이 논문은 "한글문자의 컴퓨터 처리 : 1. 이론 "의 후편으로서 동일 subject의 실질적, 역사적 측면을 취급한다. 논문의 전반부에서는 다음 문제들을 논한다. : 한글 입출력 터미날의 기능적 설계, 모아쓰기 algorithm과 dot matrix fonts 에 의존한 한글 character generator, 입력 keyboard, 구성(keyset 와 key-stroke수 사이의 관계), binary code 의 설계를 위해 고려되어야 할 조건 등이다. 후반부는 개인적 관점에서 본 한글문자의 컴퓨터 처리의 역사론에 할당되었다. 기록화된 업적들을 주요 내용에 따라 네그룹으로 분류하였고, 시대순으로 나열될 참고문헌들의 비판적 개론을 위해 문제점들을 하나씩 거론하였다. 입력 (문자의 컴퓨터인식)과 출력 (모아쓰기의 처리)의 문제들을 분별하여 토론하였다.

한글 기계화에 수반되어야 할 한글 통일부호 제정에 관한 기본적인 문제들이 검토되었다. 한글의 특성을 충분히 살리기 위한 부호로서 모아쓰기 다중부호(multi-code) 방식을 제안하고 그에 준하여 computer 내부부호 및 telex 부호를 정하였다. 다중부호 방식은 부호 간에 퍼져있는 한글 정보를 부호자체 및 위치에 배정함으로써 단말에서의 display에 관한 정보를 쉽게 추출할 수 있고, 부호공간(code space)의 효율적인 활용에 의해 전송속도에 있어서 풀어쓰기 방식에 비하여 7.6%의 증대를 얻을 수 있었다.

LED나 laser diode와 optical fiber의 coupling efficiency를 높이기 위해서는 lens의 곡율반경을 작게 하는 것이 효과적이다. 본 연구에서는 heating and pulling 반경에 의한 tapered lens를 고안함으로써 최적 size의 lens 제작을 용이하게 하였으며, taper의 특성을 이용하여 고효율 coupling을 가능하게 하였다. 이론적 계산에 의하여 90%까지의 light coupling이 가능함을 보였으며, 실험결과 flat end에 대한 improvement factor는 LED에서 3dB, laser diode에서 6dB까지 증가시킬 수 있었다. epoxy를 사용하여 LED에 pigital을 부착한 결과 온도특성 및 기계적 안정성에서 실용화에 충분할 정도로 우수하였다.

두개의 광전 transducer array를 나란히 1/2 화소만큼 어긋나게 배치하여서 거기에서 얻어진 신호들로 부터 해상도가 2배높은 transducer의 성능을 얻는 방식이 제안, 그리고 실험되었다. 높은 해상도의 입장에서 보아 2개의 화소의 평균치들로 신호를 내어주는 이 transducer 둘로부터 고신호의 추정은 마이크로컴퓨터 -로 행하였다.

SnO2- amorphous Sb 5 thin film-Sn structure에서 SnO2 창으로 photon을 입사시켰을 때 photo-voltaic 효과를 발견했으며 photon의 energy에 따라 photowltage의 부호가 반전 되었다. 이러한 현상은 SnO2- Sb S 사이에서 n-n heterojunction이, Sb S Sn사이에서 schottky junction이 형성되기 때문인 것으로 여겨진다.

본 연구에서는 N -채널 실리콘 게이트 제작기술에 의하여 일련의 크기를 가지는 커페시터와 트렌지스터들이 제작되었다. 그 결과 다양한 이온 주입 조걸, 즉 B 의 경우 에너지 30keV∼60keV와 도오스 3 × 10 ~ 5 × 10 개/㎠ 그리고 P 의 경우 에너지 1001keV∼ 175keV와 4 ×10 ~ 7×11개/㎠ 도오스 영역에서 이들에 대한 D.C. 인자들의 측정치들이 이론적인 계산치들과 비상, 분석되어 있다. 이 D.C. 인자들에는 threshold전압, 공핍층의 폭, 게이트 산화물 두께, 표면상태, 가동 하전입자 밀도, 전자의 이동도 그리고 마지막으로 누설전류가 있는데, 이중 실제 MOS의 제작에 있어서 특허 중요한 threshold전압에 있어서는, 커어브트레이서와 C - V plot을 통하여 측정된 값들이 실제 재산에서 이용된 SUPREM II 컴퓨우터 프로그램에 의한 결과와 훌륭히 접근하고 있다. 그 밖에 여기나온 D.C.인자들 중에서 도오핑 수준은 기판의 역 게이트 바이어스에서 threshold전압들로 부터 계산된 것이고, 역전도는 정의된 subthreshold 기울기로 부터 추산된 것임을 밝혀 둔다. 마지막으로 이와같은 D. C. 시험 결과들을 종합적으로 평가해 볼 때 만들어진 커페시터와 트렌지스터들이 N -채널 MOS I. C. 기억소자용으로 적합함을 보여주고 있다.