[ ${\Box}$ ] Opportunities for PRAM Nearly ideal memory characteristics Potential for high density & low cost memory ${\Box}$ Technical Challenges Writing current reduction is the most urgent issue. ${\to}$ chalcogenide, programming volume, current density, heat loss control Improvement of writing speed, reliability ${\Box}$ Prospects (PRAM as a Mainstream Memory) Evenn, We have demonstrated 256Mb PRAM Realization of high density and low cost PRAM with good reliability will be key succss factor. We need to develop PRAM specific applications.

유기물 박막에서 누설전류의 크기는 트랜지스터의 성능과 관련된 중요한 요소이다. 일반적으로 사용되고 있는 반도체 소자에서의 절연 막으로서 $SiO_2$ 표면을 유기물로 처리하여 $SiO_2$ 박막 표면의 화학적 반응에 대하여 FTIR 분석법을 이용하여 조사하였다. $1100cm^{-1}$에서 $1570cm^{-1}$까지의 주픽에 대하여 분석한 결과, OTS처리함량에 따라서 샘플의 $Si-CH_3$ 픽의 함량이 증가하는 것을 알 수 있었으며, 0.7%의 샘플에서 급격한 변화가 일어나고 있다는 것을 확인하였다.

We investigated the fluidic gas-driven carbon-nanotube motor based on multi-wall carbon nanotubes and fluidic gas flow. Since the origination of the torque was the friction between the carbon nanotube surface and the fluidic gases, the density and the flow rate of the working gas or liquid were very important for the carbon nanotube motor. Molecular simulation results showed that multi-wall carbon nanotubes with very low rotating energy barriers could be effectively used for fluidic gas-driven carbon-nanotube motors.

본 논문은 HSMS를 기반으로 하는 SECS 통신 프로토콜을 구현한다. HSMS는 TCP/IP를 이용한 이더넷 기반이기 때문에 많은 장점을 가지고 있는 윈도우 소켓을 사용한다. 윈도우 소켓은 높은 호환성을 가지며, 다양한 종류의 통신 규약을 지원한다. 윈도우소켓에서 제공하는 API 함수를 이용하여 쓰레드를 동기화 하고, 이벤트 기법을 사용하여 클라이언트 측과 서버 측의 독립적인 송수신을 가능하게 한다. 또한, 하나의 프로그램에서 서버 측과 클라이언트 측을 선택적으로 사용 가능하게 구현한다.

MEMS 소자의 접합과 패키징에 Pb free solder를 사용하게 됨에 따라 발생하는 문제들로 인하여 보다 쉽고 간편하게 hermetic이 유지될 수 있는 방법을 검토하게 되었다. 따라서 본 연구는 epoxy 계통의 negative PR인 XP SU-8 3050 NO-2를 접착제로 사용 시 Si시편/ 유리기판, Si시편/LTCC기판에서 hermetic 특성의 고찰이 목적이다. Si시편/유리기판과 Si시편/LTCC기판의 접합 계면에 접착제로 negative PR을 토출하고 활성화 공정조건을 행한 시편들에서 hermetic이 얻어졌다. Si시편/유리기판의 leak rate는 $5.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 접합방법에 따른 영향은 없었으며, Si시편/LTCC 기판에서 leak rate는 $4.9{\times}10^{-8}mbar-1/sec$로 Si시편/유리기판과 비슷하였다. 향후 He leak rate를 개선하기 위해서는 LTCC 기판을 가공하여 PR 흐름방지 턱을 만들고, UV expose 에너지를 높이고 ($400mj/cm^2$ 조사), 시린지/기판의 gap 조절을 자동화 할 수 있는 vision system이 부착된 장비를 사용하면, 보다 낮은 leak rate 값을 얻을 수 있어 우수한 hermetic이 유지된다.

본 연구는 반도체 산업의 공정에서 자동화를 위한 Solution 개발에 초점을 두었다. Spec-out(불량)이 발생하였을 경우에 엔지니어가 원인을 분석하고 조치를 취하던 이전의 방식을 탈피하여 Expert Knowledge Base System의 On-Line방식으로 전환하고자 한다. 이러한 시스템을 구축하기 위해 공정과 계측간에 발생하는 파라메터들의 상관관계를 수학적으로 도출하였으며, 상관관계들을 이용하여 이탈 발생시 처리를 하기 위한 Rule을 구성하였다. 그리고 이 Rule들을 바탕으로 이탈발생의 원인을 분석하는 추론 시스템을 구성하여 즉각적이고 신속하게 처리를 하기 위한 이탈처리 분석 시스템을 구성하는 방법을 연구하였다.

사파이어 기판위에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 8주기의 InGaN/GaN 다중양자우물(multiple quantum well : MQW)구조가 성장되어졌고 이 구조 위에 p-GaN층이 형성됐다. 다시 p-GaN 위에 200nm의 두께를 갖는 PMMU 박막을 도포하고 electron beam lithography system을 이용하여 직경이 150nm가 되도록 나노단위의 삼각격자 구조를 가진 구멍을 패턴하고 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 식각을 하여 광결정을 제작하였다. 광결정은 두께가 26nm이고 격자간격은 460nm로서 파장이 450nm인 파란빛을 나노회절 시켜서 photoluminescence(PL)의 세기를 강화시킨다.

ITO/ polytetrafluorethylene (PTFE)/ Tris(8-hydroxyquinolinato Aluminum ($Alq_3$)/ Al 구조에서 정공 주입층 PTFE 의 두께 변화에 따른 유전특성은 HP 4284A precision LCR Meter 를 이용하여 주파수에 따른 임피던스와 위상각, 유전손실, 그리고 캐패시턴스를 측정하였다. 측정 결과 PTFE 의 두께가 증가할수록 임피던스 값은 증가하고, 위상각은 저주파수 영역에서는 두께가 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아지는 것을 확인하였다. 또한, 유전손실($tan{\delta}$)도 저주파수 영역에서는 정공 주입층이 증가할수록 감소하다가 고주파수 영역에서는 거의 같아졌고, 캐패시턴스는 PTFE 의 두께가 증가함에 따라 작아지고 주파수가 높아질수록 감소함을 확인하였다.

OLEDs are attractive because of possible application in display with low operating voltage, low power consumption, self-emission and capability of multicolor emission by the selection of emissive material. We investigated the effects of deposition rate on the electrical characteristics, physical characteristics and optical characteristics of OLEDs in the ITO(indium-tin-oxide)/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al device. We measured current density, luminous flux and luminance characteristics of devices with varying deposition rates of TPD and $Alq_3$. It has been found that optimal deposition rate of TPD and $Alq_3$ were respectively $1.5{\AA}/s$ from the device structure. An AFM measurement results, surface roughness of the deposited film was the lowest when deposition rate was $1.5{\AA}/s$.

일반적인 PDP 에 적용된 ADS 방식에서 Reset 파형은 ON/OFF Cell 을 초기화 시켜주고 Wall charge를 쌓아줌으로써 낮은 Address 전압으로도 구동을 가능하게 해준다. 기존의 Reset 파형은 Positive ramp pulse를 이용하여 구현하고 있으나 본 논문은 Negative ramp pulse가 적용된 새로운 Reset 파형을 제안하고자 한다. 2-Dimensional fluid simulation code를 이용하여 Ramp부분에 초점을 맞춰 Reset파형을 분석했으며 제안된 Negative ramp reset 파형은 기존의 Positive ramp reset 파형보다 70V가 낮은 전압에서 방전이 발생되는 것을 확인했다. Negative ramp pulse를 적용됐을 경우, Positive ion들이 모두 Negative ramp pulse가 인가된 Scan전극으로 모이는 현상 때문에 기존 Reset파형에 의한 방전일 때보다 낮은 전압에서의 초기방전을 발생시키므로 Reset에 소요되는 시간과 전압을 감소시킬 수 있다.

As the minimum feature size decreases, it is more difficult to control critical contaminant particles. For 16GB flash memory introduced by Samsung a few months ago, 50nm process was used and in this case, contaminant particles as small as 25nm should be control led. The particle beam mass spectrometer (PBMS) was developed to directly sample particles at pressures down to 100 mtorr. This instrument is sensitive to small particles (>5nm) produced in low concentrations ($>20cm^{-3}$). The PBMS has proved to be effect ive in measuring particles generated during semi-conductor fabrication processes, such as low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of thin films. The operating principle of the PBMS and some measurement results are reviewed in this paper.

PZT는 높은 분해능을 구현할 수 있는 구동기이지만 그 구동 범위가 협소하다는 단점이 있다. 최근에는 이러한 단점을 극복하기 위한 여러가지 메커니즘들이 제안되고 있다. 본 논문에서는 PZT를 이용하여 넓은 범위의 높은 분해능을 갖는 회전형 스테이지를 개발하였다. 개발되어진 회전형 스테이지는 빔 형태의 예압구조를 이용하였으며 일정한 마찰력을 구현하기 위하여 알루미나와 오닉스를 사용하였다. 대 변위와 미소변위를 동시에 구동하기 위하여 Dual mode control을 적용하였다. 또한 레이지 간섭계를 이용하여 구동기의 최대속도와 분해능을 측정하였으며 Sinsweep를 이용하여 구동기의 주파수 응답을 구하였다.

In order to design an evaporation system, geometric simulation of film thickness distribution profile is required. In this paper, a geometric modeling algorithm is introduced for process simulation of the evaporating process. The physical fact of the evaporating process is modeled mathematically. Based on the developed method, the thickness of the thin-film layer can be successfully controlled.

고정세 PDP에서 방전 cell의 휘도와 효율을 증가시키기 위해서는 cell을 구성하고 있는 layer의 광학 성질과 구조를 고려한 설계가 필요하다. 3-dimensional optical code를 사용한 새로운 접근 방법은 다양한 geometry의 구성, 광학 성질의 적용의 용이함, 정확한 분석 데이터 등의 장점을 활용하여 PDP cell의 구조와 재료 변화에 따른 광 패턴과 조도 ($1m/mm^2$)를 관찰함으로써 향상된 휘도와 효율 특성을 갖는 cell 구조를 설계할 수 있게 된다. 본 논문은 PDP 상판을 구성하는 ITO, bus electrode, dielectric layer의 구조와 광학특성을 변화 시키고, 현재 양산 모델에 적용중인 다양한 상판 구조를 optical code를 활용하여 연산하여 도출된 결과를 비교하였다.

In this paper, we prepared Al doped ZnO thin films by using facing targets sputtering method. Al doped ZnO thin film was deposited with different working pressure on flexible substrate. We prepared Al doped ZnO thin film at room temperature, because the flexible substrate has weak thermal resistance. From the results, we could obtain thin film with a resistivity of $8.4{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, an average transmittance of over 80% and a film thickness of 200nm.

플라스마 디스플레이는 패널내부에 진공상태를 요구하며 작동 중에 발생하는 불순가스에 의해 진공도가 떨어져 소자 수명, 휘도, 방전 개시 전압 등 많은 부분에 문제를 야기시킨다. 이에 불순가스 발생의 원인을 규명하기 위해 PDP에 상용적으로 사용되는 유연 유전체를 이용하여 열적 거동에 의해 불순가스 발생과 고 진공에서의 표면 조도를 분석하였다. $100^{\circ}$에서부터 $H_{2}O$의 가스가 발생되며 $300^{\circ}C$이상에서는 $CO_2$와 함께 가스가 발생하였다. 고 진공에서 표면조도는 상온에서부터 상승하다가 유리 전이점에서 감소하며, 다시 연화점 이상에서 상승하는 것으로 나타났다. 이와 같은 결과는 PDP에서 불순가스 발생의 원인을 규명하기 위한 기초적인 실험이라 할 수 있다.

본 논문에서는 물을 이용한 193nm immersion lithography에서 물이 photoresist(PR)에 흡수되는 현상을 측정하기 위하여 타원해석기(Ellipsometer)의 응용 가능성을 연구하였다. 물이 PR 에 흡수됨에 따라 swelling 현상이 발생하여 두께 증가로 나타났는데 이는 실시간 타원해석기를 적용하여 시간에 따른 두께 변화를 분석함으로써 그 반응정도를 분석해 낼 수 있었다. 또한 짧은 시간에 발생하는 물의 흡수 현상은 imaging 타원해석기론 이용하여 규명할 수가 있었다.

반도체를 만드는데 있어서 여러가지 박막을 형성하는 공정이 있다. 이때 가장 많이 쓰이는 방법이 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법이나 PVD(Physical Vapor Deposition)방법이다. 이들 방법으로 막을 형성하게 되면, 웨이퍼 이면에도 막이 형성되게 된다. 웨이퍼 후면에 증착된 막은 공정 특성상 두께분포가 균일하지 못하고 다음 공정 중에 웨이퍼 전면을 오염시킬 수 있다. 후면의 박막이 있는 상태로 웨이퍼가 batch 방식의 습식공정이 진행되면, 후면의 박막이 떨어져 나와서 웨이퍼 전면을 오염시키게 된다. 또한 공정에 따라서 기판전면은 식각 시키지 않고 후면만 식각 시키는 경우가 발생하는데, 이때 웨이퍼 아래에 설치된 노즐을 사용하여 웨이퍼 후면의 박막을 식각할 수 있다. 본 연구는 노즐에서 약액이 분사되는 방향과 위치를 조절하여 매엽식 장비에서 웨이퍼 후면의 막을 균일하게 식각 시킬 수 있는 노즐을 제작하고 웨이퍼 후면의 $Si_{3}N_{4}$막을 분당 $1000{\AA}$이상 식각 하였으며 균일도를 5% 이하로 하였다.

현재 반도체 습식식각 공정에 사용되고 있는 방법은 batch식과 매엽식이 있다. batch식 식각방법은 매엽식보다 throughput이 많은 반면 식각균일도는 떨어진다. 매엽식은 웨이퍼를 회전시키면서 약액을 분사할 때 Boom swing을 하여 균일하게 식각할 수 있다. 본 연구에서는 Boom swing이 없는 구조의 매엽식 장비에서 약액이 상온과 고온일 때 $SiO_2$막을 식각하여 비교하였다. 각각의 조건에서 식각량의 분포와 균일도의 변화에 대해서 알아보았으며, 실험평가시 분사된 약액의 온도분포를 이론적으로 계산하여 실제 실험결과와 비교하여 보았다. 식각균일도는 batch식 보다 매엽식 스핀방식이 균일하였으며, 약액분사 방법은 boom swing을 하는 것이 더 균일하였다.

Gadolinium-substituted bismuth titanate, $Bi_{3.3}Gd_{0.7}Ti_{3}O_{12}$, thin films were successfully fabricated on Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates by a MOCVD process. Fabricated BGT thin films were found to be random oriental ions, which were confirmed by X-ray diffraction and scanning electron microscope analysis. The remanent polarization value ($2P_r$) of the BGT thin film annealed at $720^{\circ}C$ was $45.13{\mu}C/cm^2$, at an applied voltage of 5 V. The BGT thin film exhibits a good fatigue resistance up to $1{\times}10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz with applied voltage of 5 V. These results indicate that the randomly oriented BGT thin film is a promising candidate among ferroelectric materials useful in lead-free nonvolatile ferroelectric random access memory applications.

Lead-free bismuth-layered perovskite ferroelectric europium-substituted $Bi_{4}Ti_{3}O_{12}(BTO)$ thin films have been successfully deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by a sol-gel spin-coating process. $Bi(TMHD)_3,\;Eu(THMD)_3,\;Ti(OiPr)_4$ were used as the precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. The thin films were annealed at various temperatures from $600^{\circ}\;to\;720^{\circ}C$ in oxygen ambient for 1 hr, which was followed by post-annealed for 1 hr after depositing a Pt electrode to enhance the electrical properties. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the crystallinity and surface morphology of layered perovskite phase, respectively. The remanent polarization value of the BET thin films annealed at $720^{\circ}C\;was\;25.95{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V.

To produce fine structure with uniform surface of barrier ribs in PDP, acid etching process has been used in manufacture process. It is necessary to understand the mechanism of etching, particularly on the interface of ceramic fillers and matrix glass. We investigated the effect of ceramic fillers (ZnO, $Al_{2}O_3$) on the microstructure of borate glass system to find an etching mechanism of barrier ribs. The harrier ribs was etched with a several steps, dissolving a small amount of residual glass, taking out alumina fillers, and removing a cluster type of ZnO fillers and glass matrix.

Recently, high vacuum pumps are widely used in the semi-conduction and liquid-crystal display ( LCD ) process. The composite-type high vacuum pumps are widely used in the various processes. In this study, the pumping performance of composite-type molecular pumps has been investigated experimentally. The experimented pumps are a compound molecular pump ( CMP ) and hybrid molecular pump ( HMP ). The CMP consists with helical-type drag pump, at lower part, and with turbomolecular pump ( TMP ), at upper part. The HMP consists with disk-type drag pump, at lower part, and with TMP, at upper part. The experiments are performed in the outlet pressure of $0.2\;{\sim}\;533\;Pa$. We have measured the ultimate pressure, compression ratio, and pumping speed

본 논문에서는 HDPCVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 RF Power, Gas, 산소 등의 공정조건과 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착율, 균일성 및 굴절율에 관한 주효과와 교호작응을 정량적으로 규명하고, 산화막 증착에서 관심의 대상이 되는 여러가지의 반응변수를 모두 만족시키는 최적의 공정조건을 제시한다. 실험의 효율성을 높이기 위해 통계적인 실험계획법을 활용하여 실험의 회수를 줄이는 한편 반응모델링을 통하여 입력변수와 반응변수의 관계를 시각적으로 도식화 한다. 실험을 통하여 현재 사용되고 있는 공정조건에 대한 개선점을 발견하였으며, 수립된 모델을 바탕으로 한 반응최적화 알고리즘을 통하여 세 가지 반응변수 모두 만족시킬 수 있는 5가지의 입력조건을 제시한다.

평면 광도파로 코어로 사용되는 SiON (Silicon oxynitride)과 클래딩으로 사용되는 $SiO_2$ (Silicon oxide)의 굴절률 차이가 2.5 %인 고굴절률차 평면 광도파로용 SiON 박막을 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)로 제작하였다. PECVD에 사용된 가스는 $SiH_4,\;NH_3,\;N_{2}O$이고, Si 기판의 $SiO_2$ 막은 100 nm이다. 가스의 비율에 따라 SiON 막의 굴절률은 633 nm의 파장에서 1.476에서 1.777까지 변화하였다. 코어로 사용되는 SiON의 두께는 $2.5{\mu}m$이고 클래딩과의 굴절률 차이는 2.5 %였다.

평면 광 신호 분리기와 광 케이블의 정밀결합을 위하여 V-groove를 제작하였다. V-groove 는 실리콘웨이퍼 (100) 면을 KOH 용액으로 선택적 습식 식각하여 제작되었다. V-groove 를 효과적으로 제작하기 위하여 KOH 의 조성 (10, 20, 30, 33, 40 wt%)과 온도 (50, 60, 70, $80^{\circ}C$)를 변화시켜 식각률과 표면조도를 측정하였다. 식각률은 $80^{\circ}C$에서 20 wt.% KOH 로 식각했을 경우 $1.84{\mu}m/min$ 로 가장 빨랐으며, 표면조도는 $80^{\circ}C$에서 33 wt.% KOH로 식각했을 경우 1.6nm로 가장 양호하였다.

이온주입으로 비정질화된 실리콘의 재결정화 및 활성화에 대한 실험을 전기로를 이용하여 수행하였다. 비정질 실리콘이 결정화 및 활성화가 이루어지면 전계효과 이동도가 좋아진다. 이동도가 향상되면 저항이 작아지고, 이로 인하여 소자의 크기가 작아질 수 있어 소형화가 가능해진다. 결정화 정도를 확인하는 방법으로 Four point probe를 이용한 면저항 측정과 라만 peak 측정을 이용하였다. 이온주입 후 비정질화된 실리콘의 재결정화를 통해서는 $600\;^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 값이 가장 많이 결정화가 되었다는 것을 알 수 있었다.

.고상반응법 (solid state reaction)합성된 ZnS:Mn,Cu,Cl 형광체는 약 $20^{\sim}25{\mu}m$ 의 구형이고, Cubic/hexagonal 구조를 보였다. Electroluminescent device(ELD)는 실크 스크린된 형광층(ZnS:Mn,Cu,Cl)/유전체층 ($BaTiO_3$)으로 구성되었으며, 각층은 $30^{\sim}50{\mu}m,\;50^{\sim}60{\mu}m$ 정도로 도포 하였다. 100 V-400 Hz 의 구동조건에서, ELD 의 백색 발광은 450 nm, 480 nm 픽에서 각각 $Cl_s{\to}Cu^{+}\;_{Zn},\;Cl_s{\to}Cu^{2+}\;_{Zn}$ 전이에 의해 중첩된 청색, 녹색 밴드의 발광과, 580 nm 픽에서 Mn 의 $^{4}T_1{\to}^{6}A_1$ 전이에 의한 황색 밴드의 발광으로 이루어진다. Cu 농도의 증가에 따라 450 nm 의 발광 밴드의 휘도는 감소하며 580 nm 의 발광 밴드의 휘도가 증가하였고 발광 휘도가 향상되었다. 즉, 색온도가 높은 cold white(10000 K)에서 색온도가 낮은 Warm white(3000 K) 로 변한다. 이것은 450 nm 의 발광 밴드가 580 nm 의 발광 밴드에 흡수되는 에너지 전이 (Energy transfer) 현상에 기인한다. ZnS:Mn,Cu,Cl 의 Mn 1.5 wt %, Cu 2.5 wt.% 에서 최적 발광 휘도를 보이며, 100 V-400 Hz 에서 약 $12cd/cm^2$이였다.

6자유도계를 실시간 해를 풀 수 있는 이론을 배경으로 실제 여러 형태로 제작이 시도 되고 있다. 기구적인 간단함은 있지만, 비선형적인 6개의 축을 실시간 수식적으로 풀어낸다는 것은 쉽지 않다. 실제현장에서 설계에 적용시키기 위해서는 시뮬레이터를 개발하여 대면적, 고 하중용 등 다양한 스테이지 계를 쉽게 적용할 수 있어야 한다. 본 논문은 대면적용 스테이지 계를 적용하면서 문제점들을 고찰해 보고자 한다.

디스플레이 장치를 제조함에 있어 Lithography 공정은 매우 중요한 공정으로 인식되고 있으나 아직까지 Lithography 장비의 국내 기술개발 수준은 선진사에 비해 많이 뒤져있다고 볼 수 있다. 최근 디스플레이 산업의 폭발적인 성장과 더불어 보다 확실하고 안정적인 생산을 위해서는 Lithography 장비의 국산화 기술개발이 시급한 상황이다. 현재 시중에 나와 있는 제품의 경우 mask holder part의 과도한 중량으로 인해 교체의 어려움이 있고 그로 인해 장비의 자동화에 걸림돌이 되고 있는 상황이다. 본 연구는 Lithography 장비를 구성하는 핵심기술요소 중 mask holder part의 경량화 설계를 위한 최적 조건을 구조해석을 통해 찾아보았다.

In this paper, cutting qualifies and fracture strength of silicon dies by laser dicing are investigated. Laser micromachining is the non-contact process using thermal ablation and evaporation mechanisms. By these mechanisms, debris is generated and stick on the surface of wafer, which is the problem to apply laser dicing to semiconductor manufacture process. Unlike mechanical sawing using diamond blade, chipping on the surface and crack on the back side of wafer isn't made by laser dicing. Die strength by laser dicing is measured via the three-point bending test and is compared with the die strength by mechanical sawing. As a results, die strength by the laser dicing shows a decrease of 50% in compared with die strength by the mechanical sawing.

In this paper, the new method which is monitoring quantity of particles using by ion-counter has been developed. ISPM system is composed by Gerdien type ion-counter (house-made), DC power supply and electrometer. Ion-counter applied positive voltage could detect only positive charged particles. Therefore charged particles to Boltzmann equilibrium distribution or to some identified charge distribution can be detected by ion-counter. Ion-counter could install on the exhaust line of process equipment since pressure loss is structurally low. ISPM system has been certified by comparison with the result of SMPS (Scanning Mobility Particle Sizer) system. The relation coefficiency is above 0.98 about $20{\sim}300nm$ particles with identified charge distribution under $0.1{\sim}10.0$ Torr.

ITO 투명전도막은 현재 FPD(flat panel display)소자의 전극으로 사용되고 있다. 특히 근래에 많은 연구가 진행되고 있는 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 소자의 제작에 투명전도막으로 많은 응용이 되고 있다. ITO 를 이용한 디스플레이 소자는 ITO 의 계면 상태와 전기적 특성에 따라 그 특성이 크게 변한다. 본 연구에서는 $O_2$ 플라즈마 처리를 통하여 ITO 투명전도막의 전기적 특성 및 표면상태의 변화에 대하여 조사하고, 이러한 특성 변화에 따라 현재 많은 연구가 진행되고 있는 OLED 소자의 제작에 응용하기 위하여 유기용액을 이용한 접촉각 측정을 통하여 $O_2$ 플라즈마 처리에 따른 ITO 투명전도막과 유기용액의 접착력에 대하여 고찰하였다.

본 논문에서는 레티넥스(Retinex) 이론을 이용한 영상개선 알고리즘을 분석하고, 이를 최적화하기 위한 알고리즘을 제안하였다. 기존의 알고리즘이 가진 큰 단점인 수행속도를 보완하기 위해 그리고 작아진 필터 크기 때문에 충분한 면적의 조명정보를 분석하지 못하는 단점을 보완하기 위해 우리의 알고리즘에는 주변함수의 필터크기를 원래의 알고리즘과 비교하여 보다 작은 크기로 조절함으로써, 연산속도를 대폭 감소시킬 수 있었고 4번째 채널로 흑백영상을 선택하므로 써 충분한 면적의 조명정보를 분석하지 못하는 단점을 보완하였다.

Surface contacts between mold and target should be in parallel for the imprinting mechanism. However, the size of contacting area makes it difficult for both mating surfaces to be in all contact because of precision level of the imprinting machine and the waviness of mold and target. The gripping force for both mold and target with the vacuum chuck is also major effect to interrupt the full contact, which must be avoided in imprinting mechanism. In this study, the preliminary study for the causes of non-uniformity of contacting surfaces such as mold and target is performed with $470{\times}370mm^2$ LCD panel size.