• 전자통신동향분석
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• 제39권1호
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• pp.25-35
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• 2024

Wireless communication, including mobile networks and local area networks, has become an essential service in the society. Wireless communication is evolving to include sensing services, as demonstrated by the increasing attention in organizations and standards such as 3GPP and IEEE 802.11. This survey presents technology trends in the integration of sensing and communication. The standardization status along with use cases provided by standards are explained. In addition, core and supporting technologies such as channel modeling, waveform design, and artificial intelligence are analyzed.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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• pp.796-800
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• 2004

The main research on this paper is to model on-chip inductor in digital CMOS technology by using the foundry parameters and the physical structure. The s-parameters of a spiral inductor are extracted from the modeled equivalent circuit and then compared to the results obtained from HFSS. The structure and material of the inductor used for modeling in this work is identical with those of the inductor fabricated by CMOS process. To show why the modeled inductor instead of ideal inductor should be used to design a RF system, we designed dual band RF front-end receiver and then compared the results between when using the ideal inductor and using the modeled inductor.

• 전기전자학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.202-211
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• 2000

회로 시뮬레이터인 SPICE를 이용하여 1.9GHz 대역의 CMOS up-conversion 믹서를 설계하였고, 회로 설계를 위한 시뮬레이션 과정을 소자 모델링을 포함하여 상세히 설명하였다. $0.5{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 칩을 제작한 결과, 제작된 칩의 특성과 초기 시뮬레이션에 의해 예상되는 특성 사이에 큰 차이점이 발견되어 이에 대한 원인 분석을 시도하였다. 발견된 문제점들을 고려한 경우의 시뮬레이션을 통해 시도한 시뮬레이션 방법의 타당성을 증명하였고, 이러한 문제점들을 보완할 경우 사용한 표준 CMOS 공정으로도 GaAs MESFET 공정을 사용한 유사 칩의 특성에 근접하는 칩 특성의 구현이 가능함을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.2655-2661
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• 2009

단채널 MOSFET의 열잡음 모델링을 위한 정밀한 잡음 파라메터를 유도하고 추출했다. MOSFET의 잡음 파라메터를 계산하기 위한 Fukui모델을 단채널에서의 기생성분의 영향을 고려하여 수정하였고, 기존의 모델식과 비교하였다. 또한 소자 고유의 잡음원을 얻기 위해서 서브마이크론 MOSFET의 잡음 파라메터(최소잡음지수 $F_{min}$, 등가잡음 저항 $R_n$, 최적 소스어드미턴스 $Y_{opt}=G_{opt}+B_{opt}$)를 추출하는 방법을 제시하였다. 이러한 추출방법을 통하여 프로브패드의 영향과 외부기생소자 영향을 제거한 MOSFET 고유의 잡음 파라메터가 RF잡음측정으로부터 직접 얻어지게 된다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권4호
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• pp.49-55
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• 2015

기존의 BSIM4 모델과 다이오드를 사용한 BSIM4 Macro 모델의 바이어스 종속 게이트-드레인 오버렙 캐패시턴스 $C_{gdo}$ 시뮬레이션의 부정확성에 대하여 자세히 분석하였다. 이러한 Macro 모델은 기존의 BSIM4 모델보다 더 정확하지만 선형영역에서 사용될 수 없음을 발견하였다. 기존 모델들의 부정확성을 제거하기 위해서 물리적인 바이어스 종속 $C_{gdo}$ 모델 방정식을 사용한 새로운 BSIM4 Macro 모델을 제안하였고 전체 바이어스 영역에서 유효함을 입증하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.1910-1915
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• 2007

본 논문에서는 NQS(non-quasi-static)효과를 고려한 FD(fully depleted)-SOI(silicon-on-insulator) MOSFETs의 고주파 소신호 모델링을 위한 등가회로 변수들을 간단하고 정확히 추출하는 방법을 제시하였다. 제시된 추출방법은 임피던스와 어드미턴스 행렬계산으로 S-파라미터의 측정 결과로부터 MOSFET의 외부 기생용량과 기생저항을 제거하여 물리적인 특성을 바탕으로 한 MOSFET의 내부등가회로변수가 간단히 추출되어진다. 제시된 방법으로 등가 회로를 구한 후 Y-파라미터를 계산하여 측정치와 비교한 결과 500MHz부터 200Hz까지 잘 일치함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.710-713
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• 2004

The design, simulation, modeling and measurement of a low temperature co-fired ceramic (LTCC) RF switch module for GSM applications is presented in this paper. RF switch module is constructed using a Rx/Tx switching circuit and integrated low pass filter. The low pass filter function was designed to operate in th GSM band. Insertion and return loss of the low pass filter were designed less than 0.3 dB and better than 12.7 dB at 900 MHz. The RF switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on $4.6{\times}4.8{\times}1.2$ nm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module was measured at 900 MHz was 11 dB.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권3호
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• pp.133-140
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• 2004

The origin of the phenomena, obstructing circuit performance in the RF operating regime, as well as their modeling will be discussed. The applied surface-potential-based modeling allows self-consistent description of all phenomena important for accurate circuit simulation, as demonstrated with the MOSFET model HiSIM.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.147-153
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• 2002

GHz에서 동작하는 초미세 MOSFET의 BSIM3 MOSFET 모델에 연결하여 사용할 수 있는 기판 회로망 모델과 그에 따른 물리적 의미를 가지는 직접 파라미터 추출법이 제안되었다. 제안된 기판 회로망에는 관례적인 저항과 링-형태의 기판콘택에 의해 생성된 단일의 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출되었다. 제안된 모델링 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되었고, 30GHz까지 그 타당성이 검증되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.160-164
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• 2010

The radio frequency (RF) model of SOI FinFETs with gate length of 40 nm is verified by using a 3-dimensional (3-D) device simulator. This paper shows the equivalent circuit model which can be used in the circuit analysis simulator. The RMS modeling error of Y-parameter was calculated to be only 0.3 %.