플렉서블 능동구동형 유기전계발광(Flexible AMOLED) 디스플레이 개발에 있어 핵심기술이라 할 수 있는 high barrier 특성을 갖는 고분자 기판, 능동구동 소자 및 flexible OLED 제작 기술에 대한 연구를 수행하였다. Polyacryl/SiON 복합층을 사용하여 OLED에 적합한 barrier 특성(투습율 : $10^{-5}\;{\sim}\;10^{-6}\;g/m^2-day$)을 가진 고분자 기판을 개발하였으며 이와 더불어 ULTPS TFT, OTFT 및 flexible OLED 소자를 구현하였다.

고분자 반도체를 이용한 유기 박막트랜지스터(OTFT) 소자 제작시 특성 향상을 위해 Self-Assemble Monolayer (SAM)을 이용한 유기 Gate 절연막과 source/drain 전극의 표면처리에 대해 설명하였다. Gate insulator의 경우 소수성 SAM이 고분자 반도체와의 상호작용으로 배열도를 향상시켜 이동도를 증가시켰으며, 전극처리의 경우 접촉저항을 낮추어 injection을 증대시키는 효과를 나타내었다. 각각의 경우 적용되는 SAM 재료와 효과를 극대화시키기 위한 처리공정 전반에 대해 설명하였다.

반투명 전도성 음극 (semi-transparent conducting cathode)인 Ba (x nm)/Au (20 nm)/ITO (100 nm)을 이용하여 전면발광 유기전계 발광 소자 (top-emitting organic light-emitting didodes, TEOLEDs)를 제작했다. Ba과 bis(8-quinolinolato)aluminum (III) ($Alq_3$) 계면의 전자구조는 엑스선 광전자 분광법 (X-ray photoelectron spectroscopy, XPS), 자외선 광전자 분광법 (ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 및 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조 (near-edge x-ray absorption fine structure, NEXAFS) 스펙트럼의 광 방출 특성을 통하여 조사되었다. $Alq_3$/Ba 계면 특성에 있어서 XPS와 NEXAFS 특성에 의하면, $Alq_3$ (10.0 nm) 위에 Ba이 연속적으로 증착됨에 따라 Ba으로부터 $Alq_3$로의 전자전달 (electron charge transfer) 특성은 꾸준희 증가된다. 그러나 Ba의 두께가 1.0 nm 이상 초과되면 Ba의 전자전달에 기인한 반응성때문에 $Alq_3$의 분자구조가 해리된다. 한편, 제작된 TEOLEDE의 전류-전압-휘도 곡선의 경우에서도 바륨의 증착 두께가 1.0 nm일 때 가장 우수한 구동특성을 나타냈다.

Ti을 전극으로 한 RF plasma 를 사용한 표면 처리와 200 eV 이하의 저에너지 반응성 이온빔을 사용한 PI 표면 처리에 의해 초기 및 내열성이 우수한 COF 용 FCCL를 제작하였다. 임계 rf power 이상에서 새롭게 $TiO_2$층의 형성이 접착력 증대의 원인이었으며, Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층의 내열성 향상 특성 등을 연구하였다.

본 논문에서는 비접촉식 이온에너지 해석 방법(Noninvasive Ion Energy Analysis, NIEA)을 이용하여 이온에너지 분포함수를 계산하고, 이 분포의 정보를 몇 가지 양으로써 특성지을 수 있는 모니터링 인자를 제안 하였다. 이온 에너지 분포에 영향을 미치는 외부 조건들인 rf 전력, 압력, 전극 간격을 변화시키며 해당 에너지 분포함수의 형태 변화 및 모니터링 인자들의 변화 양상을 관찰 하였다. NIEA 방법으로 측정한 이온 에너지와 공정과의 연관성을 알아보기 위해 poly silicon etching을 수행하며 이온 에너지 분포를 측정하였으며, 이온 에너지와 etch rate이 같은 경향을 나타내는 것을 확인 하였다.

OLED는 유기물을 이용한 진공 증발 증착법(Evaporation)에 의해 제조하고 있으며, 2세대 기판을 사용하고 있는 현재의 개념으로는 유기물 증착 효율이 수 %에 그치고 증착속도도 수 A/s로 상당히 낮다. OLED 제조의 생산성을 향상하기 위해서 증착속도로 10A/s이상, 제조 단가를 줄이기 위해 재료의 효율도 30% 이상으로 향상시킬 수 있었다.

MAHA PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 설비는 반도체 소자업체의 200mm와 300mm 생산 라인에서 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 증착하고 있는 (주)아토의 주력 반도체 전공정 설비이다. MAHA PECVD 설비는 2002년 소자업체에서 TEOS 산화막 공정에 대한 양산검증을 확보한 이후 현재까지 64 시스템이 제작되어 소자업체의 생산 라인에서 가동 중에 있다.

개발한 3 D 대기압 플라즈마 헤드와 그 특성 및 장단점 및 그에 의한 표면 개질 특성을 나타낸다. 플라즈마 처리 높이가 75 mm 이상의 시편도 처리할 수 있는 3 D 대기압 플라즈마 헤드를 개발하였으며, 그에 의한 신발 재료 EVA, PU, Rubber의 표면 개질 특성을 평가하였다. 또한 반도체 및 FPD 처리용 대기압 플라즈마도 개발하였다.

Recently, we have developed p-i-n hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) single junction (SJ) thin film solar cells with RF (13,56MHz) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) systems, and also successfully fabricated the mini-modules (>300$cm^2$), using laser scribing technique to form an integrated series connection, The efficiency of a mini-module was 7.4% (Area=305$cm^2$, $I_{SC}$=0.25A, $V_{OC}$=14.74V, FF=62%).

FPD 투명 도전막의 제조에 핵심소재로 사용되는 타겟재의 개발동향을 TCO 물질 중에서 현재 가장 널리 사용되고 있는 ITO 타겟 개발의 관점으로 살펴보았다. ITO 투명 도전막은 다른 TCO 물질에 비해 높은 전기 전도도 및 높은 투과율로 인해 지속적인 사용이 예상되며, 이에 대응 가능한 고밀도 및 고효율 ITO 타겟의 개발이 진행 중이다. 또한 ITO 투명도전막의 우수한 특성에 따라 지속적인 인듐 자원의 수요증가와 이에 따른 인듐 자원의 고갈우려로 ITO 타겟을 대체할 수 있는 대체제의 개발이 진행 중에 있다.

3차원 모델이 가능한 전산유체역학에 기초를 둔 유체 플라즈마 모델링 소프트웨어가 플라즈마 장치 개발에 어떤 도움을 줄 수 있을 것인지 고찰하였다. 몇 가지의 유도 결합 플라즈마용 안테나 구조와 유동의 역할, 공간 및 표면 화학반응의 결과에 대한 자동 최적화 계산의 유용성에 대해서 논한다.

Nano-sized metal patterns were successfully fabricated on flexible PET substrate using nanoimprint lithography. 70nm line and space PMMA resist pattern was formed on PET substrate without residual layer by "partial filling effect' and 20nm thin Cr metal layer was deposited by e-beam evaporation. Then, PMMA resist was selectively removed by acetone and 70nm narrow Cr pattern was formed.

ALD는 저온 증착과 대면적에의 증착 균일도에 있어 디스플레이 소자의 제조에 유용한 특성을 지니고 있다. ZnO TFT는 차세대 디스플레이의 구동 소자의 한 후보로, 본 연구에서는 기존의 다른 연구와는 달리 ALD를 이용한 ZnO TFT의 제조에 관해 연구하였다. ZnO를 sputtering과 ALD 두가지 방법으로 증착하여 각각의 물성 및 전기적 특성 연구를 진행하였다. ALD ZnO의 경우 TEZ와 물을 이용한 증착방법으로는 높은 캐리어 농도로 인해 TFT에의 적용이 어려웠으므로 질소 도핑을 통해 캐리어 농도를 조절하여 소자 특성을 확보할 수 있었다. 이 경우 $I_{off}$, $I_{on}/I_{off}$, mobility, sub-threadshold swing 등과 같은 특성이 매우 향상됨을 확인하였다.

전주는 표면코팅을 목적으로 하기보다 금속제품을 제조하기 위해 사용하는, 도금법과 유사한 기술이다. 다양한 조성의 Fe-Ni 합금들을 전주성형하여 극박형상으로 제조하였다. 2원계 Fe-Ni 합금의 결정립 크기는 10 nm 정도였으며 P 첨가에 의해 결정립 크기를 더욱 미세하게 할 수 있다. 전주한 2원계 Fe-Ni 합금들의 비저항은 전형적인 나노결정질 소재의 특성을 나타낸다.

내지문 강판은 가전재 내외판으로 사용되며 주로 전기아연도금강판을 이용한다. 그러나 최근 일부 가전사에서는 전기아연도금강판 대신 용융아연도금강판으로 일부 대체가 되고 있으며 특히 분체도장을 하는 외판에서 용융아연도금강판의 수요가 늘어나게 되었다. 이에 본고에서는 내지문 용융도금강판 개발을 위해 분체도장물성이 우수한 내지문 수지를 사용하여 기존 전기도금강판과 비교 테스트를 하였다.

자동차 도장 전처리 공정 중 인산염처리는 소지와 도장층 사이의 밀착성을 향상시키고, 강판의 내식성을 향상시키는 목적으로 행하여진다. 인산염 조직이 치밀하게 형성되지 못하면 도장층 박리 등의 불량이 발생할 수 있다. 본 연구에서는 전기로재 BAF(Batch Annealing Furnace) 냉연강판의 인산염처리 특성에 대한 분석 및 개선안 도출 과정을 서술하였다.

카본과 BN의 합성조건을 제어하여 고경도 상과 저경도 상을 다층박막화하기 위하여 시편에 인가하는 바이어스 전압을 조절하여 박막을 합성하였다. 합성된 다층박막은 카본의 경우 흑연상을 많이 함유한 단일층 박막과 유사한 경도와 탄성계수를 보였으나 마찰계수는 $2{\sim}3$배 개선되었다. BN의 경우에도 2층박막화된 박막에서 FTIR분석 결과로는 50%이상의 c-BN이 합성된 것으로 나타났으며, 마모특성도 c-BN박막과 유사하였다.

고분자는 다양한 산업 분야에 응용되고 있으며, 표면의 기능화 처리로 그 응용 분야를 넓히는 것이 가능하다. 본 연구에서는 고분자 (PC, PET) 표면에 N - (2 - aminoethyl) 3 -aminopropyl trimethoxysilane (AEAPS) 분자막을 Thermal CVD법에 의해 형성시키고, XPS와 수적접 촉각을 이용하여 표면 상태를 측정하였다. 또한, AEAPS 분자막에 Carboxy acid과 Pd 이온의 흡착 실험을 통해 고분자 표면에서의 amino기 작용에 대한 연구를 하였다.

Chromium nitrids(Cr-N)박막은 경질박막재료이며 특히 PVD법을 제조한 CrN 박막은 다른 이원계 박막에 비해 높은 내마모성을 갖는다고 알려져 있다. 본 실험에서는 CrN박막에 Zr을 첨가하여 3원계의 CrZrN 박막을 합성하여 박막의 Zr 함량에 따른 표면경도 및 조도를 측정하고 Ball-on-disk type의 마모실험과 습도제어 하에서의 마모실험을 실시하였다. 박막의 Zr 함량이 증가함에 따라 박막의 표면경도가 증가하고 표면조도는 낮아지는 것을 알수 있었고, 그에 따라 마찰계수 값 또한 낮게 측정되었다. 습도제어하에서는 마찰계수 값은 비슷한 경향을 보였으나 습도가 매우 낮은 건조한 환경에서는 박막의 마찰계수 값이 높게 나타나는 경향을 보였다.

용융 Al 도금강판의 내열성, 도금성 향상을 위한 실험실적 변수 영향을 고찰하였다. 내열성 향상을 위한 강 성분 변경시험 결과와 용융 도금성(젖음성 : Wettability) 향상을 위한 표면 농화물 등의 관찰 결과를 Fe-SEM, Glossmeter, 광학현미경, GDS 기기 등을 이용하여 측정하였다. 아울러, 용융 Al도금이 가능한 각 원소의 영향을 고찰함으로써 현재 $400^{\circ}C$ 전후에서 변색 없이 사용가능한 수준을 약 $80-100^{\circ}C$ 상승시킴으로써 Alcosta 제품 사용범위 확대에 기여한다.

가전용 박막수지 피복강판의 적용확대에 따른 품질특성이 크게 요구되어짐에 따라 다양한 수지용액이 적용되고 있으며 용액의 구성성분에 따라 품질특성에 미치는 영향이 크게 좌우된다. 첨가제의 첨가량 및 종류에 따라 각종 품질특성에 미치는 영향에 대해 각종 평가방법을 통해 조사하였다.

역전파 신경망은 반도체 공정 모델링에 효과적으로 응용되고 있으며, 모델의 예측정확도를 향상시키기 위하여 Random Generator를 개발하였다. Random Generator의 효과가 기존이 모델에 비해 예측정확도의 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다. 모델링에 이용한 실험데이터는 다중 유도결합형 플라즈마 장비를 이용하여 수집하였다.

본 실험에서는 MgO (99.999%)와 ZnO (99.999%)의 두가지 타겟을 사용한 RF co-스퍼터링법을 이용하여 p-type Si (100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mg_xO$ 박막을 증착 하였다. ZnO 타겟의 RF-power은 고정시키고 MgO 타겟의 RF-power를 조절함으로써 Mg 함량을 조절하였다. EDX분석을 통해 MgO RF-power의 증가에 따라 고용되는 Mg의 함량이 증가함을 알 수 있었다. 또한 MgZnO내 Mg 함량이 높아짐에 따라 c-축 격자상수가 감소하는 것을 XRD분석을 통해 알 수 있었고, MgO기반의 2차상은 형성되지 않았다. PL 측정을 통해 Mg함량이 증가 할수록 UV 영역의 파장의 강도는 감소하고 UV 파장의 위치는 blueshift되는 것을 관찰 할 수 있었다.

MOCVD 법으로 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 이때 VI/II 족 유량비를 변화 시켜 나타나는 박막의 특성 변화에 대해 연구하였다. 유량비가 증가할수록 박막의 결정성과 광특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 유량비가 증가할수록 전기전도도와 캐리어 농도가 증가하는 것을 관찰할 수 있었다.

타겟 전압 제어를 통한 반응성 스퍼터링 방법과 유도결합 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)를 통해 산화알루미늄 박막을 증착하였다. 폴리카보네이트 기판과 산화알루미늄 박막사이의 접착력은 플라즈마 표면처리 하여 향상시켰다. 박막 특성은 ICP power 변화에 대한 경도, 구조, 밀도변화, 투과율, 증착속도, 표면 거칠기 및 잔류응력을 조사하여 보호코팅으로서 성능을 평가하였다.

여러 가지 응용분야에서 많은 기대를 안고 있는 ZnO를 MOCVD 장비를 이용하여 일차원의 나노막대 구조를 $330^{\circ}C$의 저온에서 성장하였다. 이러한 성장온도는 기존 나노막대 성장에 비해 낮은 온도이며, 그 특성평가로 전계방출 특성평가를 하였다.

최근들어 극자외선을 이용한 리소그라피가 차세대 리소그라피 기술로 각광받고 있다. 극자외선 리소그라피 기술에서 마스크 제조 기술이 매우 중요하다. 이번 연구에서는 마스크 제작에 있어서 필요한 식각 공정을 유도 결합형 플라즈마 장치를 이용하여 여러 가지 공정 조건에 따라 실험하였다.

전기 정유압장치는 밸브플레이트, 실린더 배럴, 피스톤, 샤프트등으로 이루어진 유압펌프의 부품에 요구되는 기계적 성질을 향상하기위하여 이온 질화를 포함한 다양한 연구가 진행 되어지고 있다. 그러나 본실험에서는 이온질화시 발생하는 열변형등의 단점을 해결하기 위하여 PVD 박막을 실시하여 유압펌프 부품의 마모특성 향상에 관한 연구를 실시하였다.

low angle forward reflected neutral beam etching system으로 식각한 후 SIMS depth profile을 이용하여 에너지 침투 깊이에 따른 중성빔 에너지를 분석하여 중성화 과정에서 에너지와 flux의 손실이 있었다. 기존의 two-grid 대신에 three-grid를 사용하여 에너지의 변화없이 이온 flux 및 중성빔 flux가 향상됨을 알 수 있었다.

수소가 포함 되지 않은 금속 도핑 나노결정 구조의 카본을 CFUBM으로 합성하였다. 이번 실험을 통하여 금속의 함유량에 따라 마이크로 구조와 물리적인 특성의 상관관계를 알아보았으며, 그 필름의 구조와 물리적인 특성을 XPS과 HRTEM과 4-point prove의 분석기구를 통하여 알아보았으며, 비정질 흑연 구조내의 Ti 도핑된 클러스터 양의 증가 그리고 도핑양의 증가에 따른 전기적 비저항의 감소를 알아보고자 한다.

비대칭 마그네트론을 이용하여 사원계 CrTiAlN 나노 복합 박막을 합성하였고 합성된 박막의 특성을 분석하였다. CrTiAlN 나노복합 박막의 미세구조는 CrN (111)과 CrN (200)방향으로 성장하였고 기계적 특성은 $30\;{\sim}\;39\;GPa$의 경도 값을 얻었다. 질소 분압이 0.33 Pa에서 가장 높은 경도 값을 얻을 수 있었다.

마그네트론 스퍼터링을 이용하여 사파이어 기판위에 $O_2$의 분압에 따른 성장된 ZnO박막의 특성에 대해 연구하였다. $O_2$의 분압은 $Ar/O_2$의 비율에 의해 조절을 하여 성장을 하였으며, $O_2$의 분압이 감소함에 따라 결정성이 좋아지는 결과를 얻었다. PL측정결과에서 순수한 Ar분위기에서 성장된 ZnO박막에서 UV 발광과 더불어 Deep 1evel에 기인하는 Green 발광을 보였고, UN-Visible spectroscopy 측정결과 순수한 Ar분위기를 제외한 샘플에서 $60{\sim}80%$의 투과도를 보였다. SEM과 TEM의 이미지를 통해 미세 힐락들을 관찰되었는데, 이로 인해 투과도의 저하 원인으로 분석된다.

FTS(Facing Target Sputtering) 장치를 이용하여 polyethylene terephthalate (PET) 필름 위에 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 성장시키고 이들의 광학적, 구조적 특성을 조사하였다. 막 두께는 150 nm로 고정하였고, 인가적력과 산소 가스 유량비를 변수로 박막을 합성 하였다. 그 결과 80 % 이상의 광투과율과 Rms 26.8 nm 값을 갖는 ITO / PET 박막을 합성하였다.

In this study, we investigated the fabrication of MLR (multi-layer resist) with a very thin diamond-like carbon (DLC) layer. ArF PR/$SiO_2$/DLC MLR structure was investigated and etching characteristics of the DLC layer was patterned using $SiO_2$ hard-mask by varying the process parameters such as different high-frequency/low-frequency combination ($f_{LF}/f_{HF}$), HF/LF power ratio ($P_{HF}/P_{LF}$), $O_2$ flow and $N_2$ flow rate in $O_2/N_2$/Ar plasmas. The results indicated an increased etch rate of DLC for the higher $f_{LF}/f_{HF}$ combination and for the increased low-frequency power ($P_{LF}$). And the etch rate of DLC was decreased with increasing the $N_2$ flow rate in $O_2/N_2$/Ar plasmas. In order to confirm the application of DLC MLR for the etching process of silicon oxide, the stack of ArF PR/BARC/$SiO_2$/DLC/TEOS/Si was investigated.

Amorphous BON and Si-DLC thin films were synthesized by the RF plasma enhanced CVD method, and their oxidation behavior was studied up to $500^{\circ}C$ in air. The oxidation of both films was accompanied by evaporation of volatile species. The oxidation of BON film was preceded by nitrogen escape from the film, and oxygen penetration into the film. The oxidation of Si-DLC film was preceded by carbon escape probably as CO or $CO_2$from the film, and oxygen penetration into the film. The inwardly transported oxygen simply stayed in the oxidized BON and Si-DLC thin films.

최근에는 휴대성과 유연성이 뛰어난 다목적 디스플레이의 연구가 활발히 진행되고 있는데, 이러한 기술의 핵심 능동소자로서 저비용, 대면적의 응용, 휘어짐 등의 장점을 가지는 유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistors)가 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 기존에 문제시 되는 유기 절연체의 저유전상수와 높은 누설전류를 보완하기 위하여 나노복합 (nanocomposite) 게이트 절연체에 대한 연구를 수행하였다. 기존의 유기물 절연체가 가지는 문제점인 높은 누설전류 특성을 보완하기 위하여 높은 전기적 절연성과 고유전상수를 가지는 알루미나 ($Al_2O_3$)의 나노입자와 유기절연체의 나노복합체 박막을 형성시키고 이를 적용한 결과 게이트 누설전류를 억제시키어 소자의 특성을 향상시킬 수 있었다.

화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition)은 기체 원료의 화학반응을 이용하여 박막, 미립자, nano-tube등 고체 재료를 합성하는 증착 방법이며, 현재 공업적으로 확산되어 반도체 공정과 같은 박막제조에 이용되고 있다. 박막제조에 있어서 중요한 관심사인 기판의 증착률은 기판의 회전 속도에 의하여 영향 받을 수 있다. 따라서 본 연구에서는 최적의 회전 속도를 찾아내기 위해 박막특성에 직접적으로 연관이 있는 CVD 반응기 내의 유동특성을 유한체적법 (Finite volume method)과 SIMPLE (Semi-Implicit Method for Pressure-Linked Equation) 알고리즘을 사용하여 수치모사 하였고 기판에서 화학 반응을 계산하기 위해 Arrhenius 모델을 사용하였다.

In this study, chemical dry characteristics of silicon nitride layers were investigated in the $F_2/N_2/Ar$ remote plasma. A toroidal-type remote plasma source was used for the generation of remote plasmas. The effects of additive $N_2$ gas on the etch rates of various silicon nitride layers deposited using different deposition techniques and precursors were investigated by varying the various process parameters, such as the $F_2$ flow rate, the addition $N_2$ flow rate and the substrate temperature. The etch rates of the various silicon nitride layers at the room temperature were initially increased and then decreased with the $N_2$ flow increased, which indicates an existence of the maximum etch rates. The etch rates of the silicon oxide layers were also significantly increased with the substrate temperature increased. In the present experiments the $F_2$ gas flow, addition $N_2$ flow rate and the substrate temperature were found to be the critical parameters in determining the etch rate of the silicon nitride layers

평판 디스플레이의 대면적 플라즈마 공정을 위하여 내장형 선형 안테나를 설치하였고 실질적인 식각 균일도를 알아보기 위하여 floating antenna의 전압 분포 조건에서 glass 위에 $2{\mu}m$의 photoresist가 도포된 시편을 사용하여 식각을 하였다. 식각 균일도 실험은 5 kW의 입력전력과 15mTorr의 $O_2$ gas 조건에서 40분 동안 진행하였다. 그 결과 $2,300\;mm{\times}2,000\;mm$의 기판 상에서 약 11 %의 식각 균일도를 얻을 수 있었다.

DBD type을 이용한 remote plasma에서 발생된 대기압 플라즈마를 이용하여, PR에 대한 식각 실험을 진행하였다. 과거 습식 화학적 공정에서 오던 기술적 제한의 극복과 진공 플라즈마 가지는 단점을 극복하기 위해 대기압 플라즈마를 이용한 건식 세정에 관한 연구를 진행하였고, 이 때 Gas는 $N_2/O_2$+$SF_6$ 의 조합으로 사용하였으며, 각 gas의 유량에 다른 remote 플라즈마의 전기적, 광학적 특성에 대해 관찰하였다.

3,3-Dimethyl-1-butene (C6H12) monomer를 이용하여 RF power와 압력에 따라 막을 증착하였다. 증착된 비정질 탄소막은 power/pressure (W/Torr)가 증가할수록 Raman 스펙트럼에서 D peak가 증가하였고, ring 구조의 막을 형성하였다. 또한 ring 구조의 막이 형성됨으로써 hardness와 modulus는 각각 12 GPa과 85 GPa로 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다.

나노 다결정 실리콘 박막 증착을 하기 위해서 현재 정전결합플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma)를 이용한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 관한 여구가 활발히 이루어지고 있다. 유도결합플라즈마는(ICP, Inductively Coupled Plasma) 정전결합플라즈마보다 플라즈마 밀도가 높고 파워전달 효율이 좋은 것으로 알려져 있으나 대면적가 어려워 기판이 큰 TFT-LCD로는 많이 연구되고 있지 않다. 본 연구는 유도결합플라즈마를 위해 내장형 multiple U-type 선형 안테나를 이용하여 나노 다결정 실리콘 박막을 증착하여 그 특성을 분석하였다.

마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 산소유량을 변화시켜 Indium Zinc Oxide(IZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 영향과 산소유량의 변화에 따른 IZO 박막의 전기적 특성 변화를 조사하였다. 그 결과 가열하지 않고 증착한 경우 산소유량비의 증가와 함께 IZO 박막의 비저항이 증가되었고, $80^{\circ}C$로 증착온도를 가열한 경우 산소유량비 조절조건에 따라 최소 비저항이 얻어졌다. IZO 박막의 최저 비저항은 증착온도 $80^{\circ}C$, 산소유량비 1%조건에서 $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm로 나타났다.

비대칭 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 CrN / TaN 초격자 박막을 합성하였으며, 각층(bilayer)의 두께(${\lambda}$)를 4.3 nm에서 43 nm까지 제어하였다. X선 회절 패턴 분석 결과, 합성된 박막의 미세구조는 CrN (200) 방향과 TaN (200) 방향으로 성장하였으며, 각층의 두께 (${\lambda}$)에 따라 최대 31.2 GPa의 경도 값을 얻었다.

최근 사회전반에 걸쳐 사용되어온 경질 Cr 코팅이 제조 시 발암물질로 알려져 있는 $Cr^{+6}$을 발생함에 따라 이를 대체할 수 있는 표면개질법이 대두되고 있다. 또한 경질 Cr 코팅은 일반적으로 $200^{\circ}C$의 온도에서부터 경도가 서서히 감소되며 $400^{\circ}C$ 이상에서는 사용하기 어려운 제한점이 있다. 따라서 이 이상의 고온 안정성을 가지는 우수한 표면개질법에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.

저전압 고휘도 광원으 BLU에 효과적으로 응용되고 있는 백색 OLED를 다색 발광층 적층법을 이용하여 제작하고 만들어진 cell의 전기적 광학적 특성을 평가하였다.

$SiH_4-Ar-O_2$ ICP-CVD에서 증착된 $SiO_2$막의 두께 균일도를 개선시키기 위해 반응가스 주입구의 위치가 두께 균일도에 영향을 주었을 것으로 예상하고, CFD-ACE를 이용하여 2차원 모델링을 하여 최적데이타를 도출하였다.

유도결합 플라즈마(ICP)를 이용한 CVD 장치에서 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나의 구조는 매우 중요하다. 전자 온도와 전자 밀도에 직접적인 영향을 주게 되며, 뿐만 아니라 증착 물질의 두께 균일도에 결정적인 역할을 하게 된다. 본 연구에서는 플라즈마 특성 균일도 최적화를 위하여 2turn 직렬, 병렬, 혼합의 ICP 안테나의 구조에 대하여 플라즈마 특성 및 $SiO_2$ CVD 증착 특성을 계산하였다.

마그네슘합금은 산화가 잘되는 비철금속으로 표면처리 공정이 필수적이며, 주로 크로메이트공정이 주로 이용된다. 하지만 최근에 6가 크롬의 사용 규제로 인하여 non-크로메이트 방법 중 내식성이 우수한 아노다이징 공정에 대해 많은 연구가 진행중이다. 일반적으로 아노다이징 용액으로 잘 알려진 NaOH, $Na_3PO_4$ 및 KOH 용액에 코발트 아세테이트와 황화암모늄(Ammouium Sulfide)을 추가함에 따라 용액의 빛깔은 검정색으로 변하고 아크-아노다이징 후의 산화막의 색깔은 갈색을 띠었다.

Cr-Mo-Si-N 코팅막은 AISI D2 모재와 Si 모재위에 $Ar/N_2$ 혼합기체를 사용하여 AIP (arc ion plating) 방법과 마그네트론 스퍼터링 (DC magnetron sputtering) 방법을 결합시킨 하이브리드 코팅시스템을 이용하여, 증착하였다. XRD, HRTEM, XPS 등의 분석장비를 이용하여 Cr-Mo-Si-N 코팅의 미세구조를 관찰하였다. Cr-Mo-Si-N 코팅의 경도는 Si함량이 12.1 at.%에서 약 50 GPa의 최고치를 나타냈으며, 평균 마찰계수는 Si 함량이 증가할수록 감소하였다.

자외선 차단용 $TiO_2$ 박막을 제조하기 위해 수열합성법 중 외부로부터 $N_2$ 가스를 인가하는 방법으로 200 bar의 압력을 유지하여 브룩카이트상의 $TiO_2$ 졸을 합성하였다. 제조된 $TiO_2$ 졸을 잉크젯 프린터로 FTO glass에 프린팅하여 $TiO_2$ 박막을 제조하였고, 합성된 졸과 박막의 특성 평가를 실시하였다. 합성된 졸의 크기는 30nm 이하로 비교적 균질하였으며 잉크젯 프린팅 후에도 입자 형상 및 크기의 변화는 나타나지 않았다. 또한, 코팅 횟수가 증가함에 따라 자외선 영역에서의 흡수도가 증가함을 알 수 있었다.

박막형태의 소재는 일반적으로 광 전자 및 소재가 공 관련 산업에서 특수한 기능이 요구되는 부품 제조에 광범위하게 응용되고 있다. 이러한 박막 소재는 물성 면에서 벌크물질일 때의 물성과 매우 다를 수 있는 것으로알려져 있다. 박막에 스트레인이 존재하면 전자의 이동도나 밴드갭 에너지를 변화시켜 줄 수 있으며, 계면의 전위는 소자를 열화 시키는 역할을 하기도 한다. 이러한 이유로 박막 성장 시 실시간으로 스트레인을 관찰하고 이 결과를 실제 제조공정에 피드백 하여, 소자의 신뢰성을 확보하는 노력이 행해지고 있다. 구리박막의 실시간 응력거동은 F.Spaepen에 의해 보고된 초기 압축응력, 인장응력, 2차적으로 나타나는 점진성의 압축응력의 독특한 3단계 응력거동으로 나타나는 것으로 알려져 있으며, 본 실험에서는 박막증착도중 단시간 증착을 중단한 이후 재 증착을 하여 응력거동을 관찰함으로써 독특한 3단계 응력거동의 메커니즘을 알고자 하였다.

본 연구에서는 범프를 형성하는 여러 가지 방법중 전해도금을 이용하여 Sn-Cu 솔더 범프를 형성하고자 하였다. 기초적인 도금 특성을 알아보기 위하여 전류밀도에 따른 중착속도, 도금 시간에 따른 도금두께 등을 측정하였으며, 최종적으로는 $20{\times}20{\times}10{\mu}m$ 크기에 $50{\mu}m$피치를 갖는 Sn-Cu 솔더 범프를 형성하고자 하였다.

Thermal conductivities of copper thin films on silicon wafer was obtained from temperature distribution on the surface of wafer measured by radiation thermometry, when sample was heated with constant temperature ate the both ends in a vacuum and dissipate heat by radiation heat transfer into an environment.

The corrosion characteristics of Cr steels were investigated to protect Cr steels from the SO2-gas corrosion in the coal-fired power plant. The samples tested were low alloy ferritic steel (ASTM T22, 23), martensitic steel (ASTM T91, 92, 122), and austenitic stainless steel (ASTM 347HFG). The corrosion tests were performed between 600oC and 1000oC in Ar + (0.2, 1)%SO2 gas for 100 hr. Chromium was quite beneficial to corrosion resistance, while iron was not. The corrosion resistance increased in the order of T22, T23, T91, T92, T122, and 347HFG.

In-Sn-Zn-O 박막을 2개의 케소드(DC, RF)를 이용해magnetron co-sputtering법으로 polycarbonate (PC)기판위에 성막하였다. ITO와 ZnO 타겟은 각각 DC와 RF power supply에 의해 스퍼터 되었다. ISZO 박막의 가장 낮은 비저항은 RF power 55W 일 때 얻을 수 있었고, 이것은 케리어 밀도의 증가에 의한 것이라 생각되어 진다.

오스테나이트계 스테인리스 AISI304L강을 저온 플라즈마 분위기에서 표면에 C와 N을 주입하면 내식성의 저하 없이 표면경도를 증가 시킬 수 있다. 이 공정에서 온도에 따른 영향을 조사하기위해 $380^{\circ}C{\sim}430^{\circ}C$의 온도 범위에서 20시간 동안 실시하였다. 경화층의 두께는 $7{\sim}16\;{\mu}m$정도였으며, N의 농도가 높은 영역과 C의 농도가 높은 영역으로 나뉘어 형성되었고, N이 풍부한 영역이 표면층에 형성되고 그 아래에 C의 농도 높은 영역이 형성되었다. 표면층은 질소에 의해 확장된 오스테나이트(${\gamma}_N$)상을 가지며 고온에서 처리한 경우 석출물이 형성되었다. 표면경도는 약 $900\;HV_{0.01}{\sim}1200\;HV_{0.01}$로 측정되었다.

스테인리스강을 침탄 또는 질화처리 하면 내식성이 크게 떨어진다. 하지만 처리 온도를 충분히 낮게 하면 내식성의 저하 없이 표면 경도를 증가시킬 수 있다. 침탄처리 후 질화 처리를 연속적으로 수행하면, 두꺼운 경화층을 가지고, 침탄처리한 표면보다 높은 경도를 가질 수 있다. 이 논문에서는 침탄처리 후 질화 처리시, Ar을 주입하여 질화층 형성에 주는 영향을 조사 하였다. Ar의 양이 20%보다 낮은 경우 석출물이 거의 형성되지 않았으며, Ar의 양이 증가할수록 표면경도도 증가하였다.

Bias voltage를 달리하여 cathodic arc plasma 방법으로 Si 기판 위에 성장시킨 TiCrAlSiN 코팅막의 미세구조를 투과전자현미경으로 관찰하였다. -200 V에서 0 V로 bias voltage가 변화함에 따라 'nano-multilayered' 구조가 무너지면서 '주상형(columnar)'구조로 코팅막의 미세구조가 변함을 알 수 있었고, EDS line scan을 통해 multilayer의 화학적 조성 변화를 확인하였다.

3가크롬도금 공정 최적화를 위하여 다양한 전기화학적인 기법-즉, Hull cell test, 동전위 분극 실험, 정전류 분극 실험-과 표면 형상 분석이 수행되었다. 3가크롬도금은 용액 pH가 증가함에 따라 조악한 표면 형상을 가졌고, 도금액 온도 증가 시 표면 상 nodule 밀도가 낮아졌다. 본 실험 환경에서 3가크롬도금 공정 최적 조건은 pH2.5-3.0, 온도 $30-40^{\circ}C$, 인가전류밀도 $10-20A/dm^2$이었다.

AZ91D 마그네슘합금상에 MAO방법을 통한 산화막 성장에 관해 연구하였다. 주요 처리조성물은 NaOH, $Na_3\;C_6H_5O_7$, $Na_4\;P_2\;O_7$이며, 양극에 Mg 샘플을, 음극에 스텐레스 플레이트를 고정하여 설치후 인가전압 50V, 2분간에 걸쳐 Mg 표면에 Micro arc에 의한 산화막이 성장되었다. 산화막 측정 결과 20회 시행후 평균 15.5um 두께를 가졌으며, 막 성장후 표면은 균일하였으며, 밝은 갈색을 띄었다. 염수농도 5%의 염수분무테스트에서는 72시간 경과후에도 5%이내의 우수한 내부식성을 보였다.

$ZnS/Na_3AlF_6$ multi-layer thin film were produced by evaporation system. ZnS were selected as a high refractive index material and $Na_3AlF_6$ were selected as low refractive index material. Optical properties including color effect were systematically studied in terms of different optical thickness by spectrophotometer. In oder to compare with experimental data, the Essential Macleod Program(EMP) was adopted that simulation program. The thin film consisting of $ZnS/Na_3AlF_6$ multi-layer show the wave length of $530{\sim}600nm$, typically color range between purple, blue, green. It was confirmed that this experimental result was well matched with simulation data.

지방족 액정 계면활성제를 주형물질로 이용, 화학석출을 통해 나노채널을 갖는 금속미립자를 제조하였다. 편광현미경을 이용한 상태도 분석을 통해 헥사고날 구조를 갖는 주형생성 조건을 결정하였으며, 주형의 배열을 방해하지 않고 화학석출이 가능하도록 환원제의 종류, 농도 및 석출방식 등을 조절하였다. 제조된 금속미립자는 입도분석기를 이용하여 평균입경을 측정하였고, TEM 분석을 통해 나노채널의 형성여부를 확인하였다. BET를 이용한 표면적 측정결과, 비표면적이 $112.6m^2/g$로 나노채널 형성으로 인해 비표면적이 크게 증가하였음을 알 수 있었다.

2개의 주파수가 인가된 유도결합 플라즈마(ICP)를 이용하여 주파수 조합(13.56 or 27.12/2MHz)과 안테나의 캐패시턴스 변화에 따른 $SiO_2$ 와 poly-Si 의 식각특성을 연구하였다. 본 실험의 결과로, 27.12 MHz에서 plasma density가 높다는 것과 13.56 MHz에서 center high profile이 쉽게 형성됨을 알 수 있었다. $SiO_2$ 식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 27.12 MHz가 13.56 MHz보다 높다는 것을 알 수 있었고, poly-Si 식각에서는 non-uniformity와 etch rate모두 비슷한 경향을 나타낸다는 것을 알 수 있었다.

ITO는 평판디스플레이에서 사용되어지고 있는 대표적인 실용화 투명전극재료로서, ITO박막은 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 생산되어지고 있다. 이러한 마그네트론 스퍼터링법을 사용할 경우, 캐소드 자장의 강도나 모양은 박막의 물성에 많은 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 외장형 마그네트론과 내장형 마그네트론을 장착한 캐소드를 사용하여 증착한 ITO박막에 대하여 열처리에 따른 박막의 물성변화에 대하여 연구하였다.

최근 기계가공기술의 발달에 따라 내마모용 TiN 박막의 수요가 증가하였고, TiN박막은 내마모용으로 높은 경도 및 밀착력을 필요로 한다. TiN박막을 증착시키는 방법은 PVD, CVD 등 여러 가지가 있으나 본 연구에서 공구강 SKD 61기판 표면과 Radical Nitriding(RN) 처리된 SKD 61 기판에 arc ion plating(AIP)를 이용하여 TiN 박막을 증착시켜 표면경도를 향상시키고, 이 코팅층의 미세구조가 기계적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 그 결과 RN처리된 SKD61에서 코팅 두께가 많이 나왔고, 스크래치테스트 결과 접착력이 향상되었음을 알 수 있었다.

본 연구에서는 ion bombardment에 의한 폴리머 기판의 손상을 줄이기 위해 FTS (Facing Target Sputtering) 장치를 이용하여 투명 전극용 ITO 박막을 합성하였다. 산소와 헬륨의 혼합비율을 변수로 하여 박막을 합성한 결과, 투명전극에 적합한 낮은 비저항과 80% 이상의 투과도를 갖는 박막을 합성할 수 있었다.

표면 수정에 의한 결정질 실리콘 태양전지의 표면 반사율의 감소는 실리콘 태양전지에 있어서 가장 중요한 문제들 중 하나다. 결정질 실리콘 기판 표면에 텍스쳐링을 이용하여 반사방지막을 형성하는 것은 태양전지의 표면 반사율을 줄이는 측면에서 주목할 만한 것이다. 이 논문에서는 단결정 실리콘과 다결정 실리콘에 텍스쳐링을 이용하여 표면 반사율을 감소할 수 있는 방안에 대해서 연구한다.

저온 성장이 가능한 MOCVD를 이용하여 단결정 p-Si 기판위에 n-ZnO를 산소분압을 달리하여 성장하였다. 산소유량에 따른 이종접합 다이오드의 전기적 특성을 평가하기위하여 n-ZnO의 전기전도도, 이동도, 캐리어 농도를 측정하였으며, 소자에 저항성 접촉(ohmic contact) 전극을 형성하여 전류-전압 특성을 파악하였다.

Cr-Si-N 박막은 하이브리드 코팅 시스템에 의해 온도와 바이어스의 변화에 따라 증착 되었다. 증착온도 $0{\sim}300^{\circ}C$ 범위에서, 경도와 탄성계수는 이온의 surface mobility의 증가 때문에 향상되었지만 $350^{\circ}C$ 이상의 증착 온도에서는 결정성장 때문에 경도는 다시 감소하였다. 바이어스 $0{\sim}-100V$까지 범위에서는, 경도와 탄성계수는 각각 46GPa, 600GPa의 최대값을 보여주었으며 바이어스 -100V에서 macro-particle과 surface molphology 감소가 발생하였다. 그러나 -100V이상의 바이어스에서 resputtering 현상에 의해 Si 의 양이 감소한다. 증착온도는 Si 함량에 많은 영향을 주지 못한다.

In this study, the technology to grow oriented nanotube thin film from dip-coated $TiO_2$ using hydrothermal method has been successfully developed. The effects of preparation parameters, such as reaction temperature, duration and post treatment conditions on the film morphologies and the adherence to the substrate, have been examined. A general formation mechanism of oriented titanate nanotube thin film is proposed in terms of the detailed observation of the products via two dimensional surface FESEM studies and HRTEM images. The overall formation of $TiO_2-based$ nanotube thin film can be summarized with three successive steps: (1) $TiO_2$ dissolving and amorphous $Na_2TiO_3$ deposition process; (2) layered $Na_2Ti_3O_7$ formation via spontaneous crystallization and rapid growth process; (3) formation of nanotube thin film via $Na_2Ti_3O_7$ splitting and multilayer scrolling process of (100) planes around the c axis of $Na_2Ti_3O_7$.

현재 널리 적용되고 있는 유기에폭시 도장의 경우에는 부식환경을 차단하는 등의 일반적인 차원에는 상당히 우수하나, 열이나 빛에 의한 열화 및 부식 문제와 환경오염 등의 문제를 가지고 있다. 이를 해결하기위한 방법으로 순수 무기계의 액상 규산질을 바인더로 사용한 도료의 제작을 시도하였으며, 열화성능평가시험을 통해 그 적용가능성에 대해 검토하였다. 실험결과 환경친화적인 -Si-O-Si- 결합의 1액형 무기 규산질 도료의 제작이 가능하였으며 향후 여러 가지 성능 중 특히 내식성, 내산성 및 광택성 등의 보완연구가 선해오디어야 할 것으로 사료된다.

최근들어 Device 크기가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 High Density Plasma Chemical Vapor Deposition(HDP-CVD) 기술로는 100nm 이하의 gap에 Aspect ratio가 6:1 이상 되는 STI(Shallow Trench Isolation) 구조를 Void 없이 채우는 것이 불가능해 지고 있다. 이를 극복하기 위하여 여러 방면으로 연구가 수행되어지고 있다. 그 방법 중의 하나인 Dep/Etch/Dep Cycle이 이번 연구에서 사용되었으며, 일반적인 HDP CVD보다 더 낮은 압력에서 증착과 식각이 수행되었다. 그 결과 다른 여러 방법들보다 좋은 막질을 얻을 수 있었으며, Gap fill 성능을 향상 시킬 수 있었다.

Mg thin films were prepared by PVD method on electroplated Zn steel substrate. And the influence of gas pressure on their morphology and crystal orientation of the deposited films were investigated by scannig electron microscopy(SEM) and X-ray diffraction(XRD), respectively. In addition, the effect of corrosion resistance of these films as a funtion of morphology and crystal orientation was evaluated by anodic polarization test. From the measured results, it is investigated that the film of granular structure which deposited in condition of high gas pressure had the highest corrosion resistance.

본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 빛의 반사율을 최소화하기 위해서 단결정 실리콘 기판 표면에 다공성 실리콘층을 적용하여 반사방지막(Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서, 기판 성질에 따라 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면에 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 낮출 수 있다. 본 연구는 일정한 면저항을 가지는 단결정 실리콘 기판에 다공성 실리콘층을 여러 조건으로 형성하여 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.

Tin oxide films were successfully crystallized without additional heating by inductively coupled plasma assisted chemical vapor deposition (ICP-CVD). The degree of crystallization was affected by the ICP power, hydrogen flow and ion bombardment induced by negative substrate bias. The substrate temperature was increased only up to $150^{\sim}180^{\circ}C$ by plasma heating, which suggests that the formation of $SnO_2$ crystalswas caused by enhanced reactivity of precursors in high density plasma. The hardness of deposited tin oxide films ranged from 5.5 to 11GPa at different hydrogen flow rates.

본 연구에서는 Si 타겟과 반응성 마그네트론 스퍼터링법을 적용하여 $SiO_xN_y$ 박막을 PET 필름상에 증착하였다. PET 필름상에 밀착력 증진 및 기판 표면 거칠기 제어를 위해 이온빔을 이용한 플라즈마 전처리를 수행하였다. 플라즈마 전처리 조건과 질소 가스 유량비에 따른 $SiO_xN_y$ 박막의 광학적 특성과 수분의 투습성에 대한 영향을 관찰하였다. 광학적 투과율은 전처리 및 조성비에 관계없이 95% 이상의 높은 광투과율을 보여주었다. 수분에 대한 투습 특성은 플라즈마 전처리 조건에 따라 다소 향상됨을 확인하였고, 질소 유량비가 증가함에 따라 투습 특성이 향상되었다.

(1-102) R-면 사파이어 기판 위에 플라즈마 분자선 에피탁시 법으로 성장시킨 비극성 ZnO 박막의 표면 형상을 원자력간현미경(AFM) 및 투과전자현미경으로 분석하였다. AFM 관찰 결과 ZnO<0001> 방향으로 길쭉한 제방 모양의 표면 형상이 나타남을 알 수 있었고, 고분해능 투과전자현미경 관찰을 통해 박막 성장 중에 관찰되는 V(chevron 모양) 형상의 in-situ RHEED 패턴을 야기시키는 박막 표면의 facet 면을 원자 level에서 확인하였다.

ZnO 박막의 결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰 할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.

신경망을 이용하여 반구형 유도결합형 플라즈마 장비에 대한 전자온도의 예측모델을 개발하였다. 신경망으로는 Radial Basis Function Network을 이용하였고, 신경망의 예측성능은 유전자 알고리즘을 이용하여 최적화하였다. 체계적인 모델링을 위해 $2^4$ 전 인자 (Full Factorial) 실험획법을 이용하여 $Cl_2$ 플라즈마에서의 데이터를 수집하였다. 최적화된 전자온도 모델의 예측성능은 0.143 eV이었다. 개발된 모델을 이용하여 공정변수에 따른 예측온도의 영향을 고찰하였다. 소스전력과 압력의 변화에 따른 전자온도의 변화는 작았다. 그러나 $Cl_2$ 유량과 특히 척위치의 증가에 따른 전자온도의 증가는 현저하였으며, 이는 고이온밀도의 형성에 기인하는 것으로 해석되었다.

고속 동도금 공정을 확립하기 위하여 선행실험으로 알카리계 동도금 용액을 이용하여 고속 동도금의 가능성을 실험하였다. 전류밀도와 극간거리, 유속의 조절을 통하여 최대 $17.6{\mu}m/min$. 속도의 도금속도를 확보하였으며, Hv 120 내외의 경도를 확보하였다. 고속 동도금을 실현하기 위해서는 높은 전류밀도를 필요로 하고, 낮은 용액 저항을 위해 극간거리는 짧게 유지하되, 빠른 유속을 필요로 하였다.

에어컨 콤프레셔 실린더에 도금되는 3가 크롬의 도금 두께 균일화를 위하여 컴퓨터 시뮬레이션 작업을 수행하였다. 컴퓨터 시뮬레이션의 정확도를 위하여 현장에서 사용되는 경질 3가 크롬의 전기화학적 특성을 측정하였다. 그리고, 이를 입력 값으로 하여 헐셀에 대하여 실험과 컴퓨터시뮬레이션을 수행하였다. 이 시뮬레이션 결과를 실제의 헐셀 실험 결과와 비교 검토함으로써 컴퓨터 시뮬레이션의 타당성정도를 점검하였고, 3가 크롬의 특성을 비교분석하였다. 이러한 자료를 근거로 3가 크롬 도금두께 균일화를 위한 시뮬레이션 작업을 에어컨 콤프레셔 실린더에 적용시켜 최적의 도금조건을 도출하였다.