Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.07c
- /
- Pages.1303-1304
- /
- 2006
A Study on Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by ICP-CVD
ICP-CVD로 증착된 미세결정 실리콘 박막의 특성에 관한 연구
- Kim, Sun-Jae (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Park, Joong-Hyun (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Han, Sang-Myeon (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Park, Sang-Geun (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University)
- 김선재 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 박중현 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 한상면 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 박상근 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 한민구 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부)
- Published : 2006.07.12
Abstract
본 연구에서는 ICP-CVD (inductively coupled plasma chemical vapor deposition)를 이용해 미세결정 실리콘 (nanocrystalline silicon thin film transistor, ns-Si TFT) 초기 성장 단계에 발생하는 비정질의 Incubation layer를 줄이기 위한 실험을 수행하였다. ICP-CVD를 사용하여 증착한 Si-rich
Keywords