일반적으로 다치론리는 Modulo-M의 수 체계를 기초로 한다. 이 논문에서는 다치의 치의 요소를 서로 배타적인 상태를 나타내는 기호하여 집합의 방식으로 다치 논리를 설정하고, 기호 다치 논리극교와 그 변화를 정의하였으며, 그 성질을 정리, 증명하였다. 또, 경산외 변화에 의한 기회 다치 논리극교의 MacLaurin 전개와 Taylor 전개 방법을 제안하고 증명하였다.

컴퓨터 네트워크에 C-또는 P-암호법을 도입함으로써 도청되기 쉬운 통신선상의 정보를 보호할 수 있다. 본 논문에서는 이용자가 많은 컴퓨터 네트워크에 이 두 암호법을 동시에 도입하여 시스템 안전성이 높은 CP-암호시스템을 제안하고 제시된 프로토콜에 의해 이 CP-암호 시스템의 모든 이용자가 비밀통신 뿐 아니라 서명도 할 수 있음을 보여 준다.

유리기저에 실크스크린 인쇄기법을 이용하여 투명전극형성용 유기점액인 ITO와 silver paste로써 투명전극 및 금속 전극을 형성하고 SiO 막을 입혀서 액정 매트릭스 표시기를 제작하였다. Rubbing technique로 액정분자를 유리기저에 평행으로 배열시키고, 액정의 동적산란현상을 이용하여 3:1 주소지정방식으로 한글, 알파벳, 숫자 등의 표시를 시도하였다. 제작된 6μm 두께의 표시기에 전압을 변화시키면서 그에 따른 응답파형을 관찰하였다.

Duobinary 선로부호를 수정하여 "0"의 길이가 제한된 최소 대역폭 선로부호를 설계하였다. 이 새로운 부호는 duobinary와는 달리 "0"기 길이가 제한되어 self-clocking 특성을 가지므로, 수신측의 원활한 동기 재생을 위한 송신측의 데이타 스크램블링이 필요없다. 또한, 눈폭(eye width)과 오판율(error rate) 특성도 duobinary에 버금하며, 전력스펙트럼도 그에 유사하여, optical fiber와 같은 저역통파특성의 선로에 적합하다.

W.L.S. 알고리즘을 이용한 간접 M. R. L C. 방식으로서 직류전동기의 속도를 마이크로프로세서 M6509를 사용하여 제어하였으며 이를 통하여 W.L.S. 알고리즘의 빠른 수렴속도와 부하변동에 잘 적응하는 특성을 고략하였다.

Elliptic 함수는 허수 축상에 영점을 가지며 통과영역과 차단영역에서 같은 파상을 갖는데 결과적으로 elliptic 함수는 천이영역을 최소로함으로써 감도면에서 최적인 상태를 만들 수 있으나, 시간 영역에서의 특성은 Chebyshev 함수나 Butterworth 함수 응답 특성보다 떨어진다. 본 논문은 통과영역 감쇠율, 차단 주파수 ωs 등과 같이 여러 요소를 변화시켰을 때의 효과를 분석하기 위해서 단위계단 응답은 임펄스 응답을 분석해 보았다. 그 결과 다음과 같은 독특한 특성이 나타났는데 elliptic 필터 함수의 계단 응답은 높은 고유주파구에서 오버슈우트와 언더슈우트가 크고 빠르게 발생했고 초기값은 ωs가 증가하므로 감소하나 원점에서 시작하지는 않았다. Butterworth나 Chebyshev의 경우와는 다르게 임펄스 응답은 원점에서 시작하지 않는 것도 있으며 위와 같은 독특한 특성을 알아보도록 8개의 특성곡선을 제시하였다.

조합논리회로를 사용한 고속 RNS 곱셈기의 구성을 제안하였다. 연산시간과 하드웨어 절감을 결정하는 최적 moduti 선택조건에 대해서도 검토하였으며 RRNS에서는 magnitude index를 사용한 변형된 CRT로써 출력 변환하였다. 제안된 곱셈기의 추정시간은 파이프 라인없이 NRNS인 경우 31. 7ns, RRNS인 경우 47.95ns이었다.

본 논문에서는 여러 가지 이온 도우스와 열처리 온도에 대해서 hall-effect/sheet resistivity 측정방법을 이용하여 실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구를 하였다. 시료는 상온에서 이온을 주입하였으며 실리콘 나이트라이드 캘핑을 하여 15권동안 수소수국기에서 열처리하였다. 연구된 모든 도우스에서 n형 층이 형성되었으며 최적 열처리 온도는 850℃이었다. 크롬이 도핑된 GaAs기판에 대해 최대 전기적 활성화 효률은 89%이었다. 캐리어 농도와 이동도의 depth profile은 이온 도우스와 열처 이에 매우 의존적이다. 800노의 열처리 후에도 이온 주입에 의해 생긴 손상이 일부 존재하고 있었으며 900℃ 열처리에서는 주입된 실리콘 이온의 약부확산과 외류확산이 있었다.