Study of Electron Transport Coefficients in $C_{n}F_{2n+2}$(n=1,2,3) Molecular Gas

$C_{n}F_{2n+2}$(n=1,2,3) 분자가스의 전자수송계수 연구

반도체 에칭분야에 많이 이용되고 있는 $CF_4$, $C_{2}F_6$, $C_{3}F_8$가스들의 전자수송계수들을 볼츠만 방정식을 이용하여 해석하고자 한다. 특히 혼합가스를 이용하여 확산방전스위치에서 요구되어지는 특성을 파악하고자 할 때 시뮬레이션에 의한 적절한 혼합비 구현을 위하여 이들 순수가스들이 가지고 있는 전자충돌단면적을 해석하고, 전자이동속도와 부착계수 값을 2항과 다항근사 볼츠만 해석을 통해 $0.1{\sim}300$ Td에 걸친 광범위 표에서 해석하고자 한다.