• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제3권5호
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• pp.129-140
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• 2014

기존의 메모리에서 발생하는 다양한 고장들을 검출하기 위한 기법으로 BIST(Built-in self test)가 있고 고장이 검출되면 Spare를 할당하여 수리하는 BIRA(Built-in redundancy analysis)가 있다. 그리고 BIST와 BIRA를 통합한 형태인 BISR(Built-in self repair)를 통해 전체 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 그러나 이전에 제안된 기법들은 RAM을 위해 제안된 기법으로 RAM의 메모리 구조와 특성이 다른 NAND-형 플래시 메모리에 사용하기에는 NAND-형 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance를 진단하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 NAND-형 플래시 메모리에서 발생하는 Disturbance 고장을 검출하고 고장의 위치도 진단할 있는 BISD(Built-in self diagnosis)와 고장 블록을 수리할 수 있는 BISR을 제안한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제30권4A호
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• pp.328-335
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• 2005

본 논문에서는 내장된 메모리의 자체 테스트를 통한 메모리 고장 유무 확인과 더불어 메인 메모리의 고장난 부분을 여분의 메모리로 재배치하여 사용자로 하여금 고장난 메모리를 정상적인 메모리처럼 사용할 수 있도록 BISR(Build-In Self Repair) 설계 및 구현을 하였다. 메인 메모리를 블록 단위로 나누어 고장난 셀의 블록 전체를 재배치하는 방법을 사용하였으며, BISR은 BIST(Build-In Self Test) 모듈과 BIRU(Build-In Remapping Unit) 모듈로 구성된다. 실험결과를 통해 고장난 메모리를 여분의 메모리로 대체하여 사용자가 메모리를 사용함에 있어서 투명하게 제공하는 것을 확인 할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권12호
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• pp.85-92
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• 2007

메모리 설계 기술과 제조 공정의 발전에 따라, 고집적 메모리의 생산이 본격화 되었다. 이러한 메모리의 고집적화는 복잡하고 정밀한 설계와 제조 공정을 필요로 하기 때문에, 메모리 내에 더 많은 고장을 존재할 가능성을 낳았다. 이에 따라 메모리에서 발생하는 여러 고장을 분석하고 메모리를 수리하여 공정상의 문제를 수정하기 위해, BISR(Built-In Self-Repair) 회로의 중요성이 부각되고 있다. 본 논문에서는 주어진 예비 메모리를 효율적으로 사용하여 고장이 발생한 메모리를 효과적으로 수리할 수 있는 메모리 내장형 자체 수리 회로의 구조와 그 방법론에 대해서 소개하고자 한다. 제안하는 자체 수리 회로는 sign bit이라는 추가적인 저장 장치를 이용하여 메모리 수리를 수행한다. 이는 기존에 비해 좀 더 향상된 성능을 가지고 있다.

• 전자공학회논문지
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• 제49권9호
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• pp.237-243
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• 2012

최근의 시스템 온 칩 (SoC) 설계 기술의 발전에 따라, 수백개의 임베디드 메모리 코어들이 칩의 대부분의 면적을 차지하고 있다. 그러므로 시스템 온 칩의 수율은 임베디드 메모리 코어들의 수율에 따라 결정된다고 볼 수 있다. 최적의 수리 효율을 가지는 built-in self repair (BISR)을 모든 메모리들이 가지고 있게 된다면 면적의 부담이 너무 크다. 본 논문에서는 이와 같은 면적의 부담을 줄이기 위하여 메모리들을 그룹화 한 후에 비트맵 메모리를 공유하여 면적 부담을 크게 줄이는 방법을 제안한다. 제안하는 비트맵 메모리 공유방법은 built-in redundancy analysis (BIRA)의 면적을 크게 줄일 수 있다. 실험결과를 통해서 보면 제안하는 방법이 면적 부담을 대략 80%정도 줄이는 것을 확인 할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권12호
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• pp.73-79
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• 2009

최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리(Embedded Memory)가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분 메모리(Spare Memory)로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분 메모리의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분 메모리 재배치 알고리즘인 MRI를 제안하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권2호
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• pp.113-120
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• 2007

최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분의 메모리로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공 할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분의 메모리 재배치 알고리즘을 제안하고자 한다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권6호
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• pp.122-130
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• 2013

메모리반도체산업이 성장함에 따라 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 그 중 플래시 메모리가 스마트폰, 테블릿PC, SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 나뉜다. NOR-형 플래시 메모리는 BIST(Built-In Self Test), BISR(Built-In Self Repair), BIRA(Built-In Redundancy Analysis) 등 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형 플래시 메모리 BIST는 연구가 진행되지 않았다. 현재 NAND-형 플래시 메모리 패턴 테스트는 고가의 외부 테스트 장비를 사용하여 테스트를 수행하고 있다. NAND-형 플래시 메모리에서는 블록단위로 소거, 페이지 단위로 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 자체 내장 테스트가 존재하지 않고 외부장비에 의존하고 있다. 고가의 외부 패턴 테스트 장비에 의존해서 테스트를 수행하던 NAND-형 플래시 메모리를 외부 패턴 테스트 장비 없이 패턴 테스트를 수행할 수 있도록 두 가지의 유한 상태 머신 기반 구조를 갖고 있는 BIST를 제안한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권12호
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• pp.54-60
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• 2007

본 논문에서는 내장메모리의 고장을 효율적으로 치유하기 위해 2차원의 여분 메모리를 이용한 내장메모리의 자가치유회로를 제안한다. 내장메모리에 같은 행(열)에 다수의 고장이 발생할 경우에 기존의 1차원의 여분 열(행) 메모리를 이용할 경우에는 고장 수만큼의 여분 메모리 열(행)이 필요하나. 2차원의 메모리를 사용하는 본 방법에서는 하나의 여분 메모리 행(열)으로 치유가 가능하다. 또한, 가상분할 메모리방식을 이용함으로써 여분 메모리 열 전체가 아니라 부분 열을 이용하여 치유가 가능하다. 본 구조를 이용하여, $64\times1$ bit의 코어메모리와 $2\times8$의 2차원 여분 메모리로 구성된 자가치유회로를 설계한다. 그리고, 고장검출을 위해서 13N March 알고리즘을 가진 자가테스트회로를 내장한다. 매그너칩 $0.25{\mu}m$ CMOS공정을 이용하여 Full-Custom으로 설계한 결과, 10,658개의 Tr.수에 코어면적은 $1.1\times0.7mm^2$이 소요되었다.