Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.07c
- /
- Pages.1406-1407
- /
- 2006
Electrical Characteristics of 600V Trench Gate Lateral DMOSFET Structure for Intelligent Power IC System
600V급 트렌치 게이트 LDMOSFET의 전기적 특성에 대한 연구
- Lee, Han-Sin (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
-
Kang, Ey-Goo
(School of Information and Communication, Far East University) ;
- Shin, A-Ram (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Shin, Ho-Hyun (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Sung, Man-Young (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University)
- 이한신 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
-
강이구
(극동대학교 정보통신학부) ;
- 신아람 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
- 신호현 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
- 성만영 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실)
- Published : 2006.07.12
Abstract
본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서
Keywords