• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 B
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• pp.742-744
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• 1999

In this paper, a new precharge type PFD for fast locking time of PLL is suggested. It is realized by inserting NMOS transistor and inverter into the precharge part of PFD for isolating the reset of the Up signal from the feedback signal. The new precharge type PFD generates the Up signal while the feedback signal is fixed at a high level. Therefore the new PFD output is increased than the conventional precharge type PFD output. As a result of the increased PFD output, fast locking of PLLs is achieved. Additionally, with control the falling time of the inverter, the dead-zone is reduced and the jitter characteristics are improved. The whole characteristics of PFD and PLL are simulated by using HSPICE. Simulation results show that the dead-zone is 20ps and the locking time of PLL using the new PFD is 38ns at the 350MHz frequency of referecne signal. This value is quite small compared with conventional PFD.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.733-738
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• 2006

As the film transistor-liquid crystal display (TFTLCD) panels become larger and provide higher resolution, the propagation delay of row and column lines, the voltage modulation of Vcom, and the response time of liquid crystal affect the display images now more than in the past. It is more important to understand the electrical characteristic of TFT-LCD panels these days. This paper describes the electrical model of a 15-inch XGA ($1024{\times}768$) TFT-LCD panel. The parasitic resistance and capacitance of its panel are obtained by 3D simulation of a sub pixel. The accuracy of these data is verified by the measured values in an actual panel [1]. The developed panel simulation platform, the equivalent circuit of a 15-inch XGA panel, is simulated by HSPICE. The results of simulation are compared with those of experiment, according to changing the width of signal. Especially, the proposed simulation platform for modeling TFTLCD panels can be applied to large size LCD TVs. It can help panel and circuit designers to verify their ideas without making actual panels and circuits.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1222-1225
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• 2004

This paper presents multibit Sigma-Delta ADC using noise-shaped dynamic element matching(DEM). 5-bit flash ADC for multibit quantization in Sigma Delta modulator offers the following advantages such as lower quantization noise, more accurate white-noise level and more stability over single quantization. For the feedback paths consisting of DAC, the DAC element should have a high matching requirement in order to maintain the linearity performance which can be obtained by the modulator with a multibit quantizer. The DEM algorithm is implemented in such a way as to minimize additional delay within the feedback loop of the modulator Using this algorithm, distortion spectra from DAC linearity errors are shaped. Sigma Delta ADC achieves 82dB signal to noise ratio over 615H7z bandwidth, and 62mW power dissipation at a sampling frequency of 19.6MHz. This Sigma Delta ADC is designed to use 0.25um CMOS technology with 2.5V supply voltage and verified by HSPICE simulation.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1254-1257
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• 2004

This paper presents a built-in current sensor(BICS) that can detect defects in CMOS integrated circuits through current testing technique - Iddq test. Current test has recently been known to a complementary testing method because traditional voltage test cannot cover all kinds of bridging defects. So BICS is widely used for current testing. but there are some critical issues - a performance degradation, low speed test, area overhead, etc. The proposed BICS has a two operating mode- normal mode and test mode. Those methods minimize the performance degradation in normal mode. We also used a current-mode differential amplifier that has a input as a current, so we can realize higher speed current testing. Furthermore, only using 10 MOSFETS and 3 inverters, area overhead can be reduced by 6.9%. The circuit is verified by HSPICE simulation with 0.25 urn CMOS process parameter.

• 전자공학회논문지
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• 제51권6호
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• pp.63-70
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• 2014

본 논문에서는 낮은 분주비의 분주기를 갖는 위상고정루프에 주파수 체배기를 이용하여 잡음 특성을 개선한 위상고정루프 클럭 발생기를 제안하였다. 전압제어발진기에서 각 지연단의 지연 정도를 지연변화-전압 변환기를 이용하여 전압의 형태로 출력한다. 평균값 검출기를 이용하여 지연변화-전압 변환기 출력 전압의 평균값을 만들어 지연단의 위상 흔들림을 제어하는 전압으로 인가하여 지터를 줄일 수 있다. 제안된 클럭 발생기는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 시뮬레이션은 출력 신호의 peak-to-peak 지터값은 11.3 ps이었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권6호
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• pp.556-561
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• 2013

Interest in spin-torque oscillators (STOs) has been increasing due to their potential use in communication devices. In particular the magnetic tunnel junction-based STO (MTJ-STO) with high perpendicular anisotropy is gaining attention since it can generate high output power. In this paper, a circuit-level model for an in-plane magnetized MTJ-STO with partial perpendicular anisotropy is proposed. The model includes the perpendicular torque and the shift field for more accurate modeling. The bias voltage dependence of perpendicular torque is represented as quadratic. The model is written in Verilog-A, and simulated using HSPICE simulator with a current-mirror circuit and a multi-stage wideband amplifier. The simulation results show the proposed model can accurately replicate the experimental data such that the power increases and the frequency decreases as the value of the perpendicular anisotropy gets close to the value of the demagnetizing field.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권9호
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• pp.24-29
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• 2010

본 논문에서는 30 nm 채널 길이와 5 nm의 채널 반지름을 갖는 실리콘 기반의 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링을 다루고 있다. 3차원 소자 시뮬레이션을 이용하여 실리콘 나노와이어 MOSFET의 Y-parameter와 Z-parameter를 100 GHz까지 확보하였으며 이를 이용하여 모델 파라미터에 필요한 수식을 구하였다. 모델과 파라미터 추출 수식을 이용하여 회로 검증용 tool인 HSPICE에 의하여 검증이 이루어졌으며 quasi-static 기반의 고주파 모델이 100 GHz의 높은 주파수까지도 소자의 특성을 정확히 예측함을 확인하였다. 모델 검증은 MOSFET의 포화 영역 ($V_{gs}$ = $_{ds}$ = 1 V)과 선형 영역 ($V_{gs}$ = 1 V, $V_{ds}$ = 0.5 V)의 바이어스 조건에서 이루어졌으며 두 바이어스 조건에서의 Y-parameter에 대한 모델의 오차는 약 1 %로 매우 작은 값을 보여 준다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권4호
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• pp.1-6
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• 2012

본 논문에서는 고주파에서 동작하는 터널링 전계효과 트랜지스터 (TFET)의 소신호 파라미터 추출과 이에 대한 분석을 다루고 있다. 시뮬레이션으로 구현된 TFET의 채널 길이는 50 nm에서 100 nm 사이에서 변화되었다. Conventional planar MOSFET 기반의 quasi-static 모델을 이용하여 TFET의 파라미터 추출이 이루어졌으며 다른 채널 길이를 갖는 TFET에 대한 소신호 파라미터의 값을 게이트 바이어스 변화에 따라서 추출하였다. 추출 결과로부터 effective gate resistance와 transconductance, source-drain conductance, gate capacitance 등 주요 파라미터의 채널 길이 변화에 따른 경향성이 conventional MOSFET과 상당히 다른 것을 확인하였다. 그리고 $f_T$는 MOSFET과 달리 게이트 길이 역수의 값에 정확히 반비례하는 특성을 보였으며 TFET의 고주파 특성 향상을 transconductance의 개선이 아닌 gate capacitance의 감소에 의하여 가능함을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권2호
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• pp.104-112
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• 2007

본 논문에서는 저온 다결정 실리콘 공정에서 얻어지는 박막트랜지스터를 이용하여 $7{\times}7$ 병렬처리 곱셈기를 설계하였다. 7개의 부분곱은 Folding 회로를 기본으로 설계된 다치 논리 회로(7-3 Compressor)와 3-2 Compressor를 통해 2비트로 출력되어 Carry Propagating Adder로 전달되는 구조를 통해 Carry전달 지연을 최소화하여 연산속도를 향상시켰다. 그리고 전류모드로 동작하는 곱셈기에서 사용되는 전류원을 부분적으로 차단함으로써 전력소모를 감소시켰다. HSPICE 시뮬레이션 과정을 통해 제안된 곱셈기는 Wallace Tree 곱셈기에 비해 PDP(Power Delay Product)가 23%, EDP(Energy Delay Product)가 59%, 연산 속도가 47% 향상됨을 확인하였다.

• 센서학회지
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• 제14권6호
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• pp.430-437
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• 2005

In this paper, we proposed a biologically inspired light-adaptive edge detection circuit based on the human retina. A saturating resistive network was suggested for light adaptation and simulated by using HSPICE. The light adaptation mechanism of the edge detection circuit was quantitatively analyzed by using a simple model of the saturating resistive element. A light-adaptive capability of the edge detection circuit was confirmed by using the one-dimensional array of the 128 pixels with various levels of input light intensity. Experimental data of the saturating resistive element was compared with the simulated results. The entire capability of the edge detection circuit, implemented with the saturating resistive network, was investigated through the two-dimensional array of the $64{\times}64$ pixels