• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.11-20
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• 2008

The structure of 2-bit/cell flash memory device was characterized for sub-50 nm non-volatile memory (NVM) technology. The memory cell has spacer-type storage nodes on both sidewalls in a recessed channel region, and is erased (or programmed) by using band-to-band tunneling hot-hole injection (or channel hot-electron injection). It was shown that counter channel doping near the bottom of the recessed channel is very important and can improve the $V_{th}$ margin for 2-bit/cell operation by ${\sim}2.5$ times. By controlling doping profiles of the channel doping and the counter channel doping in the recessed channel region, we could obtain the $V_{th}$ margin more than ${\sim}1.5V$. For a bit-programmed cell, reasonable bit-erasing characteristics were shown with the bias and stress pulse time condition for 2-bit/cell operation. The length effect of the spacer-type storage node is also characterized. Device which has the charge storage length of 40 nm shown better ${\Delta}V_{th}$ and $V_{th}$ margin for 2-bit/cell than those of the device with the length of 84 nm at a fixed recess depth of 100 nm. It was shown that peak of trapped charge density was observed near ${\sim}10nm$ below the source/drain junction.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.40-45
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• 2008

We developed small molecular organic nonvolatile $4F^2$ memory cells using metal layer evaporation followed by $O_2$ plasma oxidation. Our memory cells sandwich an upper ${\alpha}$-NPD layer, Al nanocrystals surrounded by $Al_2O_3$, and a bottom ${\alpha}$-NPD layer between top and bottom electrodes. Their nonvolatile memory characteristics are excellent: the $V_{th},\;V_p$ (program), $V_e$ (erase), memory margin ($I_{on}/I_{off}$), data retention time, and erase and program endurance were 2.6 V, 5.3 V, 8.5 V, ${\approx}1.5{\times}10^2,\;1{\times}10^5s$, and $1{\times}10^3$ cycles, respectively. They also demonstrated symmetrical current versus voltage characteristics and a reversible erase and program process, indicating potential for terabit-level nonvolatile memory.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권7호
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• pp.37-45
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• 1998

A 32-b self-timed parallel carry look-ahead adder (PCLA) designed for 0.5.mum. single threshold low power CMOS technology is demonstrated to operate with 2.7nsec delay at 8mW under 1V power supply. Compared to static PCLA and DPL adder, the self-timed PCLA designed with NORA logic provides the best performance at the power consumption comparable to other adder structures. The wave pipelined clock control play a crucial role in achieving the low power, high performance of this adder by eliminating the unnecessary power consumption due to the short-circuit current during the precharge phase. Th enoise margin has been improved by adopting the physical design of staic CMOS logic structure with controlled transistor sizes.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.313-319
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• 2014

전력계통운영의 목표는 전력시스템의 안정성과 신뢰성을 유지하여 원활한 전력을 공급하는 것이다. 안정적인 전력 공급을 위하여 무효전력과 모선 전압에 대한 고려를 해야 하는데, 모선의 전압을 일정 범위 이내로 유지하기 위하여 커패시터 뱅크를 비롯한 다양한 방안이 사용되고 있다. 본 논문에서는 계통 안정도와 전력공급 신뢰도를 상시키기 위한 하이브리드 타입의 커패시터 뱅크 설계 과정에 대하여 기술하였다. 설계 과정에는 커패시터 뱅크의 용량 산정, 리액터 타입 결정 및 리액터 용량 산정과정이 포함된다. 기존의 커패시터 뱅크의 설계과정과 같이 정상상태 Q-V 해석이나 상정사고 분석과 같은 방법을 통하여 무효전력 마진을 계산하여 저전압이 발생하는 모선에 무효전력 보상량을 산정한다. 그리고 고조파 실측을 통해 산출된 개별 고조파의 성분 크기를 기반으로 직렬 리액터의 크기를 산정하는 방식으로 설계과정을 제안하였다. 논문에서는 제안된 방법을 통하여 고조파의 크기가 감소함을 증명하였으며, 특히 5차와 7차 고조파의 저감에 효율적임을 보여주었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.850-853
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• 2009

Many well-known pixel compensation circuits have been applied to control TFT $V_{th}$ variations on small size AMOLED panels. For large (>30-inch) AMOLEDs, luminance and color uniformity are affected by TFT variations, but also by ELVDD IR drop and cavity non-uniformity which are not easily compensated by in-pixel circuits. AMOLED panels may also suffer from manufacturing-induced mura. An external compensation method based on optical measurements is proposed and applied to large AMOLED panels. It improves luminance uniformity by up to 95% at 200nits and color uniformity by up to 99% (${\Delta}$u'v' <0.004) on large AMOLED panels, and provides-increased margin against processinduced mura.

• 구강회복응용과학지
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• 제24권2호
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• pp.147-155
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• 2008

5세대 상아질 접착제인 Adper Single bond 2.0 (3M-ESPE, USA), 6세대 상아질 접착제인 Prompt L-pop (3M-ESPE, USA), AdheSE (Ivoclar Vivadent, Liechtenstein) 를 각 상아질 접착제당 30개의 건전한 소구치 및 대구치를 선정하여 협면과 설면에 5급와동을 형성하고 복합레진을 적용하였다. 이중 절반은 열순환을 시행하지 않고 나머지 절반은 열순환을 시행하였다. 이후 메틸렌 블루를 침투시켜 시약의 침투 정도를 측정한 후 통계분석하였다. 열순환을 시행하지 않은 군과 열순환을 시행한 군을 통틀어 열순환을 시행하지 않은 상아질 군에서만 Single Bond 2.0의 미세누출의 양이 Prompt L-Pop과 AdheSE에 비하여 높았고 (p <.05) 나머지 군에서는 모두 Single Bond 2.0의 미세누출의 양이 적었다. (p <.05) 열순환 이후에 미세누출의 양이 늘어난 군은 Prompt L-Pop과 AdheSE의 상아질 군이었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권4호
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• pp.45-52
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• 2009

본 연구를 통해서 대 면적, 고 휘도 AMOLED 응용에 적합한 화소 회로와 이에 대한 구동 방식을 제안하였다. 균일도는 다소 떨어지지만 안정성이 뛰어난 저온 다결정 실리론(LTPS) 박막 트랜지스터(TFT)를 기반으로 설계했다. 영상 화소의 균일도를 향상시키기 위해, 화소 TFT의 $V_{TH}$와 이동도 편차를 함께 보상할 수 있도록 했다. 기존의 이동도 보상 회로가 갖는 문제점을 극복하여 대 면적 패널에 적합하도록 했고, 동영상 특성을 개선하기 위해 black data insertion 방식을 도입하였다. 이동도 보상 시 휘도가 떨어지는 문제를 개선하기 위해, 패널이 두 가지 보상 모드에서 동작할 수 있도록 하였다. 화소 회로를 제어하기 위한 스캔 구동 회로를 최적화하여, 이를 통해서 보정 모드를 쉽게 제어할 수 있었다. 최종 구동 타이밍은 여유 있는 마진으로 안정적인 동작이 가능하다. 14.1" WXGA top emission AMOLED 패널에 대해 설계했으며, 이동도 보상 시간을 1us로 했을 때 패널의 불균일도는 5% 이하로 예측되었다.

• 대한조선학회논문집
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• 제33권2호
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• pp.30-35
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• 1996

선박의 경제적인 측면에서나 기술적인 측면에서 Service Power Margin을 신빙성있게 산출하여야 한다는 것은 주지(周知)의 사실이라 하겠다. 하지만 기존의 산정법이 문제가 될 정도로 너무 부정확하므로 이의 개선이 절실히 요청되며, 이를 위해서는 특히 선체의 표면조도(表面組度)영향 고려법과 관련된 연구가 필요하다는 것은 이미 10여년 전부터 많은 학자들에 의해서 강조되어 오고 있다. 예를 들면, 제 15 및 제 16 회 국제수조회의(ITTC)의 성능분과 위원회는 보고서의 결론에서 이점을 연속적으로 강조한 바 있다. 하지만 이 분야에서는 이론적 연구의 어려움 때문에 실용성있는 연구결과를 얻기 위하여는 실선자료를 이용해서 분석해야 하는 것으로 알려져 있으며, 연구를 위한 실선자료 수집 기간이 매우 길 수 밖에 없다는 어려움이 있다. 이러한 특성 때문에 표면조도(表面組度)영향 고려법에 관한 이제까지의 연구는 매우 부진한 형편이라 하겠다. 이를테면, 1가지 종류의 선박에서 실선자료를 수집하기 위한 이상적인 기간은 선박의 년령과 같은 17년~25년이 될 것이다. 또한, 일반적인 법을 찾기 위해서는 여러 종류의 선박 자료가 필요할 것이다. 이에 본 논문에서는 15년 동안 수집된 자료를 회기분석법을 이용해서 분석함으로서 선령(船齡)에 따른 표면조도를 예측할 수 있는 관계식을 찾아 보았다. 아울러 V.L.C.C.를 예를 들어서 해상에서의 바람 및 파랑등의 기상 영향과 표면조도의 영향과를 비교하여 보았다.

• 전자공학회논문지
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• 제54권5호
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• pp.24-32
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• 2017

본 논문에서는 생체 신호 처리를 위한 12비트 이상의 고 해상도를 갖는 저 전력 CMOS 4차 델타-시그마 변조기를 설계하였다. 제안하는 4차 델타-시그마 변조기는 시간 분할 기법을 이용하여 회로를 시간에 따라 재구성해 4개의 연산증폭기가 필요한 회로를 1개의 연산증폭기만으로 구동 시켰다. 이를 통하여 일반적인 구조보다 전력소모를 75% 감소시킬 수 있다. 또한 kT/C 잡음과 칩 면적을 고려하여 변조기의 입력단과 출력 단의 커패시터들을 안정적으로 구동하기 위하여 적분기내 가변되는 증폭기를 설계하였다. 첫 번째와 두 번째 클럭 위상에서는 2단 연산 증폭기가 동작하고, 세 번째와 네 번째 위상에서는 1단 연산 증폭기가 동작한다. 이로 인하여 두 가지 위상 조건에서 연산증폭기의 위상여유가 60~90도 이내에 존재하게 하므로서 변조기의 안정성을 크게 향상시켰다. 제안한 변조기는 $0.18{\mu}m$ CMOS N-well 1 poly 6 metal 공정을 이용하여 제작되었으며, 1.8V의 공급전압에서 $354{\mu}W$의 전력소모가 측정되었다. 256kHz의 동작주파수, 128배의 오버샘플링 비율 조건에서 250Hz의 입력 신호를 인가하였을 때, 최대 SNDR은 72.8dB, ENOB은 11.8 비트로 측정되었다. 또한 종합 성능 평가지수인 FOM(Walden)은 49.6pJ/step, FOM(Schreier)는 154.5dB로 측정되었다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제28권1호
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• pp.1-10
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• 2003

This study investigated the influence of IRM on marginal microleakage of 5th generation adhesives. Class V cavities with gingival margins in dentin were prepared on both buccal and lingual surfaces of 60 extract-ed human molar teeth. Prepared teeth were randomly divided into six groups. Group 1 and 4 received no temporary restoration with IRM. Group 2 and 5 were covered with IRM mixed at P/L ratio(10g/1g). Group 3 and 6 were covered with IRM mixed at P/L ratio(10g/2g). The temporary restorations were removed mechanically with an ultrasonic scaler after one-week storage in distilled water. The cavities were restored using one of two adhesives and composites ; Single Bond/Filtek Z 250(Croup 1, 2 and 3), UniFil Bond/UniFil F(Group 4, 5 and 6). Following one day storage in distilled water, the restored teeth were thermocycled for 500 cycles(between $5^{\circ}C{\;}and{\;}55^{\circ}C$) and immersed in 2 % methylene blue for dye penetration testing. The results were analysed using Kruskal-Wallis Test, Mann-Whitney and Wilcoxon signed ranked test at a significance level of 0.05. The results of this study were as follows 1. Ranking of mean microleakage scores at the enamel margins was Group 10.05) 4. At the dentin margins, the microleakage of the group not pretreated with IRM was lower than that of the group pretreated with IRM. And the microleakage of UniFil Bond was lower than that of Single Bond. 5. Compared with microleakages between the enamel and dentin margins of each groups, Group 1, 2, 3, 4, 5 and 6 at dentin margin were higher microleakage than those at enamel margin. There were significant difference between enamel and dentin microleakage of Group 2 and 3(p<0.05).