Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.08a
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- Pages.235-235
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- 2010
InAs 양자점의 AlxGax-1As 장벽층 구조에 따른 광학적 특성
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Han, Im-Sik
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- Lee, Sang-Jo ;
- Jo, Hyeon-Jun ;
- Bae, In-Ho ;
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Kim, Jong-Su
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Kim, Yeong-Ho
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- Kim, Seong-Jun ;
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Kim, Jun-O
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Lee, Sang-Jun
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No, Sam-Gyu
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- Park, Dong-U ;
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Kim, Jin-Su
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한임식
(영남대학교 물리학과) ;
- 이상조 (영남대학교 물리학과) ;
- 조현준 (영남대학교 물리학과) ;
- 배인호 (영남대학교 물리학과) ;
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김종수
(영남대학교 물리학과) ;
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김영호
(한국표준과학연구원) ;
- 김성준 (한국표준과학연구원) ;
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김준오
(한국표준과학연구원) ;
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이상준
(한국표준과학연구원) ;
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노삼규
(한국표준과학연구원) ;
- 박동우 (한국표준과학연구원) ;
-
김진수
(전북대학교)
- Published : 2010.08.18
Abstract
본 연구에서는 태양전지의 활성영역에 삽입할 InAs 양자점에 AlxGax-1As 장벽층을 삽입하여 그 두께변화에 따른 광학적 특성 변화를 photoreflectance spectroscopy (PR)과 photoluminescence (PL)를 이용하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 InAs/AlGaAs 양자점 구조는 GaAs (100) 기판 위에 GaAs buffer layer를 500 nm 성장 (
Keywords