• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권2호
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• pp.276-279
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• 2015

This paper presents two 3-stage D-band stacked amplifiers developed in a $0.13-{\mu}m$ SiGe BiCMOS technology, employed to compare the conventional cascode topology and the common-base (CB)/CB stacked topology. AMP1 employs two cascode stages followed by a CB/CB stacked stage, while AMP2 is composed of three CB/CB stacked stages. AMP1 showed a 17.1 dB peak gain at 143.8 GHz and a saturation output power of -4.2 dBm, while AMP2 showed a 20.4 dB peak gain at 150.6 GHz and a saturation output power of -1.3 dBm. The respective power dissipation was 42.9 mW and 59.4 mW for the two amplifiers. The results show that CB/CB stacked topology is favored over cascode topology in terms of gain near 140 GHz.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2015

압전 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(Piezoelectric micro-machined ultrasonic transducers)는 DC 바이어스 전압을 인가해야 구동되는 특성을 가지고 있다. 따라서 초음파 트랜스 듀서를 구동하기 위한 전력증폭기는 DC 바이어스 전압이 요구되므로 기존의 전력증폭기에 비해 효율이 매우 낮아지게 된다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 압전 마이크로머신 초음파 트랜스듀서를 구동하기 위한 고효율 전력증폭기를 제안한다. 전력증폭기는 AMP부와 전원부로 나뉘며, AMP부는 Class B Amp를 사용하여 높은 증폭 선형성을 갖는다. 전원부는 Amp를 구동하기위한 DC-DC converter가 에너지 회수 동작을 하므로 전력증폭기의 효율을 높일 수 있다. 본 연구에서는 압전 마이크로머신 초음파 트랜스듀서를 구동하기 위한 전력증폭기 회로를 제시하고 시뮬레이션과 실험을 통해 동작 특성을 검증한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(II)
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• pp.1521-1524
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• 1987

The performance of SCF can be improved with the Op-AMP which has the properties of high speed, large slew rate, and lower power dissipation. The OP-AMP used for SCF will be presented. For illustration, using this OP-AMP 5-th order LPF is designed.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.768-776
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• 2014

Using a simplified high-frequency small-signal equivalent circuit model for BSIM3 MOSFET, the fully differential two-stage folded-cascode CMOS operational amplifier is analyzed to obtain its small-signal voltage transfer function. As a result, the expressions for dc gain, five zero frequencies, five pole frequencies, unity-gain frequency, and phase margin are derived for op amp design using design equations. Then the analysis result is verified through the comparison with Spice simulations of both a high speed op amp and a low power op amp designed for the $0.13{\mu}m$ CMOS process.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.726-729
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• 2013

본 논문에서는 LCD source driver IC의 output buffer op-amp로 사용가능한 저소비전력 및 높은 슬루율을 갖는 CMOS rail-to rail 입/출력 op-amp를 설계하였다. 제안한 op-amp는 기존의 출력단 Class-AB 단에 새로이 설계한 Class-B control단을 추가하여 저소비전력과 높은 슬루율을 갖게 하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 op-amp는 소비전력이 1.19mW로 감소하였으며 사용한 부하커패시터 (10nF)를 기준으로 슬루율은 6.5V/us로 확인되었다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.101-108
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• 2017

DC/DC 컨버터는 임의의 직류전원을 부하가 요구하는 형태의 직류전원으로 변환시키는 효율이 높은 전력변환기이다. 고급형 DC/DC 컨버터는 MOSFET(산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)를 제어하기 위해 OP-Amp.(연산 증폭기)를 실장한 PWM-IC(펄스폭 변조 집적회로)를 사용한다. OP-Amp.는 증폭기 기능을 수행하는데 방사선 영향으로 전기적 특성이 변화하는데 본 논문에서는 코발트 60 (60Co) 저준위 감마발생기를 이용한 TID실험과 5종류의 중이온 입자를 이용하여 SEL 실험을 수행하는데 바이어스(bias) 전류가 순간적으로 과전류가 흘러 SEL이 발생된다. OP-Amp.의 TID 실험은 조사율은 5 rad/sec.로 전체 조사량을 30 krad 까지 수행하였으며, SEL 실험은 제어보드를 구현한 후 LET($MeV/mg/cm^2$)별 cross section($cm^2$)을 이용하여 성능평가를 하는데 있다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.22-28
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• 1977

This is a design and analysis of the D.C. highly stabilized power source. This appratus has 10**-7 order of the voltage regulation and 40V, 1.5A, continuosly variable D.C. output. Authors inspected the effect of the OP Amp, FET and the load circuit to the stationary and transient characteristics of the apparatus. Authors found that it is a useful method for high performance of the stabilized power source to utilize IC OP Amp and FET as the elements of it.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.585-586
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• 2008

In this paper, a novel beta-multiplier reference current source circuit for the 800mV power-supply voltage is presented. In order to cope with the narrow input common-mode range of the OpAmp in the reference circuit, shunt resistive voltage divider branches were deployed. High gain OpAmp was designed to compensate intrinsic low output resistance of the MOS transistors. The proposed reference circuit was designed in a standard 0.18um CMOS process with nominal Vth of 420mV and -450mV for nMOS and pMOS transistor respectively. The total power consumption including OpAmp is less than 50uW.

• 전자공학회논문지SC
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• 제45권2호
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• pp.26-36
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• 2008

차동 전송 기술과 저 전압 스윙을 기반으로 하는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)는 저 전력으로 고속 데이터 전송을 필요로 하는 분야에 넓게 사용되어 왔다. 본 논문은 1.3 Gb/s 이상에서 동작하는 새로운 I/O 인터페이스 회로 기술을 소개한다. 기존의 LVDS 수신단에서 사용하는 차동 pre-amp 대신에 sense amplifier를 pre-amp로 사용하는 수신단을 제안하였으며 이러한 수신단은 LVDS 송신단 출력 전압을 상당히 줄이고 1.3 Gb/s 이상의 전송 속도를 제공할 수 있다. 또한 전력소비와 노이즈 특성을 더욱 향상시키기 위하여 종단 저항을 사용하는 대신 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하는 방법을 소개하였다. LVDS 수신단의 pre-amp로 사용하는 differential amp와 sense amp의 입력 인덕턴스로 임피던스 매칭을 하기 위해 unfolded 임피던스 매칭의 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 LVDS I/O 회로들의 성능 분석 및 평가를 위하여 0.35um TSMC CMOS 테크놀로지를 기본으로 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 약 12 %의 전력 이득과 약 18 %의 전송 속도 향상을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.118-123
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• 1989

본 논문에서는 저소비 전력이고 회로설계가 용이한 CMOS 회로를 이용하여 음성신호 처리용 SCF를 집적화 할때 OP AMP를 디지탈 부분과 공존할 수 있도록 ${\pm}$5V로 전원을 설정하여 CMOS OP AMP의 설계예를 들고 설계방법에 의해 구한 MOS 트랜지스터의 채널폭과 길이를 설계회로에 적용하여 LAYOUT 하였으며 시뮬레이션을 통하여 동작특성을 조사하였다. 또한 이 설계법은 주어지는 설계조건에 따라 설계 되어지므로 다른 용도의 CMOS OP AMP 설계에도 이용되어질 수 있을 것이다.