한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology)

한국반도체디스플레이기술학회 (The Korean Society Of Semiconductor & Display Technology)
권호 표지

전기로를 이용한 이온주입 실리콘의 재결정화 및 활성화

Recrystallization and activation of ion-implanted silicon using furnace

  • 가순식 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 유화숙 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 김영철 (한국기술교육대학교 신소재공학과) ;
  • 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부) ;
  • 조남준 (한국기술교육대학교 응용화학공학과) ;
  • 소병수 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 황진하 (홍익대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2006.05.01
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초록

이온주입으로 비정질화된 실리콘의 재결정화 및 활성화에 대한 실험을 전기로를 이용하여 수행하였다. 비정질 실리콘이 결정화 및 활성화가 이루어지면 전계효과 이동도가 좋아진다. 이동도가 향상되면 저항이 작아지고, 이로 인하여 소자의 크기가 작아질 수 있어 소형화가 가능해진다. 결정화 정도를 확인하는 방법으로 Four point probe를 이용한 면저항 측정과 라만 peak 측정을 이용하였다. 이온주입 후 비정질화된 실리콘의 재결정화를 통해서는 $600\;^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 값이 가장 많이 결정화가 되었다는 것을 알 수 있었다.

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