• 제목/요약/키워드: hspice

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Fractional 스퍼 감쇄 위상/주파수검출기를 이용한 fractional-N 주파수 합성기 (A Fractional-N Phase Locked Loop with Multiple Phase Frequency Detector)

  • 최영식;최혁환
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권11호
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    • pp.2444-2450
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    • 2011
  • 본 논문에서는 다중 위상주파수검출기를 사용하여 fractional 스퍼를 줄이는 주파수 합성기를 제안하였다. 기존의 fractional-N 위상고정루프에서 발생하는 스퍼를 줄여주는 구조의 위상주파수 검출기를 사용하여 fractional-N 위상고정루프에서 fractional 스퍼를 억제할 수 있는 주파수 합성기를 설계하였다. 제안된 구조는 두 가지의 에지 검출 방식을 갖는 새로운 구조의 위상주파수검출기를 사용하여 위상주파수검출기의 출력 신호의 최대 폭을 제한하여 fractional 스퍼의 크기를 줄이도록 하였다. 제안된 주파수 합성기는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 파라미터들을 사용하여 HSPICE로 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션의 결과는 제안된 형태의 주파수 합성기는 빠른 위상고정시간을 가지고 fractional 스퍼를 감소시킬 수 있음을 보여준다.

Telescopic 증폭기를 이용한 고속 LVDS I/O 인터페이스 설계 (Design of a High-Speed LVDS I/O Interface Using Telescopic Amplifier)

  • 유관우;김정범
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권6호
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    • pp.89-93
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    • 2007
  • 본 논문은 3.3V, $0.35{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 I/O 인터페이스를 설계, 검증하였다. LVDS (low-voltage differential signaling)는 차동전송 방식과 저 전압의 스윙으로 저 전력 고속의 데이터를 전송할 수 있다. 본 논문은 기존의 차동증폭기나 감지 증폭기를 사용한 LVDS와 달리 telescopic 증폭기를 이용하여 2.3 Gbps의 빠른 전송속도를 갖는 LVDS 고속 인터페이스를 구현하였다. LVDS의 표준을 모두 충족하였고 25.5mW의 전력소모를 갖는다. 이 회로는 삼성 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석 (Analysis of Crosstalk-Induced Variation of Coupling Capacitance between Interconnect lines in High Speed Semiconductor Devices)

  • 지희환;한인식;박성형;김용구;이희덕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권5호
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    • pp.47-54
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    • 2005
  • 본 논문에서는 Crosstalk에 의한 coupling capacitance의 변화량, ${\Delta}Cc$이 기본값인 Cc보다 더 커질 수 있음을 제안한 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 또한 ${\Delta}Cc$가 Aggressive line의 위상에 매우 의존함을 보였으며 위상이 같은 경우보다 반대인 경우에 ${\Delta}Cc$가 크게 됨을 보였다. 실험 결과의 타당성을 검증을 위해 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 실험치와 잘 맞음을 나타내었다.

결합 커패시턴스의 영향을 고려한 CMOS 셀 구동 모델 (A CMOS Cell Driver Model to Capture the Effects of Coupling Capacitances)

  • 조경순
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권11호
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    • pp.41-48
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    • 2005
  • 미세 선 폭을 갖는 반도체 칩에서 관찰할 수 있는 crosstalk 효과는 배선 회로 사이에 존재하는 결합 커패시턴스에 의한 현상이다. 칩 전체에 대한 타이밍 분석의 정확도는 칩을 구성하는 셀과 배선에 대한 지연시간 예측 자료의 정확도에 의해서 결정된다. 본 논문에서는 결합 커패시턴스에 의한 crosstalk 효과를 반영하여 지연시간을 정확하고 효율적으로 계산할 수 있는 CMOS 셀 구동 모델과 관련 알고리즘을 제안하고 있다. 제안한 모델과 알고리즘을 지연시간 계산 프로그램에 구현하고, 칩 레이아웃에서 추출한 벤치마크회로에 대한 지연시간 예측에 적용하였다. Victim에 영향을 주는 Aggressor를 $0\~10$개까지 연결하여 각각의 경우에 대한 셀 및 배선의 지연시간을 HSPICE와 비교한 결과 $1\%$ 내외의 오차를 보이는 우수한 정확도를 확인하였다.

마스크 레이아웃 합성을 위한 벡터화한 변을 사용한 블록 분할 기법 (A Block Disassembly Technique using Vectorized Edges for Synthesizing Mask Layouts)

  • 손영찬;주이아;유상대
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권12호
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    • pp.75-84
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    • 2001
  • 오늘날 집적회로의 집적도가 증가되고 있기 때문에 회로 소자는 기생성분의 영향을 최소화하고 회로의 성능을 감소시키는 요인을 최소화하도록 설계되어야 한다. 그래서 칩을 제작하기 전에 레이아웃으로부터 추출한 회로가 정확한가를 검증하고 시뮬레이션으로 추출된 회로가 설계사양을 만족하는지를 확인해야 한다. 본 논문에서는 스택 구조의 MOSFET의 기하학적인 파라미터와 레이아웃 배선 블록의 분산 RC를 추출할 수 있는 새로운 블록 분할 기법을 제안한다. 폴디드 캐스코드 CMOS 연산 증폭기의 레이아웃에 이 기법을 작용하여 회로를 추출하고, Hspice로 시뮬레이션을 수행하여 전기적 연결관계와 이들 소자의 영향을 검증하였다.

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디커플링 커패시터가 존재하는 파워/그라운드 라인의 SSN모델링 (SSN(Simultaneous Switching Noise) Modeling of Power/Ground Lines with Decoupling Capacitor)

  • 배성규;어영선;심종인
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권1호
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    • pp.71-80
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    • 2004
  • 본 논문에서는 집적회로 패키지에 기인한 노이즈를 해석할 수 있는 새로운 SSN모델을 보인다. 기존의 디커플링 커패시터를 고려하지 않은 회로모델은 과도하게 SSN을 예측한다는 것을 보였으며, 디커플링 커패시터가 포함된 패키지 회로모델을 통하여 새로운 SSN 모델을 제안하였다. 새롭게 제안된 SSN 모델은 0.18um공정(TSMC 0.18um공정)을 사용하여 다양한$\cdot$회로설계 변수(입력상승시간, 패키지 인덕턴스 및 동시 스위칭 개수)의 변화에 따라 HSPICE 시뮬레이션과 정확히($5\%$ 이내에서) 일치한다는 것을 검증하였다.

RLC 연결선에서 최대 누화 잡음 예측을 위한 해석적 연구 (An Analysis of Maximum Cross Talk Noise in RLC Interconnects)

  • 김애희;김승용;김석윤
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권2호
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    • pp.77-83
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    • 2004
  • on-chip 상에서 발생하는 누화 잡음은 신호의 충실성을 위협하는 매우 중요한 요소이다. 따라서 본 논문에서는 최대 누화잡음의 크기를 예측하는 해석적인 방법을 제안한다. 정확한 잡음 수치를 예측하기 위해 연결선의 인덕턴스 성분을 고려하였고, 임의의 램프입력을 사용하였다. 또한 복잡한 누화 잡음 모형에서 최대 누화 잡음을 해석적으로 간단히 구하기 위해 가상의 소스 개념을 도입하였다. 된 연구에서 제안한 방법은 HSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하여 최대 상대오차 4.3% 이내의 정확도를 보였다. 따라서 본 연구는 신호 충실성 보장을 위한 다양한 설계 보조 도구 개발에 활용될 수 있을 것으로 본다.

자기잡음제거 전압제어발진기 이용한 위상고정루프 (A Phase-Locked Loop with a Self-Noise Suppressing Voltage Controlled Oscillator)

  • 최영식;오정대;최혁환
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제47권8호
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    • pp.47-52
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    • 2010
  • 본 논문에서는 기존의 위상고정루프에서 가장 큰 잡음의 원천인 전압제어발진기를 새로운 구조의 자기잡음제거 전압제어발진기(Self-noise suppressing voltage controlled oscillator)로 대체하여 위상고정루프 잡음 특성을 향상시킨 위상고정루프(Phase Locked Loop)를 제안 하였다. 제안한 구조의 전달함수는 기존의 구조의 전달함수와 달리 대역폭 근처에서 최대 25dB 작은 값을 가진다. 회로는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하고 회로의 동작을 검증하였다.

위상지연을 이용한 Integer-N 방식의 위상.지연고정루프 설계 (Design of an Integer-N Phase.Delay Locked Loop)

  • 최영식;손상우
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권6호
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    • pp.51-56
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    • 2010
  • 본 논문에서는 전압제어위상지연단(Voltage Controlled Delay Line : VCDL)을 이용하여 기존의 위상고정루프와 다른 형태의 위상 지연고정루프(Phase Delay Locked Loop)를 제안 하였다. 이 구조는 기존의 위상고정루프의 2차 또는 3차 루프필터(Loop Filter)를 단하나의 커패시터로 구현하여 넓은 면적을 차지하던 루프필터의 면적을 크게 줄여 전체 칩을 $255{\mu}m$ $\times$ $935.5{\mu}m$ 크기로 집적하였다. 제안된 회로는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하고 회로의 동작을 검증하였다.

저 전력 MOS 전류모드 논리 병렬 곱셈기 설계 (Design of a Low-Power MOS Current-Mode Logic Parallel Multiplier)

  • 김정범
    • 전기전자학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.211-216
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    • 2008
  • 이 논문은 MOS 전류모드 논리 (MOS current-mode logic circuit, MCML) 회로를 이용하여 저 전력 특성을 갖는 8${\times}$8 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다. 설계한 곱셈기는 회로가 동작 하지 않을 때의 정적 전류의 소모를 최소화하기 위하여 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 저 전력 MOS 전류모드 논리회로를 구현하였다. 설계한 곱셈기는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 대기전력소모가 1/50으로 감소하였다. 또한, 이 회로는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 전력소모에서 10.5% 감소하였으며, 전력소모와 지연시간의 곱에서 11.6%의 성능 향상이 있었다. 이 회로는 삼성 0.35${\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

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