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InAs 양자점의 AlxGax-1As 장벽층 구조에 따른 광학적 특성

  • 한임식;이상조;조현준;배인호;김종수;김영호;김성준;김준오;이상준;노삼규;박동우;김진수
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.235-235
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    • 2010
  • 본 연구에서는 태양전지의 활성영역에 삽입할 InAs 양자점에 AlxGax-1As 장벽층을 삽입하여 그 두께변화에 따른 광학적 특성 변화를 photoreflectance spectroscopy (PR)과 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs/AlGaAs 양자점 구조는 GaAs (100) 기판 위에 GaAs buffer layer를 500 nm 성장 ($Ts=580^{\circ}C$) 후 기판온도 $470^{\circ}C$에서 InAs 양자점, GaAs cap 층과 AlxGax-1As 장벽층 순서로 5 층의 InAs/GaAs/AlxGax-1As 양자점 구조를 형성하였다. GaAs cap 층의 두께는 4 nm로 고정하고 AlGaAs 장벽층 두께를 0~6 nm 까지 변화시켰다. 각 양자점 층 사이에 AlxGax-1As 장벽층의 삽입 유무에 따라 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주기 변화가 관측되었다. AlGaAs 두께가 증가 할수록 PL 신호의 세기가 증가함을 보였으며 PL 신호의 온도의존 특성이 변화됨을 관측할 수 있었다. AlGaAs 장벽층 대신 AlAs 장벽층을 삽입한 시료에서도 유사한 경향성을 관측하였으며, 이는 양자점에 구속된 운반자의 터널링 현상과 높은 장벽층에 의한 운반자의 구속 강도의 변화에 의한 것으로 사료된다. 특히 장벽층의 유무에 따른 FKO의 변화는 시료의 표면 전기장의 변화에 기인한 것으로 운반자의 구속효과뿐만 아니라 InAs 양자점 성장중 형성된 표면결함 밀도의 변화에 의한 것으로 추정하였다.

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비대칭 이중게이트 MOSFET에 대한 DIBL의 채널도핑농도 의존성 (Dependence of Channel Doping Concentration on Drain Induced Barrier Lowering for Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권4호
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    • pp.805-810
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    • 2016
  • 본 논문에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 분석하고자한다. 드레인 유도 장벽 감소 현상은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑 농도뿐만이 아니라 상하단 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등에 대하여 드레인 유도 장벽 감소 현상을 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 채널도핑 농도에 따라 큰 변화를 나타냈다. 채널길이가 25 nm 이하로 감소하면 드레인 유도 장벽 감소 현상은 급격히 상승하며 채널도핑농도에도 영향을 받는 것으로 나타났다. 산화막 두께가 증가할수록 도핑농도에 따른 드레인유도장벽감소 현상의 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 채널도핑 농도에 관계없이 일정한 DIBL을 유지하기 위하여 상단과 하단의 게이트 산화막 두께가 반비례하는 것을 알 수 있었다. 또한 하단게이트 전압은 그 크기에 따라 도핑농도의 영향이 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

비대칭 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 DIBL의 관계 (Relation of Oxide Thickness and DIBL for Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권4호
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    • pp.799-804
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    • 2016
  • 본 논문에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께에 대한 드레인 유도 장벽 감소 현상을 분석하기 위하여 전위장벽에 영향을 미치는 드레인전압에 따른 문턱전압의 변화를 관찰할 것이다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상단과 하단의 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있는 특징이 있다. 상단과 하단의 게이트 산화막 두께 변화에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상에 대하여 포아송방정식을 이용하여 분석하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 큰 변화를 나타냈다. 상단과 하단 게이트 산화막 두께가 작을수록 드레인 유도 장벽은 선형적으로 감소하였다. 채널길이에 대한 드레인 유도 장벽 감소 값은 비선형적인 관계가 있었다. 고농도 채널도핑의 경우 상단 산화막 두께가 하단 산화막 두께보다 드레인 유도 장벽 감소에 더 큰 영향을 미치고 있었다.

여자 대학생이 지각하는 진로장벽과 진로준비행동 간의 관계에서 귀인성향의 조절효과 (The moderating effects of attribution style on the relationship between perceived career barriers of female college students and career preparation behavior)

  • 전희정;이순덕
    • 디지털융복합연구
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    • 제17권11호
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    • pp.577-587
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    • 2019
  • 이 연구는 여자 대학생이 지각하는 진로장벽과 귀인성향이 진로준비행동에 미치는 영향과 진로장벽과 진로준비행동 사이에 귀인성향의 조절효과를 살펴보았다. 이를 위해 485명의 여자대학생을 대상으로 진로장벽검사와 진로준비행동 및 귀인성향 검사를 실시하였으며 수집된 자료는 SPSS 23.0을 이용하여 통계처리하였다. 연구결과 첫째, 여자대학생이 지각하는 진로장벽은 진로준비행동에 부적인 영향을 나타냈으며 진로장벽의 하위요인 중 자기명확성이 부족할수록 또 진로정보가 부족할수록 진로준비행동에 소극적이였다. 둘째, 귀인성향 중 내적이고 통제가능한 노력에 귀인할수록 진로준비행동에 적극적이였다. 셋째, 진로장벽과 진로준비행동 사이에 귀인성향의 조절효과는 나타나지 않았다. 이상의 연구결과를 바탕으로 여자대학생의 진로교육 및 진로상담에 주는 시사점과 연구의 제한점 및 추후 연구를 위한 방향을 논의하였다.

인장변형에 따른 이차원 수평접합 쇼트키 장벽 제일원리 연구 (Ab-Initio Study of the Schottky Barrier in Two-Dimensional Lateral Heterostructures by Using Strain Engineering)

  • 황휘현;이재광
    • 새물리
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    • 제68권12호
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    • pp.1288-1292
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    • 2018
  • 반도체 특성을 가지는 이차원 전이금속 칼코겐 화합물 $MoS_2$와 강자성이면서 금속성을 가지는 $VS_2$로 이루어진 수평접합 구조를 기반으로 해서, 0%부터 10%까지 2% 간격으로 변형에 따른 쇼트키 장벽(Schottky Barrier) 변화를 밀도 범함수 이론 계산을 통해 연구하였다. 그 결과, 홀의 쇼트키 장벽이 전자의 쇼트키 장벽에 비해 훨씬 작고, 홀의 쇼트키 장벽 높이가 변형에 따라 선형적으로 감소함을 발견하였다. 특히, 8% 이후의 변형에서 홀의 스핀 업 쇼트키 장벽의 높이가 0에 가까워지는 임계 변형값이 존재함을 발견하였고, 이 임계 변형값 이상에서는 스핀 업 성분의 홀이 $MoS_2/VS_2$ 수평접합구조를 통해 쇼트키 장벽 없이 쉽게 흐르게 됨을 알게 되었다. 이러한 연구 결과는 향후, 변형을 통한 이차원 전이금속 칼코겐 수평 접합구조 기반 소자 특성 최적화에 중요한 기초자료로 이용될 것으로 기대한다.

해운기업의 지각된 관계 혜택과 전환장벽 및 고객 충성도의 관계에 관한 실증연구 -예인서비스를 중심으로- (A Study on the Impacts of Shipping Service Firm's Perceived Relational Benefits on Switching Barriers and Customer Loyalty -Focusing on Tug Boat Service-)

  • 김익성;김현덕
    • 한국항만경제학회지
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    • 제37권4호
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    • pp.89-102
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    • 2021
  • 본 연구는 항만물류서비스산업의 한 분야인 우리나라 예선서비스산업을 대상으로 해운대리점을 포함한 해운서비스기업의 지각된 관계 혜택과 전환장벽, 그리고 고객충성도 간의 관계를 규명하고자 수행되었다. 연구가설검정을 위해 예인서비스 구매자인 선사, 대리점 등 해운서비스기업의 종사자를 대상으로 설문조사를 실시하였다. 수집된 자료를 바탕으로 SPSSWIN ver. 18.0을 이용하여 Cronbach's α 계수를 이용한 측정변수의 신뢰성검정, 요인분석을 이용한 타당성검정, 가설검정을 위한 다중회귀분석 등을 실시하였다. 본 연구의 결과를 요약하면 다음과 같다. 먼저 예선서비스 구매자인 해운서비스기업이 지각하는 관계혜택은 사회적 혜택, 경제적 혜택, 확신적 혜택, 고객화 혜택 등 4개의 요인으로 구성되어 있음을 확인할 수 있었다. 둘째, 지각된 해운서비스기업의 관계 혜택은 전환장벽에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설 1은 채택되었다. 이러한 분석결과는 해운서비스기업과 예인서비스기업의 유대관계가 친밀할수록 거래업체를 변경하는데 소요되는 전환장벽이 증가하게 된다는 것을 의미한다. 셋째, 해운서비스기업의 전환장벽은 고객충성도에 유의한 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설 2도 채택되었다. 이러한 분석 결과는 해운서비스기업이 다른 예선서비스기업으로 전환하는 비용이 높을수록 기존 예선서비스기업과 계속 거래할 가능성이 높아진다는 것을 의미한다. 넷째, 지각된 해운서비스기업의 관계혜택은 고객충성도에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설 3도 채택되었다. 본 연구는 관계혜택과 전환장벽, 고객충성도의 개념을 예선서비스기업에 적용하여 실증한 탐색적 연구이다. 특정지역의 해운선사 및 대리점 등 해운서비스기업 종사자를 표본으로 선정함에 따라 표본의 수가 부족한 한계점을 가지고 있다. 따라서 향후 연구에서는 예인서비스기업의 관계 혜택과 전환장벽, 고객충성도를 보다 정확하게 측정할 수 있는 정밀한 측정 도구를 개발할 필요가 있으며, 대상지역의 확대가 필요하다.

비대칭적 표면 위에 초미세 박막의 미시적 성장구조

  • 서지근;신영호;김재성;민항기
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.187-187
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    • 1999
  • fcc(110) 표면이나 bcc(110) 표면과 같이 2-fold 대칭성을 갖는 표면 위에 초미세 박막을 성장시킬 경우 토대표면의 두 방향에 대한 비 대칭성으로 흡착물이 비대칭적인 cluster 형태로 성장되는 것이 보고되고 있다. 최근 STM에 의한 Ps(110) 표면 위에나 Si(100) 또는 W(110) 표면 위에 성장 실험은 흡착물이 길게 늘어선 한 줄 형태의 성장 또는 가로 세로가 비대칭적인 cluster 형태로 성장되는 것을 보고하고 있고, 이러한 특정 형태의 성장의 원인으로 흡착 원자의 방향에 따른 분산 속도의 비대칭성, 인접 원자와의 비대칭적인 상호작용, 또는 cluster 경계 방향의 분산 속도 등을 들고 있다. 그러나 아직 대부분의 물질계에 비해 흡착원자의 분산속도 또는 분산 장벽에 대해서는 잘 알려져 있지 않다. 원하는 원자 단위 구조물 제작을 위해서는 흡착물의 분산속도에 대한 이해가 필수적이며, 본 연구는 KMC 시뮬레이션과 실험 결과를 비교하는 방법을 통하여 위치와 조건에 따른 각각의 분산 속도를 구하고자 하는 시도이다. 특히 비대칭적 토대 위에서의 나타나는 다양한 형태의 미시적 성장구조에 관심을 가지며, 연구 방법으로는 KMC 시뮬레이션을 이용한다. 미시적 성장 양식은 분산 장벽 형태에 의해 크게 결정된다. 분산장벽 중에서 성장에 비교적 큰 영향을 미치는 것으로는 테라스 위의 원자가 이동할 때의 분산장벽인 Ed, 계단 끝에 부착된 원자가 분리될 때의 장벽인 Ep, 그리고 위 테라스에서 계단 아래로 떨어져 내려갈 때 만나는 Schwoebel 장벽들이 있다. 먼저 대칭적인 fcc(100) 표면 위에서의 성장 구조를 정리해보면 분산 장벽에 따라 다양한 미시적 성장형태를 볼 수 있었다. 다층 성장의 경우도 그 양식은 sub-ML 성장과 동일한 형태를 가지므로 sub-ML 성장구조로 전체 성장 양식을 예견할 수 있다. 일반적인 경향은 Ep가 커질수록 fractal 성장형태가 되며, Ed가 적을수록 cluster 밀도가 작아지나, 같은 Ed+Ep에 대해서는 동일한 크기의 팔 넓이(수평 수직 방향 cluster 두께)를 가진다. 따라서 실험으로부터 얻은 cluster의 팔 넓이로부터 Ed+Ep 값을 결정할 수 있고, cluster 밀도와 fractal 차원으로부터 각각 Ed와 Ep값을 분리하여 얻을 수 있다. 또한 다층 성장에 대한 거칠기(roughness) 값으로부터 Es값도 구할 수 있다. 양방향 대칭성을 갖지 않은 fcc(110) 표면과 같은 경우, 형태는 다양하지만 동일한 방법으로 추정이 가능하다. (110) 표면의 경우 nearest neighbor 원자가 한 축으로 형성되고 따라서 이 축과 이것과 수직인 축에 대한 상호작용이나 분산 장벽 모두가 비대칭적이다. 따라서 분산 장벽도 x-축, y-축 방향에 따라 분리하여 Edx, E요, Epx, Epy 등과 같이 방향에 따라 다르게 고려해야 한다. 이러한 비대칭적인 분산 장벽을 고려하여 KMC 시뮬레이션을 수행하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다.

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가우스분포를 이용한 이중게이트 MOSFET의 드레인유기장벽감소 분석 (Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Double Gate MOSFET Using Gaussian Distribution)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.325-330
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    • 2012
  • 본 연구에서는 차세대 나노소자인 이중게이트(Double gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하였다. 포아송방정식을 풀어 전위분포에 대한 분석학적 해를 구할 때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 크기, 도핑강도 등에 대하여 드레인유기장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으므로 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 드레인유기장벽감소에 대하여 분석한 결과 드레인유기장벽감소 현상은 채널의 구조 및 도핑강도에 따라 매우 급격히 변화하는 것을 알 수 있었다.

EDISON 시뮬레이션을 통한 P-N 접합 공핍 폭 비교 분석

  • 이초희
    • EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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    • 제3회(2014년)
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    • pp.498-500
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    • 2014
  • EDISON 나노물리 사이트에 탑재된 Drift-Diffusion 기반 bulk P/N Junction Diode 특성 해석용 SW를 이용해 P-N접합의 특성을 파악해보았다. n과 p영역에서의 순수 도너와 억셉터 농도를 통해 내부 전위 장벽을 구한다. 구한 내부 전위 장벽을 통해 공핍폭 W를 구할 수 있다. 이 논문에서는 일방접합의 공핍영역폭을 표현하는 식과 시뮬레이션을 통해 얻어진 공핍영역폭을 비교 분석하였다.

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스파크 음원을 이용한 장벽의 회절음장에 관한 실험 연구 (Experimental Study on Sound Diffraction over Barrier Using a Spark Discharge Sound Source)

  • 주진수
    • 소음진동
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    • 제9권3호
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    • pp.466-471
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    • 1999
  • The prediction methods of diffraction field in barrier has beenreported much about the infinite length barrier and it is very few work that reasonable sound source was used in experiment. This study, however, has worked about the several model barrier with acoustic scale model experiment. In the case of scale model experiment, it is difficult to use the kind of source with sufficiently characteristics. A spark discharge sound source with the high repeatability, broad band spectra, small size and omnidirectivity has veen used for the prediction of diffraction field. Several model barriers with different length on the ground were considered for the experiment and compared with the the results calculated by the approximation.

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