Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Electrical Characteristics of 600V Trench Gate Lateral DMOSFET Structure for Intelligent Power IC System

600V급 트렌치 게이트 LDMOSFET의 전기적 특성에 대한 연구

  • Lee, Han-Sin (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kang, Ey-Goo (School of Information and Communication, Far East University) ;
  • Shin, A-Ram (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Shin, Ho-Hyun (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Sung, Man-Young (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University)
  • 이한신 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
  • 강이구 (극동대학교 정보통신학부) ;
  • 신아람 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
  • 신호현 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
  • 성만영 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실)
  • Published : 2006.07.12
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서 $100{\mu}m$ 이상의 크기를 필요로 했던 반면에, 본 논문에서 제안한 소자의 크기(vertical 크기)는 $50{\mu}m$로서, 소자의 소형화 및 고효율화 측면에서 더욱 우수한 특성을 얻었다. 본 논문은 2-D 공정시뮬레이터 및 소자 시뮬레이터를 바탕으로, 트렌치 옥사이드의 두께 및 폭, 에피층의 두께 변화 등의 설계변수와 이온주입 도즈 및 열처리 시간에 따른 공정변수에 대한 시뮬레이션을 수행하여, 본 논문에서 제안한 구조가 타당함을 입증하였다.

Keywords