• 한국운동역학회지
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• 제16권4호
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• pp.125-134
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• 2006

The purpose of this study was to analyze the Biomechanical elements by looking at the differences on the motions of the right and left spikes of right-handed offense volleyball players, using 3D image analysis and force platform. For that purpose, spike motions of six male university volleyball players were recorded three times each using two 16mm high speed cameras and the speed of recording was set at 60 frames/sec. The coordinated raw data was leveled as 6Hz using low pass filtering method and the calculation of 3D coordinates was done by using a DLT (Direct Linear Transformation) method. Also KWON 3D program was used to analyze the variables. Through the experiments and research, the following results were found: That is, in case of the right spike, the required time from the toss to the impact, which affected the success rate of offense showed as longer and on the take-off, the exact timing to touch the ball was longer because the pace between right and left feet was wider, and also after the jump, the distance between the feet indicated shorter, than the left. In addition, the degree of somersault and horizontal adduction of shoulder joint was smaller and the degree of medial rotation of shoulder joint showed bigger than the left, so it indicated that it was not centered on the body, but by the arm with an axis of shoulder using a swing motion. After the impact, the speed of the ball indicated slower compared to the left spike.

• 전자공학회논문지SC
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• 제37권2호
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• pp.29-36
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• 2000

본 논문에서는 트랜지스터 동작영역에 독립적인 일정 트랜스컨덕턴스 rail-to-tail 입력회로 및 AB-급 출력회로를 갖는 2단 연산증폭기를 제시한다. rail-to-rail 입력회로는 추가 NMOS 및 PMOS 차동 입력단 구조를 사용하여, 전체 동상 입력 전압에서 항상 일정한 트랜스컨덕턴스를 갖도록 하였다. 이러한 입력단 회로는 기존 MOS의 정확한 전류-전압 관계식을 사용하지 않고, 트랜지스터의 동작영역에서, 즉 강 반전 및 약 반전, 독립적인 새로운 광역 선형 전류관계를 제안한다. 본 논문에서 제안한 입력단 회로를 SPICE를 사용하여 모의실험 결과, 전체 동상 입력 전압에 대해서 4.3%의 변화율이 나타남을 검증하였다. AB-급 출력단 회로는 공급 전압원에 독립적인 일정한 동작 전류값을 갖고, 출력 전압은 Vss+0.1에서 Vdd-0.15까지 구동하는 전압 특성을 나타내었다. 또한 출력단은 AB-급 궤환 제어 방식을 사용하여 저전압에서 동작 할 수 있다. 전체 연산 증폭기의 단일-이득 주파수 및 DC 전압이득 변화율은 각각 4.2% 및 12%로 나타냈다.

• 한국문헌정보학회지
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• 제49권1호
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• pp.17-43
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• 2015

난독증은 초기에 발견해야 할 중요한 독서 장애요소이다. 비록 난독증 인구는 많지 않지만 국가적으로 관심을 갖고 지원해야 할 독서소외계층이다. 그러나 우리나라에서는 이것에 대한 인식과 관심이 매우 부족하다. 본 연구는 난독증이 본격적으로 드러나는 시기에 가장 민감하게 이를 선별해야 하는 학부모, 초등학교교사, 유치원교사, 사서(사서교사)들을 대상으로, 이들이 난독증에 대해 얼마나 인식하고 있으며, 그 차이는 어떤지를 알아보기 위한 것이다. 이를 위하여 대도시와 중소도시, 농 산 어촌에 거주하고 있는 학부모, 초등학교교사, 유치원교사, 사서(사서교사) 총 632명을 대상으로 설문지 조사를 실시하였으며, SPSS 20.0 프로그램을 사용하여 분석하였다. 조사결과, 난독증에 대한 인식은 직업, 거주지, 성별에 따라 차이가 있으며, 난독증에 대한 인지의 유무와 난독인을 직접 만나본 경험의 여부에 따라 차이가 있음을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제29권4호
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• pp.266-269
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• 2020

In this study, we investigated the effect of a sulfur passivation (S-passivation) process step on the electrical properties of surface-channel In_0.7Ga_0.3As quantum-well (QW) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with S/D regrowth contacts. We fabricated long-channel In_0.7Ga_0.3As QW MOSFETs with and without (NH₄)₂S treatment and then deposited 1/4 nm of Al₂O₃/HfO₂ through atomic layer deposition. The devices with S-passivation exhibited lower values of subthreshold swing (74 mV/decade) and drain-induced barrier lowering (19 mV/V) than the devices without S-passivation. A conductance method was applied, and a low value of interface trap density D_it (2.83×10¹² cm^-2eV^-1) was obtained for the devices with S-passivation. Based on these results, interface traps between InGaAs and high-κ are other defect sources that need to be considered in future studies to improve III-V microsensor sensing platforms.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권1호
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• pp.22-29
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• 2006

We demonstrate highly manufacturable Multi-channel Field Effect Transistor (McFET) on bulk Si wafer. McFET shows excellent transistor characteristics, such as $5{\sim}6 times higher drive current than planar MOSFET, ideal subthreshold swing, low drain induced barrier lowering (DIBL) without pocket implantation and negligible body bias dependency, maintaining the same source/drain resistance as that of a planar transistor due to the unique feature of McFET. And suitable threshold voltage ($V_T$) for SRAM operation and high static noise margin (SNM) are achieved by using TiN metal gate electrode.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권1호
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• pp.52-58
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• 2006

Single-electron transistor (SET)-based logic cells and SET/FET hybrid integrated circuits have been fabricated on SOI chips. The input-output voltage transfer characteristic of the SET-based complementary logic cell shows an inverting behavior where the output voltage gain is estimated to be about 1.2 at 4.2K. The SET/FET output driver, consisting of one SET and three FETs, yields a high voltage gain of 13 and power amplification with a wide-range output window for driving next circuit. Finally, the SET/FET literal gate for a multi-valued logic cell, comprising of an SET, an FET and a constant-current load, displays a periodic voltage output of high/low level multiple switching with a swing as high as 200mV. The multiple switching functionality of all the fabricated logic circuits could be enhanced by utilizing a side gate incorporated to each SET component to enable the phase control of Coulomb oscillations, which is one of the unique characteristics of the SET-based logic circuits.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권1호
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• pp.54-58
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• 2017

The effect of low temperature ($250^{\circ}C$) heat treatment after electron irradiation (irradiation time = 30, 180, 300s) on the chemical bonding and electrical properties of ZnO thin films prepared using a sol-gel process were examined. XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis showed that the electron beam irradiation decreased the concentration of M-O bonding and increased the OH bonding. As a result of the electron beam irradiation, the carrier concentration of ZnO films increased. The on/off ratio was maintained at ${\sim}10^5$ and the $V_{TH}$ values shifted negatively from 11 to 1 V. As the irradiation time increased from 0 to 300s, the calculated S. S. (subthreshold swing) of ZnO TFTs increased from 1.03 to 3.69 V/decade. These values are superior when compared the sample heat-treated at $400^{\circ}C$ representing on/off ratio of ${\sim}10^2$ and S. S. value of 10.40 V/decade.

• 정보처리학회논문지A
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• 제17A권1호
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• pp.19-26
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• 2010

삶의 질이 높아지고 고령화 사회가 시작되면서, 사회적 약자들이 사용하기 쉬운 교통수단의 개발의 필요성이 증대되고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위해, 한국철도기술연구원에서 주관하여 저상굴절버스(Bi-modal Tram)의 개발을 시작하게 되었다. 이 저상굴절버스는 버스와 같은 높은 접근성의 특징을 가져야 할 뿐만 아니라, 지하철과 같이 차체가 낮아야 하며, 휠체어나 승객의 발이 승강장과 차량 사이 틈에 끼지 않도록 정확한 주차가 이루어져야 한다. 하지만 저상굴절차량의 길이가 길어, 이러한 요건을 맞추기 위해서는 전 차륜 조향 시스템이 개발-장착되어야 한다. 전 차륜 조향 시스템이 장착된 저상굴절차량은 1축 차륜이 조향될 뿐 아니라, 1축 조향각 또는 굴절각과 속도 등의 상태에 따라 2축과 3축 차륜이 조향되는 특징을 가지고 있다. 본 연구에서는 전 차륜 조향장치의 개발 과정을 다룬다.

• 한국사회복지학
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• 제66권4호
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• pp.233-255
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• 2014

본 연구의 목적은 조기개입과 교육 복지 의료의 통합지원을 통해 기회균등 효과를 달성하고자 하는 영유아통합지원 실천 참여자의 지역사회 실존적 경험에서 발견한 지역사회변화 인식을 보는 것이다. 연구방법은 연구 참여자 인식을 사진을 통해 공유하는 포토보이스 방법을 사용하였다. 연구결과, 본 사업 참여 전의 지역사회는 '무장소의 발견'(주눅 들어 웅크리고 살아야 하는 의미 없는 공간, 우리동네) 이었다. 하지만 영유아통합지원 실천을 통해 '다시 뿌리내리기'(You are not alone)를 경험한다. 이는 본 실천을 통해 '양육품앗이' 공동체 체험을 하며 지역사회 네트워크로 편입되어가는 과정이었다. 실천경험의 결과 연구 참여자에게 지역사회는 교육 복지 의료자원 네트워크라는 새로운 장소, 즉 '장소성의 회복'(내 안에 피어난 새로운 장소, 우리동네)을 경험하였다. 이에 본 연구는 저소득 빈곤지역을 대상으로 한 지역사회개입의 영유아통합지원 실천의 필요성을 제기하며 포토보이스 연구결과에서 발견한 지역사회에 대한 반성적 고찰단계, 재정착 단계, 장소성 회복 단계 등을 제시한다. 더불어 지역사회변화 실천주체인 '양육품앗이'조직의 중요성과 사회자본 형성 노력 또한 제기한다.

• 한국운동역학회지
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• 제16권1호
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• pp.139-149
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• 2006

This study is to analyze the kinematic variables of inward $1{\frac{1}{2}}$ somersault in platform diver. For the manner, 3 people form the national diving team in the year 2000were chosen as the subjects and two S-VHS video cameras set in 60frames/sec were used for recording their motions. Coordinated raw positions data through digitizing are smoothing by butter-worth's low-pass filterin method at a cut off frequency 6.0Hz. and the direct linear transformation(DLT) method was employed to obtain 3-D position coordinates. The conclusions were as follows. However, horizontal distance which is the change of the COG, form the point of the jump to the point of Event 3 where the player is out of the board range completely, Subject B showed 105.1cm and 71.1cm of the vertical distance which are shorter horizontal distance and higher vertical distance, thus, took a great advantage of the position to prepare for the entry. Therefore, if a player takes higher position by speeding up the vertical velocity at the moment of the jumping off the board, and stays in the air longer, the player can have more time to show his skill. Because of the use of the characteristics of the inward somersault, keeping the safe distance form the board is important but in order to higher the completeness, it is ideal to keep the horizontal distance little over 100cm. Also, the angles of shoulder and elbow from Event 1 to 4, depending on swing of the arms, motions in the air, getting ready for the entry, showed some difference individual by individual, according to the velocity of the thigh and shank showed much difference while getting ready and take-off, and it's because of the individual's different bending and straightening for horizontal and vertical distance.