Journal of electromagnetic engineering and science
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v.17
no.3
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pp.138-146
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2017
A phase-locked dielectric resonator oscillator (PLDRO) is an essential component of millimeter-wave communication, in which phase noise is critical for satisfactory performance. The general structure of a PLDRO typically includes a dual loop of digital phase-locked loop (PLL) and analog PLL. A dual-loop PLDRO structure is generally used. The digital PLL generates an internal voltage controlled crystal oscillator (VCXO) frequency locked to an external reference frequency, and the analog PLL loop generates a DRO frequency locked to an internal VCXO frequency. A dual loop is used to ease the phase-locked frequency by using an internal VCXO. However, some of the output frequencies in each PLL structure worsen the phase noise because of the N divider ratio increase in the digital phase-locked loop integrated circuit. This study examines the design aspects of an interconnected PLL structure. In the proposed structure, the voltage tuning; which uses a varactor diode for the phase tracking of VCXO to match with the external reference) port of the VCXO in the digital PLL is controlled by one output port of the frequency divider in the analog PLL. We compare the proposed scheme with a typical PLDRO in terms of phase noise to show that the proposed structure has no performance degradation.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.5
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pp.65-70
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2008
A novel fast locking dual-loop integer-N phase locked loop(PLL) with adaptive bandwidth scheme is presented. When the PLL is out-of-lock, bandwidth becomes much wider than 1/10 of channel spacing with the wide bandwidth loop. When the PLL is near in-lock, bandwidth becomes narrower than 1/10 of channel spacing with the narrow bandwidth loop. The proposed PLL is designed based on a $0.35{\mu}m$ CMOS process with a 3.3V supply voltage. Simulation results show the fast look time of $50{\mu}s$ for an 80MHz frequency jump in a 200KHz channel spacing PLL with almost 14 times wider bandwidth than the channel spacing.
In this paper, frequency synthesizer that can be used in IMT-2000 was designed and fabricated using dual loop PLL(Phase Locked Loop). For improving phase noise characteristic Voltage Controlled Oscillator was fabricated using coaxial resonator and eliminated frequency divider using SPD as phase detector and increased open loop gain. Fabricated frequency synthesizer had 1.82㎓ center frequency, 160MHz tuning range and -119.73㏈c/Hz low phase noise characteristic.
The 1.63㎓, 2.33㎓ dual-band PLL frequency synthesizer has been developed for applications to the miniature repeater. The miniature dual-band repeater will be used at shopping mall, basements and underground parking lots. The in-loop 1.63㎓, 2.33㎓ dual-band PLL frequency synthesizer has been developed by designing Si BJT VCO and PLL loop circuits with Colpitts. The prototype of 1.63㎓, 2.33㎓ dual-band PLL frequency synthesizer of size 19${\times}$19${\times}$8(mm) has shown operating frequencies of 1.63㎓, 2.33㎓ ranges, RF output of 1dBm(PCS), 1dBm(IMT-2000), phase noise of -100 dBc/Hz(PCS), -95dBc/Hz(IMT-2000) at 10KHz offset, harmonics suppression of -24dB c(PCS), -15dBc(IMT-2000).
This paper, we propose a new phase-locked loop (PLL) system with the controllable output phase, independent from the output frequency, and lock-up time. This PLL system has a dual control loop is described, the inner loop greatly improved VCO characteristic such as faster speed response as well as higher operation bandwidth, to minimize the effect of the VCO noise and the power supply variation and also get better linearity of VCO output. The main loop is the heart of this PLL which greatly improved the output frequency instability due to the external high frequency noise coupling to the input reference frequency also the main loop can control the output phase, independent from the output frequency, and reduce the lock-up time of the step frequency response. The experimental results confirm the validity of the proposed strategy.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.27
no.2C
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pp.191-200
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2002
A frequency synthesizer that can be used in IMT-2000 was designed and fabricated using dual loop PLL(Phase Locked Loop) in this paper. For improving phase noise characteristic two loops, reference loop and main loop, were divided. Phase noise was improved by transformed clamp type voltage controled oscillator and optimizing loop bandwidth in reference loop. And voltage controlled oscillator open loop gain in main loop. Fabricated the frequency synthesizer had 1.81GHz center frequency, 160MHz tuning range, 13.5dBm output power and -119.73dBc/Hz low phase noise characteristic.
Recently, frequency synthesizers are being designed in two ways narrow-band loop or dual-loop for wide-band to reduce the phase noise. However, dual-loop has the disadvantage of center frequency mismatch and requiring an extra loop. In this paper, we propose a new structure that supports a range of 800Mhz ~ 3Ghz with multiple control of the single-loop frequency synthesizer without another loop. The control voltage of the VCO(coarse, fine) will be fixed, and finally the VCO will have a low Kvco. The frequency synthesizer is simulated using UMC $0.11{\mu}m$ process, proposed frequency synthesizer can be used in a variety of applications in the future.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers D
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v.50
no.10
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pp.479-485
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2001
In this paper, we introduce a charge pump phase-locked loop (PLL) architecture which employs a precharge phase frequency detector (PFD) and a sequential PFD to achieve a high frequency operation and a fast acquisition. Operation frequency is increased by using the precharge PFD when the phase difference is within $-{\pi}{\sim}{\pi}$ and acquisition time is shortened by using the sequential PFD and the increased charge pump current when the phase difference is larger than ${\pm}{\pi}$. So error detection range of the proposed PLL structure is not limited to $-{\pi}{\sim}{\pi}$ and a high frequency operation and a higher speed lock-up time can be achieved. The proposed PLL was designed using 1.5 ${\mu}m$ CMOS technology with 5V supply voltage to verify the lock in process. The proposed PLL shows successful acquisition for 200 MHz input frequency. On the other hand, the conventional PLL with the sequential PFD cannot operate at up to 160MHz. Moreover, the lock-up time is drastically reduced from 7.0 ${\mu}s\;to\;2.0\;{\mu}s$ only if the loop bandwidth to input frequency ratio is regulated by the divide-by-4 counter during the acquisition process. By virtue of this dual PFDs, the proposed PLL structure can improve the trade-off between acquisition behavior and locked behavior.
This paper presents a new dual loop control using novel vector phase locked loop(VP-PLL) for a high power static var compensator(SVC) with three-level GTO voltage source inverter(VSI). Through circuit DQ-transformation, a simple dq-axis equivalent circuit is obtained. From this, DC analysis is carried out to obtain maximum controllable phase angle ${\alpha}_{max}$ per unit current between the three phase source and the switching function of inverter, and AC open-loop transfer function is given. Because ${\alpha}_{max}$ becomes small in high power SVC, this paper proposes VP-PLL for more accurate $\alpha$-control. As a result, the overall control loop has dual loop structure, which consists of inner VP-PLL for synchronizing the phase angle with source and outer Q-loop for compensating reactive power of load. Finally, the validity of the proposed control method is verified through the experimental results.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.2
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pp.465-470
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2010
The charge pump in a phase-locked loop is a key block in determining reference spurs of the VCO output signal. To reduce reference spurs, the current mismatch in the charge pump must be minimized. This paper presents a dual compensation method to reduce the current mismatch. The proposed charge pump and PLL were realized in a $0.18{\mu}m$ CMOS process. Measured current matching characteristics were achieved with less than 1.4% difference and with the current variation of 3.8% in the pump current over the charge pump output voltage range of 0.35-1.35V at 1.8V. The reference spur of the PLL based on the proposed charge pump was measured to be -71dBc.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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