• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.276-283
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• 2003

본 논문은 IMT-2000 단말기용 전력증폭기의 선형성을 증가시키기 위해 기존의 선형화 기법을 사용하는 대신 선형성이 우수한 Infineon 사의 SiGe HBT를 이용하여 IMT-2000 단말기용 2단 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. HBT의 비선형 모델은 Gummel-Poon 모델을 이용하였으며, 등가모델을 이용하여 회로 시뮬레이터인 ADS를 사용하여 DC I-V 특성과 입ㆍ출력측의 S-파라미터 특성을 살펴보았다. 시뮬레이션한 S-파라미터를 이용하여 2단 전력증폭기의 첫째단은 고이득 조건으로 정합하고, 둘째단은 고출력 조건으로 정합하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 hybrid 형태로 제작한 2단 전력증폭기는 IMT-2000 상향 주파수 대역인 1920∼1980MHz에서 27.1dBm의 출력전력과 18.9dB의 전력이득, 20dB의 ACLR, 34%의 전력부가효율을 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.287-290
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• 1999

In the transmitter of optical fiber transmission systems, a time-division multiplexer combines several parallel data streams into a single data stream with a high bit rate. In this paper, we design a 2:1 (2-channels) time-division multiplexer using SiGe HBT with emitter size of 2$\times$8${\mu}{\textrm}{m}$$^2$. The operation speed is 10Gbps, the rise and fall times of 20-80% are 34ps and 35ps, respectively and the dissipation of power is 0.86W.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.245-248
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• 2000

In this paper, we present a high-performance SiGe HBT's RF input impedance parameter extraction method. The SiGe HBT has emitter width of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$ and length of 6${\mu}{\textrm}{m}$. S-parameter has been measured with the collector current of 1~3㎃ using on-wafer RF measuring system . The pre-calculation method was used in order to overcome the local minimum problem. This method enabled us to extract a RF(1~10㎓) input impedance parameter.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권1B호
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• pp.201-208
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• 2000

시분할 멀티플렉서는 여러 병렬 스트림(stream)들을 높은 비트율을 갖는 하나의 직렬 스트림으로 결합하는 장치로, 광통신 시스템의 송신부에 사용된다. 본 논문에서는 에미터 크기가 2$\times$8um\sup 2\인 SiGe HBT를 사용하여 4:1 (4채널) 시분할 멀티플렉서를 설계하였다. 설계된 회로의 동작속도는 10Gbps, 입력전압 및 출력전압은 각각 400mVp-p와 800mVp-p, 20-80% 간의 상승시간 및 하강시간은 각각 34ps와 34ps이며, 전력소모는 1.50W이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.68-73
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• 2002

본 논문에서는 타키오닉스의 SiGe HBT 파운더리를 이용하여 50 MHz에서 3 GHz까지 동작하는 광대역 RFIC 증폭기를 구현한다. 평탄한 이득특성과 광대역 임피던스 정합을 위하여 voltage-shunt 피드백 구조를 이용하였으며, 저주파 소신호 해석을 이용하여 설계 파라메터의 초기값을 결정하였다. 설계시점에서 HBT의 대신호 모델이 준비되지 않았기 때문에 저주파에서 유효한 튜닝보드를 제작하여 설계 파라메터를 미세 조정하였다. 제작된 증폭기는 12 dB 이득에 1 dB 이득 변동특성을 갖고 있으며, P1 dB는 850 MHz에서 15 dBm이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권2호
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• pp.114-118
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• 2006

In this paper, the effect of base and collector structures on DC, small signal characteristics of SiGe HBTs fabricated by RPCVD was investigated. The structure of SiGe HBTs was designed into four types as follows: SiGe HBT structures which are standard, apply extrinsic-base SEG selective epitaxial growth (SEG), apply selective collector implantation (SCI), and apply both extrinsic-base SEG and SCI. We verified the devices could be applied to the fabrication of RFIC chip through a fully integrated 2.4 GHz down-conversion mixer.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.49-52
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• 2002

A new method is developed to extract model parameters of SiGe HBT equivalent circuit including the base impedance and base-collector junction capacitance. Using this method, all resistances and capacitances of SiGe HBT are independently determined from measured S-parameters using two-port parameter formula. This method is proposed to reduce possible errors generated from global optimization process, and its accuracy has been verified by finding good agreements between measured and modeled current / power gain up to 18 GHz.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권9호
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• pp.1-8
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• 2005

최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 $0.35\{mu}m$ 설계 Rule을 적용하여 $f_{max}$ 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 Vertical Profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ 수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target떼 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH $Q\~$l2.5)를 제공하였다

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.66-72
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• 1995

Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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• pp.257-261
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• 2001

This paper presents the implementation of wide-band RFIC amplifier operating from near 50MHz to 3GHz using Tachyonics SiGe HBT foundry. Voltage shunt feedback is used for the flat gain and the broad band impedance matching. Initial design parameters are calculated using the low frequency small signal analysis. Since the HBT model was not available at the design time, discrete tuning board was made for fine tuning in the low frequency range. Fabricated amplifier shows 12dB gain with 1dB fluctuation and PldB reaches 15dBm at 850MHz.