has the above characteristic and be able to solve the problems. At first, we fabricated a high integration type DNA chip array by lithography technology. It is able to detect a plural genes electrochemically after immobilization of a plural probe DNA and hybridization of non-labeling target DNA on the electrodes simultaneously. It suggested that this DNA chip could recognize the sequence specific genes. It suggested that multichannel electrochemical DNA microarray is useful to develop a portable device for clinical gene diagnostic system.

This research aims to develop the multiple channel electrochemical DNA chip that has the above characteristic and be able to solve the problems. At first, we fabricated a high integration type DNA chip array by lithography technology. It is able to detect a plural genes electrochemically after immobilization of a plural probe DNA and hybridization of non-labeling target DNA on the electrodes simultaneously.

In this study, an integrated microelectrode array was fabricated on glass slide using microfabrication technology. Probe DNAs consisting of mercaptohexyl moiety at their 5-end were spotted on the gold electrode using micropipette or DNA arrayer utilizing the affinity between gold and sulfur. Cyclic voltammetry in 5mM ferricyanide/ferrocyanide solution at 100 mV/s confirmed the immobilization of probe DNA on the gold electrodes. When several DNAs were detected electrochemically, there was a difference between target DNA and control DNA in the anodic peak current values. It was derived from specific binding of Hoechst 33258 to the double stranded DNA due to hybridization of target DNA. It suggested that this DNA chip could recognize the sequence specific genes. It suggested that multichannel electrochemical DNA microarray is useful to develop a portable device for clinical gene diagnostic system.

We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 2, 10, 30[mN/m](gas state, liquid state, and solid state). The physicochemical properties of the LB films on the surface of pure water are studied by AFM. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V.

In the Langmuir-Blodgett (LB) technique, a monolayer on the water surface is transferred onto a substrate, which is raised and dipped through the surface. From this, multilayers can be obtained in which constituent molecules are periodically arranged. The LB technique has attracted considerable interest in the fabrication of electrical and electronic devices. Many researchers have investigated the electrical properties of monolayer and multiplayer films. Dendrimers represent a new class of synthetic macromolecules characterized by a regularly branched treelike structure. Multiple branching yields a large number of chain ends that distinguish dendrimers from conventional star-like polymers and microgels. The agobenzene dendrimer is one of the dendritic macromolecules that include the azo-group exhibiting a photochromic character. Due to the Presence of the charge transfer element of the azo-group and its rod-shaped structure, these compounds are expected to have potential interest in electronics and ptoelectronics, especially in nonlinear optics. In the present paper, we give pressure stimulation to organic thin films and detect the induced displacement current.

중, 저압 배전 시스템을 통신망으로 사용하는 전력선 통신(PLC, Power Line Communication)에서 신호결합은 하드웨어 측면에서 매우 중요하다. 본 논문에서는 2-40MHz의 통신 신호를 수백 A의 전류가 흐르는 배전선으로 보내고 추출하는 유도성 신호결합장치와 통신신호 손실에 대하여 조사하였다.

A high Tc superconducting with a nominal composition of YBCO wasprpared by the citarte method. The solid precursor produced by the dehydration of the gel at $120^{\circ}C$ for 12h is not in the amorphous state as expected but in a crystalline state. X-ray diffraction peaks of nearly the same angular position as the peaks of high Tc phase were observed in the precursor. After pyrolysis at $400^{\circ}C$ and calcination at $840^{\circ}C$ for 4h, the (001)peak of the high Tc phase was cleary observed. Experimental results suggest that the intermediate phase formed before the formation of the superconducting phase may be the most important factro in determining whether it is easy to form the high Tc phase or not, because the nucleation barriers of the two superconducting phase may be altered by the variation of the crystal structures of those intermediate phase.

BiSrCaCuO was prepared by the thermal pyrolysis method. The solid precursor produced by the dehydration of the gel at $120^{\circ}C$ for 12h is not in the amorphous state as expected but in a crystalline state. X-ray diffraction peaks of nearly the same angular position as the peaks of high Tc phase were observed in the precursor. After pyrolysis at $90^{\circ}C$ and calcination at $840^{\circ}C-920^{\circ}C$ for 4h, the high Tc phase was cleary observed. In this paper, the establishment of fabrication condition and additive effects of second elements were examined so as to improve the related properties to the practical use of BiSrCaCuO superconductor, and we reported the production of the BiSrCaCuO high Tc superconductor by the pyrolysis method.

일반적으로 저압계통의 고장전류를 차단하기 위해서, 기중차단기(LVPCB, ACB), 배선용차단기 등을 사용하고 있는데, 저압차단기는 저압계통의 고장전류를 차단할 수 있으나, 고장전류를 효과적으로 제한하지 못하며, 차단기 내부의 아킹시간이 상대적으로 길므로, 저압차단기는 물론 주변 전력기기에 전기적/열적/기계적 스트레스를 주게 된다. 또한 지속적인 부하의 증가로 인해 저압계통의 단락전류는 점점 증가하는 추세에 있으므로 저압계통은 물론 고압계통에서도 고장전류를 보다 빠르고 효과적으로 제한 및 차단을 할 수 있는 한류형 차단기가 제안되고 있다. 본 연구에서는 정온도계수(PTC, Positive Temperature Coefficient) 특성을 가지는 소자를 이용하여 저압계통에 적용가능한 한류소자를 개발하였으며, 기존 차단기에 직렬 혹은 병렬로 연결하여 저압계통의 고장전류를 매우 빠르고 효과적으로 제한 및 차단할 수 있으며, 아울러 저압계통의 차단보호 협조를 효과적으로 구현할 수 있는 한류형 차단기를 제안하였다. 한류소자를 전력기기에 적용하는 방법은 크게 기존 차단기와 직렬로 연결되는 방식과 기존 차단기를 수정하여 차단기 내부의 접점과 비직렬 연결되는 방식으로 구분 할 수 있는데, 본 논문에서는 직렬방식/비직렬방식으로 기존 차단기에 한류소자를 적용항에 있어서 대응가능한 대전류 PTC소자를 개발하였으며, 또한 각 방안에 대한 시제품을 제작하여 제한 성능을 검증하였다.

Electrical characteristics of field-effect thin film transistors (TFTs) with p-channels of CdTe/CdHgTe core-shell nanocrystals are investigated in this paper. For the fabrication of bottom- and top-gate TFTs, CdTe/CrHgTe nanocrystals synthesized by colloidal method are first dispersed on oxidized p+ Si substrates by spin-coating, the dispersed nanoparticles are sintered at $150^{\circ}C$ to form the channels for the TFTs, and $Al_{2}O_{3}$ layers are deposited on the channels. A representative bottom-gate field-effect TFT with a bottom-gate $SiO_2$ layer exhibits a mobility of $0.21cm^2$/ Vs and an Ion/Ioff ratio of $1.5{\times}10^2$ and a representative top-gate field-effect TFT with a top-gate $Al_{2}O_{3}$ layer provides a field-effect mobility of $0.026cm^2$/ Vs and an Ion/Ioff ratio of $2.5{\times}10^2$. $Al_{2}O_{3}$ was deposited for passivation of CdTe/CdHgTe core-shell nanocrystal layer, resulting in enhanced hole mobility, Ior/Ioff ratio by 0.25, $3{\times}10^3$, respectively. The CdTe/CdHgTe nanocrystal-based TFTs with bottom- and top gate geometries are compared in this paper.

There have been numerous accelerated aging laboratory tests for evaluating suitability of polymeric materials and devices. Aging test for materials and its full scale device has been conducted. Service experience plays a key role in the utility section of composite insulators. A meaningful and reliable accelerated aging test is needed for evaluating composite insulator. During the service these insulators are subjected to aging stress such as humidity, pollution, and electrical field, and erosion and tracking of the weathershed occurs. This paper presents the criteria of reliability evaluation and evaluation facilities for 22.9 kV suspension composite insulator. We adopt the criteria of reliability evaluation consist of two test methods. One is CEA tracking wheel test for examining the tracking and erosion performance of composite insulator. The other is multi-stress aging test for examining effects of environmental factors such as UV, temperature, humidity, etc on composite insulator.

본 논문에서는 솔레노이드 형태의 칩 인덕터와 나선형태의 박막 인덕터에 대하여 주파수 특성을 비교 분석하여 장 단점을 정의하고자 한다. 솔레노이드형 RF 칩 인덕터는 $1.0mm{\times}0.5mm{\times}0.5mm$의 크기에 11nH의 인덕턴스를 가질 수 있도록 6회 권선하였다. 나선형 박막 인덕터는 $213{\mu}m{\times}250{\mu}m{\times}304{\mu}m$의 크기에 11nH의 인덕턴스를 가질 수 있도록 7회 권선하였다. 시뮬레이션을 위하여 AnSoft사의 HFSS를 이용하였으며, 이 결과 솔레노이드형 RF 칩 인덕터는 2GHz에서 77 정도의 품질계수와 5.6GHz의 SRF를 가진다. 반면 나선형 박막 인덕터는 2GHz에서 14 정도의 품질계수와 4.5GHz의 SRF를 가진다. 성능면에서는 솔레노이드형 RF 칩 인덕터가 우수한 특성을 나타내었으나 크기를 감소시키는데 제한을 받으므로, 향후 소형 경량화를 위하여 박막 인덕터의 개발은 필수적이며, 성능을 더욱 향상시키기 위하여 나선형태와 재료의 개발이 필수적이라 하겠다.

기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $3{\mu}m$으로 하였으며, CU 코일의 폭과 선간의 간격은 LAM 공정과 direct-write 공정을 이용할 수 있도록 각각 $100{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 인덕터는 200-500MHz 범위에서 3.5nH의 인덕턴스, 4GHz에서 최대 29 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 2.6GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

FRP has been used much for core materials of insulator. FRP consists of fiber and plastics(resin and binder). The fiber contributes strength to FRP. The fiber orientation in FRP has a great effect on the strength of FRP because the strength of FRP mainly depends on the strength of fiber. The direction of applied stress of FRP is different from the kinds of insulators. In this study, inner part of FRP rod was made unidirectionally by pultrusion method and outer part of FRP rod was made by filament winding method. Compressive strength and stress of FRP rods were simulated according to the winding orientation of glass fiber. Simulated value and real evaluated compressive strength were compared each other.

In this paper, the impedance properties of degraded thyristor with heat and voltage were presented. As degraded thyristor, 8 thyristors with each other different reverse blocking voltage used. Its impedance and resistance properties were measured from frequency 100Hz to 10MHz applied with bias voltage from 0V to 40V. As a result, at low frequency region, that is, at the frequency 100-10kHz, the abrupt increasement of its capacitance was confirmed. And also, at high frequency region, the capacitance peak move toward low frequency in the region of frequency 4 - 6MHz as degradation of thyristor.

The dielectric properties of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) and MgO-doped BST ceramics were investigated for tunable microwave applications by sol-gel method. The effects of MgO mixing with BST. It is observed that Mg substitution into BST causes a shift in the cubic-tetragonal BST Phase transition peak to a lower temperature. MgO-substituted BST and MgO-mixed phases exhibit homogeneous and broadened BST phase transition peaks. Mg substitution into BST has a significant effect on the grain sife reduction. Dielectric constant and loss is inhanced with decrease MgO dopant.

The microwave dielectric properties of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics with sintering temperature were investigated. All sample of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics prepared by conventional mixed oxide method and sintered at $1450^{\circ}C{\sim}1575^{\circ}C$. Porosity of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics was reduced with increasing sintering temperature. The bulk density, dielectric constant and Qualify factor increased with increasing sintering temperature. In the case of $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics sintered at $1550^{\circ}C$, The bulk density, dielectric constant and quality factor were $7.31g/cm^2$ and 27.4, 30,635GHz, respectively.

Indium tin oxide (ITO) thin film is a transparent electrode, which is widely applied to solar battery, illuminators, optical switches, liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting displays (OLEDs) due to its easy formation on glass substrates, goof optical transmittance, and good conductivity. ITO thin film is generally fabricated by various methods such as spray, CVD, evaporation, electron gun deposition, direct current electroplating, high frequency sputtering, and reactive DC sputtering. However, some problems such as peaks, bumps, large particles, and pin-holes on the surface of ITO thin film were reported, which caused the destruction of color quality, the reduction of device life time, and short-circuit. Chemical mechanical polishing (CMP) processis one of the suitable solutions which could solve the problems.

lTO(Indium-Tin-Oxide) was used as anode material for OLED. Characteristics of ITO have great effect on efficiency of OLEDS(Organic light emitting diodes). ITO surface was treated by Nd:YAG laser in order to improve its chemical properties, wettability, adhesive property and to remove the surface contaminants while maintaining its original function. In this study, main purpose was to improve the efficiency of OLEDs by the ITO surface treatment: ITO surface was treated using a Nd:YAG(${\lambda}=266nm$, pulse) with a fixed power of 0.06[w] and various stage scanning velocities. Surface morphology of the ITO was investigated by AFM. Test OLEDs with surface treated ITO were fabricated by deposition of TPD (HTL), Ald3 (ETL/TML) and Al (cathode) thin films. Device performance of the OLEDs such as V-I-L was investigated using Source Measurement Unit (SMU: Keithly. Model 2400) and Luminance Measurement (TOPCON. BM-8).

In this research We investigated the effect of UV/O3, $O_3$ treatments of Indium-tin oxide(ITO) surface on the performance of organic light emitting devices(OLEDs). The fundamental structure of OLEDs was ITO(anode) / TPD(Hole Transport Layer) / $Alq_3$ / Al(cathode). We performed UV/O3, $O_3$ treatments and found that both treatments enhanced the performance of OLEDs. Current-Voltage, Luminance-Voltage characteristics were measured at room temperature.

PPLP를 절연지로 사용하는 OF 케이블 절연지의 팽윤 특성은 전력 케이블 절연특성에 크게 영향을 줄 뿐만 아니라, 케이블 제조나 운전시에도 영향을 미치므로 매우 중요한 설계 관리 요소이다. 특히 PPLP 케이블 제조시 PPLP의 팽윤 정도에 따라 지권장력의 설정이 달라지므로 반드시 고려해야만 한다. 기존의 일반적인 Kraft지를 절연지로 사용하는 OF 케이블의 경우는 팽윤 현상이 거의 없어 지권장력 설정시 이를 고려하지 않아도 되지만, PPLP는 이를 고려하지 않고 지권을 찬다면 케이블 제조 후 절연지의 끊어짐 현상, 절연층의 butt-gap 현상 둥 Polypropylene laminated paper를 절연지로 사용하는 케이블의 경우, 팽윤 현상의 발생으로 인해 절연파괴가 일어날 수 있다. 그러나 PPLP 절연지를 사용하는 이유는 케이블의 장거리 운전시 기존 Kraft지를 사용했을 때 보다 유전손실이 더 개선될 뿐만 아니라 절연체의 두께를 저감하여 포설이 용이하기 때문이다. 이에 본 논문에서는 PPLP에서 고분자의 팽윤이 일어나는 정도에 따라 결정화도의 변화와 전기적인 성능(체적저항, AC 파괴)과의 연관성을 검토하였다.

본 논문에서는 두께 0.25 mm의 알루미늄 포일 (foil)을 이용해 나노기공 알루미나 주형을 만들었다. 우선 알루미늄 포일 표면의 유기물을 제거한 후, 전해연마 방법을 이용하여 표면을 매끄럽게 하였다. 또, 양극산화를 통해 알루미늄 표면에 나노기공을 형성하였다. 나노기공 알루미나($Al_{2}O_{3}$) 주형 위에 Polymethyl methacrylate (PMMA)를 얇게 도포하여 나노기공 사이로 침투시킨 후 주형을 제거하여 나노기둥인 PMMA를 얻었다. 이것을 나노임프린트 리소그라피 기법을 이용하여 태양전지의 N-type 물질로 맏이 사용되는 티타니아 ($TiO_2$)의 면적을 넓게 할 수 있다.

Embedded capacitor technology is one of the effective packaging technologies for further miniaturization and higher performance of electric package systems. So we used the 3D EM simulator for embedded capacitor design in 8-layed PCB(Printed Circuit Board). The designed capacitors value are 2 pF, 5pF, 10 pF, respectly. we investigated characteristics of capacitance - frequency and SRF(Self Resonance Frequency) as changing the rate of hight and width of upper pad of embedded capacitors.

In this thesis, the minuteness structure, piezoelectric, and dielectric characteristics of Pb[(Co0.5 W0.5) 0.03 (Ni1/3 Nb2/3) 0.07(Zr0.52 Ti0.48)0.9]O3+0.5Wt% MnO2 ceramics has been systematically investigated as a function of the sintering temperature after manufacturing the specimens with a general method. The electromechanical coupling coefficient (Kp) showed its maximum of 31.116[%] in the sintered specimens at $1050[^{\circ}C]$, and its minimum of 20.220[%] in the sintered specimens at $1150[^{\circ}C]$. The mechanical quality coefficient (Qm) marked the maximum of 139.526 at the sintering temperature of $1150[^{\circ}C]$.

An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type extended drain silicon controlled rectifier (NEDSCR) device, was analyzed for high voltage I/O applications. A conventional NEDSCR device shows typical SCR-like characteristics with extremely low snapback holding voltage. This may cause latchup problem during normal operation. However, a modified NEDSCR device with proper junction / channel engineering demonstrates itself with both the excellent ESD protection performance and the high latchup immunity.

An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type SCR with P-type MOSFET pass structure (NSCR_PPS), was analyzed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS device shows typical SCR-like characteristics with extremely low snapback holding voltage, which may cause latchup problem during normal operation. However, a modified NSCR_PPS device with proper junction/channel engineering demonstrates highly latchup immune current- voltage characteristics.

Ar/$Cl_2$ 유도결합 플라즈마 (ICP)의 가스 혼합비에 따른 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 메커니즘과 식각면에서의 플라즈마 손상을 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 Ar/$Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 정전 탐침을 통해 Ar 가스의 혼합비에 따른 전자온도와 전자밀도를 관측하였다. 박막 표면의 X-ray photoemission spectroscopy 분석과 박막의 이력곡선을 통해 BLT 박막의 식각 손상은 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 BLT 박막 표면에서의 Ar 이온충돌에 의한 물리적 손상보다 더 크다는 것을 확인 할 수 있었다.

본 연구에서는 고밀도 플라즈마 식각 시스템을 이용하여 contact hole 식각을 연구하였다. 실험은 공정 변수에 따른 식각 특성을 변화를 SEM 분석을 이용하여 보였으며 공정 압력 증가에 따른 contact hole 패턴의 하부 및 측면이 vertical 하지 못한 현상을 볼 수 있었으며 이는 과도한 라디컬 생성으로 인하여 식각 반응 부산물과 폴리머가 식각 패턴 밖으로 탈착되지 못하여 나타나는 것으로 생각되며 하부 bias 전력을 증가시킴으로써 식각 반응 부산물과 폴리머의 탈착을 도와 식각 프로파일 개선에 영향을 줌을 확인하였다. 또한, 본 장비의 낮은 전자온도 등의 특성으로 인하여 PR의 degradation 현상 등이 나타나지 않았다.

Carbon nanotubes (CNTs) with few defects and very small amount of amorphous carbon coating have been synthesized by catalytic decomposition of acetylene in $H_2$ over well-dispersed metal particles supported on MgO. The yield, quality and diameters of CNTs were obtained by control of catalyst metal compositions to be used. The optimization condition of carbon nanotubes with high yield is when Co and Mo are in a 1:1 ratio and Fe metal contents to Co is increased on magnesium oxide support. It is also found that the diameter of the as-prepared CNTs can be controlled mainly by adjusting the molar ratio of Fe-Mo, Co-Fe, and Co-Mo versus the MgO support. Our results indicated that desired diameter distribution of CNTs is obtained by choosing or combining the catalyst to be employed.

본 연구는 MgO 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여, $CF_4/Ar$ 가스 혼합비로 식각하였고, RF 전력, DC-bais 전압과 Process Pressure를 변경하면서 실험하였다. 빛 방출 분석(optical emission spectroscopy, OES)을 이용하여, 플라즈마 진단과 식각 특성과의 관계를 분석하였다. OES 결과로부터 $CF_4$ 첨가비를 50%까지는 증가시킴에 따라 식각률이 증가하였고, 그 후에 Ar 이온이 감소함으로써 식각률이 감소하였다. MgO 박막의 최고 식각률은 50%의 $CF_4/(CF_{4}+Ar)$에서 700 W의 RF 전력, -150 V의 DC-bias 전압, 반응로 압력은 15 mTorr, 기판 온도는 $30^{\circ}C$로 고정시켰을 때 29nm/min이었다. 이 조건에서 MgO 박막과 $SiO_2$의 선택비는 0.06 이었다.

ZnO 박막은 wide band gap(Eg=3.37eV)의 derect band gap을 갖고 있기 때문에 여러 소자로의 응용가능성에 큰 기대를 하고 있는 물질이다. 본 논문에서는 소자 제조과정에서 요구되는 ZnO 박막의 식각변수에 따른 식각율과 식각특성에 관하여 연구하였으며 Inductively coupled plasma(ICP)를 사용하여 $BCl_3$/Ar 가스를 혼합하여 식각을 하였다. $BCl_3$/Ar=8/2 플라즈마에서 화학적 식각의 도움을 받아 ZnO 박막의 식각률은 1724 ${\AA}/min$ 로 최고를 보였으며 이때의 공정 조건은 800 W 의 RF power, 400 W 의 bias power, 1 Pa 의 공정 압력이었다. 식각시에 플라즈마 내부의 이온 거동상태를 측정하기위해 quadrupolemass spectrometer(QMS)를 사용하여 분석하였고 식각후 ZnO 박막의 식각률은 surface profiler(KLA fencer, ${\alpha}$-step 500)을 이용하여 측정하고 ZnO 박막과 B, Cl 라디칼과의 표면 반응 상태를 고찰하기 위하여 식각된 ZnO 박막의 표면을 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 분석하였다. XPS를 통하여 ZnO 박막과 Cl 라디칼과 반응을 하여 식각된다는 것과 낮은 휘발성으로 인하여 Ar 이온에 의한 스퍼터링 효과의 도움에 의해서 식각이 진행됨을 확인하였다.

Platinum is a candidate of top and bottom electrode in ferroelectric random access memory and dynamic random access memory. High dielectric materials and ferroelectric materials were generally patterned by plasma etching, however, the low etch rate and low etching profile were repoted. We proposed the damascene process of high dielectric materials and ferroelectric materials for patterning process through the chemical mechanical polishing process. At this time, platinum as a top electrode was used for the stopper for the end-point detection as Igarashi model. Therefore, the control of removal rate in platinum chemical mechanical polishing process was required. In this study, an addition of $H_{2}O_{2}$ oxidizer to alumina slurry could control the removal rate of platinum. The removal rate of platinum rapidly increased with an addition of 10wt% $H_{2}O_{2}$ oxidizer from 24.81nm/min to 113.59nm/min. Within-wafer non-uniformity of platinum after chemical mechanical polishing process was 9.93% with an addition of 5wt% $H_{2}O_{2}$ oxidizer.

PDMS와 ITO 유리를 이용하여 continuous-flow PCR chip을 제작하였다. PDMS를 이용하여 microchannel을 형성하여 주었고, ITO electrode를 heater와 sensor로 사용하기 위하여 반도체 공정을 통해 패턴을 형성하였다. microchannel내에 흐르는 시료의 온도를 제어하기 위하여 heater와 sensor를 calibration을 하였다. ITO heater는 인가된 전압에 대해 매우 선형적인 발열을 하였으며, ITO sensor는 온도에 대해 선형적인 저항 변화를 나타낸 바, 그 결과 continuous-flow PCR chip의 정확한 온도 제어가 가능하였다.

금속의 전기비저항 측정은 4단자 방법, van der Pauw 방법, Four Point Probe(FPP) 방법 등이 있으며, 이들의 정확한 측정방법을 고찰하고, 그 중 FPP 방법에 의한 비저항의 두께효과를 비교 분석하기 위하여 비자성 금속 SUS 316을 두께별로 가공한 후 실험하였다. 그 결과 4단자 및 van der Pauw 방법으로 측정된 도전율은 각각 2.273 %IACS으로 나타났으며, FPP방법으로 측정된 도전율은 probe spacing 5.0 mm, dc current 10 A에서 시료의 두께가 2 mm일 때 2.288 %IACS, 3 mm일 때 2.271 %IACS로서 상기 두 방법으로 측정한 결과와 0.5 %이내에서 일치하였으나, 시료가 5mm 및 11 mm 에서는 매우 큰 오차를 나타냈다.

본 연구에서는 전도성 분자로 잘 알려진 4,4-Di(ethynyl phenyl) -2'-nitro-1-(thioacetyl)-benzene(nitro - benzene) 분자를 Au (111) 표면에 자기조립하고, ultra high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM)을 사용하여 STM tip과 sample 사이의 거리를 변화시키면서 전기전도 특성을 측정하였다. Au 기판제작은 연증착시스템 (Thermal Evaporation System)으로 제작하였으며, piranha 용액 ($H_{2}SO_{4}\;:\;H_{2}O_{2}$=3:1)을 사용하여 전치리한 후, 자기조립 단분자막 (SAMs)을 형성하였다. 먼저 1-octanethiol을 ethanol solution용액 1 mM/L 농도에서 24시간 동안 자기조립한 후에, ethanol를 solution 용액으로 이용하여 nitro-benzene를 0.1 nM/L 농도로 암실에서 30분간 자기조립 하였다. 자기조림 후 solution을 제거하기 위해 에탄올로 세척하여 $N_2$로 건조시켰다. 이 조건하에서 UHV-STM을 사용하여 nitro-benzene SAMs의 실시간 모폴로지의 변화에 따른 nitro-benzene의 전기전도 특성을 STM tip - SAMs - Au 기판의 수직구조로 STM tip과 nitro-benzene의 거리를 변화시키면서, tunneling current을 조사하였다. 측정 결과 Z-position 변화에 대한 tunneling current와 resistance의 변화를 확인할 수 있었다.

In this paper dielectric and piezoelectric properties were measured for 2 phase - dispersed composite system consisting of ferroelectric ceramic PZT particles and polymer PVC. The results were analyzed and the validity of composite theories for experimental results were discussed. And also in high temperature where ionic conductivity is dominated, linear and nonlinear permittivites were measured and discussed.

$(Na_{0.5}LaK_{0.5})NbO_3$ (NKN) thin films were fabricated by the alkoxide-based MOD method. NKN stock solutions were made spin-coated onto the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate. The structural properties of the NKN thin films examined by x-ray diffraction. The perovskite phase was obtained as a function of the annealing temperature from $550^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$ for 1h. The crystallinity and grain size of the NKN thin films increased with increasing annealing temperature. The dielectric constants and loss of the NKN thin films annealed at $650^{\circ}C$ ($t_{eq}$=2.35 nm) showed 323 and 0.025.

Process variables for manufacturing the $CuInSe_2$ thin film were established in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process conditions (substrate temperature, sputtering pressure, DC/RF Power), and then by changing a number of vapor deposition conditions and Annealing conditions variously, structural and electrical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. For the manufacture of the $CuInSe_2$, Cu, In and Se were vapor-deposited in the named order. Among them, Cu and In were vapor-deposited by using the sputtering method in consideration of their adhesive force to the substrate, and the DC/RF power was controlled so that the composition of Cu and In might be 1 : 1, while the surface temperature haying an effect on the quality of the thin film was changed from $100[^{\circ}C]$ to $300[^{\circ}C]$ at intervals of $50[^{\circ}C]$.

현재 상용화된 OLED 소자는 최대 단점인 수분 취약성의 원인으로 top emission과 flexible 타입으로 제조되는데 장애가 되고 있다. 따라서 top emission 방식과 flexible한 소자를 실현하기 위해 수분 및 산소 침투를 방지하기 위한 유전체 막의 실험이 진행되고 있는데, 본 실험에서는 기존의 PECVD보다 plasma의 density가 높은 HDP(High Density Plasma)-CVD를 사용해 SiOx 및 SiNx 유전체 film을 증착하였고 MOCON 테스트를 통한 수분침투 방지막으로써의 가능성을 검증하였다.

In this study, in order to develop low temperature sintering piezoelectric ceramics for multilayer piezoelectric actuator, $PbSr(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3-(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-(ZrTi)O_3$ ceramics were fabricated using $Na_{2}CO_{3}-Li_{2}CO_{3}$ as sintering aids and their piezoelectric and dielectric characteristics were investigated according to the sintering tempo rature. At the sintering temperature of $900^{\circ}C$, the density, electrom echanical coupling factor(kp), mechanical quality factor(Qm) and dielectric constant(${\varepsilon}r$) of specimen showed the optimum value of $7.730[g/cm^2]$, 0.552, 1134, 1492 and 330[pC/N], respectively.

The sulphation is main deterioration of lead-acid batter, then there were many kinds of attempts to improve these problems and one of them is to add additives to the electrolyte. In this study some mixed additives such as silicate & boric acid and silicate & phosphoric acid were added to 38% $H_{2}SO_{4}$ electrolyte of lead acid battery to improve electrochemical properties of corrosion resistance, etc. of anode and cathode of lead acid battery.

Transparent ZnO thin films were deposited on quartz substrates by a KrF pulsed laser deposition (PLD) technique with different process conditions such as substrate temperature ($T_s$) and oxygen ambient pressure ($pO_2$). Surface morphology, crystal structure, and electrical properties of the ZnO films were investigated in order to characterize their thin film properties. The pulsed laser deposited ZnO films showed highly c-oriented crystalline structures depending on the process conditions: the highest FWHM (Full Width Half Maximum) value of (002) peak was observed for the ZnO film prepared at $T_{s}=550^{\circ}C$, $pO_2$=5mTorr and laser fluence of $2J/cm^2$.

본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서 $100{\mu}m$ 이상의 크기를 필요로 했던 반면에, 본 논문에서 제안한 소자의 크기(vertical 크기)는 $50{\mu}m$로서, 소자의 소형화 및 고효율화 측면에서 더욱 우수한 특성을 얻었다. 본 논문은 2-D 공정시뮬레이터 및 소자 시뮬레이터를 바탕으로, 트렌치 옥사이드의 두께 및 폭, 에피층의 두께 변화 등의 설계변수와 이온주입 도즈 및 열처리 시간에 따른 공정변수에 대한 시뮬레이션을 수행하여, 본 논문에서 제안한 구조가 타당함을 입증하였다.

In this paper, poly methyl methacrylate thin films were deposited on a ITO glass substrate using a plasma polymerization technique. In order to investigate the influence of the plasma coupling method and plasma conditions on the plasma polymerized poly methyl methacrylate (ppMMA) thin film properties, inductively coupled (ICP) and capacitively coupled plasma (CCP) were used to generate the plasma and the plasma parameters were varied. Molecular structures of the ppMMAs were investigated using a Fourier Transform Infrared (FT-IR) spectroscopy. Dielectric constants of the ppMMA thin films were investigated using a impedance analyzer (HP4192A, LF Impedance Analyzer). Current-Voltage (I-V) characteristics of the ppMMA thin films were investigated using a source measurement unit (SMU: Keithley 2400). Relationship between the plasma coupling technique/process parameter and ppMMA thin films properties were investigated.

To improve density and smoothness of semiconducting materials in power cable, we have investigated those of semiconducting materials showed by changing the content of carbon black and Carbon Nanotube. They were produced as sheets after pressing for 20 minutes at $180[^{\circ}C]$ with a pressure of $200[kg/cm^2]$. The content of conductive carbon black and Carbon Nanotube were 30[wt%] and 2-6[wt%] respectively. As a result the smoothness was measured by JSM-6400.

In this research, an organic thin 13 passivation layer was newly adopted to prefect the organic layer from ambient moisture and oxygen. As the organic thin film passivation layer, poly methyl methacrylate thin films (ppMMA) were deposited using a plasma polymerization technique. In order to their passivation performance for OLEDs, water vapor transmission rate (WVTR) of the ppMMAs were analyzed and luminance-current-voltage (L-I-V)/luminance-time (L-T) characteristics of the OLEDs with and without ppMMA passivation layer were investigated. The OLEDs had a structure of ITO/TPD (HTL)/Alq3(EML&ETL)/Al. The OLED with ppMMA passivation layer showed improved L-T performance than that of without ppMMA passivation layer.

Air-gap type film bulk acoustic wave resonator device using ZnO for piezoelectric layer and sacrifice layer, deposited by RF magnetron sputter with various conditions, fabricated in this study. Also, membrane$(SiO_2)$ and top and bottom electrode(both Al) of piezoelectric layer deposited by RF magnetron sputter. Using micro electro mechanical systems(MEMS) technique, sacrifice layer removed and then air-gap formed. The results of each process checked by XRD, AFM, SEM to obtain good quality device.

The increase of carbon contents in fly ashes accelerate the corrosion of steel embedded in ordinary portland cement mortar. Cement losses its identity of colour, when the % of carbon is increased. More than 60[%] area was rusted, when carbon content is increased beyond 8[%] for the exposure period of one year. Comparable corrosion rate with OPC was obtained up to 6[%] carbon level only. The tolerable limit of replacement for various admixed carbon system under aggressive alternate wetting and drying condition with 3[%] NaCl was found to be 6 to 8[%].

PZT(80/20) powder was prepared by a sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The coating and drying procedure was repeated 4 times. And then the PZT(20/80) precursor solution was spin-coated on the multilayered thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 mol/L and the number of coating was repeated from 0 to 6. The porosity of the thick films was decreased with increasing the number of coatings and the PZT thick films with 6-times coated showed the dense microstructure and thickness of about 60-65 ${\mu}m$. All PZT thick films showed the typical XRD patterns of a typical perovskite polycrystalline structure. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT-6 thick film were 275 and 3.5, respectively. And the PZT-6 film shows the remanent polarization of 22.1 $C/cm^2$ and coercive field of 13.7 kV/cm.

In this study, structural and micowave dielectric properties of the $Mg_{5}B_{4}O_{15}$ (B=Ta, Nb) cation-deficient perovskite ceeramics. The specimens are prepared through the solid-state route. According to the XRD pattern, $Mg_{4}Ta_{2}O_9$ and $MgTa_{2}O_6$ phase exist in calcined and sintered $Mg_{5}Ta_{4}O_{15}$ powder. Also $Mg_{5}Ta_{4}O_{15}$ phase added with increasing sintering temperature. In the case of calcined and sintered $Mg_{5}Nb_{4}O_{15}$ powder, single phase of $Mg_{5}Nb_{4}O_{15}$ were appeared. The bulk density and quality factor of the $Mg_{5}B_{4}O_{15}$ (B=Ta, Nb) ceramics were increased with sinteming temperature in $1400^{\circ}C{\sim}1450^{\circ}C$, but these were decreased in another sintering temperature. Dielectric constant of the $Mg_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics was increased continuously with increasing of sintering temperature. And the dielectric constant of the $Mg_{5}Nb_{4}O_{15}$ ceramics was increased in $1400^{\circ}C{\sim}1450^{\circ}C$ but decreased in $1475^{\circ}C$. In the case of the $Mg_{5}Ta_{4}O_{15}$ and $Mg_{5}Nb_{4}O_{15}$ ceramics sintered at $1450^{\circ}C$ for 5h, the dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) were 8.2, 259,473 GHz, -10.91 $ppm/^{\circ}C$ and 14, 37,350 GHz, -52.3 $ppm/^{\circ}C$, respectively.

In our study, the PTFE nozzle ablation in the high-voltage self-blast type $SF_6$ gas circuit breaker was investigated. The test circuit breaker has the structure that the pin electrode is moving and the pressure reservoir volume and the dimension is almost same as commercial 145kv 40kA circuit breaker for similar result in real circuit breaker. The variation of current and arcing time was the range of $36kA_{rms}$(symmetry) - $40kA_{rms}$(asymmetry) and 10-16 ms. From the measured data the tendecy of the mass loss of the nozzle to current load and arc energy was estimated. In this process, the distance from the arc to nozzle(PTFE) surface, area which was exposed to arc and stroke contour was considered. These results will be used to enhance the accuracy of the computational fluid dynamics analysis in circuit breaker and estimate the residual life time of a circuit breaker.

A four-step rapid thermal annealing (RTA) process is proposed in order to improve the throughput and stabilize the process, compared to the six-step RTA process. Effects of annealing on the properties of a structure mode of CMOS process in both cases were investigated. The implanted dopant(As, $BF_2$ and Ti/TiN) movement in silicon during different rapid thermal annealing conditions was studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) technique. These results show that the four-step RTA process significantly improves time effect and throughput (15%) by the condition of ramping up compared to the six-step RTA process.

Chalcogenide based phase-change memory has a high capability and potential for the next generation nonvolatile memory device. Fast writing speed, low writing voltage, high sensing margin, low power consume and long cycle of read/write repeatability are also good advantages of nonvolatile phase-change memory. We have been investigated the new material for the phase-change memory. Its composition is consists of chalcogenide $Ge_{1}Se_{1}Te_2$ material. We made this new material to solve problems of conventional phase-change memory which has disadvantage of high power consume and high writing voltage. In the present work, we are manufactured $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}/Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}/Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ and $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}/Ge_{1}Se_{1}Te_{2}/Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$ sandwich triple layer structure devices are manufactured to investigate its electrical properties. Through the present work, we are willing to ensure a potential of substitutional method to overcome a crystallization problem on PRAM device.

We investigated the diffraction efficiency, erasing property and rewriting property of diffraction grating with each wavelength of recording beam. A (P:P) polarized light was exposed on AsGeSeS and Ag/AsGeSeS thin film to form a diffraction grating by HeNe(635nm) laser and DPSS(532nm) laser. At the maximum efficiency condition, unpolarized HeNe laser beam was irradiated to erase 1ha generated diffraction grating. The HeNe laser showed more higher diffraction efficiency and the DPSS laser showed more faster diffraction grating time. At erasing and rewriting process, AsGeSeS(61%-85%)thin film showed better property than Ag doped Ag/AsGeSeS(53%-63%) double layer structured thin film.

We investigated the formation of 2-dimension hologram grating by means of selective etching characteristic and photo-expansion effect according to photo irradiation on amorphous As-Ge-Se-S thin film. By method of phase holography, we made the 2-dimensional hologram grating by each (S:P) and ($+45^{\circ}:-45^{\circ}$) polarized beam with DPSS laser(532nm) and He-Ne laser(632nm). A recording property was observed at each polarized beam through 2-dimensional hologram surface relief grating. Chalcogenide thin film was etched selectively by NaOH solution after the formation of 1-dimensional diffraction grating. And then etched sample was rotated 90 degree to fabricate 2 dimensional hologram grating. We found that it was observed the formation of 2-dimensional hologram grating by AFM(Atomic Force Microscopy).

$Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics were fabrication by sol-gel method. Sintering temperature must be suited to the LTCC technology. Structure and dielectric properties were investigated for effect of $Li_{2}CO_3$ dopants at BST. Structure of $Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics were dense and homogeneous with almost no pore. Relative permittivity was decreased and dielectric loss was increased with increasing $Li_{2}CO_3$ doping rations. In the case of the 3wt% $Li_{2}CO_3$ doped $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ ceramics sintered at $900^{\circ}C$, relative permittivity and dielectric loss were 907 and 0.003 at 100 kHz.

본 연구에서는 polymer gate insulators에 따른 pentacene 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin-Film Transistors)의 전기적 특성을 atom force microscope (AFM), x-ray diffraction (XRD) 그리고 I-V 측정을 이용하여 분석하였다. Pentacene 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 pentacene의 증착 조건뿐만 아니라 polymer gate insulator에 따라 크게 영향을 받는다. 따라서 다양한 polymer 기판 위에 온도, 두께 그리고 증착 속도에 따라 pentacene을 증착 하였다. 그리고 증착된 pentacne을 AFM, XRD를 이용하여 pentacene의 구조, 결정화 그리고 grain 크기 등을 분석하였다. 또한 inverted stagger며 구조의 pentacene 박막 트랜지스터 소자를 제작하고 I-V 측정하여 그 결과를 분석하였다.

탄소 나노튜브는 기계적인 강도가 크고, 표면적이 넘으며 전기전도도가 우수할 뿐만 아니라 화학적으로도 안정하기 때문에 최근 여러분야에 적용하려는 연구가 활발히 진행되고 있는 나노물질이다. 특히 바이오센서에서 탄소 나노튜브는 작업 전극의 활성을 증대시키는 물질로써, 안정적인 효소 고정화에 기여하는 reservior로써 그리고 반응에서 생성된 전자를 전극에 효과적으로 전달하는 매개체로써 이용되고 있다. 본 연구에서는 다중벽 탄소 나노튜브(multi-walled carbon nanotube ; MWNT)를 화학처리하여 작용기를 유도한 후 효소와 반응시킨 용액으로 스크린 프린팅 방법으로 제작된 탄소전극의 표면을 개질하는 방법으로 바이오센서를 제작하였다. 이렇게 제작된 바이오센서를 탄소 나노튜브를 이용하지 않은 바이오 센서와 전기화학적으로 분석한 결과 감도가 약 3배정도 증가하는 결과를 얻을 수 있었다. 이것은 효소반응 시 발생된 전자가 나노튜브를 통해서 전극에 효과적으로 전달됨을 의미한다.

$Ge_{2}Sb_{2}Te_5$(GST) thin film at present is a promising candidate for a phase change random access memory (PCRAM) based on the difference in resistivity between the crystalline and amorphous phase. PCRAM is an easy to manufacture, low cost storage technology with a high storage density. Therefore today several major chip in manufacturers are investigating this data storage technique. Recently, A. Pirovano et al. showed that PCRAM can be safely scaled down to the 65 nm technology node. G. T Jeonget al. suggested that physical limit of PRAM scaling will be around 10 nm node. Etching process of GST thin ra films below 100 nm range becomes more challenging. However, not much information is available in this area. In this work, we report on a parametric study of ICP etching of GST thin films in $Cl_2$/Ar chemistry. The etching characteristics of $Ge_{2}Sb_{2}Te_5$ thin films were investigated using an inductively coupled plasma (ICP) of $Cl_2$/Ar gas mixture. The etch rate of the GST films increased with increasing $Cl_2$ flow rate, source and bias powers, and pressure. The selectivity of GST over the $SiO_2$ films was higher than 10:1. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was performed to examine the chemical species present in the etched surface of GST thin films. XPS results showed that the etch rate-determining element among the Ge, Sb, and Te was Te in the $Cl_2$/Ar plasma.

In this study, we synthesized CNTs(carbon nanotubes) on the glass substrate by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD), Effect of bias voltage on the grown behavior and morphology of CNTs were investigated. Recently, it has been proposed that aligned CNTs can also be achieved by the application of electric bias to the substrate during growth, the first time reported the bias effect such that the nanotube alignment occurred only when a positive bias was applied to the substrate whereas no aligned growth occurred under a negative bias and no tube growth was observed without bias. On the country, several researchers reported some different observations that aligned nanotubes could also be grown under negative substrate biases. This discrepancy as for the effect of positive and negative bias may indicate that the bias effect is not fully understood yet. The glass and Si wafers were first deposited with TiN buffer layer by r.f sputtering method, and then Ni catalyst same method, The thickness of TiN and Ni layer were 200 nm and 60 nm, respectively. The main process parameters include the substrate bias (0 to - 300 V), and deposition pressure (8 to 20 torr).

본 논문에서는 분말 연자성체에 플라즈마를 이용하였을 때 특성 개선에 관한 연구이다. 기존의 압분 방식은 낮은 강도를 갖는 단점 때문에 신뢰성에 문제가 있어서, 직접적인 모터분야에 연자성체(SMC)를 적용하는데 큰 문제점 이였다. 그러나 본 논문에서 제안하는 SPS(Spark Plasma sintering)공법을 적용한 모터 코어 제조 방법은 플라즈마를 이용하여 분말의 표면에서만 접촉이 일어나게 하는 소결 방식으로, 내부재질의 특성변화 없이 표면의 절연층끼리만 접촉되게 하여 자기적 특성의 손상없이 기계적인 강도를 높일 수 있었다. 실제적으로 기존의 압분체(Hoganass550+윤활제(KE))의 경우 파단강도가 700Mpa정도였으나 SPS를 적용시 1200Mpa까지 증가 되었다. 이러한 SPS 공법을 통해 연자성체(SMC)재질의 모터 Core 분야 적용하는 데 생기는 문제점을 해결하고자 하였다.

Carbon nanotubes (CNTs) are grown on TiN-Coated silicon substrates at $700^{\circ}C$ using an ICP-CVD method. Ni catalysts for CNT growth are formed using an RF magnetron sputtering system. Post-treatment using hydrogen ions has been performed in the ICP reactor by varying the treatment period. The characterization using various techniques, such as FESEM, HRTEM, and Raman spectroscopy, show that the physical dimension as well as the crystal quality of CNTs are changed by the post-treatment process. It is also seen that the hydrogen ion-bombardment may change the surface structure of CNTs, which may lead to produce better electron emission properties. The physical reason for all the measured data obtained are discussed to establish the relationship between the structural property and the electron emission characteristic of CNTs.

Electronics 분야에서 잉크젯 프린팅 배선 제작에 많이 사용되는 전도성 은 나노 잉크의 소성 특성을 연구하였다. 잉크젯 프린터를 이용하여 미세 배선을 인쇄하고, 열처리에 따른 비저항의 변화 양상을 관찰하였다. SEM을 통해 미세구조를 관찰하여 배선의 전기 저항과 미세 구조와의 상관관계를 고찰하였다. $250^{\circ}C$ 20분 동안 소성을 하였을 매 가장 낮은 비저항을 얻었으며 순수 은의 비저항 대비 약 2.6배였다. 또한 TEM을 통해 배선 내부의 pore를 관찰하였고, 그 분포올를 측정하였다.

Pb(Zr,Ti)$O_3$ is one of the most attractive ferroelectric materials for realizing the FeRAM due to its higher remanant polarization and the ability to withstand higher coercive fields. Generally, the ferroelectric materials were patterned by a plasma etching process for high-density FeRAM. The applicable possibility of CMP process to pattern Pb(Zr,Ti)$O_3$ instead of plasma etching process was investigated in our previous study for improvement of an angled sidewall which prevents the densification of ferroelectric memory and is apt to receive the plasma damage. Our previous study showed that good removal rate with the excellent surface roughness compared to plasma etching process were obtained by CMP process for the patterning of Pb(Zr,Ti)$O_3$. The suitable selectivity to TEOS without any damage to the structural property of Pb(Zr,Ti)$O_3$ was also guaranteed. In this study, the removal mechanism of $Pb_{1.1}(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ coated by sol-gel method was investigated. Surface analysis of polished specimens at the best and worst conditions was carried out by XPS.

In this paper, we first applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to the planarization of ferroelectric film in order to obtain a good planarity of electrode/ferroelectric film interface. $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_{3}O_{12}$ (BLT) ferroelectric fan was fabricated by the sol-gel method. Removal rate and non-uniformity (WIWNU%) were examined by change of silica slurries pH(10.3, 11.3, 12.3). Surface roughness of BLT thin films before and after CMP process was inquired into by atomic force microscopy (AFM). Effects of silica slurries pH(10.3, 11.3, 12.3) were investigated on the CMP performance of BLT film by the surface analysis of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).

반도체 에칭분야에 많이 이용되고 있는 $CF_4$, $C_{2}F_6$, $C_{3}F_8$가스들의 전자수송계수들을 볼츠만 방정식을 이용하여 해석하고자 한다. 특히 혼합가스를 이용하여 확산방전스위치에서 요구되어지는 특성을 파악하고자 할 때 시뮬레이션에 의한 적절한 혼합비 구현을 위하여 이들 순수가스들이 가지고 있는 전자충돌단면적을 해석하고, 전자이동속도와 부착계수 값을 2항과 다항근사 볼츠만 해석을 통해 $0.1{\sim}300$ Td에 걸친 광범위 표에서 해석하고자 한다.

좁은 공간에 고출력 고에너지 레이저를 집속할 때 발생하는 고밀도, 고에너지 플라즈마 연구는 상태방정식, 실험실 천체물리, 전자가속 둥 기초 분야 뿐 아니라 X-선 및 극자외선 광원 개발, 원전 유지보수 등 다양한 산업 활용 분야를 갖고 있어 최근 미국, 프랑스, 일본, 중국 등 선진강대국에서 크게 주목 받고 있는 연구 분야이다. 한국원자력연구소는 물리나 광학의 원천기술 뿐 아니라 미래 산업에 파급효과 큰 플라즈마 기반 연구를 위하여 1 kJ급 고에너지 Nd:Glass 레이저 시설을 구축하고 있다.

A new gas jet Z-pinch EUV light source having double gas jet electrodes has been developed. It has two nozzles and two diffusers. The EUV beam is collected from the side of pinch plasma, generated in between the inner nozzle and corresponding diffuser. A cylindrical shell of He gas curtain produced by the outer nozzle is specially designed for shielding the debris and suppressing the inner gas expansion. We have succeeded in generating EUV energy of 1.22 mJ/sr/2%BW/pulse at 13.5nm. The estimated dimension of EUV source is to be FWHM diameter of 0.07 mm and length of 0.34 mm, and FW 1/e2 diameter of 0.15 mm and length of 1.2 mm.

본 연구에서는 우리는 ITO전각을 사용하지 않는 새로운 전극 구조를 가지는 AC-PDP를 제안하였다. 제안한 구조는 댄스 전극과 유전체를 교대로 쌓아 올린 구조로서 긴 방전 경로와 낮은 방전 전류, 높은 휘도의 특징과 높은 효율을 내었다. 먼저 2-D 시뮬레이션의 결과를 기초로 하여, 제안한 구조를 가지는 테스트 패널을 제작하였다. 기존의 전극구조와 비교하였을 때, 제안한 구조는 발광 효율이 약 3배 증가하였고, 휘도는 약 50% 증가하였으며 방전전류는 약 60% 감소하였다.

이 논문에서는 코일의 구조가 변압기형태인 나선형 자속압축 발전기, 켄칭매질인 $SiO_2$ 분말과 동선으로 제작한 퓨즈개방스위치, 두 개의 전극으로 간단하게 만든 스파크 갭 스위치 그리고 수저항 모의부하로 이루어진 대전류 고전압 펄스발생 시스템을 제작하고 출력특성을 분석하였다. 실험결과, 축전기로부터 공급한 364J의 초기에너지를 나선형 자속압축발전기로 증폭을 하고 최대 출력전류에서 퓨즈개방스위치가 동작하여 $120{\Omega}$의 수저항에 펄스상승시간이 56ns이고, 펄스폭이 $0.1{\mu}s$인 180kV의 고전압펄스를 인가하였다.

The monitoring and diagnosing technique for lightning arresters is important to assure the reliability of power supply in GIS-substation. In this paper, we described the implementation of an expert system for GIS arrester facilities. The proposed system consists of a data acquisition module (DAM), a wireless communication module, and a personal computer. The DAM detects system voltages, total leakage currents and its harmonic components, and includes an algorithm to calculate the resistive leakage current by the principle that the magnitudes of resistive leakage current are equal at the same level of the system voltage applied to the arrestor. Also, we designed a surge event detection circuit which can acquire the date, the polarity, and the amplitude of surge events. All the acquired data are transmitted after correction by many algorithms to the remote station through the ZigBee protocol. The expert system is based on the Jave Expert System Shell (JESS) and make more reliable decision by using an exclusive inference process.

본 논문에서는 현재 운용되고 있는 낙뢰탐지 시스템들과는 다른 측위방식인 TDOA(Time Difference of Arrival)방법을 사용한 3차원 낙뢰 탐지 및 추적 시스템을 제안한다. TDOA방식은 낙뢰와 수신국사이의 도달시간을 측정하여 두 수신국간의 시간차가 일정한 쌍곡선을 얻고 이들 쌍곡선의 교점을 이용해 낙뢰의 위치를 결정하는 방법이다. 이 시스템을 이용하여 위치정확도가 수 미터인 3차원 낙뢰 방전 궤적을 얻을 수 있다. 시스템의 구현을 위해서 먼저 낙뢰의 신호를 저장해야 하는데, 광대역의 낙뢰신호를 저장하기 위해서는 고속의 디지타이저가 필요하다. 그러나 디지타이저와 프로세서간의 인터페이스의 한계로 연속적으로 이를 저장하는 것은 어려우며, 이러한 신호 저장의 문제점을 해결하기 위해서 낙뢰 신호 저장 시스템이 필요하다. 본 논문에서는 낙뢰의 메커니즘과 광대역 낙뢰신호 검출기법을 설명하고, 구현한 낙뢰 신호 저장 시스템을 소개한다.

It is very important to discriminate noises such as air corona in measuring on-site partial discharges (PD). Therefore, in order to investigate the possibility of separating PD(partial discharge) and noises through the pulse analysis, pulse shapes measured by a resistive sensor and a HFCT were analyzed and PA(pulse analysis) were performed. For the purpose, the HFPD detection and PA system has been developed. Also void discharges and air corona were adopted as the artificial defect and noises, respectively.

During normal machine operation, partial discharge(PD) measurements were peformed with turbine generator analyzer(TGA) in two high voltage motors(rated 6.6 kV). These high voltage motors were installed with 80 pF capacitive couplers at the terminal box. TGA summarizes each plot with two quantities such as the normalized quantity number(NQN) and the peak PD magnitude (Qm). The trend analyses of NQN and $Q_m$ value are available for monitoring of the insulation condition in stator windings of high voltage motors.

This paper describes touch and step voltage in the reinforced concrete and steel poles. Ground surface potential rises were measured as a function of the separation between pole and ground rod. Touch and step voltage are calculated on the basis of the distribution of ground surface potential rises. As a result, touch and step voltages strongly depend on the position of installation of ground rod.

Solid insulation exposed to voltage is degraded and by electrical tree process. And the degradation of the insulation is accelerated by voltage application. For this experimental, specimen of electrical tree model is made by XLPE(cross-linked polyethylene). And the size of the specimen is 7*5*7 $mm^3$. Distance of needle and plane is 2mm. Voltage applied for acceleration test are 12kV. And distribution characteristic of degraded stage is studied too. As a PD detecting and data process, discharge data acquire from PD detecting system(Biddle instrument). Their results of PD distribution show good present and are good discriminating skill.

AE(Acoustic Emission) 검출기법을 이용한 새로운 방식의 변압기 on-line 진단 장비의 개발을 소개한다. 금번에 개발된 변압기 진단 장비(AMiD)는 다년간에 걸친 프로젝트 수행과 실 현장측정 결과를 토대로 축적된 경험과 기술력을 바탕으로 설계, 제작되었다. 본 장비는 국내 전력용 변압기의 운전 환경에 적합하며, 각 변압기의 운전 환경과 운전 조건에 따라 유동적으로 적용될 수 있다. 본문에서는 장비의 기본적인 사양 및 기술적 특징에 대해서 설명한다.

It is very difficult and dangerous to measure partial discharge from high voltage equipment in outdoor situation. But that is very important thing for preventing serious accidents from defects which originated in insulating degradation. This paper provides useful method to detect PD signals easily without any dangerous situation. Electric field sensor by the principle of capacitor detect PD signals without direct electrical connection between sensor and high power equipment and has very wide frequency range suitable for noise rejection. Electric field sensor and related circuit for processing PD signal showed good performance as a PD sensor when it is applied to simulated high power equipment generating PD pulse.

고전압 방전시험 장치는 국제전기기술위원회 규격(IEC 61000-4-2)에서 규정하고 있는 콘덴서 방식을 사용하며, 매우 짧은 시간에 방전함으로서 펄스 형태의 방전전류가 통전된다. 이러한 정전기적인 방전에 의해 전자기기에 고장을 발생시키며 이를 검증하는 방법으로 정전기 내성시험법이 있다. 본 논문에서는 첫째로 방전장치가 발생하는 잡음 전계량을 측정하였고, 둘째로 방전장치를 시험시료에 근접하는 방법에 따른 시험시료에 미치는 영향을 실험을 통해 검증하였고, 셋째로 근접방법에 따른 정전유도 현상이 시험시료에 미치는 영향을 실험적으로 검증하였다. 이러한 세 가지 현상을 바탕으로 시험시료가 고전압 방전장치를 근접 방전하여 방전을 유발시켰을 때의 전자파의 영향에 내성을 갖고 있는지를 검증하는 새로운 시험방법을 제안하였다.

Alumina 첨가량의 변화에 따라 국산 경년품 애자와 신품 애자의 특성을 분석하고, 외국산 신품애자와 비교분석하였다. 그 결과 알루미나가 17% 첨가된 2001년도 자기애자가 알루미나 첨가량이 m%된 2004년 신품애자에 비하여 기계적 특성이 10%정도 낮았다. 또한, 2001년도에 제조한 애자의 자기 상대밀도는 이론밀도의 96%에 도달하였으나 2004년도에 제조한 애자의 상대 밀도는 이론 밀도의 98%에 도달하였으며, 애자의 균일성을 나타내는 Qs 값은 5.01로 높게 나타났다.

본 논문은 변압기의 과부하 상태를 모의하고 내부 절연물의 잔존수명을 평가하기 위한 방법으로 가속 열 열화 시험을 수행하였으며, 광유 함침 절연지의 열 스트레스에 의한 절연 열화 특성을 분석하였다. 시험에 사용된 절연재료는 변압기의 주 절연물로 널리 사용하고 있는 셀룰로스계 크래프트 절연지와 광유계 절연유를 사용하였다. 가속 열 열화 시험은 IEEE/ANSI Standard C59.91-1981의 수명 예측 곡선에 의거하여 국내 배전환경에 부합하도록 $55^{\circ}C$ 절연시스템을 기준으로 하였으며, $150^{\circ}C$에서 약 1,000시간 동안 열 스트레스를 인가함으로써 변압기의 수명이 다하도록 모의하였다. 또한 절연지의 절연 열화 특성을 분석하기 위해 인장강도, 비유전율, 절연파괴 강도를 시험하였다.

Gas Discharge Tubes (GDTs) are widely used as surge protectors for communication applications due to their small internal capacitance. In these days, however, they are mostly used in combined configurations, because the activation voltage required to initiate the discharge process in the GDTs for sufficient amount of time can be large enough to damage surge-sensitive protected circuits. For GDTs with a considerably high initial over-voltage value, we should limit the peak voltage using a TVS or filter. As for ZnO varistors, even though their performance for voltage restriction is excellent their applications in high-frequency communication circuits have been limited because of higher internal capacitance when compared to the GDTs. In order to develop a surge protector for communication applications by taking advantages of these two devices, we built a combination circuit that connects a GDT and a ZnO varistor along with a choke coil in common and differential modes. We describe how the applied SPDs operate in protection process steps with the actual data obtained from the residual voltage measurements at each step. The experiment results show that the surge voltage restriction with the choke coil is more effective in differential mode than in common mode.

포항가속기연구소 선형${\mu}$가속기의 대전력 RF부품의 시험과 RF증폭을 위해 사용되는 클라이스트론 튜브의 시험용 전원으로 펄스전원인 모듈레이터를 사용하고 있다. 고전적인 방식의 교류전압을 변환하여 직류로 만들고 이 전원을 L-C공진충전에 의해 펄스를 생성하는 펄스 커패시터에 약 2배의 직류전원으로 충전하는 기법을 사용하고 있다. 이들 전원은 저주파의 대용량 변압기를 사용하여 직류로 변환하는 부품들의 부피가 크다. 새로운 충전기법을 적용한 펄스전원의 경우는 고주파 인버터 전원을 채택하여 그 부피를 줄이고 지령충전에 의해 펄스를 생성하는 싸이라트론의 애노드에 고전압이 머무는 시간을 줄임으로서 자발방전이나 고전압 아크에 의한 오동작을 최소로 할 수 있다는 장점이 있다. 본 논문에서는 고주파 전원 방식을 채용한 펄스 모듈레이터의 제어방법의 개선과 부피를 줄여 운전의 효율성을 높인 내용으로 발표하고자 한다.

Wenner 4-probe arrangement is used most widely by the method to measure soil resistivity and the measured data with the Wenner method are apparent resistivities of the soil. Therefore, the soil structure can be analyzed easily from the measured apparent resistivity, but the real soil resistivity is difficult to know correctly at a particular depth or at a specific location on earth surface. This paper introduces a method that can be used to decide the suitable burial depth and the electrode scale of a grounding rod effectively using soil structure analysis equipment based on the dipole-dipole method.

A complete finite element analysis method for discharge onset process, which is governed and coupled by charge transport equation and electric field equation, was presented. The charge transport equation of first order was transformed into a second-order one by utilizing the artificial diffusion scheme. The two second-order equations were analyzed by the finite element formulation which is well-developed for second-order ones. The Fowler-Nordheim injection boundary condition was adopted for charge transport equation. After verifying the numerical results by comparing to the analytic solutions using parallel plane electrodes with one carrier system, we extended the result to blade-plane electrodes in 2D xy geometry with three carriers system. Radius of the sharp tip was taken to be 50 ${\mu}m$. When this sharp geometry was solved by utilizing the space discretizing methods, the very sharp tip was found to cause a singularity in electric field and space charge distribution around the tip. To avoid these numerical difficulties in the FEM, finer meshes, a higher order shape function, and artificial diffusion scheme were employed.

본 논문은 가속 열열화 시험에 의한 광유 함침 절연물의 기계적 특성과 화학적 특성을 비교하였다. 가속 열열화 시험에 사용된 절연물은 셀룰로오스 절연지와 광유를 사용하였고, 가속 열열화 시험 방법은 ANSI/IEEE C57.91-1982에 의해 $150^{\circ}C $로 1000시간을 열화하였다. 가속 열열화 시험에 의해 절연재료의 주성분인 셀룰로오스 절연지는 열화로 인해 글루코시딕 결합체가 깨진다. 이때 생성된 셀룰로오스 절연지의 클루코오스 분해 생성물 분석을 위해 평균 중합도법을 사용하였고, 기계적인 특성은 인장강도법을 수행 하였다.

It has been reported that more than 50% of breakdown in transmission line for 154kV and above is due to lightning stroke. The flashover failure due to lightning stroke causes outage, voltage drop and instantaneous outage, Therefore line arrestors have been used in transmission line for protection from lightning stroke. In this paper, we describes electrical characteristics and performance test of line arrestor for transmission line.

Because AZO thin film has the potential applications, Preparing AZO thin films on the polymer substrate has been widely studied. In this study, we prepared AZO thin films on polyethersulfon (PES) at room temperature. The AZO thin films were prepared at $O_2$ gas flow rate of 0.05 and sputtering power of 100W with different film thickness by facing targets sputtering method. The electrical, optical and crystallographic properties of AZO thin films were measured by Hall effect measurement system, UV/VIS spectrometer, SEM and XRD. From the results, we obtained AZO thin films with a low resistivity, a transmittance of over 80% and c-axis preferred orientation.

본 연구는 $SF_6$와 Dry-air(건조공기)가 혼합된 절연매체의 절연 특성과 부분방전 특성 연구를 위하여 기초실험용 쳄버와 70kV급 GIS mock up 을 이용하여 교류전압을 인가하여 실험이 수행되었다. 전자의 경우, Sphere gap 및 Needle/Plate 전극시스템을 이용하여 순수 $SF_6$가스와 Dry-air의 절연내력을 비교하고, 챔버의 압력을 5기압으로 유지한 상태에서 Dry-air와 $SF_6$가스의 혼합비를 변화시키면서 절연내력이 측정되었다. 후자의 경우, 기초실험에서 도출된 $SF_6$가스와 Dry-air의 최적의 혼합비율을 선택한 후, 방전 개시전압과 부분방전 양상을 순수 $SF_6$가스의 결과와 비교 분석하기 위한 실험을 수행하였다. 이를 위하여 GIS 사고의 주요원인이 되는 결함들, 즉 Protrusion, Floating, Free moving particle 들을 인위적으로 모의하여 Mock up 내부에 설치하고 내부 압력을 5기압으로 유지한 상태에서 수행되었다. 전자의 경우, $0.5{\sim}5$ 기압 범위내 에서 Dry-air 압력을 변화시켰을 때 절연내력은 전극시스템에 무관하게 순수 $SF_6$가스의 결과치의 $40{\sim}50%$정도이다. 또한 챔버 압력이 5기압일 경우, Needle/Plate 전극을 이용했을 경우, Dry-air 가 80% 혼합된 절연매체는 순수 $SF_6$가스 절연내력의 80%정도이다. 후자의 경우, 인가전압을 고정 시켰을 때, 부분방전 패턴과 방전크기는, 순수 $SF_6$가스와 Dry-air 가 80% 혼합된 절연매체는 동일한 패턴과 방전크기를 나타내고 있다. 이러한 결과를 근거로, 가스 압력이 5기압에서 운전되는 전력기기의 절연 매체로서 혼합가스를 사용할 경우, $SF_6$가스와 Dry-air의 혼합비는 2:8정도가 적절한 것으로 제안한다.

XLPE 절연 전력케이블의 제조과정에서 발생하는 가교부산물을 제거할 목적으로 14주기노화를 실시한다. 이 과정에서 가교부산물이 제거되는 효과도 있지만 열에 의한 구조적 결함도 생기게 되며, 이들 모두가 뇌충격파괴전압에 영향을 준다. 22.9kV 트리억제형(TR CNCV-W) 케이블에 대하여 14주기노화 전과 후의 파괴전압을 분석하였으며, 전반적으로 노화과정이 파괴전압을 감소시키는 결과를 보였으나 60 $mm^2$ 케이블은 상승효과와 감소효과가 비슷하게 작용하는 것으로 나타났다.

XLPE 절연 전력케이블의 제조과정에서 발생하는 가교부산물을 제거할 목적으로 14주기노화를 실시하며, XLPE 절연체에 발생하는 수트리를 가속 발생 성장시킬 목적으로 가속수트리 열화를 실시한다. 22.9kV 트리억제형(TR CNCV-W) 케이블에 대하여 14주기노화 전과 후, 120, 240, 360일 가속수트리(AWTT) 후의 파괴전압을 분석하였다. 14주기노화는 상승효과와 감소효과가 비슷하게 작용하는 것으로 나타났으며, 240일 AWTT 이후에 노화가 가속되는 것으로 나타났다.

ERA PD measuring system has been using for partial discharge evaluation of power appratus in test laboratories. So, the measurement uncertainty of PD measuring system (ERA), such as PD pulse calibrator rise and fall time, sacle factor(k) and linearity, transfer impedance etc, is very important factor of test result in test laboratory. In this paper, we describe tracebility and uncertainty improvement of PD measuring system in test laboratory based on IEC 60270.

In this paper, we measured PD signals from artificial surface defects and corona discharges under laboratory circumstances like the fields using both HFCT-sensor and UHF-sensor for MV grade XLPE cable with AMP, spectrum analyzer and oscilloscope. Also, detected signals were analyzed via PRPDA system in this paper. As a result, in this case of HFCT-sensor, the amount of background noise are larger than as compared to UHF-sensor. There is needed some hardware or software or software algorithm removing background noise effectively for diagnosis the underground power transmission cable in the case of HFCT-sensor.

In this paper, there have been brief review about the important consideration in laboratory planning and construction of the artificial pollution testing facilities including 300 kV, 1800 kVA AC test system, which enable to lest and evaluate the UHV dielectric performance of power insulators up to transmission class. Also it is described simply about its trial running of the whole test system. To evaluate the performance characteristics against contamination for various power installation, especially for the insulators and kinds of bushings, brief investigation and an analysis of test objects and related international codes and standards have been conducted.

The low luminous efficacy is one of the major demerits of plasma display panel (PDP). In this work we propose the new driving method for high efficiency AC-PDP and analyze its discharge characteristics. The suggested method can control the effective capacitance of panel by external circuit. As a result of the new suggested method, the current becomes less and the discharge time becomes long, because of voltage distribution between panel and auxiliary capacitor. So this method can decrease the power consumption much more than that of the conventional driving method.

This paper describes the design and fabrication of a partial discharge(PD) analyzer to evaluate insulation performance for low-voltage electrical and electronic devices. The analyzer consists of an adjustable AC power supply, a coupling network, an amplifier, a shielding encloser, a sample-hold (S/H) circuit and a data acquisition (DAQ) board. The analyzer holds the height of PD pulse for $10{\mu}s$ by the S/H circuit, and this makes possible to measure PD pulses having fast rise and short duration by a low speed analog-to-digital (A/D) converter. The data are transmitted to the personal computer through the DAQ board, and the designed analysis program calculate apparent charges, discharge inception and extinction voltages.

This paper describes a selection and application recommendations of ZnO arresters on DC electric traction vehicles. We measured and analyzed the system voltages applied to arresters and the surge currents flowing arresters on DC electric traction vehicles under operation to decide the Continuous Operating Voltage($U_C$), the Rated Voltage($U_R$), and the Nominal Discharge Current($I_n$). System voltages measured up to 1,800 V during anti-breaking in 1,500 V-system, and surge currents were recorded up to 3 times per running-service-route and their magnitudes were ranges of $150A{\sim}2kA$. From these results and the standard EN50163, we proposed the Continuous Operating Voltage($U_C$) the Rated Voltage($U_R$) for the $1,500V_{dc}$ electric traction vehicles.

Cathode ray tube(CRT)를 대체 할 수 있는 차세대 display 중 plasma display panels(PDPs)가 각광받고 있지만, 여전히 효율 개선은 중요한 과제이다. 본 연구에서는 기존의 PDP driving 중 발광영역에 sine wave를 접목시켜 수치해석하였다. 수치 해석은 2차원 fluid-code simulator를 사용하였고, 여러가지 sine wave형태와 세폭 pulse를 조합하여, 30%이상의 효율 향상을 얻을 수 있었다.

There arc several important issues in AC PDP researches such as cost reduction, reliability, and good image quality. The properties of MgO layer is thought to be one of the most important (actors that affects the panel reliability through the firing voltage variation. The MgO thin film mainly has (111), (200) and (220) crystal orientation. It is reported that (111)-oriented film helps decreasing the discharge voltage, and (200)-oriented film improves the misfiring on high temperature and the image sticking. In this study, we investigated the relations between the crystal orientation and e-beam evaporation process parameters such asdeposition rate, temperature of substrate, and distance between the target(MgO tablet) and the substrate.

Electrical current always travels through the minimum resistance path. In this paper, we are studied on the direction and formation of carbonized conductive path according to surface leakage between electrodes. The analysis of characteristics of the arc discharge as surface is broken down between exposed live parts. Using the HSIS(high speed imaging system, 100,000fps, redlake ltd., USA), it took photographs by arc growth mechanism occurred in on/off surge, ground fault and discharge between electrodes. Therefore, it recommended for results of technology development and application such as theoretic verification of an arc direction and economic security according to a technology about connecting arc generation in surfaces of insulators. Hereafter, it expected effects that application of energy utility technology through the arc control.

This paper presents short-circuit tests for polymer-housed distribution arrestors depends on standards. The compared standards are IEC 60694(2004) and IEEE C62.11 (2005). Major differences depends on standards are prefaulted(pre-failure) method by means of a fuse wire and test procedure.

현재 한빛 플라즈마에서 운영되고 있는 전자기 진단장치는 정전탐침, 자장탐침 및 반자성루프 둥이 있다. 정전탐침은 고정식, 이동식, 고속주사방식 세 종류의 진단장치가 개발되어 실험에 이용되어 왔는데 비교적 쉽게 많은 종류의 probe와 다양한 probe tip을 구성할 수 있기 때문에 한빛 장치에서 axial 및 azimuthal 방향으로 전자 온도/밀도 및 그들의 분포를 측정하고 있다. 단일탐침에서 사용되던 RF 보상기술을 삼중탐침에서도 적용시켜 RF 보상 삼중탐침을 개발하였다. 기존의 삼중탐침의 경우에는 DC에 대해서는 높은 임피던스로 외부에 부유되어 있지만 RF의 경우에는 외부와 부유되지 않고 낮음 임피던스로 연결되어있는 경우가 많았다. 하지만 RF보상 삼중탐침의 경우에는 RF의 경우에도 충분히 큰 임피던스로 부유되어 있다. 따라서 보다 왜곡되지 않은 측정을 할 수 있다. RF보상 삼중탐침을 이용하여 한빛 Mirror 플라즈마에서 axial 방향으로 Plasma 변수들의 변화를 관찰하면서 기존의 탐침에서 볼 수 얼던 여러 특성을 관찰할 수 있었다.

Recently, the natural environment changes drastically, and the frequency of occurrence for lightning has gradually been increased. Such lightning delivers high volume of energy along the power line and communication line to the equipment in use. The high volume of energy arising from the lightning surge develops in fast velocity to destroy the facilities in power source and many other facilities in operation in sequential destruction with vast energy. In this thesis, the analysis on the change of clamping voltage characteristics by the contact resistance and lead inductance by using several case studies through the application of element for preventing the short circuit of Metal Oxide Varistor for ZnO.

본 연구는 한약재 살균 및 장기간의 저장에 따른 한약재 변질 원인을 제거하고, 고품질 유지를 위한 새로운 저장 장치를 개발하고자 하는 것이다. 본 연구에서는 '살균선 및 오존선을 방사하는 저압 자외선 램프'(이하, OZ-Lamp)의 방사 특징을 이용한 약재 보관장치를 제작하여, 오존발생 및 전기적 특성 연구 및 오존처리 보관 유무에 따른 약재의 특성 평가를 병행 연구하였다.

Recently, the noise discrimination method using PD pulse waveshape analysis has been suggested to be very effective method which can improve the reliability of the on-site PD measurement. In this method, the data clusters due to PD pulses or noises can be distinguished on the PA map. And for the automatic recognition of the PD clusters, it is necessary to adopt the adaptable pattern recognition method. In this study, as for the algorithm which can recognize data clusters, the data mining method has been adopted and the result of the analysis has been reported.

직경 0.3mm, 길이 40mm의 은 와이어를 증류수 중에서 전기폭발(wire explosion)을 발생시켰다. 전기폭발에 의해서 액체 중에 충격파 발생에 의한 공간의 형성과 더불어 금속 증기 및 플라즈마가 발생하고, 증기의 응축에 의해서 나노분말이 생성되는 것을 확인하였다. 또한 생성된 나노분말은 생성공간의 붕괴와 더불어 액체속으로 자연스럽게 분산되었다. 제조된 은 나노분말은 비교적 잘 분산된 구형의 분말이었으며 비표면적은 $16.2m^2/g$(평균입도 35nm)을 나타내었다.

For limitation and interruption of short circuit currents from low voltage to extra high voltage applications, the electrical equipment including fuses and circuit breakers, are widely used today. But in order to anticipate increasing needs for effective and competitive device for limiting the growing fault current in electrical power systems, fault current limitation technologies and fault current limitation devices are widely introduced and investigated in these days. Fault current limiters are emerging electric equipment which is under development using various methods including superconducting fault current limiter, solid state fault current limiter, arc driving fault current limiters. And these various methods have some advantages and disadvantages to take into considerations In order to commercialize fault current limiters in the electrical networks, a lot of discussions should be given on the point that fault current limiting methods, need for fault current limiters, coordination with existing protective system, and field experience before commercialization. In this paper, recent trends of fault current limiting technologies will be reviewed and the key issues of superconducting fault current limiters will be dealt with. And finally, future applications of superconducting fault current limiters would be discussed.

본 연구에서는 현재 국내 철도 및 지하철에 전력을 공급하는 전력설비들의 진단시스템 운용실태를 돌아보고 기존의 시스템을 최대한 존중하면서 좀더 효율적인 진단을 수행할 수 있도록 하는 방안을 모색하였다. 또한 판매자에 따라 다른 통신방식과 다른 HMI를 사용함으로 인하여 발생되는 많은 문제점들을 해결하기 위하여 통합된 시스템을 구성하였고 그에 따라서 여러 진단센서들을 종합적으로 연계하여 상호 연관관계를 가지고 서로의 정보를 공유하면서 통합적인 진단이 가능하도록 하였다.

In this paper, we present a new reset waveform for a large-sustain-gap structure in at PDPs. In the driving of the large-sustain-gap structure with a conventional ramp reset waveform, we cannot avoid the condition of an address being a cathode, which causes lots of trouble in stabilizing a reset discharge. To solve these problems, we use the square pulse instead of the conventional rising ramp pulse. Before making a strong discharge between the address (cathode) and scan (anode) electrodes, we make a priming discharge between the address (anode) and the scan (cathode) electrodes to stabilize the strong discharge in which the address electrodes are the cathode. With this scheme, we obtained 60V minimum address voltage and 145V maximum address voltage in $250{\mu}m$ and $350{\mu}m$ gap structures.

오늘날 전자기파의 영향은, 제어장비의 내부에 있는 기판의 전자 부품에 전자기적인 충격을 주어 장비의 오동작이나 고장을 일으키는 등 심각한 문제들이 제기 되고 있다. 이러한 임펄스 전자기파는 제어 장치에 연결된 제어전선으로 타고 들어와서 전자장비 내부의 부품들과 반사,공진등을 일으켜서 결국에는 PCB(printed circuit board)에 손상을 입혀서 그 장치들을 사용 못하게 할 수가 있다. 주파수가 광대역인 50MHz 에서 800MHz 까지의 EMI(electro magnetic interference)환경을 만들 수 있는 장치를 제작 하였다. 이러한 UWB(ultra wide band)장치는 고전압펄스를 압축 성형하여, 동작시간이 아주 빠른 ultra fast 스위치를 통해서, 펄스의 기림 시간이 수백ps의 파형을 만들어, 안테나로 전송하여 공간으로 방사시키는 장치에 대해 설계 제작하여 실험한 결과에 대해 논하고자 한다.

모세관 방전은 내벽의 절연 물질이 용발되어 수만도 영역에서 고압의 플라즈마를 생성하는 장치로서 이로부터 분사된 플라즈마 제트는 추진제 점화나 신물질 제조 둥에 이용할 수 있다. 본 연구에서는 수십 $m{\Omega}$ 영역에서 수 ms에 걸쳐 수십 kA의 펄스 전류가 흐르는 모세관 방전에 대해 플라즈마의 온도 및 압력에 의해 결정되는 저항을 통하여 펄스 전원 회로를 해석하며, 이로부터 공급되는 오옴열에 의해 플라즈마의 온도, 압력 등이 결정되는 유체역학적 변화를 수치적으로 계산하였다. 이 결과는 용발에 의해 정상 상태에 도달하는 플라즈마의 특성을 잘 보여주고 있으며, 모세관 방전 실험의 전기적, 유체역학적 변수 예측에 유용하게 쓰일 수 있다.

An L-band linear accelerator system for e-beam sterilization is under design for bio-technology application. The klystron-modulator system as RF microwave source has an important role as major components to offer the system reliability for long time steady state operation. A PFN line type pulse generator with a peak power of 71.5-MW, $7{\mu}s$, 285 pps is required to drive a high-power klystron. The high power pulse transformer has a function of transferring pulse energy from a pulsed power source to a high power load. The pulse transformer producing a pulse with a peak voltage of 275 kV is required to produce 30-MW peak and 60 kW average RF output power at the frequency of 1.3-GHz. We have designed the high power pulse transformer with 1:13 step-up ratio. The peak and average power capability is 71.5-MW (275 kV, 260 A at load side with $7{\mu}s$ pulse width) and 130 kW, respectively. In this paper, we present a system overview and initial design results of the high power pulse transformer.

A thermionic gun of injector linac for pohang accelerator laboratory is required to generate beam pulse width less than 1 nsec. The gun uses cathode-grid assembly(EIMAC Y824) and operates up to 80 kV anode voltage. In order research characteristics of the electron gun, emission current from gun wear measured by the wall current monitor. In this paper the pulser system and characteristics of the emission current in region from 30 mA to 15 A are described.

We have studied the backward wave oscillator, a power pulsed generator oscillator at 20 GHz has higher frequency then current one. An absolute instability linear analysis was used for the purpose of designing the slow wave structure. A large diameter of the slow wave structure was adopted to prevent the breakdown brought about by the increase of power density.

Since 1996, KEPCO has been operating a wide range lightning detection system, LPATS, and been accumulating relative application technics and statistical analysis skills. So, KEPRI already has its own basis to develope more accurate advanced detection technology and references to do comparative study. For Three-dimensional imaging of lightning channels, UHF/VHF antenna systems were installed at 2 sites. The distance between two sites is about 30 km. In this paper, we would like to introduce about our system and its results.

펨토세컨드 원적외선 가속장치(Femtosecond Far-infrared Accelerator)에는 5 밴드의 클라이스트론이 사용되고 있으며, 이를 구동시키기 위하여 신뢰성이 높고 컴펙트하며 효율성이 좋은 펄스 모듈레이터가 필요하다. 전통적인 방식의 라인타입 공진충전 펄스 모듈레이터는 직류전원을 만들기 위하여 많은 고전압 소자들을 사용한다. 이러한 소자들로는 SCRs, 3상 트렌스포머, 정류 다이오드, 필터 초크, 필터 커패시터, 충전 인덕터, 충전 다이오드, deQing 회로, de-spiking 초크 둥으로 구성된다. 펨토세컨드 원적외선 가속장치의 펄스 모듈레이터에는 이러한 소자들을 사용하는 대신에 고전압 인버터전원장치를 사용함으로써 신뢰성이 높고 컴펙트하며 효율성이 좋은 펄스 모듈레이터를 제작하였다. 전통적인 방식의 라인타입 공진충전 펄스 모듈레이터는 deQing 회로를 사용해야만 하지만, 펨토세컨드 원적외선 가속장치의 펄스 모듈레이터의 빔 전압의 변동폭은 deQing 회로를 사용하지 않고도 0.5 % 범위안에서 동작하기 때문에 출력이 매우 안정적이다. 고전압 인버터전원장치의 사양은 10 KJ, 50KV, 200mA의 전원장치 4개를 병렬로 사용하여 30 Hz로 운전하고 있다. 본 논문에서는 펨토세컨드 원적외선 가속장치의 펄스 모듈레이터의 디자인개념과 출력전압의 변동폭에 관하여 논의하고자한다.

A high rate deposition sputtering process of magnesium oxide thin film in oxide mode has been developed using a 20 kW unipolar pulsed power supply. The power supply was operated at a maximum constant voltage of 500 V and a constant current of 40 A. The pulse repetition rate and the duty were changed in the ranges of $10{\sim}50\;kHz$ and $10{\sim}60%$, respectively. The deposition rate increased with rising incident power to the target. Maximum incident power to the magnesium target was obtained by the control of frequency, duty and current. The deposition rate of a moving state was 9 nm m/min at the average power of 1.5 kW.

고출력 마이크로웨이브의 펄스 전원으로 PFN Marx 펄스 전원공급장치를 설계 및 제작하였다. PFN Marx는 커패시터와 인덕터 그리고 스파크 갭과 전원을 공급하는 전원공급장치와 전류 제한용 저항 또는 인덕터로 구성하여 제작을 하였다. 여기에 사용하는 스파크 갭 스위치는 개스를 채우는 방식으로 개스의 압력을 조정하여 스위치의 스위칭 전압을 조정하여 준다. PFN Marx는 커패시터와 인덕터가 직병렬로 구성이 되며 펄스폭과 PFN의 임피던스를 결정하는 중요한 요소이다. PFN Marx 펄스 전원공급장치를 시뮬레이션 및 제작하여 시험을 할 예정이며 요구되는 사양은 전압 수십 kV, 펄스 폭 수백 ns이다. 본 논문에서는 PFN Marx 펄스전원장치의 설계 및 시험에 대하여 고찰하고자 한다.

현재 전세계적으로 170kV급 이하의 초고압 지중케이블 접속함으로 기존의 현장몰드방식의 TMJ(Tape Molded Joint)와 부품조립방식의 PJ(Prefabricated Joint)보다 조립시간이 짧고 작업자의 숙련도가 높지 않아 경제적이며, 유지보수에 장점을 가진 고무몰드 접속함(PMJ)이 채용되고 있으며, 이러한 추세는 적용 전압급이 점차 상승하면서 230kV급까지 그 비중이 늘어나고 있는 경향을 보이고 있다. 당사에서는 이러한 추세에 발맞추어 154kV급 고무몰드접속함의 개발 당시의 Silicone의 기초물성시험 DATA 획득, 고무몰드 UNIT 및 금형 설계 기술 확립과 접속 공법 개발의 경험을 바탕으로 230kV급 고무몰드접속함의 개발에 성공하였다.

Energy distribution function for electrons in $SF_6$-Ar mixtures gas used by MCS-BEq algorithm has been analysed over the E/N range $30{\sim}300$[Td] by a two term Boltzmann equation and by a Monte Carlo Simulation using a set of electron cross sections determined by other authors, experimentally the electron swarm parameters for 0.2[%] and 0.5[%] $SF_6$-Ar mixtures were measured by time-of-flight (TOF) method. The results show that the deduced electron drift velocities, the electron ionization or attachment coefficients, longitudinal and transverse diffusion coefficients and mean energy agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values.

An electric probe is a conductor inserted into the plasma, by which plasma density and electron temperature can be deduced from the collected current (I) versus applied voltage (V) to the probe. In RF plasma the I-V characteristics of electric probe is distorted due to the RF fluctuation of plasma potential, so that it is hard to measure the real plasma parameters, especially the electron temperature. To eliminate the RF fluctuation, several compensation methods are developed such as RF compensation probe, peak-to-peak method, asymmetric double probe. By comparing proposed methods, a suitable method is to be introduced in determining electron temperatures in RF plasma.

산업용 가열, 건조, 해동 기술 분야에서 피 가열물의 열전달 특성이 좋지 않은 경우 대출력 마그네트론을 적용하여 전자파 가열방식을 이용함으로써 기존의 가열방식 보다 효율을 상당히 개선할 수 있음은 오래 전부터 알려져 왔다. 그러나 국내에서는 대출력(30kW급 이상) 마그네트론 제조기술 및 성능분석을 할 수 없어 외국에서 수입하여 산업에 산발적으로 적용하고 있는 실정이다. 따라서 본 연구는 30 kW급 대출력 마그네트론과 구동전원을 위한 시험 장비를 구축하여 신뢰성을 확보하면 마그네트론을 이용한 고효율 가열, 건조, 해동 기술에 적용이 가능하다.

This paper presents electrical properties of Zinc Oxide(ZnO) surge arrester blocks under the power frequency AC voltages and various temperatures. The leakage current, $I_{R}-V$ curios and power dissipation for the fine and aged ZnO surge arrester blocks were measured as a function of the temperatures and applied voltages. When the temperature is increased from $50\;[^{\circ}C]$ to $150\;[^{\circ}C]$, the total leakage current significantly increased at the sane applied voltage level. Also, the resistive leakage currents and power dissipation were increased with increasing temperature. The leakage current and power dissipation of the aged ZnO arrester blocks were higher than the fine ZnO arrester blocks.

보통의 AC PDP에서는 Ne, Xe 혼합가스를 사용한다. Xe %가 높아짐에 따라 PDP의 효율은 올라가지만 그와 함께 최초의 방전을 일으키는 방전 개시 전압 또한 올라간다. 이러한 이유로 실제 PDP에서 무한정 Xe %를 올릴 수는 없다. 그래서 우리는 Xe gas보다 원자번호가 낮은 불활성기체인 Kr gas를 첨가시킴으로써 동일한 효율에서 방전개시전압이 낮은 최적의 3원 가스 조성비를 찾아보았다.

22kV, 60kA급 커패시터 펄스전원장치의 스위치로 신뢰성과 제어성이 우수한 반도체 스위치인 싸이리스터(Thyristor)를 사용하였다. 싸이리스터 규격의 적합성을 검토하였으며 펄스파워발생환경에서 신뢰성을 높이기 위한 대책을 고려하였다. 실험결과와 모사실험 결과를 비교하였다.

본 논문은 그루빙(grooving), 타이닝(tining), 텍스쳐(texture) 등의 포장도로의 표면 상태를 차량에 장착된 고성능의 레이저 변위센서를 사용하여 주행 중에 정밀하게 측정하는 도로 표면 측정 장비 개발에 관한 논문이다. 본 논문에서는 전체 시스템을 설계 및 시험제작 하였으며, 차량 주행을 모사한 실험 모형을 이용한 실내 실험 및 시험도로에서의 실제 도로 표면 측정 실험을 실시하였다. 실내 포장도면 모사장비를 이용한 실험 결과 타이닝 폭 오차 2%, 깊이 오차 4%(60km/h)를 얻었으며, 실외에서 차량에 레이저센서를 장착 후 측정한 실험에서는 폭 오차 3.24%, 깊이 오차 5% (50km/h)가 측정되었다. 이러한 실험 결과를 토대로 시험도로 상의 실제 도로 표면 측정 실험에서는 25mm, 18mm, 26mm, 그리고 임의의 간격의 횡 방향 및 종 방향 타이닝을 측정하였고 이를 확인하였다.

본 논문에서는 광섬유에 여러 가지의 위상변화를 준 장주기 격자에 대한 센서 특성을 비교하여 분석하였다. 위상변화의 정도에 따라서 센서의 특징을 유효하게 할 수 있는지 비교하여 센서로서의 타당성을 가지는 위상변화 정도의 범위를 알아보았다. 장주기 격자는 아르곤 레이저를 이용하여 Point by point 방식으로 제작되었으며, 위상 변화를 주기 위해서 linear stage를 이용하였다.

This paper conducts a study on the way the PCB's parallel plates' performances are affected by the loading of low cap. elements such as low cap-decoupling capacitors in conjunction with other lumped element. The fields and impedance profiles are rigorously evaluated and analyzed on various cases loaded with the above components and their effects will be given to bring better PCB EMC schemes.

Tn this paper, PCB (Printed Circuit Board) embedded $BaTiO_3$ MIM capacitors were designed, fabricated, and characterized for low cost organic SOP applications by using 3-D EM simulator and low temperature processes. Size of electrodes and thickness of high dielectric films are optimized for improving the performance characteristics of the proposed embedded MIM capacitors at high frequency regime. The selected thicknesses of the $BaTiO_3$ film are $12{\mu}m$, $16{\mu}m$, and $20{\mu}m$. The fabricated MIM capacitor with dielectric constant of 30 and thickness of $12{\mu}m$ has capacitance density of $21.5p\;F/mm^2$ at 100MHz, maximum quality factor of 37.4 at 300 MHz, a quality factor of 30.9 at 1GHz, self resonant frequency of 5.4 GHz, respectively. The measured capacitances and quality factors are well matched with 3-D EM simulated ones. These embedded capacitors are promising for SOP based advanced electronic systems with various functionality, low cost, small size and volume.

A method to determine functional relationships between the variable physical dimensions of an antenna and the antenna performance characteristics is presented. By applying multi-expression programming (MEP) to this data set, optimization with regard to a given criteria can be subsequently performed on the functions instead of performing repealed electromagnetic simulations. The functionals are trained on an initial population of simulation samples and refined using a point-wise error estimate to identify design parameters for subsequent samples. Additionally, the depth of the MEP tree is adjusted for increased accuracy as the data set is deemed sufficient.

이동 및 정보통신 시스템이 소형화 및 고성능화됨에 따라 System OR Package (SOP) 기술의 연구개발이 주목을 받고 있다. 저가형 SOP를 위하여 가장 많은 연구가 다층인쇄회로 기판에 수동소자 및 전송선로를 내장시키는 것이다. 본 논문에서는, 8층 KB 기판에 Meander line과 Radial/T Stub 패턴을 Advanced Design System(ADS) simulation을 이용하여 설계 및 제작하고 분석함으로써 정확한 SOP 디자인 및 설계 방향을 제시하고자 한다. 설계변수-패턴의 length, width, spacing, 각도와 공정변수-1층/3층, 기판 재질(prepreg(PP)과 resin coated copper(RCC))을 두어 제작하여 그 특성을 비교하였다. Meander Line는 PP보다 RCC에서의 인덕턴스가 크고 높은 자가 공진주파수를 가졌고, 3층보다 1층에서의 인덕턴스가 안정적이었다. Radial/T Stub는 PP보다 RCC에서의 커패시턴스가 작으나, 높은 자가 공진 주파수로 커패시턴스가 안정적이었다. Meander Line은 RCC, 병렬 전송선로 간격-400um, 병렬 전송선로 길이-500um, 1층 설계 시, 인덕턴스-1.60nH, 자가 공진주파수-9.21GHz 특성이 가장 우수하고, Radial Stub는 RCC, $60^{\circ}$, 1층 설계 시, 커패시턴스-0.62pF, 자가 공진주파수-9.06GHz의 특성이 나타났고, T Stub는 RCC, Stub 길이-600um, Stub 너비-150um, 1층 설계 시, 커패시턴스 -0.38pF, 자가 공진주파수-10GHz이상으로 우수한 특성을 나타냈다.

본 논문에서는 모바일 컨버젼스 단말기를 위한 Tunable Image Rejection Filter를 구현 하였다. 이 필터는 TSMC 0.25um 공정을 이용해 시뮬레이션 되었다. 또한 정전기로 인한 소자의 파괴를 방지하기 위해 ESD 패드(Electro Static Discharge Pad)를 추가하였다. 영상 주파수 저지 특성은 WCDMA(2.1GHz), WiBro(2.3GHz), WLAN(2.45) 대역에서 모두 28dB 이상이고, 이때 바이어스 전압은 각각 0.5V, 0.95v, 1.8V의 전압을 가지게 되었다. 삽입 손실은 세 대역에서 모두 2dB 이하이다.

In this study electromagnetic fields under power lines were derived by dipole antenna theory and electric fields under high voltage power lines were discussed with dependence of power factor cos $\phi$. And also electromagnetic fields under 3 phase power lines with horizenal and vertical configurations were formulated.

광간섭계는 물체의 기하학적 구조 및 의료영상계측등 다양한 분야의 광계측에서 매우 일반적으로 사용된다. 이러한 광간섭계에서 광지연단은 측정대상의 기준을 위해 사용되고, 광간섭계의 계측속도는 광지연단에 의해 제한된다. 본 논문에서는 고속 광 지연단을 위해 기존의 기계적 방식을 배제하고, 광학적 방식의 광 간섭계를 구성하였다. 고속 광간섭계의 구성은 1304nm의 10GHz광원을 이용하였으며, 광지연단으로 광위상변조기와 광섬유를 이용하여 안정적이고 고속의 광 간섭계를 구성하였다. 구성된 광간섭계는 광위상변조기의 변조전압, 변조주파수에 의해 광지연시간을 가변할 수 있으며, 10MHz 반복율에 대해 11ps의 광지연시간을 얻을 수 있었다.

In this paper, a small size, $7{\times}6\;mm^2$, Low Noise Amplifier(LNA) using LTCC process was fabricated with multi-layer structure for 2.4GHz wireless LAN. The measured results demonstrate that the bandwidth is 130 MHz, and the operating frequency is from 2.39GHz to 2.52GHz. The power gain is above 7.3 dB in the operating frequency range and the gain flatness is 0.5 dB. The maximum S11 is -4 dB and the maximum S22 is -7.5 dB. The noise figure is less than 1.83 dB. The measured power gain, S11 and S22 were had poorer performance than the simulation results. The reason for this discrepancy is that the input and output matching was not performed exactly. However, the noise figure of the LTCC low noise amplifier is better than simulation result. It is found that it is possible to fabricate a LTCC low noise amplifier in a small size.

A cascode low noise amplifier(LNA) for a 2.45GHz RFID reader is designed using 0.25um CMOS technology. There are four LNA design techniques applied to the cascode topology. In this paper, power-constrained simultaneous noise and input matching(PCSNIM) technique is used for low power consumption and achieving the noise matching and input matching simultaneously. Simulation results demonstrate a noise figure of 2.75dB, a power gain of 10.17dB, and a dissipation power of 8.65mW with 1V supply.

본 논문은 구멍(aperture)이 나있는 육면체 진기에 전자파가 조사 되었을 때, 공진기 내부에 침투한 전자파를 Modal MoM 수치계산법을 이용하여 추정하였다. 공진기 내부의 전자파는 cavity Green 함수로, 외부는 자유 공간 Green 함수로 표현 할 수 있고, 구멍이 난 부분에서 전계와 자계의 접선 성분이 연속하다는 경계조건을 이용하여, 차폐하고자 하는 도체공간 내부에 침투한 전자파를 알 수 있다.

본 논문에서는 집적 영상에 기반한 2차원/3차원 변환 가능한 디스플레이에서 기초 영상을 표시하는 투과형 디스플레이 소자로서 기존의 광변조기 대신 LCD (liquid crystal display) 패널을 사용하여 컬러 디스플레이를 구현하는 방법을 제안한다. 본 논문에서는 제안된 방법의 원리를 설명하고 실험 결과를 보여주도록 하겠다. 또한 예상되는 색 분산 문제점에 대하여 살펴보고 이의 원인을 분석하고 해결 방법을 제안하여 2차원/3차원 변환 가능한 컬러 디스플레이를 구현하는 방법에 대하여 논하도록 하겠다.

PCB상에서의 집중정수 소자를 분석하기 위해 Electromagnetic Top이ogy를 이용한다. 복잡한 시스템에서 EM Coupling 문제를 수치해석이나 실험을 통해 구하기는 어렵다. 이런 복잡한 시스템에서 Electromagnetic Topology 방법을 통하여 EMC 해석을 하는 것은 유용할 것이다. 간단한 회로로 된 PCB를 통하여 이 방법에 대하여 검증해볼 것이다.

이 논문은 인위적으로 전자파를 발생시켜 이 전자파에 의한 반도체 소자의 피해 효과를 조사한 것이다. 동작주파수가 2.45 GHz인 마그네트론으로부터 발생되는 전자파는 끝단이 개방되어있는 도파관을 통해 자유공간으로 전파되고, 도파관 끝단으로부터 $30\;cm\;{\sim}\;50\;cm$인 지점에 반도체 소자들을 위치시켜 동작상태를 확인하였다. 시험에 사용된 피시험체인 반도채 소자로는 TTL과 CMOS 기반기술의 반도체를 사용하였고, LED 구동회로를 구성하여 LED의 점등 여부로 오동작 및 파괴 여부를 육안 식별하였다. 또한 시험 전후의 반도체 소자 표면을 제거 후 칩 상태를 SEM 분석하였다. 시험 결과 도파관 끝단으로부터 50 cm, 40 cm 떨어진 지점에 반도체 소자를 위치시키고 도파관 끝단에서 발생되는 전자파에 의한 반도체 소자의 피해는 전혀 없었다. 그러나 30 cm 떨어진 지점에서 오동작 및 파괴가 일어났다. 오동작 및 파괴가 일어난 시료의 칩 상태를 SEM 분석한 결과 칩 내부의 onchipwire의 용융으로 인한 파괴와 bondingwire의 완전파괴를 확인할 수 있었다. 위의 시험 결과는 인위적인 전자파 환경에서 반도체 소자의 결합 기구를 해석하는 기초 자료로 활용되며, 전자 장비들의 전자파 장해에 대한 이해에 도움이 되는 자료로 활용될 수 있을 것이다.

We are using the Faraday's electromagnetic law so as to improve our life in various industry fields. However, the side effect of the Faraday's law can be occurredin the sensors of the vehicle due to the high current flow such as Ignition. This effect is mainly caused by the shape of the wiring harness between sensor and high current load in the vehicle. To minimize the side effect by Faraday's law, three methods shall be considered in this paper (1) Pin definition of the sensor, (2) Pin definition of the high current load, (3) Wiring harness shape.

In this paper, a $4{\times}4$ rectangular patch array antenna operated at 20 GHz is implemented for the satellite communication. Two $2{\times}2$ subarrays are designed and more efficient $2{\times}2$ subarray is used for the design of $4{\times}4$ patch array. The sixteen patch antennas and microstrip feeding line are printed on the single-layered substrate. The spacing between the array elements is chosen to be $0.736{\lambda}$. HPBW (Half-Power Beam Width) is 17.6 degrees in the E-plane and 18.7 degrees in the H-plane with a gain of 17.2SdBi in the simulation results.

본 논문에서는 표면 플라즈몬 공명(Surface Plasmon Resonance) 센서의 여러 파라미터를 동시에 만족시키는 설계기법을 제시하였다. 설계 파라미터는 반사광 dip의 3dB bandwidth와 dip의 깊이이고 목적함수는 해석치와 목표치의 차이 벡터의 norm으로 정의하였다. 설계 변수는 박막된 각 금속 충의 두께로 하였고 SPR 센서의 스펙트럼을 해석하기 위해 광학 어드미턴스 기법을 이용하였다. 최적화 기법은 (1+1) 진화 알고리즘을 사용하였다. 설계방법을 3층 구조의 SPR 센서에 적용하여 최적 설계한 파라미터는 초기값에 비해 3dB bandwidth는 4.8nm, dip의 깊이는 1.1dB 향상되었다.

This paper deals with a new two dimensional clinometer based on dual axis micromachined accelerometers. The clinometer is a small and low-cost product, which is mainly developed to help golfers read easily the tilt of a putting green. First, this paper proposes the principle of two dimensional clinometer and also a calibration method to improve accuracy with respect to the offset voltage and sensitivity of a accelerometer. Experimental results show that the proposed clinometer can provide useful information on the tilt of an inclined plane.

This paper presents the effect of driving waveform for piezoelectric bend mode inkjet printhead with optimized mechanical design. Experimental and theoretical studies on the applied driving waveform versus jetting characteristic s were performed. The inkjet head has been designed to maximize the droplet velocity, minimize voltage response of the actuator and optimize the firing frequency to eject ink droplet. The head design was carried out by using mechanical simulation. The printhead has been fabricated with Si(100) and SOI wafers by MEMS process and silicon direct bonding method. To investigate how performance of the piezoelectric ceramic actuator influences on droplet diameter and droplet velocity, the method of stroboscopy was used. Also we observed the movement characteristics of PZT actuator with LDV(Laser Doppler Vibrometer) system, oscilloscope and dynamic signal analyzer. Missing nozzles caused by bubbles in chamber were monitored by their resonance frequency. Using the water based ink of viscosity of 4.8 cps and surface tension of 0.025N/m, it is possible to eject stable droplets up to 20kHz, 4.4m/s and above 8pL at the different applied driving waveforms.

It is a paper for design, manufacture and estimation of industry inkjet head. Simulations for Actuator, Ink flow and Ejection are executed for securing design ability. Relations between droplet and properties of ink are explained closely through simulation for nozzle. Actually, two silicon plates are made by dry and wet etching and directly bonded. PZT materials is attached on the bended ink flow part and cut to $540{\mu}m$ interval by dicing saw. Actuator was seen variation within 10% between simulation and actual head. Through the ejection estimation, it is shown that stabilized driving voltages change according to viscosity and surface tension of metal ink. Using the metal ink of viscosity of 4.8 cps and surface tension of 0.025 N/m, it is possible to eject the stable droplets with 5m/s, 20 pl, 5 kHz.

본 논문에서는 초소형 전원발생장치의 구현 방법에 따라 최대 출력을 얻을 수 있는 충전회로를 제안하였으며, 초소형 전원발생장치의 등가회로를 제시하였다. 이를 바탕으로 시뮬레이션을 하여 실제 실험과 비슷한 출력을 얻어 내었고, 초소형 전원 발생장치를 압전소자를 이용하여 구현하는 경우에는 누설전류가 작은 다이오드를 사용해야 하며, 유도기전력을 이용하여 구현하는 경우에는 전압강하가 작은 다이오드를 사용해야 한다는 것을 시뮬레이션과 실험을 통하여 확인하였다.

In this paper, mesoporous only platinum electrode and micro pore platinum electrode with mesoporous Pt are fabricated and characterized on a silicon substrate to check their usability as enzymeless sensing electrodes for developing non-disposable glucose sensors integrated with silicon CMOS read out circuitry. Since most of electrochemical glucose sensors are disposable due to the use of the enzymes that are living creatures, these are limited to use in the in-vivo and continuous monitoring system applications. The proposed mesoporous Pt electrode with approximately 2.5nm in pore diameter and 150nm in height was fabricated by using a nonionic surfactant $C_{16}EO_8$ and an electroplating technique. The micro pore Pt electrode with mesoporous Pt means the mesoporous Pt electrode fabricated on top of micro pore arrayed Pt electrode with approximately $10{\mu}m$ in pore diameter and $80{\mu}m$ in height. The measured current responses at 10mM glucose solution of plane Pt, micro pore Pt, micro pore with mesoporus Pt, and mesoporous Pt electrodes are approximately $9.9nA/mm^2$, $92.4nA/mm^2$, $3320nA/mm^2$ and $44620nA/mm^2$, respectively. These data indicate that the mesoporous Pt electrode is much more sensitive than the other Pt electrodes. Thus, it is promising for non-disposable glucose sensor and electrochemical sensor applications.

This paper describes a micro total analysis system ($\mu$ TAS) for detecting and digesting the target protein which includes a bead based temperature controllable microchip and computer based controllers for temperature and valve actuation. We firstly combined the temperature control function with a bead based microchip and realized the on-chip sequential reactions using two kinds of beads. The PEG-grafted bead, on which RNA aptamer was immobilized, was used for capturing and releasing the target protein. The target protein can be chosen by the type of RNA aptamer. In this paper, we used the RNA aptamer of HCV replicase. The trypsin coated bead was used for digesting the released protein prior to the matrix assisted laser desorption ionization time of flight mass spectrometer (MALDI TOF MS). Heat is applied for release of the captured protein binding on the bead, thermal denaturation and trypsin digestion. PDMS microchannel and PDMS micro pneumatic valves were also combined for the small volume liquid handling. The entire procedures for the detection and the digestion of the target protein were successfully carried out on a microchip without any other chemical treatment or off-chip handling using $20\;{\mu}l$ protein mixture within 20 min. We could acquire six matched peaks (7% sequence coverage) of HCV replicase.

This paper reports on a flexible and biocompatible platinum thermoresistive temperature sensor for the application of an ultrasonic resonance thrombolysis device for ischemic stroke. The proposed flexible platinum temperature sensor consists of a polyimide substrate, a platinum thermoresistive element and a polyimide insulation layer. The temperature coefficient of resistance (TCR) and sensitivity of the designed temperature sensor were measured and calculated to be $2.63{\times}10^{-3}/^{\circ}C$ and $0.93^{\circ}C/sec$, respectively.

3축 가속도 센서, 2축 지자기 센서, 구동 ASIC 및 마이크로 컨트롤 유니트(MCU, Micro Control Unit)를 집적시킨 복합센서 모듈을 개발하였다. 센서 모듈의 사이즈는 $8.3mm{\times}5.3mm{\times}1.5mm$ (0.066 cc)로서 스택(stack) 패키징 방식으로 제작하였다. 제작된 센서 모듈의 특성은 가속도 센서와 지자기 센서 모두 목표한 범위내의 값이 얻어졌으며, 특히 까다로운 규격의 신뢰성 테스트 모두 통과함으로서 우수한 성능을 보유하고 있음을 입증할 수 있었다.

In this paper, a non-vacuum packaged single crystalline silicon MEMS gyroscope is designed, fabricated and tested. To reduce air damping of the gyroscope structure for non-vacuum packaging, air damping model is used and damping is minimized by analysis. The inner and outer spring length is optimized by ANSYS simulation for rigid body motion. The gyroscope is fabricated by SiOG(Silicon On Glass) process. The performance of the gyroscope is measured to evaluate the characteristic of the gyroscope. The sensitivity, non-linearity, noise density and the bias stability are measured to 9.7693 mV/deg/s, 04265 %, 2.3 mdeg/s/rtHz and 16.1014 deg/s, respectively.

HVAC 시스템은 쾌적하고 깨끗한 운전환경을 만들어 줌으로써 운전자에게 향상된 안락성과 안전성을 제공한다. 이때 센서는 시시각각으로 변화하는 차실 내외의 환경변화에 대한 정보를 검출하여 HVAC 제어 유니트에 제공한다. 현재 HVAC 시스템에 사용되고 있는 후막 가스센서는 소자 크기와 소비전력이 크고, 제작공정이 까다로워 생산성이 낮은 단점이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서 최근에는 초소형화, 저소비전력, 대량생산에 의한 저가격화가 가능한 MEMS 가스센서의 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 MEMS 구조체를 이용한 마이크로 가스센서를 설계 및 제작하였고, 감도특성을 고찰하였다. 가스 감지막은 금속산화물 페이스트를 스크린 프린팅 하는 종래의 방법 대신 MEMS 구조체에 적용 가능한 sol-gel 프로세스에 의해 형성하였다. 또 가스 감지전극과 micro-heater를 동일 평면상에 제작, 공정을 간소화하여 저가화를 시도하였다. MEMS 구조체 위에 제작된 Pt 박막 micro-heater의 인가전압에 따른 발열특성을 조사한 결과, 발열온도가 인가전압에 비례하는 이상적인 선형성을 나타내었으며, $300^{\circ}C$의 동작 온도에 도달하기 위해 65mW 이하의 저전력 동작이 가능하였다. 가스 센서의 감도특성 확인 실험은 CO 가스 10ppm, NO 가스 0.3ppm을 기준으로 수행되었으며, CO 및 NO에 대해 Rs(sensitivity, 가스반응저항/초기저항) 값은 각각 0.753 과 2.416로 우수한 성능을 나타내었다.

MEMS형 써모파일은 온도계, 유속, 가스, 칼로리미터 등 다양한 산업 분야에 응용되고 있다. 현재 상용화되어 있는 대부분의 MEMS형 써모파일에서는 습식 이방성 에칭방식으로 다이어프램을 제작하고, 막의 구성은 산화막/질화막/산화막 혹은 산화막/질화막의 적층으로 되어 있다. 본 논문에서는 $XeF_2$시스템을 사용해 전면으로부터 에칭하여 저응력 질화막을 다이어프램을 제작하였고, 열전대 물질로는 poly-Si과 Al을 사용하였다. 그리고 각각의 열전쌍은 열접점에서 Al 패턴시, 사각형의 오픈 면적을 두어 접합된 모양을 달리하여 설계 제작하였다. 소자의 크기는 $2{\times}2mm^2$이고, 능동영역은 $400{\times}400{\mu}m^2$이다. 써모파일의 출력은 적외선 램프의 전력이 3W($80^{\circ}C$)일 때, 오픈된 면적이 증가할수록 출력이 증가하였으며, 오픈된 면적이 $300{\mu}m^2$ 일때의 출력은 약1mV로 나타났다. 이러한 특성으로부터 계산된 오픈된 면적에 따른 출력비는 약 $0.3nV/{\mu}m^2$이다.

본 연구에서는 NDIR(non dispersive infrared absorption) 가스센서의 소형화와 저가화를 목표로 2개의 오목 거울을 이용한 새로운 광 공동(optical cavity) 구조를 제안하고, 구조에 따른 광 출력 특성을 시뮬레이션하였다. Optical cavity는 광 경로증가 및 광 집속 구조로 설계하고, 각각의 출력단에서 검출되는 광 출력을 시뮬레이션한 결과 광 집속 구조의 팡 출력이 더 효율적임을 확인하였다. 집광구조에서의 광 출력을 최대로 하기 위해 광의 초점을 찾아보았다. 집광 구조를 사용하지 않는 단순 평행 광이 조사되는 경우, 적외선 센서부에 입사되는 광 출력은 최대 0.024W이다. 그러나 집광구조에서는 optical cavity의 광축에서 센서의 위치를 $15\sim20mm$까지 변화시켜 시뮬레이션한 결과 거리 18.83mm 일 때 조사되는 광 출력이 약 0.153W로 약 7배 증가됨을 확인하였다.

본 논문에서는 마이크로/나노 다공질 실리콘 기판에 여러 형태의 전극을 형성하여 혈액 중의 요소, 콜레스테롤, AST, ALT 농도를 검출하는 바이오센서를 제각하고, 그 특성을 고찰하였다. 다공질 실리콘에 제작된 전극들은 모두 평면전극에 비해서 높은 감도증가를 나타내었는데, 이것은 다공질 실리콘 구조를 통한 유효전극면적의 증가에 기인하는 것으로 생각된다.

Micro ElectroMechanical Systems (MEMS) 기술을 이용한 초미세 유체 제어 시스템 (마이크로 펌프, 마이크로 밸브, 마이크로 채널, 마이크로 믹서 등)은 화학, 생명분야의 DNA 분석, 항원-항체 분석, 질병의 진단 등에 사용되는 lab-on-a-chip, micro total analysis system ($\mu$-TAS) 등에서 화학 및 바이오 유체를 제어하는 분석 시스템의 일부분으로서 사용되며 필수적으로 요구된다. 본 논문에서는 이러한 microchip을 구현하기 위해 초미세 유체 제어 소자인 마이크로 펌프와 밸브를 같은 기관 위에 polydimethylsiloxane (PDMS)와 indium tin oxide (ITO)-Glass를 사용하여 동일한 구조로 집적 하였다. 마이크로 펌프의 pumping rate은 인가 직류 펄스 전력의 주파수와 duty 비를 변화시켜 최적화하였다. 직류 펄스 전력 500 mW를 인가하였을 때 주파수 2 Hz, duty 비 7 %에서 약 $1.05{\mu}l/min$의 최대 유량이 측정되었다. 마이크로 밸브는 ITO 히터에 전력을 인가함으로서 유량의 on/off 제어가 잘 됨을 확인할 수 있었고 유체를 closing하기 위해 필요한 전력은 약 300 mW이다.

화학적, 생물학적 분석, 즉 특정 물질의 존재 유무를 측정하기 위해 마이크로캔틸레버라는 구조체를 제작하여 이를 바이오센서로 응용하였다. 마이크로캔틸레버의 장점은 분석하고자 하는 시료의 양이 적더라도 감지가 가능하고 이를 통하여 분석시간을 단축할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 마이크로캔틸레버 구조물 제작을 위해 보편적으로 많이 이용되는 bulk 미세 가공 기술을 대신하여 표면 미세 가공기술을 이용하였다. 이러한 표면 미세 가공기술은 bulk 미세 가공기술에 비해 공정이 간단하고 값이 싸다는 장점이 있다. 또 액상 실험을 위하여 polydimethylsiloxane (PDMS)와 fused silica glass를 사용한 유체 제어 시스템을 제작하였다. 본 연구에서는 자기조림 이라는 특성을 이용하여 생물분자를 유체 제어 시스템 내의 마이크로캔틸레버 상단에 immobilization 시킨 후 마이크로캔틸레버 상, 하단의 표면 스트레스 차이에 따른 마이크로캔틸레버 자체의 휘어지는 정도를 측정하였다. 이러한 휘어지는 현상을 관찰함으로서 마이크로캔틸레버의 바이오센서로 응용 가능성을 확인한 수 있었다.

반도체 소자의 선폭이 나노미터 스케일로 진입함에 따라 소자의 물리적 특성을 나노미터 스케일에서 정밀하게 측정하고자 하는 요구가 증대되고 있다. Atomic Force Microscopy (AFM)은 나노미터 이하의 해상도를 가지고 물질 표면의 기하하적, 전기적 특성 등을 측정할 수 있으므로 나노소자 연구에 필수적인 도구가 되었다. 그러나 AFM은 낮은 측정속도와 탐침의 기하학적 형상에 의한 AFM 영상의 왜곡 등과 같은 치명적인 단점도 가지고 있다. AFM의 낮은 측정 속도를 개선하기 위해서 진보된 마이크로머시닝기술을 이용하여 캔틸레버의 크기를 줄이거나 캔틸레버 위에 박막 구동기를 집적시키는 등의 노력이 진행되고 있으나, 이 경우 전통적인 식각 공정을 이용하여 캔틸레버 위에 tip을 형성하는 것이 매우 어렵다. 본 연구에서는 이미 제작된 캔틸레버 위에 전자빔 조사법을 이용하여 탄소상 tip을 직접 성장시킴으로써 전통적인 식각 공정에 비해 매우 간단하고 값싸며, 활용도가 높은 공정을 개발하였다. 탄소상 tip 성장에 필요한 탄소 소스는 dipping 방법을 이용하여 공급하였고, 시분할법을 사용하여 캔틸레버의 원하는 위치에 tip을 성장시킬 수 있었다. 이렇게 제작된 tip은 최대 $5{\mu}m$ 높이까지 가능했으며, 종횡비는 10:1 이상이어서 tip의 형상에 의한 AFM 영상 왜곡 현상을 최소화할 수 있을 것으로 기대된다.

In this study, the 2-step methode by ALD equipment was used to improve the characteristics of ZnO thin films used in a piezoelectric layer when the FBAR devices of a SMR type are fabricated. The Height of formed buffer layer was $400{\AA}$ and ZnO thin film of $13600{\AA}$ was deposited by RF sputter on the buffer layer. When ZnO thin films are deposited, deposition conditions such as pressure, injection time of source and purge time were changed variously. The characteristics of piezoelectric layer such as a crystal orientation and micro-structure of deposited ZnO thin films were studied by SEM, AFM and XRD.

나노기술종합발전계획이 2001년에 수립 추진된 이후 5년여동안 전국의 35개 대학에서 학부 및 석박사 과정에 나노관련 39개 학과가 개설되어 537명의 교수진이 참석하고 있으며 4,397명의 학생이 재학중이다. 다학제간 협력이 필요한 나노기술의 특성상 운영중인 교과목에도 이학계열과 공학계열 뿐만 아니라 다양한 전공과목이 포함되어 있으며, 향후 나노기술과 IT, BT, ET가 융합한 나노융합기술의 발전과 사회적인 요구에 따라 대학에서의 나노기술교육도 더욱 다양화 될 것으로 전망된다.

An external electrode fluorescent lamps (EEFLs) have the advantage of a long lifetime in the early stages of the study on plasma discharge, interest in the lamp continues. Studies on the operation of external electrode fluorescent lamps have focused mainly on its use of a type of high frequency (MHz). By performing high brightness using a square wave operation method with the low frequency below 100kHz, which is applied to a narrowed tube type lamp that has several mm of lamp diameter. To solve these problems of CCFL, EEFL (External Electrode Fluorescent Lamp) is introduced. Because electrode of EEFL is on the outer surface of discharge tube, the electrode is perfectly prevented from the sputtering by accelerated ions. And it is possible to drive the many CCFLs at the same time, because EEFL shows the positively resistant characteristic. But EEFL has the large non-radiative power loss in sheath. In this study the novel electrode structure was introduced in order to reduce non-radiative power loss in sheath of EEFL. The novel electrode structure comes from the idea to combine conceptually capacitive discharge with inductive discharge. Thus, this study verifies the change in the optical characteristics according to the change in electrode structure through a Maxwell's electromagnetic field simulation and examines the relationship between the change in the EEFL electrode structure and brightness by measuring the optical characteristics.

After end of the 20th environmental problem was became issue. So about mercury free lighting sources are being studied very much. In this paper, a mercury and electrode free bulb was designed. in this bulb was injected mixed of Xe, Ne and Kr Gases. and then the bulb was discharged by 13.56MHz RF Power after spectrum, color coordinates and brightness were measured by spectrum meter CS-1000. Measured results were compared and analyzed, also analysis was able to do a characteristic of a gas defensive fight in proportion to a mixing ratio. Therefore the most of high brightness which was 4500cd/m2 was gained in 1:1 ratio of Xe:Ne at 60W input power.

고출력 LED의 전기적 광학적 열적인 특성을 분석한 결과를 토대로 MCPCB를 사용하지 않고 전구 형태의 좁은 면적에 고출력 1W LED를 배열하고, 적외선 카메라와 ICEPAK(열유동해석 프로그램)을 이용하여 14개의 LED 배열에 대한 LED 전구의 최적방열 및 기구 설계를 실시하였다. LED 전구에 대한 정전압과 정전류 제어방식의 고효율 구동회로를 제작하여, 약 70% 이상의 회로 효율과 약 95% 이상의 고역률, 약 20lm/W 이상의 고효율 LED 전구를 실현하였다. 정전압 구동회로는 동작시간에 무관하게 일정한 광출력을 나타내며, 정전류 구동회로는 초기 시동시 높은 광출력을 나타내고 동작시간의 경과에 따라 광출력 감소율이 높게 나타냄을 알 수 있다.

Carbon films was grown on Si substrates using the method of electrolysis for methanol liquid. Deposition parameters for the growth of the carbon films were current density for the electrolysis, methanol liquid temperature and electrode spacing between anode and cathode. We examined electrical resistance and the surface morphology of carbon films formed under various conditions specified by deposition parameters. It was clarified that the high electrical resistance carbon films with smooth surface morphology are grown when a distance between the electrodes was relatively wider. We found that the electrical resistance in the films was independent of both current density and methanol liquid temperature for electrolysis. The temperature dependence of the electrical resistance in the low resistance carbon films was different from one obtained in graphite.

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 표시장치로서 실용화된 후 많은 상품에 적용중이다. 그러나, LCD는 자체 발광능력이 없으므로 그후면에서 LCD 화면을 밝혀주는 BLU(Backlight Unit)를 필요로 한다. BLU는 내부 광원으로 밝기가 균일한 평면광을 만들어 LCD 화면을 균일하게 면조사하는 역할을 한다. LCD가 적용되는 분야중 Note PC에는 광원으로 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 적용되어 왔지만, 최근 고휘도, 박형화, 저소비 전력을 달성하기 위해 CCFL로는 한계가 있어 LED(Light Emitting Diode)를 적용한 BLU를 제작하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 점광원인 LED 적용한 LED에 있어서 요구되는 휘도 균일성을 향상시키기 위해서는 LED광원이 적용된 BLU의 외관 품질 향상을 위한 도광판 입광부 구조 최적화를 광추적 Simulation을 통해 예측하고 향상시킬 수 있는 구조를 제안한다. Simulation결과, 외관품질 개선을 위해 도광판 입광면에 130도의 Serration과 휘도를 향상하기 위해 도광판 밑면에 렌즈 형상의 바 구조를 도출해 적용한 결과 외관품질향상과 휘도향상을 얻었다.

Electrodeless fluorescent lamps don't have standards yet. So we study applicable standards of electrodeless fluorescent lamps and analyze evaluation items and test method. Then we will use this paper basic information of standards.

LED have many problem as narrow light view angle, high price, drift phenomenon of color coordinate, high heating problem for lower power, lower weight and small size. But, with the development of blue LEDs and the improvement of LED brightness, color variation are becoming more and more popular as lighting and application devices in this page, 1 used the Light Tools which was a simulation program in order to recognize optical a few characteristic of LEDs arrangement along reflector matrial and designed LED Arranged 5 phi LED in 5mm interval In the square that was $10{\times}10$ And designs a reflection board on pcb, structural design of PCB changed as five type. - Aluminum, Gold. Chromium, Nickel, Copper.

사인물의 대명사인 네온사인 및 옥외용 광고 조명기기를 대체할 수 있는 LED Lighting Bar를 개발하여 옥외용 광고 시장의 시장성 확보하기 위하여, 광학설계를 통한 고휘도 LED의 선정 및 배치, 케이스 설계를 실시하고 LED모듈에 AC 220V 전원을 직접 인가할 수 있으며 효율이 높고 컴팩트한 구동회로를 설계하였다. 또한 One Chip 마이크로컨트롤러를 사용하여 RGB LED의 광색가변 및 점멸 제어회로를 설계하고, LED 모듈간에 2개의 제어선만을 연결하여 다양하고 다이나믹한 네온사인 동작(점멸, 광색가변)이 일어나도록 소프트웨어를 설계하였다. 그 결과, 설계된 LED Lighting Bar는 전체 크기가 $D150{\times}W50{\times}H50mm$로 매우 컴팩트하고 LED 배치 및 광학설계를 통하여 최대광도 70cd를 실현하였으며, LED Lighting Bar의 동작개수에 관계없고 설치가 간단하며 10개 이상의 사인 패턴 제어가 가능하였다.

The most ideal light source known to the mankind is sunlight. Therefore, whenever an artificial light source is needed in a dark place such as in a shadowed houses, the utmost goal is to find an artificial light characteristics of which approaches that of sunlight. On this ground, we have investigated a Neodymium lamp as a possible substitute for sunlight. Especially, the local and the color rendering, a life expectancy, and the overall efficiency are carefully studied.

전력계통의 과도현상 분석용으로 개발된 수치계산 프로그램인 EMTP (Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 건물내에 낙뢰에 의한 뇌서지가 침입했을 때 건물 전체에 surge current가 어떻게 확산되어 가는지를 분석해 본다. 이러한 현상을 분석하기 위해서 건물의 등가회로를 $\pi$-회로로 구현하고, ANSI 규격에 맞는 뇌서지를 건물에 유입시켜서 그에 따른 건물 내부의 torrent 분포를 알아본다. 그리고, 건물 체적을 변화시켜 가면서 뇌 서지가 건물 내부의 전기기기에 미치는 영향을 해석해 본다.

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

태양전지는 일사량에 따라 그 출력특성이 변화하기 때문에 태양전지로 부터 최대출력을 얻기 위해서는 컨버터에 의한 최대 전력점 추종 제어가 필요하다. 본 연구에서는 태양광 발전시스템의 최대전력추종을 위해 퍼지 이론을 도입한 퍼지제어기를 설계하였다. 그리고 퍼지제어기의 디지털 설계를 위해 태양광 발전시스템의 각 부분을 구성하고, 마이크로프로세서와 FPGA의 두가지 방식으로 제어기를 구현하였다. 또한 구현된 두 가지 방식의 퍼지제어기에 대해 실험을 통하여 비교분석 하였다.

본 논문에서는 Half Bridge Series Resonant Inverter 를 이용한 유도가열 시스템 설계를 하고 제작하여 구현하였다. 이러한 유도가열 시스템의 제작을 위해서는 공진탱크와 매칭 트랜스포머의 설계가 필수적이다. 따라서 이런 설계를 위해 PSpice를 이용하여 공진탱크의 입력 임피던스 Bode Plot 을 그려 분석하고 이를 바탕으로 탱크회로를 설계 하였다. 매칭 트랜스포머의 설계는 출력 Power 와 1,2 차 회로 조건에 의해 설계 되어졌다. 이렇게 설계한 유도가열 시스템을 PSpice를 이용해서 Simulation 함으로써 주파수에 따른 출력 Power 의 변화를 볼 수 있었으며, 유도가열 시스템을 실제 제작하여 구현함으로써 확인하였다.

이 논문에서는 자기에너지 회생 스위치(MERS)를 이용한 3상 유도전동기의 역률개선을 목표로 한다. 기존의 MERS는 단상의 유도성부하에 대해서는 간단한 제어방법을 통하여 역률을 개선시키는 효과가 있는 스위치로 알려져 있다. 이러한 스위치의 기능을 응용하여 논문에서는 실제 전철 둥의 구동시스템에서 사용하는 3상 유도전동기 부하를 가진 시스템에 MERS를 적용시켰을 때 어떠한 이점들이 발생 하는지를 제안한다. 시뮬레이션을 위해 실제로 사용되는 3상 유도전동기와 이를 구동시키기 위한 컨버터와 인버터가 포함된 모터 구동 회로를 직접 구성하였다.

This paper presents the results of a grid-connected photovoltaic (PV) system modeling that contain incremental conductance MPPT(Maximum Power Point Tracking) controller by PSCAD/EMTDC simulator and investigates the influence that tan occur in the grid-connected PV system from aspect of power quality, i.e. voltage drop, total harmonic distortion(THD) and total demand distortion(TDD). The measured data the PV array modeling of PSCAD/EMTDC in Cheongwadae, Seoul, Korea is used in the paper.

This study is for implementation of PC based Motor fault diagnosis system. By using harmonics and current signals of the motor, this system diagnoses the motor condition by accumulated harmonic contribution rate. In this proposed system that was composed of 5 parts. A sensor, connection box, evaluation board, device server, and main computer are those. There were two types of sensor, one was harmonic sensor the other was current sensors. The signal was acquired by sensor, and transferred to evaluation board. Second one is connection box. Because the output type of sensor and input type of evaluation board is different, connection box was necessary. Third one was evaluation board. The signal from the sensor was converted to digital signal in evaluation board. And this signal was transferred to device server. Fourth one was device server Device server transferred the data from evaluation board to main computer. And the last one was other parts controlled by main computer. In main computer, there were communication and diagnosis algorithms. The result was derived by main computer. In the result, there were 12 categories and 5 levels of motor conditions. The proposed system had some advantages comparing with stand alone type commercial motor fault diagnosis system. The first, by using remote access it was easier to get the conditions of motor. The second, there was no need to handle the sensors when users measured the motor signals. By this property, no one was necessary at motor location site. The third, this system was less restricted by times and places than commercial stand alone type diagnosis system. Therefore users can operate this system only using the main computer. Once the sensors are installed at the motor, users doesn't need to move to check up the condition of motors. Moreover, if there is ethernet hub, many motors can be not only diagnosed at once but also decreased its cost.

본 논문은 역률개선 효과가 있는 MERS(Magnetic Enery recovery switch)를 사용하여 에너지 효율에서의 결과를 입증하고자 한다. 전원과 유도성부하에 직렬 연결된 MERS는 Full Bridge와 비슷한 구성으로 전력용 MOSFET(or IGBT) SWITCH 4개와 전해 DC콘덴서 1개로 구성되어진다. MERS의 콘덴서는 부하와 콘덴서의 리액턴스, $Xc<X_L$을 만족하는 콘덴서의 용량을 선택하고 콘덴서에 충전된 전압에 의해 부하의 유도계수를 보상하여 역률을 1로 추종하며 개선된다. 이때 스위치는 전원 전압에 대해 zero-voltage switching과 zero-current switching을 하게 된다. 만약 부하가 변하더라도 $Xc<X_L$을 만족한다면 자동적으로 역률은 1에 맞추어지게 된다.

Reliable frequency estimation is important for active power control, load shedding and generator protection. Thereby, frequency estimation is researched and some algorithms is proposed. This paper analyzed strength and weakness of each algorithms through comparative analysis of frequency estimation. Used algorithms are Zero Crossing detection, Discrete Fourier Transformation, Least Error Squares.

In this paper, we designed high performance, high quality and high density switch mode power supply for precision electronics, and communication equipments. For this, we used two parallel DC-DC converters, which have opposite phases, to support proper high performance and high quality power. To reduce switching losses and make high switching frequency, active-clamp and ZVS technique were employed in each converter.

When the coil with alternating current approaches to the conductor the eddy current flows in conductor. Eddy current is concentrated on the conductor surface and decrescent because of skin effect. In this paper investigated eddy current characteristic that is happened in conductor. Analyzed characteristic using electromagnetic field finite element analysis program that is commercialized to analyze value of eddy current and penetration depth. Analyzed creation value of eddy current and penetration depth in conductor that change operation frequency and the material of conductor, coil outside diameter, inside diameter, position, type of conductor from analyzed eddy current characteristic. The results, using distribution of eddy current and penetration depth data is that will help to forecast ECT(Eddy Current Testing), Eddy current application and use field, eddy current loss.

본 논문에서는 1kVA급 비선형 부하에서 발생한 고조파 전류의 저감을 위한 시스템을 설계 및 제작하였다. 제안된 시스템은 비선형 부하의 차수별($3{\sim}9$차) 고조파 발생량을 검출한 후 설정된 기준치를 넘어서는 고조파들을 저감할 수 있도록 해당하는 고조파의 수동 필터만 스위치를 이용하여 연결하는 구조를 가진다. 스위칭을 위한 제어기는 아날로그 소자만으로 구성되어 있다. 제안된 방법은 기존 수동 필터의 다양한 비선형 부하에 적용되지 못하는 단점을 보완하는 동시에 능동 필터보다 단순하며 저가로 구현할 수 있다. 형광등 부하와 다이오드 정류 부하이 대한 실험을 통해 제안된 시스템의 성능과 타당성을 입증하였다.

기존의 Gap switch를 이용한 Marx generator는 트리거-펄스 발생회로가 따로 필요하여 복잡한 구조를 가질 뿐만 아니라, 스위치의 짧은 수명과 스위치 내부의 스파크전류의 Jitter 현상, 그리고 순차적인 스위치 turn-on과 스위치 내외부의 인덕턴스로 인한 전압 상승시간의 지연 등의 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 단점들을 해결하기 위해 기존의 Gap switch대신 전력용 반도체 소자인 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors) 스위치를 이용한 Marx generator를 제안하고, 제안된 회로의 동작을 구현하기 위해 전력계통용 전자기과도현상 해석프로그램인 EMTP(Electromagnetic Transient Program)를 사용하여 시뮬레이션 하여 IGBT스위치가 이상적인 동작을 할 때 얻어지는 이점을 알아보기로 한다.

In this paper, PZT(20/80) thick films were fabricated by the screen-printing method. And the PZT(80/20) coating solution was synthesized by the sol-gel method. PZT(20/80) thick films were screen-printed on the alumina substrates. PZT(80/20) thin film was spin-coated on the PZT(20/80) thick films to obtain densification. And the structural and electrical properties of PZT thick films were investigated with variation of sintering temperature. The PZT specimen sintered at $650^{\circ}C$ showed good relative dielectric constant of 219 and dielectric loss of 2.45%. Also the remanent polarization and the coercive field were $16.48{\mu}C/cm^2$ and 35.48kV/cm, respectively.

Ferroelectric PZT (70/30) thick films were fabricated by the screen printing method. And the PZT (30/70) precusor solution were infiltrated by the spin-coating method on the PZT thick films to obtain a densification. All PZT thick films were sintered at $1050^{\circ}C$ for 10 min. Structural properties, such as crystalline structure, microstructures and compositional ratio, of PZT thick films were investigated with the variation of the number of sol coatings using XRD, SEM and EDS, respectively. All PZT thick films exhibited a perovskite polycrystalline structure without a pyrochloer phase. The thickness of PZT thick films, 4-times screen-printed, was approximately $60{\mu}m$. And the densification of the PZT thick films increased with increasing the number of sol coatings.

전력계통 수요예측은 주로 과거의 부하실적을 바탕으로 미래의 수요를 예측한다. 그러나 전력수요는 사회, 기상, 환경 등 다양한 분야의 영향을 받으므로, 예측의 정확성을 향상시키기 위해서는 전력수요에 영향을 미치는 요인에 대한 분석이 선행되어야 할 것이다. 본 논문은 전력총수요와 기상 상태와의 상관관계를 분석함으로써 기상이 전력총수요에 미치는 영향에 대하여 고찰한다. 기상 상태를 태풍, 장마 둥 형태에 따라 분류하고 각각의 기상 형태가 전력총수요에 미치는 상관관계를 분석한다. 분석된 상관관계는 전력계통 수요특성에 관한 기본 자료로 활용될 수 있을 것이며, 기존 수요예측의 정확성 향상에 기여할 수 있을 것이다.

풍력발전은 친환경적인 에너지를 사용함에도 불구하고 그 에너지의 불안정성 때문에 실용화가 어렵다. 이를 극복하기 위해 효과적인 에너지 보상시스템이 필요하다. 본 논문에서는 유도기를 모티브로 해서 플라이휠을 등가 모델링 한다. 그 후 PSIM을 이용하여 풍력발전기의 지락사고를 설정하고, 플라이휠의 보상 유무에 따른 부하의 과도현상을 살펴 보고자한다. 시뮬레이션 결과로부터 안정된 전력보상시스템의 구현할 수 있었지만, 한편으로는 고조파의 영향이 관찰되었다.

화석연료의 대체 에너지원 발굴 전 세계적으로 환경에 관한 경각심이 고조 그리고 개발도상국에서의 인구 증가에 따른 에너지 수요의 중대는 장기적으로 환경친화적이고 에너지원이 무한정한 태양광발전에 관심을 불러일으키고 있다. 최근 5년간 전 세계 태양광 생산은 매년 평균 40%씩 증가하였고 여기에는 태양전지 재료 및 공정기술의 발전과 함께 각국의 시장 활성화 정책이 큰 기여를 하였다. 이러한 추세에 따라 태양전지 효율 향상을 위한 새로운 개념의 도입 및 개발은 물론 태양전지 재료의 사용과 소비에 대한 새로온 기술개발과 태양전지의 설계 및 생산기술에 혁신적인 발전이 요구되고 있다. 현재 결정질 실리콘을 주 소재로 한 태양전지 생산은 매년 40%씩 증가하고 있고, 그 성장속도는 지속적으로 빨라지고 있다. 에너지 산업에서 새로운 에너지원이 시장을 장악하는 큰 변화가 있을 때 소요되는 기간을 감안할 때 태양광발전이 기존에너지 시장의 상당부분을 대체하기까지에는 앞으로도 20-30년 지속적으로, 나아가서는 보다 공격적인 성장속도가 필요할 것이다. 이러한 성장속도는 새로운 기술의 도입이 지속적으로 이루어질 때 달성이 가능하고 또한, 새로운 기술의 도입은 튼튼한 기초 연구가 그 바탕을 이루고 있을 때 가능할 것이다.

This paper aims to analyze the overvoltage in underground distribution systems when lightning surge strikes to overhead line. The model is established by EMTP/ATPDraw for actual distribution systems. Simulation is carried out considering variation of parameters such as length and lightning current.

전력 계통에서 과전류가 발생하게 되면 이것을 차단하기 위해 차단기가 동작한다. 차단기가 동작하게 되면 기계적으로 전기의 흐름을 단절시키므로 아크 현상이 발생한다. 이때 차단기의 차단 절차를 이해하기 위해서는 아크 현상의 모델링이 필요하다. 특히 포스트 아크 현상에 관한 정밀한 모델링이 이루어질 경우 차단기에서의 소호 특성을 파악하기 용이하다. 우리는 이 논문에서 전력 계통의 과도현상 분석 수치해석 프로그램인 EMTP(Electro-Magnetic Transient Program)를 이용하여 아크 현상에서 발견되는 포스트 아크 전류(Post-Arc Current) 및 TRV(Transient Recovery Voltage)를 반영하는 아크 모델을 설계하였다.

전기에너지는 저장성이 없기 때문에 부하의 불규칙적인 변화에 대한 실시간 대처가 어렵다. 그 중 전력계통의 대규모 공급지장에 대비하여 안정적인 공급을 위해서 예비력은 중요한 요소이다. 예비력이 필요 없다면 경쟁적 입찰을 통해 최적의 가격설정을 할 수 있겠지만 예비력은 계통의 안정적 운영을 위해 반드시 필요하다. 예비력을 운영함으로써 경제적 손실이 발생하는데 이를 최소화하기 위한 일환으로 예비력 운영에 대한 적절한 가격결정이 필요하다. 본 논문에서는 예비력시장을 운영함으로써 발생하는 기회비용을 고려하여 에너지와 예비력 가격 설정방법을 제시하였다.

High temperature superconducting(HTS) power cable is expected to be used for power transmission lines supplying electric power for densely populated cities in the near future. Commercializing of HTS power cable is coming. Simulation is required for safety before install of HTS power cable, 3 fabrication model used at the power system simulation. In this paper, we shows a single line-to ground fault analysis in the grid system which has a loom length HTS power cable. The authors developed a single line-to-ground fault current calculation method which is considering the shield layer of HTS power cable. In the calculation, the T type equivalent circuit is used to derive the mutual inductance of the HTS power cable.

Electro-magnetic launcher(EML)는 전자기력을 이용하여 발사체를 추진시키는 장치이다. EML은 크게 레일건의 형태와 코일건의 형태로 구분되며, 본 논문에서는 코일건의 형태로 설계, 제작하였다. 코일건의 형태인 EML은 솔레노이드에 여자되는 전류에 의해서 발사체에 흡인력이 발생하여 추진, 가속되므로 솔레노이드의 최적형태를 설계하고, 이를 바탕으로 제작하여 EML의 스위칭 시간에 따른 속도를 측정하여, 여자전류의 스위칭 시간에 따른 동작특성을 해석, 실험하여 분석하였다.

자기누설탐상법은 비파피검사 방법의 하나로 대상물체를 외부에서 착자시켜 함이 발생할 경우에 결함부위에서 자기누설이 발생하도록 하여, 누설된 자기장을 측정하여 결함의 유무와 크기 등을 판정하는 시스템이다. 본 논문에서는 MFL 방식의 범용 NDT 검사기의 개발을 위해 영구자석을 이용하여 소형 비파괴 검사기를 설계하고, 3차원 유한요소법을 이용하여 해석하고 실제 데이터를 측정하여 그 결과를 비교 분석하였다.

Multi-stacked HTS tapes are needed to conduct large current in the power application of superconducting machine. This paper deals with the transport current loss of multi-stacked YBCO coated conductor. YBCO coated conductor that was used in this experiment has two Cu layers above and below of YBCO layer for stabilization. Transport losses of four different stacks, single, 2 stack, 3 stack and 4 stack, were measured. Measured results were compared analytic equation suggested by Norris.

Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, we studied the mixed abrasive slurry(MAS). In order to save the costs of slurry, the original silica slurry was diluted by do-ionized water (DIW). And then, $ZrO_2$,$CeO_2$, and $MnO_2$ abrasives were added in the diluted slurry in order to promote the mechanical force of diluted slurry. We have also investigate the possibility of mixed abrasive slurry for the oxide CMP application.

We investigated the effects of oxidizer additive on the performance of Cu-CMP process using commonly used tungsten slurry. According to the CMP removal rates and particle size distribution, and the micro-structures of surface layer as a function of oxidizer contents were greatly influenced by the slurry chemical composition of oxidizers. The difference in removal rate and roughness of copper surface are believed to cause by modification in the mechanical behavior of $Al_{2}O_{3}$ abrasive particles in CMP slurry.

CMP(chemical mechanical polishing) process has been attracted as an essential technology of multi-level interconnection. However, the COO(cost of ownership) is very high, because of high consumable cost. Especially, among the consumables, slurry dominates more than 40 %. So, we focused how to reduce the consumption of raw slurry. In this paper, $ZrO_2$, $CeO_2$, and $MnO_2$ abrasives were added de-ionized water (DIW) and pH control as a function of KOH contents. We have investigate the possibility of new abrasive for the oxide CMP application.

In recent, it became necessary to develop the technology about electrodeless fluorescent lamp according to demand of the electrodeless fluorescent lamp system that used higher efficiency and advantage of long lifetime. Inductively coupled plasma is commonly used for electrodeless lamp due to its ease of plasma generation. An electric power efficiency of electrodeless fluorescent lamp has big relative property of gas in lamp, gas pressure, lamp formation, ingredients of magnetic substance and shape and action frequency etc. We used magnetic substance that open self-examination material of electrodeless fluorescent lamp antenna. Ferrite that is used in this experiment was Mn-Zn type. We have examined temperature and flux characteristic by frequency. Considering using frequency 2.65[MHz], Frequency was changed from 2.05[MHz] to 3.05[MHz] to recognize flux and temperature change of lamp. I used LMS(Lighting Measurement System) to measure flux and IR Camera to measure temperature of lamp.

As developing the information society, Lighting Emitted diode(LED) which is light source for illumination of next generation is attracted public attention. LED have many problem as narrow light view angle, high price, drift phenomenon of color coordinate, high heating problem for lower power, lower weight and small size. So, many researches have continued in a illumination as LED module type. in this problem, heating problem is very important and difficult and that is caused in decreasing phenomenon of brightness and drift phenomenon of color coordinate. so the problem of heating is urgent question for illumination of LED. In this paper, structural design of PCB changed as two type for solving the heating problem. also the properties of heating is analysed and optical properties is measured with heating image camera and spectrometer according to change in this design.

본 연구에서는 그래픽 언어기반 소프트웨어인 LabVIEW와 Real-time Module 및 FPGA 모듈을 포함한 산업용 컴퓨터를 이용하여 BLDC 속도제어를 하려고 한다. 이 프로그램은 GUI기반으로 수집, 계측, 제어부분에 탁월한 성능을 가지고 있는 그래픽 언어이다. BLDC 속도제어를 하기 위해서 BD80-220N100의 BLDC를 사용하였으며, 드라이버를 연결하여 BLDC 속도제어 GUI 프로그램을 구현하였다. BLDC 속도제어를 하기 위해서는 먼저 속도 측정하여 모터의 속도에 대한 안정도를 판별하고 사용자가 원하는 응답에 안정하면서 빠르게 도달할 수 있도록 PI 속도제어를 하였다. 이를 바탕으로 그래픽 언어에 대한 이해 및 프로그램 코딩 습득을 하여 BLDC 모터 속도제어에 전반적인 가치를 두려고 한다. 본 연구를 통하여 하드웨어를 구성하거나 일반적으로 쓰는 텍스트 언어를 사용할 경우와 비교하여 수월하게 알고리즘을 변경시키며 유연성 있는 프로그램을 구현하였다.

병렬선재를 사용하여 권선을 제작할 경우 구성하는 초전도 선재의 임피던스의 차이에 의하여 통전전류 불균형이 발생하게 된다. 본 논문에서는 BSCCO 선재를 사용하여 제작된 병렬선재에서 전류불균형 분포에 따른 교류손실을 측정하였다. 4 가닥 병렬선재의 경우 전류 불균형이 발생한 선재에서의 교류손실이 전류 불균형이 일어나지 않을 때보다 2배 이상 증가함을 확인하였다.

전동차 운행시스템은 속도를 지령하는 NOTCH의 상태를 전압으로 인식하여 주파수로 변환한 후 주파수 변환신호를 출력하는 아날로그 및 디지털 인코더와 인코더의 주파수 변환신호를 입력받아 카운트하여 노치의 상태를 데이터버스(DATA BUS)에 실어 중앙처리장치(CPU)에 데이터를 출력하는 특징을 갖는다. 이러한 전동차 신호전달시스템 분석을 본 연구에서 하고자 한다.

기존의 89S51의 Flash Memory에 데이터를 저장하기 위해서 패러럴 포트를 사용하였다. 하지만 패러럴 포트를 이용한 방법은 많은 단점을 갖고 있는데, 그 중에 하나의 포트에 하나의 디바이스밖에 접속 할 수 없기 때문에 여러 디바이스를 접속하기 위해서는 포트 수를 증가시켜야 한다는 문제점이 있다. PC는 패러럴 포트를 $1{\sim}2$개 정도만 갖고 있어서 확장을 하기가 여의치 않다. 이에 따라 패러럴 포트의 단점을 보완하고자 한다. 이러한 문제를 해결하고 보완 할 수 있는 USB 통신을 이용해 Micro-Controller인 89S51에 내장된 Flash Memory에 데이터를 저장하려고 한다.

차세대 무선통신 'ZigBee' 는 표준인준으로 상용화가 임박하였으며, 저전력을 장점으로 홈 네트워크에 가장 적합한 것으로 평가되고 있다. 그래서 우리는 이러한 ZigBee 통신과 현재 가장 보편화 되어있는 휴대용 단말기인 휴대폰을 이용하여 원거리에서 가정을 감시 및 제어 할 수 있는 시스템을 구축하였다.

본 연구에서는 2-port probe를 설계, 제작하고, 이를 이용하여 유전율과 투자율을 동시에 측정해내는 기법을 연구하였다. 기존에는 유전율 측정을 위해 끝이 open되어 있는 1-port probe를 주로 이용하였지만 이는 유전율만이 측정이 가능하고 주파수 대역에 한계가 있었다. 2-port probe는 유전율과 투자율이 동시에 측정이 가능하며 주파수의 한계를 극복하였다. 2-port probe를 등가화 하여 이를 수식적으로 해석했을 경우 수많은 변수들이 발생되는데 이것을 여러 수치기법들을 이용하여 정리한 후, 유전율을 알고 있는 용액들을 이용하여 보정하였다. 또한 2-port probe에 약간의 길이 변화를 주어 주파수대역의 변화를 실험을 통해 비교 분석하였다.