• 한국지구과학회지
• /
• 제25권2호
• /
• pp.109-114
• /
• 2004

중력 포텐셜의 해석에 웨이브렛 변환 방법을 적용하였다. 웨이브렛을 만드는 단계 함수가 제안되었다. 단계 함수는 중력 포텐셜에서의 그린 함수로 대치될 수 있음이 보여졌다. 상향연속은 단계함수와의 컨볼루션 곧 웨이브렛 변환으로 표현될 수 있다. 단계인자는 높이 변화를 나타낸다. 다중경계는 각 단계에서의 웨이브렛 변환치의 국부 최대값을 연결하여 구해지며 이는 지층의 불연속면을 나타낸다. 다중경계 방법을 마산 창원지역의 중력자료에 적용하였다.

• 천문학회보
• /
• 제44권2호
• /
• pp.72.4-72.4
• /
• 2019

Galaxy scaling relations, such as the Tully-Fisher relation and the fundamental plane can be used to derive redshift-independent distances. These two scaling-relations are valid for mutually exclusive morphological galaxy types, solid group catalogues are required to compare them within galaxy clusters hosting multiple galaxies. With our investigation, we aim to better understand systematic effects between the scaling rations that may cause potential biases in peculiar motion studies.

• 대한공간정보학회지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.19-27
• /
• 2011

본 연구의 목적은 기후변화에 따른 잠재 산림분포 예측에 이용되는 기상 자료의 효과적인 구축 및 규모변환(Down Scaling) 방법을 제시 하는 것이다. 잠재 산림분포 예측을 위해 한국형 산림 분포 모형 TAG(Thermal Analogy Group)의 예측 방법과 HyTAG(Hydrological and Thermal Analogy Group)에서 정의한 식생 기능성 유형(PFT: Plant Functional Types)을 함께 적용하였다. 이를 위해 20km 공간해상도의 기상자료를 1km의 공간해상도에 부합하도록 보간 하였다. 이러한 보간 및 규모변환의 한 가지 방법으로 고도에 따른 기온감율을 적용 및 비적용하여 각각의 과거 잠재 산림분포를 예측하였다. 현존 산림분포도와 비교한 정확도 검증에서 기온감율을 적용한 잠재 산림분포가 약 38% 더 정확한 것으로 나타났다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권10호
• /
• pp.2267-2272
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론에 대한 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 구하기 위하여 가우스 전하분포를 이용하였다. 문턱전압이하 스윙의 저하와 같은 단채널 효과를 분석하기 위하여 스켈링이론이 사용되었으며 이중게이트 MOSFET의 특성상 두 개의 게이트 효과를 포함하기 위하여 일반적인 스켈링 이론을 수정하였다. 게이트길이에 대한 스켈링인자가 일반적인 스켈링인자의 1/2일 때 문턱전압이하 스윙의 저하현상이 매우 빠르게 감소하였으며 가우스함수의 이온주입범위 및 분포편차도 문턱전압이하 스윙에 영향을 미치는 것을 알았다.

• 천문학회지
• /
• 제36권spc1호
• /
• pp.1-5
• /
• 2003

In an early paper Skumanich suggested the existence of a scaling law relating the mean sunspot magnetic field with the square-root of the photospheric pressure. This was derived from an analysis of a variety of theoretical spot models including those by Yun (1968). These were based on the Schliiter-Temesvary (S- T) similarity assumption. To answer criticisms that such modeling may have unphysical (non-axial maxima) solutions, the S-T model was revisited, Moon et al. (1998), with an improved vector potential function. We consider here the consequences of this work for the scaling relation. We show that by dimensionalizing the lateral force balance equation for the S- T model one finds that a single parameter enters as a characteristic value of the solution. This parameter yields Skumanich's scaling directly. Using an observed universal flux-radius relation for dark solar magnetic features (spots and pores) for comparison, we find good to fair agreement with Yun's characteristic value, however the Moon et al. values deviate significantly.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권1호
• /
• pp.92-97
• /
• 2008

In this Paper, we present a scaling theory for dual material surrounding gate (DMSGTs) MOSFETs, which gives a guidance for the device design and maintaining a precise subthreshold factor for given device parameters. By studying the subthreshold conducting phenomenon of DMSGTs, the effective conductive path effect (ECPE) is employed to acquire the natural length to guide the design. With ECPE, the minimum channel potential is used to monitor the subthreshold behavior. The effect of ECPE on scaling factor significantly improves the subthreshold swing compared to conventional scaling rule. This proposed model offers the basic designing guidance for dual material surrounding gate MOSFETs.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권9호
• /
• pp.2015-2020
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에 스켈링이론을 적용할 때 두 개의 게이트에 의한 효과를 반영하기 위하여 스켈링인자에 가중치를 적용하여 문턱전압이하 특성을 해석하였다. 포아송방정식에 의한 전위분포를 구하기 위하여 전하분포는 가우스분포함수를 이용할 것이며 이의 타당성은 이미 여러 논문에서 입증하였다. 이 전위분포를 이용하여 단채널효과 중 문턱전압이동, 문턱전압이하 스윙, 드레인유도장벽감소 등을 스켈링인자에 대한 가중치의 변화에 따라 관찰하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 특성상 채널길이에 대한 가중치는 0.1에서 1까지 사용하였으며 채널두께에 대한 가중치는 1에서 2까지 가중치를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압 이하 스윙은 스켈링인자에 따라 거의 변화가 없었으나 가중치에 따라 변화하였으며 문턱전압이동 및 드레인유도 장벽감소 등은 스켈링인자에 따라 그리고 가중치에 따라 큰 변화를 보이는 것을 알 수 있었다.

• Korea-Australia Rheology Journal
• /
• 제19권3호
• /
• pp.141-146
• /
• 2007

We examine the wall contact of a $3\;{\mu}m$ tethered DNA chain's free end under shear with a focus on developing schemes for double-tethering in the application of making scaffolds for molecular wires. At this scale our results are found to be highly dependent on small length scale rigidity. Chain-end-wall contact frequency, mean fractional extension deficit upon contact, and standard deviation in extension upon contact are examined for scaling with dimensionless flow strength, Wi. Predictions made using a one dimensional approximation to the Smoluchowski equation for a dumbbell and three dimensional dumbbell simulations produce extension deficit, standard deviation, and frequency scaling exponents of -1/3, -1/3, and 2/3, respectively whereas more fine-grained Kratky-Porod (KP) simulations produce scaling exponents of -0.48, -0.42, and 0.76. The contact frequency scaling of 2/3 is derived from the known results regarding cyclic dynamics Analytical scaling predictions are in agreement with those previously proposed for ${\lambda}-DNA$. [Ladoux and Doyle, 2000, Doyle et al., 2000]. Our results suggest that the differences between the dumbbell and the KP model are associated with the addition of chain discretization and the correct bending potential in the latter. These scaling results will aide future exploration in double tethering of DNA to a surface.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권7호
• /
• pp.1463-1469
• /
• 2012

본 연구에서는 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론이 단채널효과에 미치는 영향을 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 출력특성을 일정하게 유지하기 위하여 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭 주파수를 해석하였다. 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 및 문턱전압이하 스윙 등을 스켈링 인자에 따라 관찰하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 분석결과 단채널효과 중 문턱전압이 스켈링 인자에 가장 큰 영향을 받는다는 것을 관찰하였다. 특히 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권5호
• /
• pp.982-988
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 문턱전압과 스켈링 이론의 관계를 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 채널크기에 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭주파수를 해석하였다. 이에 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압의 경우 스켈링 이론의 적용가능성을 관찰하기 위하여 문턱전압의 변화를 스켈링 인자에 따라 관찰하고 분석하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 가우스함수의 전하분포를 사용하였다. 분석결과 문턱전압이 스켈링 인자에 따라 크게 변화하였으며 변화정도는 도핑농도의 스켈링에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다. 특히 이중게이트의 특성상 채널두께 및 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명할 것이다.