Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Simulation on Structure of Spiral Inductors for LAM Process Applications

LAM 공정 응용을 위한 나선형 인덕터의 구조에 대한 시뮬레이션

  • 윤의중 (호서대학교 정보제어공학과) ;
  • 김재욱 (남서울대학교 전자공학과) ;
  • 박형식 (호서대학교 정보제어공학과) ;
  • 이원국 (호서대학교 정보제어공학과)
  • Published : 2006.07.12
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Abstract

기존 반도체공정들이 갖는 리소그래피와 식각 등의 공정단계를 배제하는 direct-write 공정을 이용하여 친환경적인 이점을 가질 수 있는 나선형 인덕터의 구조를 제안하고 주파수 특성을 확인하였다. 인덕터의 구조는 Si를 $300{\mu}m$, $SiO_2$를 $3{\mu}m$으로 하였으며, CU 코일의 폭과 선간의 간격은 LAM 공정과 direct-write 공정을 이용할 수 있도록 각각 $100{\mu}m$으로 설정하여 3회 권선하였다. 인덕터는 200-500MHz 범위에서 3.5nH의 인덕턴스, 4GHz에서 최대 29 정도의 품질계수를 가지며, SRF는 2.6GHz로 시뮬레이션 결과를 얻을 수 있었다.

Keywords