Recently, applications of high voltage impulse (hereafter HVI) technique to desalting, sludge solubilization and disinfection have gained great attention. However, information on how the operating condition of HVI changes the water qualities, particularly production of hydroxyl radical (${\cdot}OH$) is not sufficient yet. The aim of this study is to investigate the effect of operating conditions of the HVI on the generation of hydroxyl radical. Indirect quantification of hydroxyl radical using RNO which react with hydroxyl radical was used. The higher HVI voltage applied up to 15 kV, the more RNO decreased. However, 5 kV was not enough to produce hydroxyl radical, indicating there might be an critical voltage triggering hydroxyl radical generation. The concentration of RNO under the condition of high conductivity decreased more than those of the low conductivities. Moreover, the higher the air supplies to the HVI reactor, the greater RNO decreased. The conditions with high conductivity and/or air supply might encourage the corona discharge on the electrode surfaces, which can produce the hydroxyl radical more easily. The pH and conductivity of the sample water changed little during the course of HVI induction.
기존의 NEDSCR 소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압과 낮은 온-저항을 가져 정상적인 동작 동안 래치업을 초래하므로 ESD 보호소자로 사용하는데 어려움이 있었다. 본 연구에서는 NEDSCR 소자의 시뮬레이션 및 TLP 테스트를 통해 이러한 단점들을 극복할 수 있는 새로운 방법을 제안하였다. 매우 우수한 ESD 보호 성능과 높은 래치업 면역 특성을 구현하기 위해 N+ 소오스 확산영역을 둘러싸는 P형의 CPS 이온주입공정을 추가함으로써 NEDSCR 소자의 스냅백 홀딩전압과 온 저항을 증가시켜 정전기 보호 성능을 개선시킬 수 있는 것으로 입증되었다.
본 논문에서는 인덕터의 흐르는 전류를 감지하여 출력 전압을 일정하게 유지시키는 Peak Current-mode 방식의 DC-DC Buck Converter를 제안하고, 소신호 모델링에 기초하여 Power Stage 설계 방법과 시스템의 안정도를 설계하는 방법을 제안한다. 또한, dc-dc 컨버터의 신뢰성과 성능을 향상시키기 위해 보호회로를 추가하였다. 그리고 정전기 방지를 위하여 ESD 보호회로를 제안하였다. 제안된 보호회로는 게이트-기판 바이어싱 기술을 이용하여 낮은 트리거 전압을 구현하였다. 시뮬레이션 결과는 일반적인 ggNMOS의 트리거 전압(8.2V) 에 비해 고안된 소자의 트리거 전압은 4.1V 으로 더 낮은 트리거 전압 특성을 나타냈다. 본 논문에서 제안하는 회로의 시뮬레이션은 0.35um BCB 공정 파라미터를 이용하였고, Mathworks 사의 Mathlab과 Synopsys 사의 HSPICE 프로그램을 사용하여 검증하였다.
Purpose of the present study was to clarify the role of noradrenergic neural activities in hypothalamus for either triggering or maintaining hypertension in deoxycorticosterone (DOCA)-salt hypertensive rats. Two groups of animals were prepared: 1) normotensive Wistar rats and 2) DOCA-salt induced hypertensive rats. Voltage dependent $^{45}Ca^{++}$ uptake, endogenous norepinephrine release, and the catecholamine content in the hypothalamus of DOCA-salt hypertensive and normotensive Wistar rats were compared. Animals at 4, 6 and 16 week-old of two groups were sacrificed by decapitation and hypothalamus was dissected out. Voltage dependent calcium uptake and norepinephrine release were determined from hypothalamic synaptosomes either in low potassium or high potassium stimulatory condition by using $^{45}Ca^{++}$ isotope and HPLC-ECD technique. Degrees of voltage dependent $^{45}Ca^{++}$ uptake and norepinephrine release in hypothalamic synaptosomes of 16-week-old DOCA-salt hypertensive rats were significantly greater than those of age matched normotensive control rats. The norepinephrine and dopamine contents of hypothalamus were about the same in two groups of animals. These results suggest that the alteration of evoked norepinephrine release related to calcium uptake in hypothalamus may play a role in the maintenance of hypertension in DOCA-salt hypertensive rats.
본 논문에서는 파워 클램프에 적용하기 위한 SCR 기반의 ESD 보호회로를 제안하였다. 기존 SCR 구조의 낮은 홀딩 전압에 의한 래치-업 문제를 개선하기 위해 n+ 플로팅 영역을 삽입하고 추가적인 n-웰과 p-웰까지 확장된 p+ 캐소드 영역을 통해 높은 홀딩 전압을 가질 수 있도록 고안되었다. 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압을 통해 정상 동작 상태에서의 래치-업 면역 특성을 확보하였으며, 우수한 ESD 보호 능력을 가진다. 제안된 ESD 보호회로는 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 트리거 전압은 약 27.3 V에서 최대 32.71 V 사이에서 변화하는 반면, 홀딩 전압은 4.61 V에서 최대 8.75 V까지 상승하는 것을 확인하였다. 따라서 제안된 ESD 보호회로는 트리거 전압은 기존 SCR과 비슷한 수준을 유지하면서 높은 홀딩 전압을 갖는다.
The purpose of this study is to find the causes of malfunctions and defective operation of printed circuit boards(PCBs) built into home refrigerators to perform power saving functions. This study performed an electrostatic test of a PCB built-in using an Auto Triggering system; lightning and impulse tests using an LSS-15AX; and an impulse test using an INS-400AX. From the analysis of a secondarily developed product, it was found that electrostatic discharge(ESD) caused more malfunctions and defective operations than electric overstress(EOS) due to overvoltage. As a result of increasing the condenser capacity of the PCB circuit, withstanding voltage was increased to 7.4 kV. In addition, this study changed the power saving mode and connected a varistor to the #2 pin of an IC chip. As a result, the system consisting of all specimens of a finally developed product was operated stably with an applied voltage of less than 10 kV. This study found it necessary to perform quality control at the manufacturing stage in order to reduce the occurrence of electrostatic accidents to IC chips built into a PCB.
Intense quasi-monochromatic x-ray irradiation from the linear plasma target is described. The plasma x-ray generator employs a high-voltage power supply, a low-impedance coaxial transmission line, a high-voltage condenser with a capacity of about 200 nF, a turbo-molecular pump, a thyristor pulse generator as a trigger device, and a flash x-ray tube. The high-voltage main condenser is charged up to 55 kV by the power supply, and the electric charges in the condenser are discharged to the tube after triggering the cathode electrode. The x-ray tube is of a demountable triode that is connected to the turbo molecular pump with a pressure of approximately 1 mPa. As electron flows from the cathode electrode are roughly converged to the molybdenum target by the electric field in the tube, the weakly ionized plasma, which consists of metal ions and electrons, forms by the target evaporating. In the present work, the peak tube voltage was almost equal to the initial charging voltage of the main condenser, and the peak current was about 20 kA with a charging voltage of 55 kV. When the charging voltage was increased, the linear plasma x-ray source grew, and the characteristic x-ray intensities of K-series lines increased. The quite sharp lines such as hard x-ray lasers were clearly observed. The quasi-monochromatic radiography was performed by a new film-less computed radiography system.
KIEE International Transaction on Electrical Machinery and Energy Conversion Systems
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제3B권1호
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pp.10-15
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2003
This paper presents the digital computer performance evaluations of the three-phase self-excited induction generator (SEIG) driven by the variable speed prime mover such as the wind turbine using the nodal admittance approach steady-state frequency domain analysis with the experimental results. The three-phase SEIG setup is implemented for small-scale rural renewable energy utilizations. The experimental performance results give a good agreement with those ones obtained from the digital computer simulation. Furthermore, a feedback closed-loop voltage regulation of the three-phase SEIG as a power conditioner which is driven by a variable speed prime mover employing the static VAR compensator (SVC) circuit composed of the thyristor phase controlled reactor (TCR) and the thyristor switched capacitor(TSC) is designed and considered herein for the wind-turbine driven the power conditioner. To validate the effectiveness of the SVC-based voltage regulator of the terminal voltage of the three-phase SEIG, an inductive load parameter disturbances in stand-alone are applied and characterized in this paper. In the stand-alone power utilization system, the terminal voltage response and thyristor triggering angle response of the TCR are plotted graphically. The simulation and the experimental results prove the effectiveness and validity of the proposed SVC which is controlled by the Pl controller in terms of fast response and high performances of the three-phase SEIG driven directly by the rural renewable energy utilization like a variable-speed prime mover.
본 논문에서는 ESD 방지를 위한 최적 방법론에 목표하여 확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 소자의 더블 스냅백 현상 및 백그라운 도핑 농도 (BDC)의 영향을 조사하였다. 고전류 영역에서 낮은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 강한 스냅백으로 인해 취약한 ESD 성능과 높은 래치업 위험을 가지게 되나, 높은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 스냅백을 효과적으로 방지할 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 BDC 제어로 안정적인 ESD 방지 성능과 래치업 면역을 구현할 수 있음을 밝혔다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권1호
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pp.1-6
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2006
Hot carrier degradation and roll off characteristics of threshold voltage ($V_{t1}$) on NMOSFETs as I/O transistor are studied as a function of Lightly Doped Drain (LDD) structures. Pocket dose and the combination of Phosphorus (P) and Arsenic (As) dose are applied to control $V_{t1}$ roll off down to the $10\%$ gate length margin. It was seen that the relationship between $V_{t1}$ roll off characteristic and substrate current depends on P dopant dose. For the first time, we found that the n-p-n transistor triggering voltage ($V_{t1}$) depends on drain current, and both $I_{t2}$ and snapback holding voltage ($V_{sp}$) depend on the substrate current by characterization with a transmission line pulse generator. Also it was found that the improved lifetime for hot carrier stress could be obtained by controlling the P dose as loosing the $V_{t1}$ roll off margin. This study suggests that the trade-off characteristic between gate length margin and channel hot carrier (CHC) lifetime in NMOSFETs should be determined by considering Electrostatic Discharge (ESD) characteristic.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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