본 논문에서는 10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프 전압 ${\Delta}V_{on-off}$에 대하여 고찰하였다. 문턱전압이하 전류가 $10^{-7}A$일 때 게이트 전압을 온 전압, $10^{-12}A$일 때 게이트 전압을 오프 전압으로 정의하고 그 차를 구하였다. 10 nm 이하에서는 터널링 전류를 무시할 수 없기 때문에 터널링 전류의 유무에 따라 ${\Delta}V_{on-off}$의 변화를 관찰하였다. 이를 위하여 포아송방정식을 이용하여 채널 내 전위분포를 구하였으며 WKB 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm 이하 JLCSG MOSFET에서 터널링 전류에 기인하여 ${\Delta}V_{on-off}$가 증가하는 것을 알 수 있었다. 특히 8 nm 이하의 채널길이에서 급격히 증가하였으며 채널 반지름과 산화막 두께가 증가할수록 ${\Delta}V_{on-off}$는 증가하는 것을 알 수 있었다.
높은 누설 전류와 문턱 전압의 이동은 비정질 실리콘(a-Si:H) 트랜지스터(TFT)의 단점이다. 이러한 특성은 게이트 절연체와 활성층 박막의 막 특성, 표면 거칠기와 공정 조건에 따라 영향을 받는다. 본 연구의 목적은 누설 전류와 문턱 전압의 특성을 개선하는데 목적이 있다. 게이트 절연체의 공정 조건에 대해서는 질소를 증가한 증착 공정 조건을 적용하였고, 활성층의 공정 조건에 대해서는 산소를 증가한 공정 조건을 적용하여 전자 포획을 감소시키고 박막의 밀도를 증가시켰다. $I_{off}$는 $65^{\circ}C$ 조건하에서 1.01 pA에서 0.18pA로, ${\Delta}V_{th}$는 -1.89 V에서 -1.22V로 개선되었다.
The solid insulation system of stator windings in high voltage rotational machines is usually aging in accordance with long time operation. The partial discharge test have been known to check whether insulation deterioration exist or not, and the PD test can effectively diagnose a solid insulation condition regardless of during operation(on-line) or not(off-line). The on-line PD measurement have proven to be a successful technique in monitoring stator insulation condition nowadays. This paper describes the characteristics of comparing the on-line PD measurement data using PDMS-HG(Partial Discharge Monitoring System for Hydro-electric Generator) installed in field with the off-line diagnosis measurement data(insulation resistance, winding resistance, PI, ${\Delta}tan{\delta}$ and PD) on hydro generator(13[kV]) stator windings. These results make good use of managing rotational machines through evaluating the solid insulation condition of stator windings.
DGMOSFET는 CMOS 스케일링의 확장 및 단채널 효과를 보다 효과적으로 제어할 수 있는 유망란 소자이다. 특히 20nm이하의 도핑되지 않은 Si 채널에서 단채널 효과를 제어하는데 가장 효과적이다. 본 논문에서는 DGMOSFET의 해석학적 전송모델을 제시할 것이다. 단채널 효과를 해석학적으로 분석하기 위해 Subthreshold Swing(SS), 그리고 문턱전압 roll-off(${\Delta}V_{th}$) 등을 이용하였다. 여기서 제시된 모델은 이온방출효과와 source-drain 장벽을 통해 캐리어들의 양자 터널링을 포함하여 해석할 것이다. 여기서 제시된 모델은 gate길이, 채널두께, 게이트 산화막 두께 등을 설계하는데 이용할 것이다.
We proposed and fabricated zinc oxide thin-film transistors (TFTs) employing 4-mercaptophenol (4MP) doped ZnO by atomic layer deposition (ALD) that results in highly stable and high performance. The 4MP concentration in ZnO films were varied from 1.7% to 5.6% by controlling Zn:4MP pulses. The n-type carrier concentrations in ZnO thin films were controlled from $1.017{\times}10^{20}/cm^3$ to $2.903{\times}10^{17}/cm^3$ with appropriate amount of 4MP doping. The 4.8% 4MP doped ZnO TFT revealed good device mobility performance of 8.4 $cm^2/Vs$ and the on/off current ratio of 106. Such 4MP doped ZnO TFTs exhibited relatively good stability (${\Delta}V_{th}$: 2.4 V) under positive bias-temperature stress while the TFTs with only ZnO showed a 4.3 ${\Delta}V_{th}$ shift, respectively.
Lim, In Eui;Jhon, Heesauk;Yoon, Gyuhan;Choi, Woo Young
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권1호
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pp.94-100
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2017
Stress drain bias dependent current model is proposed for sub-70-nm p-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistors (pMOSFETs) under drain-avalanche-hot-carrier (DAHC-) mechanism. The proposed model describes the both on-current and off-current degradation by using two device parameters: channel length variation (${\Delta}L_{ch}$) and threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$). Also, it is a simple and effective model of predicting reliable circuit operation and standby power consumption.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.286-289
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2006
Temporal dual gamma drive technology employing the 120Hz refresh rate was developed to enhance the off-axis viewing quality in patterned vertical alignment mode. The color shift ${\Delta}u'v'$ from on-axis to off-axis (60 deg.) for pale orange color, (R,G,B) = (196,124,96), was below 0.01, and the power exponent of gamma curve for off-axis viewing angle (60 deg.) was about 1.8, when the gamma curve for on-axis was set with power exponent of 2.4. The off-axis image distortion index was below 0.180 in contrast to the normal case ${\sim}0.23$. To elevate the response speed of liquid crystal in the intra-frame, the voltage below threshold voltage of liquid crystals was used.
GaAs/Al0.04Ga0.96As 다중양자우물 구조를 이용한 반사형 PIN 다이오우드 S-SEED의 설계에 있어 낮은 동작전압, 높은 포화에너지 및 높은 반사율 on/off 강도비를 얻고자 저장벽 양자우물구조와 비대칭 페브리페로 공명구조를 결합하였다. $2{\times}4$array를 구성하는 S-SEED들은 역방향 동작전압 5V에서 평균적으로 13 이상의 반사율 on/off 강도비 (CR)와 약 24%의 반사율차 (ΔR) 및 91% 이상의 광쌍안정폭 (Δ)을 나타내었다. 공명구조를 이용함으로서 PIN 다이오우드 진성영역내의 양자우물의 주기수를 줄일 수 있어 외부동작전압 없이도 CR~4.7, R~9.2, ~22%의 향상된 무전압 광쌍안정 동작특성을 얻었다.
수명 12년의 중형급 정지궤도 통신위성의 추진시스템 개념설계과정이 기술된다 임무해석을 통해 주어진 전속도 증분량($\Delta$V)을 사용하여 임무수명기간동안 필요한 추진제 양이 계산되었으며 이 값을 기초로 하여 연료탱크와 산화제 탱크의 형상을 설계하였고 필요한 가압제의 양과 가압제 탱크의 압력을 구할 수 있었다 구조계와 trade-off study출 통해 추력기의 배치와 로켓엔진의 개수, 탱크의 배치 등을 결정하였으며 전체적인 추진시스템 개념설계 형상이 최종적으로 제시된다.
대한원격탐사학회 2006년도 Proceedings of ISRS 2006 PORSEC Volume I
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pp.263-266
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2006
Now, on the developing COMS(Communication, Ocean and Meteorological Satellite) has solar panel on the South panel only. Therefore, the wheel off-loading has to be performed periodically to reduce a induced momentum energy by a asymmetric solar panel. One of two East/West station keeping maneuver to correct simultaneously longitude and eccentricity, orbit corrections may be performed during one of the two wheel off-loading manoeuvres per day to get enough observation time for meteorological and ocean sensor. In this paper, we applied a linearized orbit maneuver equation to acquire maneuver time and delta-V. Nonlinear simulation for the station keeping is performed and compared with general station keeping strategy for fuel reduction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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