We have investigated the generation of pretilt angle for a nematic liquid crystal (NLC) alignment with rubbing alignment method on polyimide surfaces using thin plastic substrates. It was found that monodomain alignment of LNC is obtained with rubbing alignment method on polyimide surfaces using thin plastic substrates. The generated NLC pretilt angles are about $3^{\circ}$ by the rubbing alignment method on thin plastic substrates, However, the pretilt angle measured at about $1.7^{\circ}$ lower on the glass substrate than by thin plastic substrate. It is considered that this alignment may be attributed to roughness of micro groove substrate. The tilt angle increases with increasing baking temperature for making polyimide layer using glass substrate. It was concluded that pretilt angle in the polyimide surface is attributable to the increasing of imide rato.

Carbon-nitrogen (CN) nanofibers have been produced using a water cooled hot isostatic pressure (HIP) apparatus. The CN nanofibers were grown in random with the diameter of about 100-150nm and length over $10{\mu}m$. Emission properties of CN nanofibers were investigated for spacing, between anode and cathode, variation. Then turn-on fields about $1.4V/{\mu}m$. The time reliability and light emission test were carried out for above 100 hours. We suggest that CN nanofibers can be possibly applied to high brightness flat lamp because of low turn-on field and time reliability.

Si nanocrystallites thin films have been fabricated by pulsed laser deposition using a Nd:YAG laser. After deposition, samples were annealed at the temperature range of 400 to $800^{\circ}C$. Hydrogen passivation was then performed in the forming gas ($95%N_{2}+5%H_{2}$) at $500^{\circ}C$. Strong violet-indigo photoluminescence has been observed at room temperature on nitrogen ambient-annealed Si nanocrystallites. As a result of photoluminescence spectra and infrared absorption spectra, we conclude that the violet-indigo PL efficiency is related with oxygen vacancy in the $SiO_x$(x= 1.6-1.8) matrix.

초전형 센서의 특성 평가 방법에는 여러 가지 방법들이 존재하며, 이에 대한 표준화된 특성 평가방법의 개발이 필요로 한다. 측정 평가의 방법이나 조건 등에 따라서 평가 결과가 크게 변할 수 있는 사항들이며, 따라서 국내 뿐 아니라 대외적으로 다른 나라의 제품들과 신뢰성을 가지고 경쟁을 하기 위해서는 평가항목이나 평가방법의 표준화가 절실하게 요구된다. 초전형 적외선 센서를 평가하는 항목에는 기본적으로 입력에 대한 출력신호의 크기를 평가하는 감도(responsivity), 잡음과 관련되어 센서가 검출할 수 있는 최소의 신호를 나타내는 NEP(Noise Equivalent Power)와 이것을 센서의 감지 면적으로 정규화 시킨 검출능(detectivity), 응답 속도를 나타내는 시정수(time constant)가 있으며 이러한 항목들이 표준화의 대상이 된다. 본 실험에서는 기존의 상용화된 센서들을 가지고 초전형 적외선 센서의 특성을 측정 하였다. 특성을 측정할 때 다른 요인들 보다 노이즈로 인한 영향이 상당히 크므로 측정시 노이즈 발생 문제를 해결하는 방법으로 본 논문에서는 센서 측정에 사용되는 증폭 회로에서 노이즈를 해결하려고 하였다. 우리는 증폭 회로구성에서 노이즈를 제거하기 위해서 신호입력단과 전압 압력에 잡음제거 필터로 R, C를 사용하였다. 회로설계로 제작된 증폭회로와 측정 장치를 가지고 측정을 한 결과 센서의 감도는 $3.0mV_{p-p}$, 응답시간은 20ms정도의 값으로 가장 일반적인(typical) 값을 보인다.

본 논문에서는 수치 해석 방법을 이용하여 $In_{x}Ga_{1-x}N/GaN$ (x=0.06~0.1) 양자우물 구조의 에너지 준위를 계산하였다. InGaN 벌크 샘플(bulk sample)의 PL(photoluminescence) 데이터로부터 bowing factor를 결정한 후 InGaN의 유효 에너지 밴드갭을 계산하였고, InGaN/GaN 양자우물 구조의 전도대와 가전자대의 오프셋(offset)을 0.67/0.33으로 정하였다. 다음으로, 양자화 효과에 의한 에너지 변위와 압전장(piezoelectric field)을 제외한 양축 압축 변형(biaxial compressive strain)에 의한 에너지 변위를 고려하여 기저준위 전자와 heavy hole(le-1hh)간의 천이 에너지를 계산하였다. 계산된 천이 에너지는 PL로 측정한 천이 에너지에 비해 약 9~15 meV 크게 관찰되었는데, 이것은 InGaN/GaN 양자우물 계면에 발생하는 압전장 때문인 것으로 생각된다.

Signal detection technologies such as fluorescence, charge and electrochemical detection used in the monolithic capillary electrophoresis system to convert the biochemical reaction into the electrical signal. The fluorescence detection using photodiodes that measure fluorescence emitted from eluting molecules is widely used for the monolithic capillary electrophoresis system. In this paper, in order to fabricate a photosensor has the increased sensitivity, we investigated on the sensitivity of general type and p-i-n type diode. The p-i-n diode has higher sensitivity than photodiode. Considering these results, we fabricated p-i-n diodes on the high resistive$(4k{\Omega}{\cdot}cm)$ wafer into rectangle and finger pattern and compared internal resistance of each pattern. The internal resistance of p-i-n diode can be decreased by the application of finger pattern has parallel resistance structure from $571{\Omega}$ to $393{\Omega}$.

본 연구에서는 캐소드 방향으로 발광하는 Top emission 소자를 설계 제작하였다. 이를 위하여 반투명한 금속 박막을 제작하여 전기적 특성과 광학적 특성을 비교 평가하였다. 이를 바탕으로 제작한 Top emission 소자를 bottom emission 소자와 비교하였을 때 구동 전압은 다소 높았으며 색좌표 및 스펙트럼이 이동하였는데 이동 정도와 경향성은 파장에 따라 다르게 나타났다

Compared to a conventional atomic layer deposition (ALD) grown Al203 film, Plasma enhanced ALD (PEALD) grown AION film was revealed to possess a large breakdown field, which is necessary for stable operation of thin film electroluminescent (TFEL) device. Also, AION is more stable than Al203 films grown by PEALD or by ALD after post-annealing process, which is inevitably required to improve luminance property of phosphor. Furthermore, AION films were applied to insulators of ZnS:Tb TFEL device. Resultant1y, they show better stability than ALD grown insulators under high electric field.

Complex impedances with frequency and voltage variation were analyzed in $ITO/Alq_{3}/Al$(100nm)/Al device structure. At low frequency, complex impedance is mostly expressed by resistive component, and at the high frequency by capacitive component. Also, we have evaluated resistance, capacitance and permittivity.

We report a dramatic increase in the photo-stability of a blue-emitting polymer, poly(9,9-dioctylfluorene), achieved by the addition of gold nanoparticles to the polymer. The optical absorption band of gold nanoparticles is tuned to resonate the triplet exciton-ground state band gap energy of the polymer. The photo-oxidation rate of poly(9,9-dioctylfluorene) was drastically reduced by doping the polymer with a very small amount ($10^{-6}-10^{-5}$ volume fraction) of gold nanoparticles. The gold nanoparticles used herein act as the quenching agent of the triplet states and can be directly applied to various blue light emitting polymer thin film ( < 100 nm ) devices.

Recently, there is a growing concern on the photovoltaic effects using organic materials. This is a phenomena which converts the solar energy into the electrical one. We have fabricated a device structure of $ITO/PEDOT:PSS/CuPc/C_{60}/BCP/AI$. The PEDOT:PSS layer is made by spin coating, and the other organic layers are made by thermal vapor deposition. By measuring the current-voltage characteristics with an illumination of light, we have obtained value of Voc=0.38V, Jsc=$0.5mA/cm^{2}$. And a fill factor and efficiency are about 0.314 and 0.083%, respectively. A 500W xenon lamp(ORIEL) is used for a light source, and the light intensity illuminated into the device was about 10mW.

We have carried out two-beam interference experiment to form holographic grating on amorphous $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ single-laver, $MgF_{2}/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ muliti-layer. In this study holographic grating formed using He-Ne laser(632.8nm) under different polarization state(intensity, phase polarization holography). The diffraction efficiency was obtained by first order intensity. The maximum diffraction efficiency of $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ single-laver was 0.8% and The maximum diffraction efficiency of $MgF_{2}/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layer(multi-layer I, multi-layer II) were 1.4% and 3.1%.

The washing effects on pretilt angle generation in a nematic liquid crystal (NLC), 4-n-pentyl-4’-cyanobiphenyl (5CB) on a rubbed polyimide (PI) surface with trifluoromethyl moiety have been successfully studied. The pretilt angle of 5CB is increased by the washing process on the rubbed PI surface. The surface tension on the rubbed PI surface increases with the rubbing strength RS and then saturated above RS=150 mm. The pretilt angle of 5CB for all washing processes on the rubbed PI surface decreases with the surface tension. We have found that the pretilt angle of 5CB on the rubbed PI surface may be attributed van der walls (VDW) dispersion interaction between the LC molecules and the polymer surfaces having trifluoromethyl moieties.

We studied the nematic liquid crystal (NLC) aligning capabilities using the new alignment material of a-C:H thin film as working gas at 30W rf bias condition. A high pretilt angle of about $5^{\circ}$ by ion beam(IB) exposure on the a-C:H thin film surface was measured. A good LC alignment by the IB alignment method on the a-C:H thin film surface was observed at annealing temperature of $250^{\circ}C$, and the alignment defect of the NLC was observed above annealing temperature of $300^{\circ}C$. Consequently, the high LC pretilt angle and the good thermal stability of LC alignment by the IB alignment method on the a-C:H thin film surface as working gas at 30W rf bias condition can be achieved.

ZnO thin films are demanded for device applications, so ZnO buffer layer was used to improve for good properties of ZnO thin film. In this study, the structural, electrical and optical properties of ZnO thin films deposited with various buffer thickness was investigated by X-ray diffraction (XRD), Hall measurements, Photoluminescence(PL). ZnO buffer layer and ZnO thin films on sapphire($Al_{2}O_{3}$) substrate have been deposited $200^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$ respectively by pulsed laser deposition. It is observed the variety of lattice constant of ZnO thin film by (101) peak position shift with various buffer thickness. It is founded that ZnO thin film with buffer thickness of 20 nm was larger resistivity of 200 factor and UV/visible of 2.5 factor than that of ZnO thin films without buffer layer. ZnO thin films with buffer thickness of 20 nm have shown the most properties.

열증착법을 이용하여 copper(II) phthalocyane (CuPc)의 박막을 제작하였다. 기판의 예열 온도를 달리하여 제작된 CuPc의 박막을 x-ray diffraction, SEM, UV visible absorption spectra의 변화를 통해 관찰한 결과 결정의 구조에 따라 ${\alpha}$-phase와 ${\beta}$-phase로 구분할 수 있었다. 이러한 결정 구조의 변화는 CuPc 박막의 전기전도 특성에 영향을 달리하여 유기발광 소자에 응용이 가능할 것으로 예상된다.

유기발광소자 안에 존재하는 비발광영역(dark spot)의 전압에 대한 영향을 근접장 마이크로파 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 관찰하였다. 유기발광소자는 glass/indiumtin oxide(ITO)/Cu-Pc/tris-(8-hydroquinoline)aluminum(Alp3)/aluminum(Al)의 기본구조로 제작하였다. 비발광영역은 ITO 기판을 부분적으로 에칭하여서 형성시켰다. Dark spot에 0~15V 전압을 인가시키면서 인가 전압에 따른 dark spot 구조적 및 전기적 특성을 근접장 마이크로파 현미경 Image의 변화와 반사계수인 $S_11$측정을 통하여 연구하였다.

The synthesis and luminescent properties of trivalent europium activated gadolinium oxide red phosphors by sol-gel process have been investigated. Aqueous metal nitrate solution was mixed with EDTA which was chosen by the most suitable material of sol-gel formation as chelating agents. We noticed that the samples when are heated with EDTA at a temperature of $100^{\circ}C$ for lhrs, produced brownish and crisp powders due to condensation reaction on decomposition, dehydration and formation of sol-gel. Hence, when the powder pre-heated at about $100^{\circ}C$ was then heated at $1200^{\circ}C$ for 3hrs in atmosphere, the luminescence properties of resultant $Gd_{2}O_{3}:Eu^{3+}$ phosphor was measured by SEM, FT-IT and brightness intensity was shown 20% higher than those prepared by conventional method and by other chelating agent.

The preparation and luminescence characterization of yttrium oxide doped with trivalent europium phosphors by sol-gel method have been investigated. Aqueous metal nitrate solution was mixed with EDTA which was chosen by the most suitable material of sol-gel formation one of appled various chelating agents. we noticed that the samples when are heated with EDTA at a temperature of $100^{\circ}C$ for 1hrs, produced brownish and crisp powders due to condensation reaction on decomposition, dehydration and formation of sol-gel. Hence, when the powder pre-heated was then heated at $1200^{\circ}C$ for 3hrs in atmosphere, the luminescence characterization of resultant $Y_{2}O_{3}:Eu^{3+}$ phosphor was enhanced upto maximum 30% significantly than conventional method through increasing porous region and decreasing particle sizes.

LCD를 TV 향으로 적용하기 위해서는 몇 가지 해결해야만 하는 문제가 있으며, 이중 하나가 동화상 재생시에 발생하는 잔상현상의 해결이다. LCD는 기존의 CRT와 같은 불연속 자발광 소자가 아니라, 연속수광소자로서, 잔상현상이 치명적인 약점으로 나타난다. 기종의 Monitor 대응품에서는 실제로 Monitor를 통해서 사용자가 관찰하는 이미지 정보가 정지화상 중심으로 구성되어 있기 때문에 문제가 되지 않았으나, TV의 경우 연속적인 동화상만을 취급하고 있어, 잔상현상의 해결 없이는 TV 향 제품에 적용할 수 없다. 따라서 본 연구에서는 잔상현상을 근본적으로 없애기 위해서 LCD를 CRT와 같이 불연속적의 분절적 이미지로 구동하는 방법을 실험하였으며, VIDEO 입력 신호에 대해서 16.7msec의 1Frame을 기준으로 점등 구간과 비점등 구간을 6:4로 나누어 BL(Back Light)을 점멸하는 방법을 구현하였다. 또한 종래의 CCFL(cold Cathod Flourescent Lamp)로는 점멸 속도에 대한 대응이 불가하므로, 이를 해결하기 위해서 광원의 형광체에 대해서 잔광시간특성의 개선도 동시에 실시하였다. 실험 결과 육안 및 사진촬영에서 잔상없는 화면을 얻을 수 있었으며, 응답파형 측정 결과 CRT 측정시와 마찬가지로 분절적인 이미지의 생성이 가능한 것을 알 수 있었다.

최근 TV 대응 LCD 제품의 본격적인 양산과 더불어 LCD TV 의 색재현성에 대한 해결과제가 큰 문제로 대두되고 있으며, CRT 급 색재현성의 확보는 LCD TV 의 고급화를 위한 또 하나의 개발 방향이 되고 있다. 그러나, CF(Color Filter)만을 이용한 색재현성의 개선은 근본적으로 한계를 가지고 있으며, 패널 투과율의 저하로 이어져 또다시 고휘도 사양의 BL(Back Light)에 대한 요구가 발생하고 있다. 따라서 본 연구에서는 CF(Color Filter)만에 의한 색재현성의 개선이 아닌 BL 광원 자체의 스펙트럼 최적화를 통해서 CRT 급 색재현성의 확보를 통한 고부가가치 상품개발의 가능성을 제시하고자 하였다. 구체적으로, 램프형광체의 RED 와 Green-Blue 영역에서의 Intensity 향상을 통해서 기존의 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)과는 다른 특성을 광원에 부가하여, 기본의 LCD 패널을 그대로 이용한 경우에도 색재현성을 약 11% 개선하였다.

기존의 Monitor 대응 LCD 에서 TV 대응 LCD로의 개발에 있어서 특성 개선은 다각도로 진행되고 있으나, 무엇보다도 휘도 특성의 개선이 요구된다. TV 대응 LCD Panel 은 Monitor 대응 제품에 비해서 일반적으로 해상도가 낮으므로, 투과율면에서 장점은 있으나, 현재의 B/L 구조로는 만족할만한 성능을 낼 수 없는 상황이다. 고휘도 BL(Back Lignt)를 위해서 EEFL(External Electrode Fluorescent Lamp) 혹은 CCFL 의 복수 사용을 전제로 한 직하방식에 대한 개발 검토가 활발히 이루어지고 있으나, 직하방식에 의한 고휘도화는 램프수의 증가에 따른 인버터의 기구적, 전기적 사양의 증가를 필요로 하며, LCD Module전체의 두께가 증가되는 문제를 가지고 있다. 본 연구에서는 L-Shaped 램프를 적용하여 기본의 기구적인 사양 및 전기적인 사양을 유사하게 유지함과 동시에, 고휘도화를 실현하여 TV 대응 수준을 확보하였으며, lamp를 floating구동하여 램프편측 전압 500V를 사용하면서 655 nit의 휘도를 달성하였다.

Microdisplay with transmissive to realize the virtual display con make the large screen with small devices, so virtual image realization technology have been developed by using 0.24" microdisplay panel. We developed microdisplay controller with using Kopin panel. microdisplay will be used in several telecommunication terminal which can transfor text message and still/moving images.

We investigated transmittance, surface characteristics, and resistivity according to bending of ITO(indium tin oxide) film with four other multi-barrier film. Transmission data of ITO film with four ITO films showed there was about large 90% transmission above 550nm wavelength at three multi-barrier structures. But, both-side hard coated structure showed relatively low 75% transmission above 550nm wavelength. And, surface images measured from SEM(scanning electron microscope) showed both-side hard coated structure have a tendency of more roughness. Also, resistivity change of four other multi-barrier film showed there was the lowest change at one-side hardcoated structure. Subsequently, with result of resistivity change according to position, we knew the resistivity change of the center increased rapidly than that of the edge.

GaN계 청색 여기용 광원으로 최적인 $Y_{3}AI_{5}O_{12}:Ce$계 phosphor를 고상반응으로 제조하여 white LED용 yellow 형광체로 신뢰성을 검토하였다. 출발시료는 metal hydrous oxide로 합성한 분말에 활성제로서 $Ce^{3+}$ 이온의 농도를 변화시키면서 로내의 온도와 시간을 변수로 하여 형광체를 제조하였다. 그 결과 $1650^{\circ}C$에서 2시간 소성시킨 분말의 경우, 입자 크기가 $3{\mu}m$이하인 순수 YAG 형광체를 얻을 수 있었으며 $Ce^{3+}$이온농도를 변화시킨 결과 0.03~0.05mol% 일 때가 가장 우수하여 해외제품수준을 능가하는 우수한 발광특성을 나타내었다. 이때 CIE1931 색좌표 값은 x=0.385, y=0.433으로서 green yellow 색을 나타내었다.

본 논문에서는 공진기 길이 변화에 따른 V-자형 알루미늄갈륨비소-갈륨비소(AIGaAs-GaAs) 양자선 레이저의 서브밴드 에너지 천이에 대한 스펙트럼과 시간적 스위칭 특성을 조사하였다. $300{\mu}m$ 이하의 짧은 공진기 길이를 갖는 V-자형 양자선 레이저는 공진기 손실의 증가로 인하여 n=1에서 n=2 서브밴드(subband)로의 양자화 천이(불연속적인 파장 스위칭)가 발생하였고, 초단 광펄스를 생성하는 이득 스위칭방식을 이용하여 초고속 레이징 특성을 관찰하였다.

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

As one of the core technologies in the field of the optical communication with WDM, the optical cross connector with movements of micro mirrors is getting important day by day. The packaging structure of 2-dimensional NxN MOEMS switch should be determined by the harmonization of the following items such as the geometrical compatability between optical and structural components, the characteristics of optical input and output parts with device, and the electrical performance for the operation of micro mirrors. Therefore, the packaging process could be defined as the integrated technology completed by the optical and electrical science and the material science for the understanding of its thermo-mechanical properties with packaging materials. In the present study, the harmonization between the optical and structural components as well as the optical characteristics of lens system used will be investigated.

Tunable laser diode module with 50GHz-spacing internal wavelength locker was developed. Angle tilting dependency on FSR and peak wavelength shift and the proper initial tilting angle was calculated. By tilting the etalon, the response of the internal wavelength locker module was tuned. As a result, the fabricated internal wavelength locker module showed good performance over 62 channels.

레이저 다이오드를 p-side-down 방식으로 본딩하기 위하여 AuSn 솔더합금을 증착한 후 온도와 압력, 시간을 변화시켜 본딩상태를 조사하였다. CuW위에 adhsion layer와 확산방지층을 각각 $500{\AA}$과 $2000{\AA}$을 증착하였으며 솔더층으로 AuSn을 $2.6{\mu}m$ 증착 하였다. 열처리는 질소 분위기에서 행하였으며, 표면의 거칠기는 AFM으로 측정하였다.

The purpose of AR and HR coating is acquire the very low reflection rate and the high reflection rate through the deposition of a thin film using the refraction ofmaterial. Basically if the high refractive material and the low refractive material are chosen and the condition for the experiment is determined, then we solve theproject with the optical design and multi thin film coating. First of all, we choose $SiO_2$for the low refractive material and $TiO_2$ for the high refractive material and apply Sputtering System easy to control the refraction rate and excellent in reconstruction to the equipment of thin film multiplication. For the control of the refraction rate and growth rate we modify RF Power and the ratio of Gas(Ar:O2), And we use Ellipsometer for estimation and analysis of the refraction rate and growth rate and AFM&SEM for the analysis of surface and component.