Flow modulation chemical vapor deposition process has been reported as an alternative way to obtain low resistivity, low residual chlorine content and good step-coverage titanium nitride film. Flow and concentration characteristics in a vertical FMCVD reactor are analyzed by using computational fluid dynamics method. The results show that 1.0 second as Cl reduction period is too short and there is still $TiCl_4$ gas above the holder at the end of the period. Time variation of $TiCl_4$ gas concentration on the holder shows that at least 3.0 second is necessary as Cl reduction time for the sake of film characteristics.

집적회로에서 발생되는 열은 회로의 불안정한 동작을 야기하여 시스템의 기능을 저하시키므로 동작중인 집적회로를 일정온도 이하로 유지 할 수 있는 장치가 요구된다. 현재 사용되는 방열 시스템은 대부분이 크기가 큰 공냉식이며 Heat sink의 크기로 인해 수냉식의 방열 시스템 역시 그 크기가 칩의 크기보다 매우 크다. 본 논문에서는 드라이 필름 레지스터를 사용하여 짧은 제작 기간과 적은 비용으로 Master를 제작하였다. 이 Master를 사용한 Replication 공정을 이용하여 칩의 패키지내에 삽입될 수 있는 Polymer Heat Exchanger를 제작하였다.

We develop Mueller-matrix spectroscopic ellipsometry based on dual compensator configuration. This technique is very powerful for measuring surface anisotropy in nano-scale, especially when materials show depolarization. Dual-rotating compensator configuration is adopted with the rotational ratio of 5:3 originally developed by Collins et al [1]. The instrument can provide 250-point spectra over the wavelength range from 230 nm to 820 nm in one irradiance waveform with minimum acquisition time of $Tc{\approx}10 s$. In this work, the results obtained in transmission modes are presented for the initial attempt. We present calibration procedures to diagnose the system from the utilize data collected in transmission mode without sample. We expect that the instrument will have important applications in thin films and surfaces that have anisotropy and inhomogeneity.

일반사용자들은 ellipsometer를 사용이 어려운 장비로 인식하고 있다. 본 연구는 초보자들이 손쉽게 사용할 수 있는 ellipsometer를 제작하는데 목적이 있다. 시편을 측정하기 전에 반드시 해야 할 과정인 alignment와 calibration을 하지 않고 측정할 수 있도록 제작하였다. 기본 구조는 rotating compensator spectroscopic ellipsometry를 이용하였으며 , 입사각을 70도로 고정시키고 기존의 sample holder 구조를 바꾸어 어떠한 시편을 놓아도 입사면이 변하지 알게 하여 calibration 이 요구되지 않는 ellipsometer를 개발하였다. 장비의 성능과 정밀도를 검사하기 위하여 여러 가지 표준시료를 측정하여 일반 RCSE와 측정결과를 비교하였다. 또한 고정된 입사면의 calibration값의 신뢰도를 검사하기 위하여 반복적으로 측정할 때마다 시편을 재배치하여 실험하였다.

단결정 실리콘의 이방성 습식식각을 위하여 KOH 용액을 사용하여 식각 특성을 관찰하였다. 식각율은 식각액의 온도와 농도에 따라 변하는 것이 관찰되었으며, 패턴 형성 방향과 식각액의 농도에 따라 식각 형태가 다름도 알 수 있었다. 식각용액의 농도 20wt0% 이고 식각 시의 온도가 $80^{\circ}C$ 이상에서는 알파벳 "U" 자 모양의 형태로 식각이 이루어지고, 그 이하의 온도와 농도에서는 "V" 자 모양의 식각형태가 이루어졌다.; 자 모양의 식각형태가 이루어졌다.

안테나 내장형 유도결합 플라즈마를 마그네트론 스퍼터링 장치에 추가하고 플라즈마의 생성 조건을 제어함으로써 고품질의 박막을 증착할 수 있는 장치의 개발 연구를 수행하였다. 정확한 장치의 성능을 평가하고 앞으로의 개선점을 찾기 위하여 Langmuir probe, OES, RF impedance probe, QMS 등의 플라즈마 진단 도구들을 사용하여 기본 동작 특성 및 공정중 플라즈마의 전자 온도, 밀도, 방출 파장 분석을 통한 입자 상태 분석, 부하 임피던스와 시스템 임피던스 분석을 통한 파워 전달 특성을 평가하고 이에 따라서 장치의 구성 및 동작 조건을 변경 개선하였다. 실험 대상 박막계는 기본 물성 측정을 위한 Al, Ag, TiN, MgO, Si, $SiO_2$, 등이며 타겟의 크기는 2인치 직경의 원형, 12인치 원형, 5인치 * 25인치 사각형 3가지 이다.

We developed a new systematic calibration procedure which was applied to the calibration of the diffusivity, segregation and TED model of the indium impurity. The TED of the indium impurity has been studied using 4 different groups of experimental conditions. Although the indium is susceptible to the TED, the RTA is effective to suppress the TED effect and maintain a steep retrograde profile. Like the boron, the indium shows significant oxidation-enhanced diffusion in silicon and has segregation coefficients at the $Si/SiO_2$ interface much less than 1. In contrast, however, the segregation coefficient of indium decreases as the temperature increases. The accuracy of the proposed technique is validated by SIMS data with errors less than 5% between simulation and experiment.

반도체 제조라인의 유틸리티 분야에 국내 기술이 도입되고 이에 따른 관리시스템 구축의 중요성이 부각되고 있으며 유틸리티 시스템의 한 부분인 냉각 시스템의 효율성 증대에 관심을 보이고 있다. 본 연구에서 펌프의 효율 계산 프로그램을 NUMS(New Utility Management System)에 반영하고 현재 가동중인 시스템인 NUMS와 같은 조건 하에서 정상상태 유동해석을 통하여 각 구성 요소에서의 유량 및 압력을 제공할 수 있는 시스템을 구현 하였고 NUMS와 압력비교를 하였다. 또한 효율성 증대를 위해 적절한 By-pass 밸브의 개도와 펌프 1대를 줄일 수 있는 결과를 얻었다. 이 결과는 차후 운전 및 관리의 효율성 증대와 에너지 절감을 위한 자료로 이용하고자 한다.

최근 logic 소자의 gate oxide로 기존의 $SiO_2$, SiON보다 고유전, 작은 누설전류를 가지는 물질의 개발이 중요한 이슈가 되고 있다. 본 실험실에서는 Si 기판위에 $HfO_2$ 를 바로 증착하는 경우, 기판의 Si 이박막내로 확산하여 유전율이 저하되는 문제점을 인식하고, 기판과 $HfO_2$ 사이에 $AlO_x$를 방지막으로 사용하였다. 이 때, $AlO_x$의 Al precursor 는 TMA 로 고정하고, 산화제로는 $H_2O, O_2$-plasma, O_3$ 를 각각 사용하였다. 모든 $AlO_x/HfO_y$ 박막에서 매우 우수한 누설전류특성을 얻을 수 있었는데, 특히 $O_3$ 를 산화제로 사용한 $AlO_x$ 방지막의 경우 가장 우수한 특성을 보였다. 또한 질소 분위기에서 $800^{\circ}C$ 10 분간 열처리한 후, 방지막을 사용한 모든 경우에서 보다 향상된 열적 안정성을 관찰할 수 있었다.

본 논문에서는 gate 산화막을 위한 Hf oxide 박막을 $Hf(dmae)_4$ (dmae=dimethylaminoethoxide) 전구체로 Direct Liquid Injection Metal Organic Chemical Vapor Deposition (DLI-MOCVD)방법을 이용하여 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 이 전구체를 이용하여 $150^{\circ}C$의 낮은 증착 온도에서도 낮은 carbon 농도와 roughness를 가지는 양질의 박막을 증착할 수 있었다. 증착된 박막은 비정질 구조를 나타내었지만 annealing 온도를 증가시킴에 따라서 결정성(monoclinic phase)을 나타내었다. $500{\AA}$으로 증착한 박막을 C-V 와 I-V curve를 통하여 전기적 특성을 평가하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 유효유전상수(k)는 증가하지만 열처리 온도가 $900^{\circ}C$ 이상이 되면 계면층의 형성에 의해 유효유전상수는 감소하게 되고 이에 따라 누설 전류도 감소하게 된다. 산소분위기 $800^{\circ}C$에서 annealing한 $HfO_2$ 박막의 유전상수는 20.1이고, 누설 전류 밀도는 SV에서 $2.2\times10^{-6}A/\textrm{cm}^2$ 로 좋은 전기적 특성을 가진다.

본 연구에서는 AD 변환기, QEP(Quadrature Encoder Pulse Circuit)등 모터 제어에 필요한 주변 소자의 디지털 제어를 통해서 AC 서보 모터의 벡터 제어를[3] 구현하고 시간 지연에 의한 노이즈를 최소화하기 위해 저 전압형 DSP인 TMP320F2812를 이용하였다. TMP320F2812는 MOS 타입으로 8 depth pipeline을 가진 Harvard bus 를 채택해서 최대 150MIPS의 고속 처리 능력을 갖고 있으며 12 비트의 AD 변환기 QEP 회로와 공간 전압 벡터 PWM을 발생시킬 수 있는 기능을 가진 모터 제어용 원칩 DSP이다 모터 제어에 필요한 주변 회로들을 내장한 DSP는 하드웨어적인 구성을 간소화시키고 이로 인한 비용 절감을 얻을 수 있다. 간단한 구조로 고속 연산을 하기 위해 TMP320F2812는 고정 소수점 연산 처리 방식[6]을 사용하게 되었다. 고정 소수점 연산 처리로 인한 오차는 각 변수에 대한 스케일링을 통해 유효 자리를 확보 하는 방법을 사용하였다.

본 연구에서는 $SiO_2/Si$ 기판 위에 $1.1\mu\textrm{m}$ 두께의 ZRO 압전층을 다양한 조건 하에서 증착하고, 그 특성을 분석하고, film bulk acoustic wave resonator 소자에 적용하였다. 증착조건으로 $Ar/O_2$ 유량비를 25-75 %로 변화시켰으며, working pressure는 3~15 mtorr, RF power는 213~300 W로 변화시켜가며 실험을 하였다. 증착된 ZnO 박막은 XRD (X-ray diffractomter)와 SEM (scanning electron microscopy)을 통해 특성이 분석되었다. LFE모드의 BAW 공진기는 $50\times50\mu\textrm{m}^2$ 공진면적을 가지며, $W/SiO_2$의 5층 Bragg reflector와 상하부 전극으로 $1800{\AA}$의 Al-3% Cu, 그리고 $1.4\mu\textrm{m}$ 두께의 ZnO 압전박막으로 구성되었다. 2.128-2.151 GHz 주파수 사이에서 공진이 일어났으며, Q factor는 400으로 측정되었다.

체적 음향파 공진기(Film bulk acoustic resonator, FBAR)는 2~10 Ghz 대역의 차세대 이동 통신용 구현에 필수적인 부품이기 때문에 국내외에서 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 FBAR 소자 제조를 위한 연구에서 원자층 증착(Atomic layer deposition, ALD) 방법에 의한 ZnO buffer layer 위에 스퍼터링 방법을 이용한 2-step 방법을 사용하여 제조하였다. ALD를 이용한 ZnO buffer layer는 diethylzinc(DEZn)/$H_2O$를 순차적으로 주입하여 증착하였다. 이 때 두 원료물질 사이에 고순도 Ar 가스를 purge gas로 사용하였다. 원료의 주입시간은 1초, 원료간 purge 시간은 23 초로 하고 증착하였다. 2-step 방법을 이용할 경우, 스퍼터링 방법만을 이용하였을 때 보다 우수한 c-축 배향성 및 박막의 표면형상이 관찰되었다. 2-step 방법을 FBAR 소자 제작에 적용할 경우 보다 우수한 특성의 공진기를 제작할 수 있을 것으로 기대된다.

본 연구는 nano-level 디바이스 제조를 위한 새로운 금속 전극인 W 과 Ti metal 표면 세정에 관한 연구이다. 기존 $SC-1(NH_4OH/H_2O_2/H_2O)$ 세정 용액에서 산화제 ($H_2O_2$)를 사용하지 않는 dilute $NH_4$OH 세정은 전극 사이 절연막 표면의 particle 제거가 가능하면서 노출된 metal 막의 세정 damage를 최소화 시키는 것을 확인했다. SC-1 용액 내에 산화제 미 첨가 효과는, metal 막의 식각 현상을 억제시키고, 절연막 표면의 particle 제거 효과에 영향을 미치지 않는 것으로 판단된다. 이러한 방법은 short time 공정이 필요한 관계로, spin type wet 장비 채택으로 세정 효과의 극대화를 얻을 수 있을 것으로 판단된다.

TFT-LCD 모니터 및 TV의 핵심부품인 TFT/Color Filter를 제조하는 공장라인에서 제품의 품질에 중요한 역할을 하는 것은 유리기판에 TFT와 Color Filter을 형성시키는 노광공정(Exposure)이다. 이러한 TFT/Color Filter를 생산하는 공정내에서 노광기는 핵심기술이므로 진동에 대하여 엄격하게 관리되어지고 있다. 그리고, TV 및 TFT-LCD 모니터의 크기가 큰 것을 사용자의 요구로 TFT/Color Filter 생산 공장은 세대가 거듭될수록 사용되어지는 유리기판의 크기도 따라서 커지고 있다. 이러한 유리기판의 크기 증가는 공정라인에서 진동에 더욱더 취약해지는 결과를 초래하므로 보다 엄격하게 진동관리가 필요하게 된다. 이에, 본 논문에서는 기존 세대인 1～5세대 TFT-LCD 공장 현장에서 노광기의 진동실태를 수집하여 파악하고 Maker에서 제시하는 자료와 비교/평가하고, 문제점을 확인한다. 이를 기초로 수정/보완되어야 할 사항을 검토하며, 차세대인 6∼7세대 노광기에 대한 진동저감 대책을 위한 시스템을 설계하는 절차서에 대한 예를 들었으며, 최적의 진동저감 대책에 대한 설계안의 방향을 제시하였다.

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 응용 분야에 있어서 RF나 Optic등에 응용되는 금속 구조물이나 배선을 위한 도금, 두꺼운 구조물의 식각등을 위해서 수십 um두께의 감광막이 필요하다. 특히 이러한 감광막은 도금을 위한 전단계에서 몰드 형성에 이용되는데 그 이유는 제작이 용이할 뿐만 아니라 다양한 두께 형성이 가능하고 금속과의 선택적 제거가 쉬운 장점이 있다. 감광막 몰드가 갖추어야 할 조건으로는 수직에 가까운 측면 기울기, 두께, 도금액에 대찬 저항성을 들 수 있으며 그 중에서 측면 기울기 개선에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 논문에서는 감광막의 형상에 영향을 주는 요인을 찾아내고 수식모델링을 통해 측면 기울기를 예측하고자 한다.

Gate 산화막을 high-k 물질인 $HfO_2$ 박막을 이용하여 N-type MOS field effect transistor를 제작하였다. 전극은 poly-Si 전극을 사용하였다. Gate 산화막은 ALD 로 $Hf(N(CH_3)_2)_4$ 원료를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 형성하였다. 산화제는 $H_{2}O$ 와 $O_3$ 를 사용하였는데, $H_{2}O$ 가 약간 우수하였으나 그 차이는 크지 않았다. $HfO_2$ 를 증착하기 전에 in-situ 로 $O_3$ 를 흘려 줌으로써 $SiO_2$를 얇게 형성하였는데, 이 결과 threshold voltage 가 약 0.2V 높아지고 saturation current 가 커지는 것이 관찰되었다. 이러한 결과는 $HfO_2$ 박막을 직접 channel 위에 증착하는 것보다 $O_3$ 를 이용 얇은 $SiO_2$ 를 형성하고 그 위에 $HfO_2$ 박막을 증착하는 방법이 transistor의 특성을 향상시키는 데 도움이 된다.

1.8V 구동전압에서 10Mbps 이상의 높은 데이터 전송율을 갖는 새로운 광선로 수신기를 제작하였다. 10Mbps 입력신호 (duty ratio=50%, VIL(저준위 입력전압) = 0.5V, VIH(고준위 입력전압) =1.5V)에 대한 제작된 소자의 평균 출력 전압은 VOL(저준위 출력전압) = OV, VOH(고준위 출력전압) =1.15V로 나타났으며, 1.5V 고준위 입력전압 아래에서 평균 소비전류는 4.6mA로 나타났다.

Carbon nanofibers (CNF) with uniform diameter and controlled size could be prepared from catalytic decomposition of $C_2H_2$ with the catalyst treated by mechnochemical(MC) process. The distribution and size of Ni catalyst can be governed by tuning grinding time using MC process. As a result, size and structure of CNF can be controlled. The effect of grinding time to the as-grown CNF was checked. CNFs with diameter from 10-70nm can be synthesized. CNFs with bundle formation sharing one tip were found for MC treated catalyst.

본 연구에서는 고분자 전해질 연료전지의 촉매 슬러리 함침 도구와 전극 촉매층 형성 방법이 전극 성능에 미치는 영향을 조사하였다. 촉매 슬러리 함침 도구는 브러쉬, 스프레이 건, 스크린 프린터를 이용하였으며, 전극 촉매층 형성 방법은 스크린 프린터를 이용하여 고분자 전해질 막 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법, 카본 페이퍼 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법과 위의 두 방법을 결합하여 전극 촉매층을 형성하는 방법으로 구분하였다. 스크린 프린터로 제조된 전극은 브러쉬와 스프레이 건으로 제조된 전극들과 비교하여 백금 함침량을 50% 이상 줄일 수 있었으며, 고분자 전해질 막 위에 전극 촉매층을 형성하는 방법과 카본 페이퍼에 전극 촉매층을 형성하는 방법을 결합한 전극이 $1A/\textrm{cm}^2$에서 0.6V로 가장 좋은 I-V 특성을 나타내었다.

본 논문은 파이렉스 #7740 유리박막을 이용한 MEMS용 MLCA와 Si기판의 양극접합 특성에 관한 것이다. 최적의 RF 마그네트론 스퍼터링 조건(Ar 100 %, input power $1W/\textrm{cm}^2$)하에서 MLCA 기판위에 파이렉스 #7740 유리의 특성을 갖는 박막을 증착한 후 600 V, $400^{\circ}C$에서 1시간동안 양극접합했다. 그 다음에 Si 다이어프램을 제조한 후, MLCA/Si 접합계면과 MLCA 구동을 통한 Si 다이어프램 변위특성을 분석 및 평가하였다. 다이어프램 형상에 따라 정밀한 변위 제어가 가능했으며 0.05-0.08 %FS의 우수한 선형성을 나타내었다. 또한, 측정동안 접합계면 균열이나 계면분리가 일어나지 않았다. 따라서, MLCA/Si기판 양극접합기술은 고성능 압전 MEMS 소자 제작공정에 유용하게 사용가능할 것이다.

Amorphous GaN Quantum dots(a-GaN QDs) with particle diameters less than bohr radius(~11nm) were successfully fabricated at room temperature by a laser ablation of high densified GaN target. Transmission electron microscopy, SAED diffraction pattern and X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of a-GaN QDs with particle size of 7.9, 6.9, 4.4nm under the Ar gas pressures of 50, 100 and 200 Pa, respectively. The room temperature PL and absorbance spectra showed a strong band emission centered at 3.9 eV in a-GaN QDs made under the gas pressures of 100 and 200 Pa, which is nearly 0.5eV blueshifted with respect to the bulk crystal band gap.

In this paper, a micromachined low-loss and ultra wide band reflection-type phase shifter (RTPS) is proposed. The phase shifter shows a constant phase shift from 5 to 17 GHz and consists of two cascaded reflection-type phase shifter. Low-loss reflection termination consists of digital capacitive switches, and air-gap overlay CPW couplers are used in order to employ the low-loss 3 dB coupling. The fabricated phase shifter showed the 5 discrete states, $0^{\circ},{\;}22.5^{\circ},{\;}45^{\circ},{\;}67.5^{\circ},{\;}90^{\circ}$ respectively, the average insertion loss of 3.48 dB, and maximum rms phase error of ${\pm}1.80^{\circ}$ for the relative phase shift from $0^{\circ}{\;}to{\;}90^{\circ}$ over 5-17 GHz.

We investigated the effect of the abrasive and additive concentrations in Nano ceria slurry on the pad surface temperature under varying pressure through chemical mechanical polishing (CMP) test using blanket wafers. The pad surface temperature after CMP increased with the abrasive concentration and decreased with increase of the additive concentration in slurries for the constant down pressure. A possible mechanism is that the additive adsorbed on the film surface during polishing decreases the friction coefficient, hence the pad surface temperature gets lower with increase of the additive concentration. This difference of temperature was more remarkable for the higher concentration of abrasives. In addition, in-situ measurement of spindle motor was carried out during oxide and nitride polishing. The averaged motor current for oxide film was higher than that for nitride film, which means the higher friction coefficient.

저온 소성이 가능한 유전체재료 개발을 글래스-세라믹스 복합체를 제조하고자 하였다. $BNT(BaO-Nd_2O_3-TiO_2)$계 세라믹스를 기본조성으로 하고, 인산염계 글래스 프릿의 첨가를 통해 제조된 글래스-세라믹스 복합체의 소결특성 및 유전특성을 조사하였다. 글래스 프릿의 첨가량이 증가하고 소결온도가 높아질수록 소결 수축률과 상대밀도가 증가함을 알 수 있었으며, 글래스 프릿의 첨가량을 첨가하였을 경우 BNT계 세라믹스에서의 주결정상인 $BaNd_2Ti_5O_{14}$와 더불어 Hexagonal system을 갖는 $KCaNd(PO_4)_2$을 확인하였다. 복합체를 소결한 후 유전특성을 측정하였는데, 유전율(${\varepsilon}_r$)은 감소하는 경향을 나타내었다.

Low dielectric constant SiOC(-H) films have been prepared by inductively coupled plasma chemical vapor deposition using bis-trymethylsilyl-methane (BTMSM) and $O_2$ precursors. The annealing effects on the structural and electrical properties were studied. The results indicate post-annealing could efficiently remove the hydroxyl (-OH) related groups from the as-deposited films and cause the chemical structure re-arrangement, resulting in the more nano-pores being formed in the annealed SiOC(-H) films. The dielectric constant decreased from 2.7 to 2.1, and the refractive index decreased from 1.427 to 1.32.

This paper deals with the stress singularity induced at the interface corner between the viscoelastic thin film and the rigid substrate subjected to the combined influence of temperature change and moisture absorption. A boundary element analysis is employed to investigate the behavior of interface stresses. The film is assumed to be thermorheologically simple. It is further assumed that moisture effects are analogous to thermal effects. Numerical results are presented for a given viscoelastic model, indicating the singular residual stresses induced during cooling down from the curing temperature, and how they can be altered by subsequent moisture absorption at room temperature.

Semiconductor chip encapsulation process is employed to protect the chip and to achieve optimal performance of the chip. Expert decision-making to obtain the appropriate package design or process conditions with high yields and high productivity is quite difficult. In this paper, an expert system for semiconductor chip encapsulation has been constructed which combines a knowledge-based system with CAE software.

In the present study, the piezoelectricity and polarization of multilayer ceramic actuator, being designed to stack PMN-PZ-PT ceramic layers and Ag-Pd electrode layers alternatively, were investigated under a consideration of geometric factor, the volume ratio of the ceramic to the electrode layers. The actuators were fabricated by tape casting of $0.2Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3)O_3-0.38PbZrO_3-0,42PbTiO_3$ followed by lamination and burnout & co-firing processes. The actuators of $10\times10\times0.6~2\textrm{mm}^3$ in size were formed in a way that $60 ~ 200\mu\textrm{m}$ thick were stacked alternatively with $5\mu\textrm{m}$ thick electrode layer. Increases in polarization and electric field-induced displacement with thickness of the ceramic layer were attributed to change of $90^{\circ}$/$180^{\circ}$ domain ratio, which was affected by interlayer internal stress. The piezoelectricity and actuation behaviors were found to depend upon the volume ratio (or thickness ratio) of ceramic to electrode layers.

Telematic and new programming technologies support the increasing demand of education and training leading to the delivery of computer based learining systems open to distance and continuing education. Using LabVIEW, we designed and implemented an interactive learning environment for practice on electronics measurement methodologies. The environment provides remote access to real and simulated instrumentation and guided experiments on basic circuits. The environment is applied to the education and training on electronics for engineers in the field of semiconductor industry.

This paper presents a 3-axis fine positioning stage. All the procedure concerning the design and fabrication of the stage are described. The stage considered here is composed of flexure hinges, piezoelectric actuators and their peripherals. A special flexure hinge is adopted to be able to actuate the single stage in three axes at the same time. A ball contact mechanism is introduced into the piezoelectric actuator to avoid the cross talk among the axes. The final design is obtained with the theoretical analysis on the stage. An actual fine stage is developed and the design specifications are verified through an experiment.

We have suggested an equivalent circuit model for switching performance of bipolar spin transistor composed of a nonmagnetic metal film (N) sandwiched between two ferromagnetic metal films (F1 and F2). The 'ON' or 'OFF' operation of this equivalent circuit model is simulated by depending on the orientation of the magnetization of F1 and F2 rather than the strength of the external magnetic filed. Changing the coupling coefficient, turn number of two inductances, (L1:L2) like a transformer, and parallel variable resistance R4 connected to L2 at the collector region, we can explain the magnetic characteristics and the dependence of magneto resistance ratio on the orientation of spin-polarized electrons.

Film growth of InP and GaAs using TMIn, TMGa, TBAs and TBP is numerically predicted and compared to the experimental results. To obtain exact thermal boundary conditions at the reactor walls, the gas flow and heat transfer are analyzed for full three-dimensional reactor including outer tube as well as the inner reactor parts. The results indicate that the exact thermal boundary conditions are important to get precise film growth rate prediction since film deposition is mainly controlled by the temperature dependent diffusion. The results also show that thermal diffusion plays an important role in the upstream region.

Identification method is formulated to evaluate the dynamic characteristics of air bearings under NFR (Near Field Recording) sliders. Using dynamic analysis, impulse responses and frequency response functions of NFR sliders are obtained on numerical non-linear models including rigid motion of slider and fluid motion of air bearing under the slider. System parameters are identified by modal analysis method and instrumental variable method. The identified system parameters of sliders are utilized to evaluate the dynamic characteristics of air bearings.

In this study, the geometric modeling has been conducted for a new model of 12 inch hot-cold chuck using three-dimensional solid modeler, SolidWorks. Then, the heat transfer analysis and the thermal deformation analysis using FEM have been performed. The results of the analysis show the temperature distribution and the deformed shape of a new model of 12 inch hot-cold chuck. The evaluation for the surface flatness of a new model has been performed based on the deformed shape obtained from ANSYS.