• 전자공학회논문지SC
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• 제46권1호
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• pp.68-75
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• 2009

본 논문에서는 이중 보간 방식을 기반으로 1/4-rate 클록을 이용하는 효율적인 CDR을 제안하였다. 제안한 CDR은 다채널 송수신기에서 다중 위상 클록을 이용하여 클록 주파수를 줄일 경우 필요한 클록의 수가 증가하여 이들 클록을 공급할 때 소모되는 전력과 하드웨어적 부담이 증가한다는 단점을 극복하는 것을 목표로 설계되었다. 이를 위해 1/2-rate 클록 방식과 동일한 공급 클록 수를 유지하면서 각각의 복원부에서 추가로 필요한 클록을 플립플롭을 이용하지 않고 인버터만으로 생성하였다. 이로 인해 보다 높은 전송률의 요구 시 장애 요인 중 하나인 클록 생성기의 주파수를 낮추어 고속 전송을 가능케 하였으며, 공급 클록의 수를 증가시키지 않고 1/4-rate 주파수의 클록을 이용함으로써 CDR을 저전력화하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권6호
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• pp.63-70
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• 2014

본 논문에서는 낮은 분주비의 분주기를 갖는 위상고정루프에 주파수 체배기를 이용하여 잡음 특성을 개선한 위상고정루프 클럭 발생기를 제안하였다. 전압제어발진기에서 각 지연단의 지연 정도를 지연변화-전압 변환기를 이용하여 전압의 형태로 출력한다. 평균값 검출기를 이용하여 지연변화-전압 변환기 출력 전압의 평균값을 만들어 지연단의 위상 흔들림을 제어하는 전압으로 인가하여 지터를 줄일 수 있다. 제안된 클럭 발생기는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 시뮬레이션은 출력 신호의 peak-to-peak 지터값은 11.3 ps이었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권7호
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• pp.17-22
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• 2012

본 논문에서는 낮은 지터를 갖는 지연고정루프를 이용하여 좀 더 정확한 출력을 갖는 클럭 발생기를 제안하였다. 제안된 클럭 발생기에 사용된 지연고정루프는 열 개의 지연단을 가진 전압제어지연단(VCDL)을 사용하며, 기준 지연단의 출력신호와 이전 지연단의 출력신호를 비교하여 위상차에 해당하는 만큼의 전압을 발생시켜 지연단의 제어전압으로 인가된다. 이 제어전압은 지연단의 출력신호의 위상이 흔들림에 따라 증가하거나 감소하여 출력신호의 지연정도를 조절하여 위상변화를 보상하며, 지연고정루프 출력신호 및 체배 된 출력신호의 지터를 감소시킨다. 제안된 클럭 발생기는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여, 100MHz를 입력신호로 인가 할 경우 1GHz의 신호가 출력 되도록 설계 하였다. 시뮬레이션 결과 출력 신호의 peak-to-peak 지터 값은 3.24ps이었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권6호
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• pp.446-455
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• 2001

본 논문은 GPS 수신기를 이용한 정밀 동기 클록 발생기의 PLD 구현에 관한 것이다. GPS 수신기에서는 동기화 된 IPPS 신호를 발생하는데, 이를 이용하여 시각동기와 클록 보정 등을 행할 수 있다. 본 연구에서는 저가격의 오실레이터로부터 높은 정확도의 클록을 발생시킬 수 있는 DPLL 구조의 정밀 동기 클록 발생기를 ALTERA FLEX EPM6016TC144-3 PLD를 이용하여 구현하였다. 이를 이용하여 GPS 수신기를 함께 이용하여 높은 정밀도를 가지며 동기화 된 1MHz 클록을 발생시키는 하드웨어를 설계하고 구현한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.1606-1616
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• 1989

In this paper, the design of DYNAMIC CMOS ARRAY LOGIC which has both advantages of dynamic CMOS and array logic circuits is proposed. The major components of DYNAMIC CMOS ARRAY LOGIC are two-stage dunamic CMOS circuits and an internal clock generator. The function block of dynamic CMOS circuits is realized as a parallel interconnection of NMOS transistors. Therefore the operating speed of DYNAMIC CMOS ARRAY LOGIC is much faster than the one of the conventional dynamic CMOS PLAs and static CMOS PLA. Also, the charge redistribution problem by internl delay is solved. The internal clock generator generates four internal clocks that drive all the dynamic CMOS circuits. During evaluation, two clocks of them are delayed as compared with others. Therefore the race problem is completoly eliminated. The internal clock generator also prevents the reduction of circuit output voltage and noise margin due to leakage current and charge coupling without any penalty in circuit operating speed or chip area utilization.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권2호
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• pp.23-30
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• 2005

이 논문에서는 낮은 stand-by power 및 DLL의 재동작 후 fast relocking 구조를 가지는 저전력, 고속 VISI 칩용 DLL(지연 고정 루프) 기반의 다중 클락 발생기를 제안하였다. 제안된 구조는 주파수 곱셈기를 이용하여 주파수 체배가 가능하며 시스템 클락의 듀티비에 상관없이 항상 50:50 듀티비를 위한 Duty-Cycle Correction 구조를 가지고 있다. 또한 DAC를 이용한 디지털 컨트롤 구조를 클락 시스템이 standby-mode에서 operation-mode 전환 후 빠른 relocking 동작을 보장하고 아날로그 locking 정보를 레지스터에 디지털 코드로 저장하기 위해 사용하였다. 클락 multiplication을 위한 주파수 곱셈기 구조로는 multiphase를 이용한 feed-forward duty correction 구조를 이용하여 지연 시간 없이 phase mixing으로 출력 클락의 duty error를 보정하도록 설계하였다. 본 논문에서 제안된 DLL 기반 다중 클락 발생기는 I/O 데이터 통신을 위한 외부 클락의 동기 클락과 여러 IP들을 위한 고속 및 저속 동작의 다중 클락을 제공한다. 제안된 DLL기반의 다중 클락 발생기는 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정으로 $1796{\mu}m\times654{\mu}m$ 면적을 가지며 동작 전압 2.3v에서 $75MHz\~550MHz$ lock 범위와 800 MHz의 최대 multiplication 주파수를 가지고 20psec 이하의 static skew를 가지도록 설계되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권4호
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• pp.285-291
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• 2001

단열회로를 이용한 8-b×8-b 파이프라인 승산기와 4가지 위상을 가지는 전원클럭을 공급하기 위한 개선 된 구조의 전원클럭 발생기를 설계하였다. 전원클럭 신호선의 전하는 복원되어 에너지 소모를 줄인다. 단열회로는 ECRL 형태를 기본으로 하였으며 0.6㎛ CMOS 공정을 사용하여 설계하였다. 개선된 전원클럭 발생기는 기존회로보다 4∼11% 정도 효율이 높았다. 모의실험결과 제안하는 단열회로 승산기는 CMOS 승산기보다 2.6∼3.5배 정도의 에너지를 감소시켰다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.129-133
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• 2011

A spread spectrum clock generation is an efficient way to reduce electro-magnetic interference (EMI) radiation in modern mixed signal chip systems. The proposed circuit generates the spread spectrum clock by directly injecting the modulation voltage into the voltage-controlled oscillator (VCO) current source for SATA II. The resulting 33KHz modulation profile has a Hersey-Kiss shape with a rounded peak. The chip has been fabricated using $0.18{\mu}m$ CMOS process and test results show that the proposed circuit achieves 0.509% (5090ppm) down spreading at 1.5GHz and peak power reduction of 10dB. The active chip area is 0.36mm ${\times}$ 0.49mm and the chip consumes 30mW power at 1.5GHz.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권4호
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• pp.282-290
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• 2013

This paper describes a spread spectrum clock generator (SSCG) circuit for DisplayPort 1.2 standard. A Hershey-Kiss modulation profile is generated by dual sigma-delta modulators. The structure generates various modulation slopes to shape a non-linear modulation profile. The proposed SSCG for DisplayPort 1.2 generates clock signals with 5000 ppm down spreading with a Hershey-Kiss modulation profile at three different clock frequencies, 540 MHz, 270 MHz and 162 MHz. The measured peak power reduction is about 15.6 dB at 540 MHz with the chip fabricated using a $0.13{\mu}m$ CMOS technology.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.776-780
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• 2007

본 논문에서는 저전압 DRAM용 VPP Generator의 전하펌프회로(Charge Pump Circuit)를 새롭게 제안하였다. 제안된 전하펌프회로는 2-Stage 크로스 커플 전하펌프회로(Cross-Coupled Charge Pump Circuit)이다. 4개의 비중첩 클럭신호들을 이용하여 전하전달 효율을 향상시켰고, 각 전하펌프단 마다 Oscillation 주기를 줄일 목적으로 Distributed Clock Driver인 Inverter 4개를 추가하여 펌핑전류(Pumping Current)를 증가시켰다. 그리고 전하전달 트랜지스터의 게이트단에 프리차지회로 (Precharge Circuit)를 두어 대기모드진입 시 펌핑된 전하를 방전하지 못하고 고전압을 유지하여 소자의 신뢰성을 떨어트리는 문제를 해결하였다. 모의실험결과 펌핑전류, 펌핑효율(Pumping Efficiency), 파워효율(Power Efficiency) 모두 향상된 것을 확인하였고, $0.18{\mu}m$ Triple-Well 공정을 이용하여 Layout 하였다.