• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권5호
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• pp.312-320
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• 2003

본 논문에서는 고속 평판 디스플레이 응용을 위한 8b 200 MHz 0.18 um CMOS A/D 변환기 (Analog-to-Digital Converter:ADC)를 제안한다. 제안하는 A/D 변환기는 200 MHz의 샘플링 클럭 속도에서 샘플링 클럭 속도보다 더 높은 입력 대역폭을 얻기 위해서 개선된 bootstrapping 기법을 사용한다. Bootstrapping 기법이 적용된 샘플-앤-흘드 증폭기(Sample-and-Hold Amplifier. SHA)는 기존의 회로 보다 향상된 정확도를 가지며, 1.7 V의 전원 전압, 200 MHz의 샘플링 클럭, 500 MHz의 정현파 입력에서 SHA의 출력을 FFT(Fast Fourier Transform) 분석한 결과 7.2 비트의 유효 비트 수(effective number of bits)를 나타내었다. 또한 병합 캐패시터 스위칭 (Merged-Capacitor Switching:MCS) 기법을 사용하여 기존의 A/D 변환기에 사용되는 캐패시터의 숫자를 50 % 줄임으로써 샘플링 속도를 높임과 동시에 면적을 최소화하였다. 제안하는 40 변환기는 0.18 um n-well single-poly quad-metal CMOS 공정을 사용하여 모의 실험 되었으며, 1.7 V 전원 전압, 200 MHz의 샘플링 클럭에서 73 mW의 전력을 소모한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권7호
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• pp.1442-1447
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• 2004

본 논문에서는 HDD나 LAN 둥에 응용하기 위하여 아날로그 신호와 디지털 신호를 동시에 처리하는 VLSI의 내장용 회로로 사용하기에 적합한 CMOS 6-비트 폴딩-인터폴레이팅 AD 변환기를 설계하였다. 고속 데이터 통신에 사용하기 위하여 VLSI에 내장되는 아날로그 회로는 작은 칩의 크기와 적은 소비전력, 빠른 데이터 처리속도를 필요로 한다. 제안한 폴딩-인터폴레이팅 AD 변환기는 서로 다른 원리로 동작하는 2 개의 폴더를 캐스케이드로 결합하여 전압비교기와 인터폴레이션 저항의 개수를 현저히 줄일 수 있으므로 내장형 AD 변환기의 설계에 많은 장점을 제공한다 설계 공정은 0.25${\mu}m$ double-poly 2 metal n-well CMOS 공정을 사용하였다. 모의실험결과 2.5V 전원전압을 인가하고 500MHz의 샘플링 주파수에서 27mW의 전력을 소비하였으며 INL과 DNL은 각각 $\pm$0.lLSB, $\pm$0.15LSB이고 SNDR은 10MHz 입력신호에서 42dB로 측정되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권1호
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• pp.172-178
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• 2014

이 논문은 산소 포화도 측정을 위하여 설계되는 아날로그 프런트 엔드의 설계 기술 및 디자인 방법에 관한 것이다. 센서로부터 출력되는 데이터를 이용하여 산소포화도를 계산하기 위해서는 센서의 포토다이오드에서 흘려주는 전류 데이터를 전압 데이터로 바꿔주는 것이 필요하다. 설계된 아날로그 프런트 엔드는 센서로부터 출력되는 전류 데이터를 여러 가지 전압 이득을 가지는 형태로 후방의 아날로그 디지털 변환기에 전압을 전달하는 역할을 한다. 설계된 회로는 $0.11{\mu}m$ CMOS공정을 이용하여 설계되었으며, $0.174mm^2$의 면적을 차지한다.

• 전기전자학회논문지
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• 제2권2호
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• pp.278-284
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• 1998

본 논문에서는 HDTV 응용을 위한 10b 저전력 CMOS A/D 변환기 (analog-to-digital converter : ADC) 회로를 제안한다. 제안된 ADC의 전체 구조는 응용되는 시스템의 속도와 해상도 등의 사양을 고려하여 다단 파이프라인 구조가 적용되었다. 본 시스템이 갖는 회로적 특성은 다음과 같이 요약할 수 있다. 첫째, 전원전압의 변화에도 일정한 시스템 성능을 얻을 수 있는 바이어스 회로의 선택적 채널길이 조정기법을 제안한다. 둘째, 고속 2단 증폭기의 전력소모를 줄이기 위하여 증폭기가 사용되지 않는 동안 동작 전류 공급을 줄이는 전력소모 최적화 기법을 사용한다. 넷째, 다단 파이프라인 구조에서 최종단으로 갈수록 정확도 및 잡음 특성 등에서 여유를 얻을 수 있는 점을 고려한 캐패시터 스케일링 기법의 적용으로 면적 및 전력소모를 감소시킨다. 제안된 ADC는 0.8 um double-poly double-metal n-well CMOS 공정 변수를 사용하여 설계 및 제작되었고, 시제품 ADC의 성능 측정 결과는 Differential Nonlinearity (DNL) ${\pm}0.6LSB$, Integral Nonlinearity (INL) ${\pm}2.0LSB$ 수준이며, 전력소모는 3 V 및 40 MHz 동작시에는 119 mW, 5 V 및 50 MHz 동작시에는 320 mW로 측정되었다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.948-950
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• 2003

In this literature, the CMOS current mode fout quadrant differentiator circuit is proposed. The implementation is base on an appropriate input stage that converts the input current into a compressed voltage at the input capacitor ($C_{gs}$) of the CMOS driver circuit. This input voltage use as the control output current which flow to the output node by passing through a MOS active load and use it as the feedback voltage to the input node. Simulation results with level 49 CMOS model of MOSIS are given to demonstrate the correct operation of the proposed configuration. But the gain of the circuit is too low so the output differentiate current also low. The proposed differentiator is expected to find several applications in analog signal processing system.

• 전자공학회논문지S
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• 제34S권5호
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• pp.94-103
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• 1997

It is necesary that analog buffer circuit should drive an external load in the VLSI design such as switched capacitor efilter (SCF), D/A converter, A/d converter, telecommunicatin circuit, etc. The conventional CMOS buffer circuit have many probvlems according as CMOS technique. Firstly, Capacity of large load ar enot able to opeate well. The problem can be solve to use class AB stages. But large load are operated a difficult, because an element of existing CMOS has a quadratic functional relation with inptu and outut voltage versus output current. Secondly, whole circuit of dynamic rang edecrease, because a range of inpt and output voltages go down according as increasing of intergration rate drop supply voltage. In this paper suggests that new differential CMOS line driver make out of operating an external of large load. In telecommunication's chip case transmission line could be a load. It is necessary that a load operate line driver. The proposal circuit is planned to hav ea high generation power rnage of voltage with preservin linearity. And circuit of capability is inspected through simulation program (HSPICE).

• 센서학회지
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• 제23권2호
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• pp.73-81
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• 2014

Silicon PIN diode radiation sensors and CMOS readout circuits were designed and fabricated in this study. The PIN diodes were fabricated using a 380-${\mu}m$-thick 4-inch n+ Si (111) wafer containing a $2-k{\Omega}{\cdot}cm$ n- thin epitaxial layer. CMOS readout circuits employed the driving and signal processes in a radiation sensor were mixed with digital logic and analog input circuits. The primary functions of readout circuits are amplification of sensor signals and the generation of the alarm signals when radiation events occur. The radiation sensors and CMOS readout circuits were fabricated in the Institute of Semiconductor Fusion Technology (ISFT) semiconductor fabrication facilities located in Kyungpook National University. The performance of the readout circuit combined with the Si PIN diode sensor was demonstrated.

• ETRI Journal
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• 제33권3호
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• pp.393-400
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• 2011

A systematic approach for the design of two-stage class AB CMOS unity-gain buffers is proposed. It is based on the inclusion of a class AB operation to class A Miller amplifier topologies in unity-gain negative feedback by a simple technique that does not modify quiescent currents, supply requirements, noise performance, or static power. Three design examples are fabricated in a 0.5 ${\mu}m$ CMOS process. Measurement results show slew rate improvement factors of approximately 100 for the class AB buffers versus their class A counterparts for the same quiescent power consumption (< 200 ${\mu}W$).

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.960-964
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• 2003

In this paper, the CMOS integrated circuit technique for implementing current-mode maximum and minimum operations scheme is described. The maximum and minimum operations are incorporated into the same scheme with parallel processing. Using this scheme as the basic unit, an analog three-input maximum, median, and minimum circuit is designed. The performance of the proposed circuit shows a very sharp transfer characteristic and high accuracy. The proposed circuit achieves a high-speed operation, which is suitable for real-time systems. The PSPICE simulation results demonstrating the characteristic of the proposed circuit are included.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.73-77
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• 2003

This paper presents a high-speed algorithmic analog-to-digital converter (ADC), which is based on gray coding. The realization method makes use of a two-input maximum circuit to provide a high-speed operation and a low-distortion in the transfer characteristic. The proposed ADC based on the CMOS integrated circuit technique is simple and suitable for implementing a highresolution ADC. The performances of the proposed circuit were studied using the PSPICE analog simulation program. The simulation-results verifying the circuit performances are agreed with the expected values.