인덕티브 포스트 장애물을 이용한 구형 도타관형 협대역 대역통과 필터에 관한 연구의 일환으로 중심 주파수 9GHz, 균일 리플 대역폭 50MHz(0.56%의 대역폭)인 chebyshev 대역통과 필터를 단일포스트 및 삼중포스트를 이용해 각각 설계, 제작하고 두 필터간의 특징을 비교하여 보았다. 단일포스트필터와 삼중포스트 필터를 제작해 측정한 중심 주파수, 대역폭, 그리고 손실특성은 이론치와 잘 일치 하였으며 삽입손실면에서 두 필터를 비교해 볼 때 산중포스트를 이용한 필터가 단일포스트를 이용한 필터에 비해 통과대역 특성이 0.8 dB 우수함을 알 수 있었다.
본 논문에서는 R-P 시스템의 특이성 회피 기능을 갖는 경로제어 방법에 관하여 논하였다. 먼저 R-P 시스템을 하나의 기구학적 모델로 하여 여유자유도를 갖는 Manippulator 제어 문제로 유도하였다. 또한 R-P 시스템의 특이성을 해식적으로 분석 고찰한 후 (내부)특이성일때 이를 회피하면서 경로오차를 허용범위내에 있도록 하기 위하여 DLS(damped least square)의 Damping Factor를 가변시켜 주는 방법을 제시하였다. 제시된 방법의 타당성을 보이기 위하여 5자유도를 갖는 Rhino 로보트와 2자유도를 갖는 포지셔널을 대상으로 조작성능지수(manipulability)를 최대화하는 방법, 고정 Damping Factor를 갖는 DLS 방법과 제시된 가변 Damping을 갖는 DLS 방법을 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 경로오차와 성능지수 및 관절속도에 관점을 두어 비교 검토하였다.
본 논문은 다단계 베이스라인 네트워크에서 네트워크의 제어를 스위칭 소자들에 분산시키는 라우팅 방법에 대해서 다룬다. 여기서 사용된 라우팅 방법은 목적지 주소의 이진표현을 라우팅 택으로 사용하는 목적지 택 라우팅 방법을 채택하였다. 주어진 네트워크의 구조적 특성을 이용하여, 하나의 시작지 주소로 부터 임의의 목적지 주소로 전송이 가능한 분산 알고리듬을 제안하였다. 제안된 알고리듬의 성능분석은 컴퓨터를 시뮬레이션을 통하여 수행되었으며 그 결과를 시간 복잡도 면에서 다른 방법과 비교하였다.
多結晶 薄膜트랜지스터의 電界效果 解析을 위한 物理的인 모델을 제시하였다. 본 논문의 모델에서는 粒子(grain) 하나를 單結晶 트랜지스터로 粒界(grain boundary)를 電位障壁을 갖는 絶緣體로 가정하였다. 따라서 多結晶 薄膜트랜지스터 粒子인 單結晶 트랜지스터들이 粒界를 경계로 직렬연결 되어 있는 것으로 간주하였으며, 粒子에 흐르는 電流는 gradual channel 근사식으로 또 粒界에 흐르는 電流는 터널링 이론으로 계산하였다. 出力特性과 비교하므로써 채널에서의 電位, 電界분포 등을 구하였으며 이결과들을 통해 본 모델을 검토하였다. 본 논문에서 제시한 다결정박막트랜지스터의 전도모델이 문턱전압이상의 素子동작해석에 타당함을 밝혔다.
Silane($SiH_4$), methane($CH_4$), diborane(B_2H_6)그리고 phosphine($PH_3$)을 이용하여 rf글로방전분해법으로 PIN형 a-SiC:H/a-Si:H 이종접합 태양전지를 제작하였다. $SnO_2/ITO$층 형성치 태양전지의 효율은 ITO 투명전극만의 경우보다 1.5% 향상되었다. 제작조건은 P층의 경우 $CH_4/SiH_4$의 비를 5로 하고 두께는 $100{\AA}$이었다. I층은 P층위에 증착하였으나 진성이 아니고 N형에 가깝다. 이 I층을 진성으로 바꾸기 위해서 0.3ppm의 $B_2H_6$를 $SiH_4$에 혼합하여 5000${\AA}$증착했다. 또한 N층은 $PH_4/SiH_4$의 비를 $10^{-2}$로 하여 $400{\AA}$ 증착시켰다. 그 결과 입사강도가 15mW/$cm^2$일 때 개방전압 $V_{oc}=O'$단락전류밀도 $J_{sc=14.6mA/cm^2}$, 충진율 FF=58.2%, 그리고 효율 ${eta}=8.0%$를 나타내었다. 빛의 반사에 의한 손실을 감소시키기 위하여 $MgF_2$를 유리기판위에 도포하였다. 이에 의한 효율은 0.5% 향상되어 전체적인 효율은 8.5%였다.
헴트(HEMT) 소자의 순수 해석적 DC모델이 2차원 전하제어 시뮬레이션 결과[4]에 기초하여 제작되었다. 이 모델에서는 2-DEG 채널의 전자 운송 역학에 확산 효과를 추가하였다. 이 확산효과는 기존 1차원 DC모델에서 사용하는 전자 이동도 및 문턱전압을 증가시키는 효과를 가졌음을 보였다. 또한 2-DEG 농도분포함수를 piecewise 선형화하여 HEMT 소자의 subthreshold 특성의 해석적 모델을 추가하였고, 따라서 2-DEG의 채널 두께 및 게이트 용량을 게이트 전압의 함수로 나타내었다. I-V curve의 전류포화영역에서의 기울기를 모델하는데는 gate 밑의 전자포화채널 지역에서의 전자채널두께와 채널길이 변조현상을 함께 고려하였다. Troffimenkoff형의 전장의존 전자이동도를 사용하여 I-V곡선의 포화현상을 모델하였다. 또한 기존 1차원 모델에서 감안되지 않은 2차원 효과가 실제 전류특성곡선에서 매우 중요한 역할을 하며, 이 효과가 효과적으로 1개의 보정상수f로 보상됨을 보였고, 물리적으로 이 상수가 채널 GCA 지역과 채널포화지역 사이에 형성되는 채널천이지역의 전자농도와 관계됨을 보였다.
밀착형 1차원 영상감지소자로서 팩시밀리에 사용될 광도전막을 사일랜듸 글로방전 분해법으로 제작하였다. 우선 rf전력, 사일랜유량, 분위기 가스압, $H_2/SiH_4$비 및 기판온도의 증착조건에 따른 단층광전도막의 전기적 및 광학적특성을 조사하였다. 이 단층구조 영상감지막은 광전감도 0.85와 100lux 조도하에서 $I_{ph}/I_d=100$을 나타내었다. 그러나 이러한 단층박막은 양 전극으로 부터의 캐리어주입으로 인해 큰 암전류도 0.2nA 이하를 나타내었다. 또한 다층막은 단층막에 비해 단파장 가시광영역이 보상되어 팩시밀리용 1차원 영상감지소자에 사용될 만한 결과를 나타내었다.
$TiSi_2$형성기구를 규명하기 위하여 Si기판에 As이온 주입량을 달리하여 이론주입한 후 Ti을 증착시키고 Ar 분위기에서 100$^{circ}$간격으로 600~900$^{circ}$까지 20초 동안 급속열처리 장치에서 어닐링하여 Tr-silicides를 형성시켰다. 각 시편의 Ti-silicides의 면저항 및 두께를 측정하고 Si기판내에서의 어닐링에 따른 As첨가물의 분포를 관찰하였다. Tr-silicides의 두께는 이온주입량이 증가함에 따라 감소하였고 면 저항값은 증가하였다. 이러한 결과를 Si확산에 관련된 요인들과 관련지어 논의하였다.
액체금속이온원으로 부터 발생한 AuGe 이온빔을 GaAs기판에 주입시킨 후 이 시료의 표면성분과 구조를 AES(Auger electron spectroscopy), RHEED(reflection high energy electron diffraction), SEM(scanning electron microscopy) and EPMA(electron probe microanalysis)등으로 조사하였으며 AES depth profile 실험결과를 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation과 비교하였다. AuGe 이온이 주입된 시료를 AES, EPMA로 측정한 결과 As의 preferential스피터링이 나타났으며 300$^{circ}$C로 열처리하면 Ga과 outdiffusion되었다. 또한 측정한 Au와 Ge의 depth profile은 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation의 결과와 잘 일치하였다.
비선형 시스템의 입출력 관계는 볼테라 급수로 나타낼 수 있으며 그것은 볼테라 커널에 의해 규명될 수 있다. 본 연구는 소수의 볼테라 급수항을 사용하여 계단 입력에 의한 고무의 힘-변위 관계를 모델링하는데 관한 것이다. 무한의 기울기를 가진 계단 입력을 가하여 얻어진 실험결과에서 일정한 압축시의 계단입력에 대한 결과를 예측한다. 비스코일레스틱 재료를 나타내는 현저한 특징중의 하나인 힘-변위 관계를 모델링하기 위해 2차와 3차 볼테라 급수 모델을 사용한다. 3차 볼테라 급수 모델이 2차 볼테라 급수 모델의 결과에 비해 더 좋은 결과가 얻어지고 있다.
본 논문에서는 2차원적인 CT영상의 단면으로부터 3차원 영상을 재구성하고 수정하기 위한 시스템을 구성하기 위하여 선형 octree를 이용하였다. 선형 octree를 소형 컴퓨터 시스템에 적용할 경우, 재구성하기 위하여 소요되는 많은 데이터를 효율적으로 압축할 수 있었다. 특히 이러한 트리구조는 공간적인 개념이 포함되어 있는 계층적인 표현방식을 갖기 때문에 3차원 영상을 2차원 화면에 표현하기 위한 은면제거를 효율적으로 수행할 수 있었으며, 관측위치의 변환 및 명암표시의 실현이 가능하였다. 실제 CT에 의하여 획득된 인체기관을 재구성하여 봄으로서 기술적 기법들 확인하였으며, 임상적인 치료와 외과 수술계획에 사용될 가능성을 확인하여 보았다.
본 논문에서는 영역화에 기초를 둔 영상 부호화의 한 부분인 영역 부호화의 개선에 관한 연구가 수행되었다. 영역화시 texture의 효율적인 표현을 위하여 영상을 stochastic random field로 묘사 될 수 있는 stochastic 영역과 non-stochastic 영역으로 구분한다. 영역 부호화 및 복원시 stochastic 영역에 대해서는 autoregressive model을 이용하고 non-stochastic영역은 2차원 다항식 근사화를 이용한다. 제안 방식은 2차원 다항식 근사화만을 이용한 기존 방식보다 더 좋은 주관적 화질을 가지며, 상대적인 data 감축할 수 있었고 영상의 부호화 및 복원에 필요한 수행시간을 단축시켰다.
변형불변 패턴인식을 실현하기 위하여 크기와 회전변위에 대해 불변인 극-로가리즘 좌표변환을 이용하였고, 좌표 변환을 수행하기 위하여 Lee 방식의 투과함수를 갖는 CGH를 CAD용 포토(UV light)패턴 발생기에 의해 마스크로 제작하였다. 광학적으로 좌표변환된 입력패턴은 본 논문에서 제시한 광상관기에 입력되었으며, 실시간 홀로그래피에 의한 기록매질로서 $BaTiO_3$ 단결정을 정합필터로 사용하였다. 본 논문에서 제시한 광상관기를 사용하여 크기와 입력에 대한 자기상관값의 변화를 실험적으로 제시함으로서 변형불변 패턴인식을 증명하였다.
본 논문은 반도체 레이저의 주파수변조 응답특성에 대한 새로운 회로모델링 방법을 제시하였다. 특히 본 등기회로 모델은 캐리어농도의 변조효과 뿐만 아니라 온도효과에 따른 변조특성을 고려하였다. 본 모델에서 예상된 이론치는 기존에 발표된 CSP형 레이저의 정형파변조 실험결과와 잘 일치하고 있음을 알 수 있었다.
Hopfield 모델에 화소당 가주치를 도입하고 이를 최적화하여, 서로간에 상관관계가 높은 "0"에서 "9"까지의 10가지 숫자를 성공적으로 기억, 재생시킬 수 있는 $6{}8$ nodes 연상기억 시스템을 소개한다. 다른 많은 신경회로와는 달리, 이 모델은 "6","8","3","9"와 같이 상관관계가 매우 큰 영상에 대해서도 높은 오차 교정 능력을 가짐을 볼 수 있다. 화소당 가중치의 최적화 무제는 최소자승평균 오차 알고리듬에 기초한 적응학습 과정으로 볼 수 있으며, 이는 또한 Widrow-Hoff 신경회로로 구현 할 수 있다. 가중치 최적화 회로의 전기 . 광학적 구현을 위한 설계도 소개한다.
본 논문은 사용자가 정의한 stick도형으로부터 혼합된 정수 선형프로그래밍 문제를 공식화시키는 새로운 mask compaction 방법을 제시하였는데 이 혼합된 정수 프로그램을 풀므로써 밀집화되고 디자인 rule에 맞는 layout을 얻을 수 있다. 또한 constraint graph에서 최장경로 문제를 풀 수 있는 새로운 효율적인 알고리듬도 기술하였다.
ITIC를 중심으로 고밀도 DRAM을 위한 획기적인 밀도 향상을 기할 수 있는 공정과정과 회로디자인의 기술 혁신에 대하여 지다이너 입장에서 논의하였다. 여기서 개발한 TETC라 부르는 DRAM은 trench 기술과 SEG기술을 이용하였는데 $n^+-polysilycon$인 storage 전극과 $n^+-source$ 전극이 self-con-tact되고 soft error 를 극복할 만큼 충분히 큰 정전용량을 갖으므로 절연 영역을 따라서 만든 수직의 캐패시터를 이용함으로써 셀 크기를 기존의 BSE cell구조에 비하여 약 30% 감소되었다.
본 논문에서는 CMOS 및 domino CMOS 의 특징과 PLA등 array logic의 특징을 동시에 살리면서 동작특성이 좋고 집적도가 높으며 테스트 생성이 쉬운 domino CMOS NOR-NOR array logic의 설계방식을 제안하였다. 이 방식은 pull-down 특성을 개선하여 기생 커패시턴트의 문제점을 해결하며 간단한 부가회로를 사용하여 회로내의 모든 고정들을 검출할 수 있도록 한 testable design 방식이다. PLA의 적항군의 개념 및 특성 행렬을 이용한 테스트 생성 알고리듬과 절차를 제안하였고 이를 PASCAL 언어로 실현하였다. 또한 SPICE 및 P-SPICE를 이용하여 본 설계방식에 대한 검증을 행하였다.
일반적으로 레이다 표적은 클러터 환경에 있으며 클러터 제거가 요구된다. 클러터는 지표, 기상 조건의 변화로 부터 발생되는 원하지 않는 레이다 반사파로 클러터의 통계적 특성은 시간, 거리 그리고 방향에 따라 변화함으로 효과적인 클러터 제거를 위하여 적응 신호 처리가 필요하다. 본 논문에서는 clutter whitening filter와 doppler filter bank를 이용한 클러터 제거 알고리듬을 제안하였으며 그 성능을 종래의 비적응 클러터 제거 알고리듬의 성능과 비교하였다. Clutter whitening filter 알고리듬 Burg가 제안한 최대 엔트로피 방법을 이용하였다.
본 논문에서는 고속 신호처리 프로세서(digital signal processor)인 TMS320C25를 사용하여 칼만 필터링 기법을 이용한 실시간 TWS(track-while-scan) 시스템의 구현에 대하여 고찰하였다. 먼저 고정 소숫점 연산에 의해 칼만 필터를 구현 할 때 생기는 FWL(finite word length)의 영향에 대하여 알아 보았다. 실시간 TWS 시스템은 TWS연산부, 스캔 컨버터(scan converter) 그리고 시스템 제어부로 구성하였고 시스템 버스는 multi-bus를 채택하였다. TWS 시스템은 최대 8개의 표적을 동시 추적하기 위하여 제작되었으며, 실험을 통하여 8개의 표적을 동시에 추적하는데 부동 소숫점 연산시 약 0.35sce, 고정 소숫점 연산시 약 0.28sec의 시간이 소요된다는 결과를 보임으로써 칼만 필터를 실시간으로 처리 할 수 있는 충분한 가능성을 제시하였다.