• 제목/요약/키워드: SnO2

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분말 스퍼터링과 후열처리 복합 공정으로 제조한 주석 함유 갈륨 산화물 다공성 나노와이어 (Porous Sn-incorporated Ga2O3 nanowires synthesized by a combined process of powder sputtering and post thermal annealing)

  • 이하람;강현철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제29권6호
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    • pp.245-250
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    • 2019
  • 라디오주파수 분말 스퍼터링 방법으로 sapphire (0001) 기판 위에 Sn을 함유한 β-Ga2O3(β-Ga2O3 : Sn) 나노와이어를 증착하였다. 후열처리 공정의 가스 분위기가 나노와이어 형상의 변화에 미치는 영향을 연구하였다. 800℃에서 진공 중 열처리 과정에서, as-grown 나노와이어는 다공성 구조로 전이하였다. 비화학양론 Ga2O3-x는 화학양론 Ga2O3로 바뀌고, Sn원자는 응집하여 나노클러스터를 형성한다. Sn 나노클러스터는 증발하여 Sn 원자의 함량은 1.31에서 0.27 at%로 감소하였다. Sn원자의 증발로 인하여 나노와이어 표면에 다수의 기공이 형성되고, 이는 β-Ga2O3 : Sn 나노와이어의 체적대비 표면적 비율을 증가시킨다.

분말성형법으로 제조된 Ag-SnO2-Bi2O3 접점소재의 미세조직 및 특성 (Microstructure and Characteristics of Ag-SnO2-Bi2O3 Contact Materials by Powder Compaction)

  • 이진규
    • 한국분말재료학회지
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    • 제29권1호
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    • pp.41-46
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    • 2022
  • In this study, we report the microstructure and characteristics of Ag-SnO2-Bi2O3 contact materials using a controlled milling process with a subsequent compaction process. Using magnetic pulsed compaction (MPC), the milled Ag-SnO2-Bi2O3 powders have been consolidated into bulk samples. The effects of the compaction conditions on the microstructure and characteristics have been investigated in detail. The nanoscale SnO2 phase and microscale Bi2O3 phase are well-distributed homogeneously in the Ag matrix after the consolidation process. The successful consolidation of Ag-SnO2-Bi2O3 contact materials was achieved by an MPC process with subsequent atmospheric sintering, after which the hardness and electrical conductivity of the Ag-SnO2-Bi2O3 contact materials were found to be 62-75 HV and 52-63% IACS, respectively, which is related to the interfacial stability between the Ag matrix, the SnO2 phase, and the Bi2O3 phase.

혼합기체 O2/Ar+O2 농도 변화가 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막의 상 안정성에 미치는 영향 (Effect of O2/Ar+O2 concentration on phase stability of transparent Mn doped SnO2 monolayer film)

  • 김태근;장건익
    • 한국결정성장학회지
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    • 제31권4호
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    • pp.154-158
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    • 2021
  • 550 nm 파장대에서 O2/Ar+O2 혼합기체 농도비가 0에서 7.9 %로 변화 시 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막의 투과율은 80.9에서 85.4 %로 밴드갭 에너지는 3.0에서 3.6 eV로 증가하였다. 비저항은 O2/Ar+O2 혼합기체 농도비가 0에서 2.7 %까지 증가 시 3.21 Ω·cm에서 0.03 Ω·cm으로 감소하다 이후 7.9 %로 증가 시에는, 52.0 Ω·cm으로 급격하게 상승하였다. XPS 분석결과 혼합기체 O2/Ar+O2에서 O2 농도의 증가로 Sn3d5/2의 결합에너지가 486.40에서 486.58 eV로, O1s의 결합에너지도 530.20에서 530.34 eV로 조금 변화하였다. 따라서 스파터링 방법으로 제조한 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막에서 O2 농도변화에 따라 SnO와 SnO2 2개의 상이 공존하는 것을 확인하였다.

리튬이차전지용 SnO2/Li4Ti5O12의 합성 및 전기화학적 특성 (Manufacturing and Electrochemical Characteristics of SnO2/Li4Ti5O12 for Lithium Ion Battery)

  • 양아름;나병기
    • 청정기술
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    • 제21권4호
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    • pp.265-270
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    • 2015
  • 리튬이차전지에서 전지의 용량을 증가시키기 위하여 음극의 전기화학적 용량을 증가시키는 것이 중요하다. 음극활물질 중에서 SnO2와 Li4Ti5O12는 흑연을 대체하기 위한 물질로 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 SnO2/Li4Ti5O12 혼합물을 고상법으로 합성하였으며, SnO2를 Li4Ti5O12에 혼합하여 전기화학적인 용량을 증가시키는 실험을 수행하였다. SnO2가 혼합될 경우에 Li4Ti5O12의 용량보다 큰 전기화학적 용량을 갖는 물질을 합성할 수 있었다. 하지만 SnO2의 특성으로 인하여 사이클이 진행됨에 따라서 용량이 감소하는 현상이 관찰되었다.

Determination of Ascorbic Acid, Acetaminophen, and Caffeine in Urine, Blood Serum by Electrochemical Sensor Based on ZnO-Zn2SnO4-SnO2 Nanocomposite and Graphene

  • Nikpanje, Elham;Bahmaei, Manochehr;Sharif, Amirabdolah Mehrdad
    • Journal of Electrochemical Science and Technology
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    • 제12권2호
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    • pp.173-187
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    • 2021
  • In the present research, a simple electrochemical sensor based on a carbon paste electrode (CPE) modified with ZnO-Zn2SnO4-SnO2 and graphene (ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE) was developed for the direct, simultaneous and individual electrochemical measurement of Acetaminophen (AC), Caffeine (Caf) and Ascorbic acid (AA). The synthesized nano-materials were investigated using scanning electron microscopy, X-ray Diffraction, Fourier-transform infrared spectroscopy, and electrochemical impedance spectroscopy techniques. Cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry were applied for electrochemical investigation ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE, and the impact of scan rate and the concentration of H+ on the electrode's responses were investigated. The voltammograms showed a linear relationship between the response of the electrode for individual oxidation of AA, AC and, Caf in the range of 0.021-120, 0.018-85.3, and 0.02-97.51 μM with the detection limit of 8.94, 6.66 and 7.09 nM (S/N = 3), respectively. Also, the amperometric technique was applied for the measuring of the target molecules in the range of 0.013-16, 0.008-12 and, 0.01-14 μM for AA, AC and, Caf with the detection limit of 6.28, 3.64 and 3.85 nM, respectively. Besides, the ZnO-Zn2SnO4-SnO2/Gr/CPE shows an excellent selectivity, stability, repeatability, and reproducibility for the determination of AA, AC and, Caf. Finally, the proposed sensor was successfully used to show the amount of AA, AC and, Caf in urine, blood serum samples with recoveries ranging between 95.8% and 104.06%.

용액공정 기반 SnO2와 TiO2를 이중 전자수송층으로 적용한 양자점 전계 발광소자의 특성비교 연구 (A Comparison Study on Quantum Dots Light Emitting Diodes Using SnO2 and TiO2 Nanoparticles as Solution Processed Double Electron Transport Layers)

  • 신승철;김수현;장승훈;김지완
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제27권3호
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    • pp.69-72
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    • 2020
  • 본 연구에서는 SnO2 nanoparticles (NPs) 위에 TiO2 NPs를 코팅하여 Quantum Dots Light Emitting Diodes (QLEDs)를 제작하였다. TiO2 NPs는 SnO2 NPs보다 conduction band minimum (CBM) 준위가 낮다. 따라서 SnO2 층과 발광층의 CBM 준위 사이에 위치해 에너지 장벽을 감소시키고, 전자의 이동을 원활하게 할 것으로 예상하였다. QLEDs는 inverted 구조로 제작되었으며, SnO2 단일층을 사용한 경우보다 발광 특성이 향상된 것을 확인하였다. 이중 전자수송층을 적용한 이번 연구를 통해 SnO2를 QLEDs에 전자수송층으로 적용할 수 있을 것으로 기대한다.

Glass 위에 증착된 SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 다층 투명전도막의 성능지수 (Figure of Merit of SnO2/Ag/Nb2O5/SiO2/SnO2 Transparent Conducting Multilayer Film Deposited on Glass Substrate)

  • 김진균;이상돈;장건익
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권2호
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    • pp.81-85
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    • 2017
  • $SnO_2/Ag/Nb_2O_5/SiO_2/SnO_2$ multilayer films were prepared on glass substrate by sequential using RF/DC magnetron sputtering at room temperature. The influence of top $SnO_2$ layer thickness on optical and electrical properties of the multilayer films was investigated. Experimentally measured results exhibit transmittances over 84.3 ~ 85.8% at 550 nm wavelength. As the top $SnO_2$ layer thickness increased from 40 to 55 nm, the sheet resistance (Rs) increased from 5.81 to $6.94{\Omega}/sq$. The Haacke's figure of merit (FOM) calculated for the samples with various $SnO_2$ layer thicknesses was a maximum at 45 nm ($35.3{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$).

NO2 감응을 위한 Ag 금속입자가 기능화된 SnO2 나노선 기반 저온동작 센서 (Ag-functionalized SnO2 Nanowires Based Sensor for NO2 Detection at Low Operating Temperature)

  • 최명식;김민영;안지혜;최승준;이규형
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.11-17
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    • 2020
  • 본 연구에서는 Ag 금속입자가 기능화된 SnO2 나노선을 제작 및 저온 NO2 가스 센싱 특성을 평가하였다. Vapor-liquid-solid 공법을 이용하여 SnO2 나노선을 합성하였고, flame chemical vapour deposition 공법을 이용하여 Ag 금속입자를 SnO2 나노선 표면에 기능화하였다. 합성된 Ag 금속입자가 기능화된 SnO2 나노선을 이용하여 50℃에서 NO2 10 ppm에 대한 가스 센싱 테스트를 진행한 결과, 감응도(Rg/Ra) 1.252를 얻었다. 본 연구를 통하여, 금속입자가 기능화된 나노선을 이용한 저온동작 반도체식 가스센서의 산업 적용을 현실화 할 수 있을 것으로 기대된다.

Mg를 환원제로 사용하여 열증발법으로 합성한 SnO2 나노결정 및 발광 특성 (Thermal Evaporation Syntheis and Luminescence Properties of SnO2 Nanocrystals using Mg as the Reducing Agent)

  • 소호진;이근형
    • 한국재료학회지
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    • 제30권7호
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    • pp.338-342
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    • 2020
  • Tin oxide (SnO2) nanocrystals are synthesized by a thermal evaporation method using a mixture of SnO2 and Mg powders. The synthesis process is performed in air at atmospheric pressure, which makes the process very simple. Nanocrystals with a belt shape start to form at 900 ℃ lower than the melting point of SnO2. As the synthesis temperature increases to 1,100 ℃, the quantity of nanocrystals increases. The size of the nanocrystals did not change with increasing temperature. When SnO2 powder without Mg powder is used as the source material, no nanocrystals are synthesized even at 1,100 ℃, indicating that Mg plays an important role in the formation of the SnO2 nanocrystals at temperatures as low as 900 ℃. X-ray diffraction analysis shows that the SnO2 nanocrystals have a rutile crystal structure. The belt-shaped SnO2 nanocrystals have a width of 300~800 nm, a thickness of 50 nm, and a length of several tens of micrometers. A strong blue emission peak centered at 410 nm is observed in the cathodoluminescence spectra of the belt-shaped SnO2 nanocrystals.

Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중 다층막의 성능지수와 밴딩 특성 (Figure of merit and bending characteristics of Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 tri-layer film)

  • 조영수;장건익
    • 한국결정성장학회지
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    • 제31권4호
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    • pp.190-195
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    • 2021
  • 상온에서 PET 기판 위에 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중 다층막을 RF/DC 마그네트론 스파터링 방식으로 제조하였다. EMP 시뮬레이션 결과에 따라 Mn-SnO2의 막 두께는 40 nm, Ag 막 두께는 13 nm로 고정하였다. 550 nm 파장대역에서 측정한 3중막의 투과율은 82.9에서 88.1 % 범위였으며 면저항은 5.9에서 6.9 Ω/☐로 변화하였다. 가장 높은 성능지수(ϕTC)는 48.1 × 10-3 Ω-1로 나타났다. 곡률반경 4, 5 mm 조건에서 inner 밴딩과 out 밴딩의 굽힘시험을 10,000회 실시한 결과 Mn-SnO2/Ag/Mn-SnO2 3중막의 저항변화율은 약 1.5 %로 탁월한 기계적 유연성을 보였다.