0.35m CMOS공정을 이용하여 MOSFET의 RF특성을 평가하였다. 채널길이(L-0.25~0.8m)와 채널폭(W=50~600m) 및 바이어스 전압의 변화에 따른 RF특성을 분석하였으며, 차단주파수$f_T$는 최대 22GHz, 최대공진주파수($f_{max}$)는 최대 28GHz의 값을 얻었다. 채널폭의 변화에 대해서 차단주파수는 영향을 받지 않았으며, 최대공진주파수는 감소하는 경향을 보였고, 채널길이 증가에 대해서는 차단주파수 및 최대공진주파수 모두 감소하는 경향을 나타내었다. 최소잡음지수는 채널폭이 증가할수록 감소하고 채널길이가 증가할수록 증가하는 경향을 얻었는데, 2GHz에서 최소 0.45dB의 값을 얻었다. 평가결과로부터 0.35m CMOS공정이 2GHz대역의 상업용 RFIC 구현에 충분한 RF특성을 보유하고 있음을 확인할 수 있었으며, 바이어스 및 채널폭과 길이변화에 대한 CMOS 트랜지스터의 RF 특성분석을 통하여 RF 회로설계에 대한 지침을 제시하였다.
Due to the change in lifestyle, new sensible materials for sportswear and outdoor are needed. This study is conducted in order to obtain the data for sensible materials through nylon twist process. 1-step nylon twisting machine was used to set the optimum twist process. DSC measurements of twisted nylon yarn showed crystallization temperatures around 170℃ and melting temperatures around 220℃. Nylon 40D/13F DTY and Nylon 50D/48F DTY showed optimal results at 160℃, 1,500 T/M(Turns per meter), and Nylon 70D/68F DTY at 160℃, 1,200 T/M(Turns per meter) after 1-step twist process. Also, Nylon 40D/13F DTY was confirmed to have inter-layer property deviation of ±5 percent.
최근 Mobile용 RF ICs 적용을 위한 RF CMOS 기술과 함께 핵심 기술로 SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 소자 개발의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문은 현재 5GHz 동작 수준의 RF제품에서 주로 사용되는 기술인 $0.35\{mu}m$ 설계 Rule을 적용하여 $f_{max}$ 50GHz에서 동작하는 SiGe BiCMOS 기술 개발에 대한 내용을 논의한다. 본 SiGe HBT에 사용하는 에피막 성장 기술은 Trapezoidal Ge base profile 및 non-selective 방식이고, 에미터 RTA 조건 및 SiGe HBT base에 대한 Vertical Profile 최적화를 수행하였다. hFE 100, $f_{T}\;45GHz,\;NF_{min}\;0.8dB$ 수준으로 우수한 특성 및 기술 경쟁력을 갖는 SiGe BiCMOS 공정 개발 및 양산 기술을 확보하였다. 또한, 기존의 0.35um설계 Rule공정 target떼 부합되는 CMOS소자를 포함시켰으며, RF용 Passive소자로 높은 Q값을 갖는 MIM capacitor(1pF, Q>80), Inductor(2nH $Q\~$l2.5)를 제공하였다
Kim, Dae-Hyun;Yeon, Seong-Jin;Song, Saegn-Sub;Lee, Jae-Hak;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권2호
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pp.117-123
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2004
A 30 nm $In_{0.7}GaAs$ High Electron Mobility Transistor (HEMT) with triple-gate has been successfully fabricated using the $SiO_2/SiN_x$ sidewall process and BCB planarization. The sidewall gate process was used to obtain finer lines, and the width of the initial line could be lessened to half by this process. To fill the Schottky metal effectively to a narrow gate line after applying the developed sidewall process, the sputtered tungsten (W) metal was utilized instead of conventional e-beam evaporated metal. To reduce the parasitic capacitance through dielectric layers and the gate metal resistance ($R_g$), the etchedback BCB with a low dielectric constant was used as the supporting layer of a wide gate head, which also offered extremely low Rg of 1.7 Ohm for a total gate width ($W_g$) of 2x100m. The fabricated 30nm $In_{0.7}GaAs$ HEMTs showed $V_{th}$of -0.4V, $G_{m,max}$ of 1.7S/mm, and $f_T$ of 421GHz. These results indicate that InGaAs nano-HEMT with excellent device performance could be successfully fabricated through a reproducible and damage-free sidewall process without the aid of state-of-the-art lithography equipment. We also believe that the developed process will be directly applicable to the fabrication of deep sub-50nm InGaAs HEMTs if the initial line length can be reduced to below 50nm order.
In this paper, we de ne an $L_p$ analytic generalized Fourier Feynman transform and a convolution product of functionals in a Ba-nach algebra $\cal{F}$($C_{a,b}$[0, T]) which is called the Fresnel type class, and in more general class $\cal{F}_{A_1;A_2}$ of functionals de ned on general functio space $C_{a,b}$[0, T] rather than on classical Wiener space. Also we obtain some relationships between the $L_p$ analytic generalized Fourier-Feynman transform and convolution product for functionals in $\cal{F}$($C_{a,b}$[0, T]) and in $\cal{F}_{A_1,A_2}$.
고도정수처리를 위한 관형 세라믹 정밀여과와 이산화티타늄($TiO_2$) 광촉매 첨가 PES (polyethersulfone) 구의 혼성공정에서 주기적 물 역세척 시 유기물질의 영향 및 정밀여과(MF), PES 구 흡착, 광산화의 역할을 막오염에 의한 저항($R_f$) 및 투과선속(J), 총여과부피($V_T$) 측면에서 기존의 질소 역세척 결과와 비교하였다. 휴믹산 농도가 증가함에 따라 급격한 막오염으로 $R_f$는 증가하고 J는 감소하여, $V_T$는 휴믹산 농도 2 mg/L에서 가장 높았다. 탁도 처리효율은 물과 질소 역세척 모두 휴믹산 농도와 상관없이 비슷하였다. 유기물질 처리효율은 물 역세척 경우 최대 휴믹산 10 mg/L에서 최소 71.4%이었으나, 질소 역세척에서는 거의 일정하였다. 물과 질소 역세척 모두 MF 및 PES 구, 자외선의 혼성공정(MF + $TiO_2$ + UV)에서 $R_f$가 최소이고, J와 $V_T$는 최대였다. 탁도 및 유기물질의 처리효율도 물과 질소 역세척에 상관없이 MF + $TiO_2$ +UV에서 최대였고, 공정이 MF로 단순화 될수록 처리효율도 점차 감소하였다. 하지만 물 역세척에서는 광산화 보다 흡착이, 질소 역세척에서는 흡착 보다 광산화가 더 주요한 역할을 하였다.
이 연구의 목적은 과학적 가설 생성 과정의 두뇌 활성화 특성을 수리 연산 과정과 비교하여 3.0T fMRI를 이용하여 규명하는 것이다. 이를 위하여 16명의 건강한 남자 피험자가 실험에 자발적으로 참여하였으며, 과학적 가설 생성 과제와 수리 연산 과제를 684초 동안 수행하여 fMRI 영상을 측정하였다. 측정한 후 언어적 보고 자료를 수집하여 fMRI 영상 자료의 신뢰도를 확보하였다. 언어적 보고의 분석 결과 수집한 fMRI 영상 자료 전부를 통계적 분석 대상 자료에 포함시켰다. SPM2 프로그램을 이용하여 통계적으로 분석한 결과, 과학적 가설 생성 과정은 수리 연산 과정과 다른 독립적인 두뇌 네트 을 가지고 있는 것으로 나타났다. 과학적 가설 생성 과정에서는 측두엽의 방추이랑(fusiform gyrus)에서 의문 상황 분석으로 이끌어내진 의미가 전두엽에서 부호화하는 과정이 일어난다고 할 수 있다. 수리 연산 과정은 전두엽과 두정엽의 연합된 영역이 중요한 역할을 하며 기능적 숙련도는 두정엽 영역이 관여하는 것으로 생각된다. 또한 과학적 가설 생성 과정에서는 과학적 감성의 생성도 동반하는 것으로 밝혀졌다. 이러한 연구 결과는 과학적 가설 생성 과정을 두뇌 과학적 측면에서 고찰 할 수 있도록 하였으며, 과학적 가설 생성 학습 프로그램 개발을 위한 기초 자료로 활용될 수 있을 것이다. 또한 과학적 가설 생성 학습 프로그램은 두뇌-기반 학습의 한 전형으로 제안할 수 있다.
본 연구는 건강사정 교과목의 사례기반 실습교육이 간호대학생의 수업 참여도, 문제해결과정, 학업적 자기효능감, 학업성취에 미치는 효과를 파악하기 위해 수행되었다. 연구대상자는 C도에 소재한 종합대학 간호학과 2학년 학생 69명이었으며, 연구설계는 비 동등성 대조군 전-후 실험설계이다. 자료수집은 2021년 2월에서 2021년 7월까지 프로그램 적용 전·후 2차례 실시하였으며, 자료 분석은 SPSS/WIN 23.0 Program을 이용하여 기술적 통계, χ2 test와 independent t-test, ANCOVA로 분석하였다. 연구 결과 사례기반 실습교육 전·후 수업참여도(F=15.003, p<.001), 학업적 자기효능감(F=13.288, p=.001), 학업성취도(F=19.755, p<.001)가 실험군이 대조군보다 유의미하게 높았다. 또한 문제해결과정의 의사결정(F=6.948, p=.010), 수행(F=6.232, p=.015), 평가 및 반영(F=5.364, p=.024)에서 실험군이 대조군 보다 유의미하게 높았다. 따라서 간호학생의 문제해결과정, 수업참여도, 학업적 자기효능감, 학업성취도를 높이기 위해서는 전공교과목의 학습내용에 따라 사례기반학습을 확대할 필요가 있다.
본 연구에서는 F-T 공정을 통해 합성하여 제조한 바이오항공유(Bio-7629, Bio-5172)와 기존에 사용 중인 석유계항공유(Jet A-1)의 점화특성을 비교하여 분석하였다. Combustion research unit (CRU) 장비를 활용하여 각 항공유의 점화지연시간을 측정하였고, 그 결과를 연료의 물성 및 구성 화합물에 대한 분석을 통해 해석하고자 하였다. 점화지연시간은 Bio-5172가 가장 짧게 측정되었으며 Jet A-1이 가장 길게 측정되었다. 이는 물리적 점화지연시간에 영향을 줄 수 있는 연료의 물성 측면에서 Jet A-1이 가장 큰 표면장력을 가지며 Bio-5172가 가장 낮은 점도를 갖기 때문인 것으로 해석된다. 또한, 각 연료를 구성하는 화합물의 종류 및 비율에 대하여 분석한 결과, 실험 대상 바이오항공유에 없는 방향족화합물이 Jet A-1에는 약 22.8%의 비율로 존재함을 확인하였다. 이는 산화 과정 시에 비교적 반응성이 낮은 benzyl radical을 생성하여 점화지연시간이 길게 측정되는 데에 영향을 주는 것으로 판단된다. Bio-7629와 Bio-5172는 paraffin으로만 구성되어 있으며, n-/iso-의 값은 각각 0.06, 0.80으로 큰 차이를 보였다. 가지화 된 정도가 낮은 paraffin일수록 산화 시에 생성되는 peroxy radical의 이성질화가 빠르게 진행되어 점화의 전파속도 또한 빨라진다. 따라서 n-paraffin의 함량이 비교적 높은 Bio-5172의 경우에 점화지연시간 또한 짧게 측정된 것으로 해석된다.
In this paper we use a generalized Brownian motion process to defined an analytic operator-valued generalized Feynman integral. We then obtain explicit formulas for the analytic operatorvalued generalized Feynman integrals for functionals of the form $$F(x)=f\({\int}^T_0{\alpha}_1(t)dx(t),{\cdots},{\int}_0^T{\alpha}_n(t)dx(t)\)$$, where x is a continuous function on [0, T] and {${\alpha}_1,{\cdots},{\alpha}_n$} is an orthonormal set of functions from ($L^2_{a,b}[0,T]$, ${\parallel}{\cdot}{\parallel}_{a,b}$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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