부성저항영역에서 동작하도록 바이어스전압을 걸어 준 쌍턴넬다이오드회로의 차특성은 역시 전압제어형의 부저항영역을 갖고, 이 회로를 발진기로 동작시킬 때의 쌍회로의 중점의 전위는 구형파의 이완진동을 일으킨다. 본논고에서는 이 중점에서의 구형파에서의 주기 및 정 또는 부의 펄스의 폭을 바이어스 전압에 의하여 제어할 수 있다는 점을 감안하여 주기 T 및 정펄스시간 T1 또는 부펄스시간 T2를 착특성곡선으로부터 해석적으로 구하고 또한 실측하였다. 또한 T 및 T1 또는 T2와 회로제정수와의 관계를 검토하여, T가 일정하고 T1-T2가 바이어스전압의 변화량에 비례하여 조건을 만족시키는 회로정수를 정하고, 바이어스전원과 직렬로 신호전압을 압입하는 방법을 고려하여 구성할 펄스폭변조회로의 특성을 구하였다.
본논문은 "s"를 변환함수로 하는 GIC회로가 자이레이터와 마찬가지로 인덕터를 RC능동회로로서 실헐할 수 있고, 또 임의의 안정한 전달함수가 GIC를 포함한 2단자대회로의 open-circuit voltage ratio로서 실현될 수 있음을 밝힌 것이다. 트랜지스터를 사용하여 GIC회로를 구성함에 있어시 트랜지스터의 nullator-norator model이 적어도 10kHz 이하의 주파수 범위에서 훌륭하게 적용될 수 있음이 밝혀졌다. GIC를 사용한 회로합성법의 특징은 다음괴 같다. 첫째로, 임의의 안정한 전달함수는 대단히 단순한 회로구성을 되풀이함으로서 체계계적으로 또 기계적으로 실현될 수 있다. 둘째로, 전체 회로에 있어서 GIC를 제외한 모든 회로요소는 저항뿐이다. 셋째로 n차의 전달함수를 실현하는데 있어서 필요한 콘덴서의 수효는 n이며, 이것은 가능한 가장 적은 수효라고 믿어진다.
새로운 전가산기회로를 제안하고 그 동작특성에 관하여 논한다. 회로는 Schottky-Barrier 다이오드 트랜지스터 터낼다이오드로서 구성되며 종래 제안되어 있는 회로의 동작제속도를 개선하고, 트랜지스터 베이스 바이어스전압의 압입 등 회로구성상의 결점을 제거하였다. 정특성곡선을 이용하여 회로구성소자의 최적치를 구하고, 회로동작에 관하여 고찰하였다.