• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1315-1316
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• 2007

This is paper, a new structure to effectively improve the Vce(sat) voltage and latch-up current in NPT type IGBTs with hole barrier layer and diverter. The hole barrier layer acts as a barrier to prevent the holes from flowing into the p-layer and stores them in the n-layer. And the diverter significantly reduce hole current from flowing into the p-layer and improve latch up current. Analysis on the Breakdown voltage shows identical values compared to existing Conventional IGBT structures. This shows an improvement on Vce(sat) and Latct-up current without lowering other characteristics of the device. The electrical characteristics were studied by MEDICI simulation results.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.37-42
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• 2011

본 논문에서는 0.35 um BCD 공정을 통한 고내압 BCD 소자와 새로운 구조의 BCD 소자를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 20 V급 BJT 소자, 30/60 V급 HV-CMOS, 40/60 V급 LDMOS 소자의 전기적 특성을 분석하고, 동일 공정을 통해 높은 전류 이득을 갖는 수직/수평형 NPN BJT와 고내압 특성의 LIGBT 소자를 제안하였다. 제안된 수직/수평형 NPN BJT의 항복전압은 15 V, 전류이득은 100으로 측정되었으며, 고내압 특성의 LIGBT의 항복전압은 195 V, 문턱전압은 1.5 V, Vce,sat은 1.65 V로 측정 되었다.

• 대한수학교육학회지:수학교육학연구
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• 제26권2호
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• pp.287-307
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• 2016

본고에서는 미국, 영국, 호주, 싱가포르, 일본, 5개국에서 시행되는 대학 입학 수학시험을 분석하여 대학수학능력시험을 비롯한 우리나라의 대학입학시험에 대한 시사점을 도출한다. 연구 대상을 한정짓기 위해 미국 대학입학시험은 SAT 시험, SAT 교과 시험, ACT 시험, AP-course 시험을, 영국과 싱가포르는 고등학교 졸업 자격시험으로 실시되는 GCE A-level 시험(영국의 경우, Edexcel 시험으로 한정)을, 호주는 A-level 시험의 성격을 띤 빅토리아 주 정부 주관의 VCE 시험을, 일본은 대학입시센터 시험과 대학별고사로 분석 대상을 선정하였다. 본 연구에서는 각각의 시험 체제를 소개하고 수학 또는 수학 관련 과목 시험의 출제 범위와 문항 형식을 분석함으로써 각 시험이 가지는 주목할 만한 특징을 확인한다. 그리고 우리나라 대학입학시험과의 비교를 통해 내용과 형식 측면에서의 몇 가지 시사점을 도출하였다. 이를 통해 향후 두 차례의 개편이 예고되어 있는 대학수학능력시험을 비롯해, 나아가 우리나라의 대학 입학 수학 시험의 개선 방안을 모색하기 위한 기초적인 논의를 제공한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.70-70
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• 2009

In this paper, we proposed 2500V Non punch-through(NPT) Insulated gate bipolar transistor(IGBT) for high voltage industry application. we carried out optimal simulation for high efficiency of 2500V NPT IGBT according to size of device. In results, we obtaind design parameter with 375um n-drift thickness, 15um gate length, and 8um emitter windows. After we simulate with optimal parameter, we obtained 2840V breakdown voltage and 3.4V Vce,sat. These design and process parameter will be used designing of more 2000V NPT IGBT devices.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.273-279
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• 2010

In this paper, we proposed 2500 V Non punch-through(NPT) Insulated gate bipolar transistor(IGBT) for high voltage industry application. we carried out optimal simulation for high efficiency of 2500 V NPT IGBT according to size of device. In results, we obtaind design parameter with 375 um n-drift thickness, 15 um gate length, and 8um emitter windows. After we simulate with optimal parameter, we obtained 2840 V breakdown voltage and 3.4V Vce,sat. These design and process parameter will be used designing of more 2000 V NPT IGBT devices.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.563-564
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• 2008

This paper presents a new Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) for power switching device based on Non Punch Through(NPT) IGBT structure. The proposed structure has adding N+ beside the P-base region of the conventional IGBT structure. The proposed device has faster turn-off time and lower forward conduction loss than the conventional IGBT structure.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.247-251
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• 2007

The recessed gate IGBT has a lower on-state voltage drop compared with the DMOS IGBT, because there is no JFET resistance. But because of the electric field concentration in the corner of the gate edge, the breakdown voltage decreases. This paper is about the new structure to effectively improve the Vce(sat) voltage without breakdown voltage drop in 1700V NPT type recessed gate IGBT with p floating shielding layer. For the fabrication of the recessed gate IGBT with p floating shielding layer, it is necessary to perform the only one implant step for the shielding layer. Analysis on the Breakdown voltage shows the improved values compared to the conventional recessed gate IGBT structures. The result shows the improvement on Breakdown voltage without worsening other characteristics of the device. The electrical characteristics were studied by MEDICI simulation results.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.794-798
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• 2011

This paper was carried out design of 1,700 V Base Resistance Thyristor for fabrication. We decided conventional BRT (base resistance thyristor) device and Trench Gate type one for design. we carried out device and process simulation with T-CAD tools. and then, we have extracted optimal device and process parameters for fabrication. we have analysis electrical characteristics after simulations. As results, we obtained 2,000 V breakdown voltage and 3.0 V Vce,sat. At the same time, we carried out field ring simulation for obtaining high voltage.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권5호
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• pp.361-365
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• 2019

Although there is no strict definition of a power semiconductor device, a general description is a semiconductor that has capability to control more than 1 W of electricity. Integrated gate bipolar transistors (IGBTs), which are power semiconductors, are widely used in voltage ranges above 300 V and are especially popular in high-efficiency, high-speed power systems. In this paper, the size of the gate was adjusted to test the variation in the yield voltage characteristics by measuring the electric field concentration under the trench gate. After the experiment Synopsys' TCAD was used to analyze the efficiency of threshold voltage, on-state voltage drop, and breakdown voltage by measuring the P- region and its size under the gate.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.164-170
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• 2011

본 논문에서는 기존 LIGBT의 컬렉터와 에미터 사이에 추가적으로 에미터를 형성한 이중-에미터 구조의 LIGBT를 제안한다. 이중-에미터 LIGBT 구조는 추가된 에미터에 의해 향상된 래치-업 전류밀도, 순방향 전압강하와 빠른 턴-온 시간을 갖는다. 시뮬레이션 결과 이중-에미터 LIGBT 구조는 기존 LIGBT 구조보다 향상된 순방향 전압강하(1.05V), 높은 래치-업 전류($2.5{\times}10^3\;A/{\mu}m^2$), 빠른 턴-온 시간(7.4us)을 가짐을 확인 한다.