기준입력은 정상상태 오차에 영향을 주는 요인 중의 하나다. 본 논문은 표준입력에 의해 야기피는 정상상태 오차를 제거할 수 있는 새로운 디지날 제각기 설계 방법을 제시한다. 먼저 연준입력 함수 형태에 따라, 기준입력 항이 제거된 새로운 제어 시스템 식이 유도되고. 최려제어를 이용하여 유도된 시스템의 출력을 최소로 하는 제어법칙이 구해진다. 강태공간 방법에 의해. 제시된 제어 알고리즘은 불안정 시스템을 포함해서 시불변 선형 시스템에 적용될 구 있다.
Oxygen-active 금속, 천이금속 및 oxygen-noble 금속, 즉, Al, Ti, Mn, Ni 그리고 Cuㄹ박막의 광투과율을 조사하였다. Slide-glass 위에 $6{\times}10^{-5}$ ~ $2{\times}10^{-4}$ mbr 압력범위와 0.5 ~ $2{\AA}$/sec 의 증착속도 범위에서 두께를 $85{\AA}$내외로 하여 증착하였다. 증착속도와 진공도는 금속박막의 광학적 성질에 큰 영향을 미치며 이는 주로 산소개입에 의한 것임을 알 수 있었다. 특히 광투과율이 매우 낮다고 알려진 산소와의 친화력이 강한 금속, 즉, Al, Ti, Cr 그리고 Ni의 광투과율을 저 진공도나 느린 증착속도에 의한 증착공정으로 상당히 향상시킬 수 있었다.
고밀도 PLA(Programmable Logic Array) layout의 생성, 간소화 및 검증을 자동화한 일련의 유용프로그램을 개발하였다. 이에는 논리 함수로부터 진리표를 만들어 내는 프로그램. 논리 간소화 프로그램 PLA재배열 프로그랭. stick diagram을 그릴 구 있는 화일을 만들어 내는 프로그램, dynamic CMOS PLA의 layout 생성 프로그램, 그리고 bipartite row folded CMOS PLA layout 생성 프로그램이 포함된다. 크기의 최소화는 주로 논리 간소화 프로그램과 bipartlte row folding 프로그램에 의해수행되며, 최대지연시간은 재배열 프로그램에 의해 작아진다. 자동으로 생성된 layout에 대한 정보는 CIF(Caltach Int-ermidate Form)로 저장된다. 각 프로그램은 C언어로 작성되었으며, VAX-l1/750 (UNIX)에서 수행되었다.
대부분의 공학 문제에서 선형 시스템의 출력은 유한 입력과 임펄스 응답의 컨볼루견으로 표현된다. 인펄스 응답 또는 시스템 입력을 율출하기 위해 나머지 다항식의 순구성을 이용한 디컨볼루견을 검토하였다. 행렬과 유클리드 알고리즘을 이용한 두 방법을 검토하였고 예로써 증명하였다. 예의 경우 RMS오차가 약 10-10인 고정도의 결과를 얻었다.
집복회로제조기술을 이용하여 극소형이고 초경량이며 감도, 천택도 및 안정도가 뛰어난 ISFET(lon Sensitive Field Effect Transistor)를 제조하였다. 특히 사람의 혈액속에 나타나는 중요한 4가지 이온인 H+, K+, Na+, Ca++에 대하여 각가 선택적으로 반응하는 감지막을 형성하여 H+-ISFET, K+-ISFET, Na-ISFET 및 Ca++-ISFET를 제작하였다. 이들 4가지 ISFET의 감도는 각각 52mv/pH 42mv/pk, 59mv/pNa및 28mv/pCa로 나타났으며. 1초 미만의 빠른 응답을 보였다.
분자선 에퍼택시 (MBE)방법을 이용하여 (100) GaAs웨이퍼 위에 GaAs에퍼충을 성장시켜 성장된 충에 대한 여러가지 특성을 조사 ·분석하였다. 분자선 에피택시 방법을 이용하여 CaAs에퍼층을 만들 때에는 기판온도와 As와 Ca의 분자선 밀도비 (As/Ga)가 가장 큰 영향을 미친다. 본 실험에서는 좋은 표면상태를 얻기 위해 480℃∼650℃로 유지시키고 As cell의 온도를 230℃, Ga eel함 온도를 917℃로 고정시켜 As와 Ga의 분자선 밀도비를 5∼10 이상으로 유지시켰다. 제작된 GaAs에피층의 표면상태를 SIMS (Seconde,y ion Mass ipectoscopy), AES(Auger Electron Spectroscopy) , SEM (Scanning Elect.on Mic,oscopy) , RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) 등으로 조사한 결과 기판온도가 540℃일 때 가장 좋은 표면상태를 얻을 수 있었다. 또한 RH-EED관찰 결과 As 안정화된 표면을 관측할 수 있었으며 SIMS로 depth-Profile을 해 본 곁과, Ca 보다 As가 불안정함을 알았다. 또한 반선 회절 검사결과에서 기판온도가 520℃일때와 540℃일때 (400), (200)면에 단결정이 형성되었음을 알 수 있었다.
영상 변환부호화에 있어 블록양자화방식은 전체시스템의성능을 결정한다. 본 노문에서는 변환계수들의 분산치를 아는 경우와 거의 같은 성능을 갖는 양자화방법이 연구되었다. 연구된 방법은 비트배정(bit allocation) 및 분산치 추정을 양자화기에서의 분산치부정합 영향이 되도록 작아지게한 것이다. 그 성능은 변환계수의 확률밀도를 몇가지로 가정하여 컴푸터 시뮬레이션을 통해 확인되었다. 그 결과 대칭형 최적 비균등양자화기 및 최적 균등양자화ㅏ기 및 최적 균등양자화기의 경우 종래의 방법에 비해 NMSE면에서 야25%의 개선을 얻을 수 있었고 이 때의 부호화율은 약 1bit/pel 이었으며 사용된 변화능 DCT(diserete cosine transform)이었다.
본 논문은 구형 마이크로스트립 안테나의 H-plane 상호결합에 관한 연구이다. 두 안테나의 상호결합을 계산하기 위해서 단일 마이크로스트립 패치의 교사저항을 구하였으며 결합된 전송선로를 even mode와 add mode로 분발하여 각 mode의 특성저항와 실효 유전률을 계산하였다. 이로부터 자계적으로 결합된 안테나를 S-band 주파수에서 S-parameter를 구한 결과 이론치와 실험치가 거의 일치함을 확인할 수 있었다.
APCVD SiO2 또는 PSG 및 PECVD SiN막으로 구성된 이중 또는 삼중층의 반도체 표면보호막 구조의 특성을 층배합방법, 두께 등이 다른 여러 경우에 대하여 비교분석하였다. 문턱전압의 변동, 크랙 및 핀·홀의 발생, 내습성 등의 성질을 검토한 결과, 4,000Å 이상의 두께를 가진 PSG막과 6,000Å 두께의 SiN막으로 된 이중층이 표면보호막 구조로 가장 적합하다는 결론을 얻었다.
이온 주입된 소형 MOSFET소자에 대한 해석적 문턱 전압 모델이 유도되었다. 일정한 도우핑 농도를 갖는 MOSFET에 적용되는 Yau 모델을 implanted channel구조와 bird's beat구조의 MOSFET에 대하여 적합한 형태로 수정하여 short channel 현상과 narrow width 현상을 정량적으로 설명하였다. Channel영역의 불순물 분포를 SUPREM 결과에서 2-step profile로 근사시켜 문턱 전압의 short channel model을 제안하였다. Weighting factor를 사용하여 bird's beat 영역의 불순물 분포를 고려함으로써 narrow width 현상을 성공적으로 설명하였다.
Unilateral Fin-Line 구조와 I-평면 구조를 Rayleigh-Ritt의 변분법으로 해석하는 방법을 제시하고, Cohn의 여파기 설계 이론에 의해 대역통과 멸파기를 설계하는 CAD프로그램을 개각했다. 관내 재역폭이 5%∼24.6%인 Unilateral Fin-Line 여파기를 제작하여 수험과 이론이 일치함을보였다. 시험 결과, 삽입손실이 0.17∼0.2545의 저손실 여파특성을 얻었으며 중심주파교에 대한 오차는 0.2%이 내였다.
본 논문에서는 적응 lattice 필터에서 반사계교를 구하는 일반적인 알고리즘인 Burg 알고리즘의 수염구성을 해석하였으며, μ알고리즘을 Burg 알고리즘에 적용하여 Burg 알고리즘보다 수산동도가 더 큰 새로운 적응 lattice μ알고리즘을 얻었다. 특히 Burg 알고리즘의 수잡속도가 낮을 때 본 논장에서 조안한 적응 lattice 친알고리즘의 수검속도가 상대적으로 커짐을 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 확인하였다.
An electrically alterable read only memory with polysilicon gate is experimently realized employing a SONOS structure. The SONOS memory cells are proposed to achieve lower programming voltage with thin nitride (70A, 170$\AA$) layer. Its programming voltage is 10V (Tnit=70$\AA$), 22V(Tnit=170$\AA$). And the SONOS cell is able to, erasc biasing negative gate pulse, then its voltage is about -24V for nitride thickness of 170$\AA$.
단일 입·출력 시불변 비최소 위상 공정에 대한 폴-플레이스먼트 제어기를 기준 모델을 사용하여 설계하였다. 제안된 폴-플레이스먼트 제어기는 변수 다항식5(q-1)만을 사용하여 파라미터 형으로 나타내어 기준모델의 전달함수와 제어기의 전달함수를 같게 하는 방법을 사용하였다. 또한, 적응 폴-플레이스먼트 제어기는 위의 제어기에 적응 알고리즘을 적응하여 제어기의 파라미터를 추정 하도록 설계 되었다.
Branch-line 하이브리드 3dB 결합기에 λ/2-단락선로 스터브와 λ/4 -개방선로 스터브를 달결하여 입역임퍼던스 정합을 시키면서 스터브의 정재파를 이용하는 새로운 형연의 마이크로담대 선로 각도수 배별기의 이론을 제시하고 그것을 C-band에서 실현하였다. 실험적으로 중심주파수 4.940Hz에서 인별대역폭이 400MHz까지 선형성이 좋으며 return loss>15dB로서 사용할 수 있는 임피던스 정합특성을 가지는 인별기를 얻을 수 있음을 확인하였다.
본 론문은 packet 교환 방식의 computer 통신망인 KORNET 개발에 판한 4편의 논문중 제1부로서 KORNET의 전체적인 개요와 network management center(NMC)의 개발에 관하여 기술하였다. NMC는 operator dialogue를 통하여 network내 여러 소자의 상태를 감지 하고 가입자와 network의 운용을 담당하며 routing의 관리를 담당하는등 network의 중추적 기능을 구행한다 본 KORNET의 구현에 있어서 통신 protocol은 CCITT의 권고사항을 충실히 따랐으며 NMC의 응용 software인 operator interface, prinary/secondary부, session layer차 packet level adaptor는 자체적으로 개발하였고, packet, link 및 physical level protocol은 Data Goner각사에서 개발한 XODIAC X.25를 응용하여 개발하였다.
이 논문은 packet switching 방식에 의한 공중 computer 통신망 개발에 관한 4편의 논문중 제 2부의 논문으로 제 1부의 KORNET의 개요 및 netwo.k managementcenter (NMC)개발에관한 논문에 이어 KO-RNET의 설계와 networhnode Processor(NNP)의 개발에 대해 기술한다. KORNET은 3개의 NNP와 하나의 NMC 로 일차 구성하였는데, NNP는 MC68000 microprocessor를 이용한 multiprocessor system으로 구현되었고, HMC는 중형 computer인 Mv/8000 system을 사용하여 개발하였다. KORNET에서의 packet service 방식은 virtual circuit(VC) 방식으로 하고 routing은 node나 선로의 상태변화에 쉽게 대처할 수 있는 분산적응방식(distributed adaptive routinB)을 사용하였다. 또한, buffo. management는 dy-namic sharing 방식을 채택하여 storage의 사용에 대한 효율성을 높였다. NNP system의 hardware는 modularity를 고려하여 확장이 용이하게 하였으며, software는 CCITT 권고사항 X.25, X.3, X.28, X.29등을 따라 구현하였다.
LSl/VLSl의 제조기술이 발달함에 따라 마이크로프로세서 (μP)의 기능시험에 많은 시간이 소요되고 있다. 논문에서는 MC68000μP를 대상으로 기능시험이 복추하게 되는 요인인 명령어디로오딩 기능에 대한 핵배적인 시험방법을 제안하였다. 이를 위하여 사용자측에 제공된 명령어디로오딩의 정보인 operation word를 분석하고 그 bit형태에 따라 명령어를 대염명령보와 소리명령어로 구분하여 명령어디로오딩 고장 검출에 필요한 총소의 시험명령어벨을 선액하였으며 이들에 대한 시험처준방법을 논하였다. 본 시험알고리즘을 69경의 봉본명령보에 대해 수행시킨 결과 332정의 시험명령인쌍을 구할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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