A nanoelectromechanical (NEM) switching device based on carbon nanotube (CNT) was investigated using atomistic simulations. The model schematics for a CNT based three-terminal NEM switching device fabrication were presented. for the CNT-based three-terminal NEM switch, the interactions between the CNT-lever and the drain electrode or the substrate were very important. When the electrostatic force applied to the CNT-lever was the critical point, the CNT-lever was rapidly bent because of the attractive foroe between the CNT-lever and the drain. The energy curves for the pull-in and the pull-out processes showed the hysteresis loop that was induced by the adhesion of the CNT on the copper, which was the interatomic interaction between the CNT and the copper.

분자 위치제어 메모리 시스템에 대하여 고전적인 분자동역학을 이용하여 결합에너지 및 다양한 외부전압의 형태에 따른 셔틀 풀러렌 동작에 관하여 연구하였다. 단일 나노피포드 형(single-nanopeapod type)은 질화붕소 나노튜브(boron-nitride nano tube) 속에 세 개의 엔도풀러렌(endo-fullerene)과 양쪽 끝에 구리 전극이 채워져 있는 구조를 갖고 있는 구조를 갖고 있다. 결론적으로, 분자동역학 시뮬레이션 결과로부터 이 나노메모리 시스템은 비휘발성임을 알 수 있었다. 안정적인 bit 변화를 위해서는 단일 나노피포드 형은 0.1 eV/$\AA$ 외부전압이 필요로 함을 알 수 있었다.

Phosphor powders of zinc gal late added with Mg and rare-earth elements were prepared by sol id state reaction to improve luminescent properties. Green emitting $ZnMnGa_{2}O_{4}$ reached maximum intensity at Mn=0,005 mole$\%$ and further improvement was achieved by addition of $Mg^{2+}$. Tm, Mg-added zinc gallate phosphor exhibited a strong blue band emission, peaking at about 420 nm with the maximum intensity at the concentration of 0.003 mole$\%$ Mg and 0.015 mole$\%$ Tm. Deepening of the potential wells of the ground and excited states was suggested to be the cause for the enhancement in emission intensity at optimal doping of Mg and Tm.

Catalytic performance of Co catalysts supported on MgO for the formation of multiwall carbon nanotubes (MWCNTs) Having 40-60 nm in diameter has been investigated through acetylene decomposition at $600^{\circ}C$. Scanning electron microscopy measurements show that the nanotubes are chain and coiled structures whereas x-ray diffraction patterns indicate the formation of MWCNTs with Co nanoparticles. In addition Raman spectra confirms the format ion of MWCNTs due to presence of characteristic radial breathing mode along with D and G bands.

디스플레이 모듈에서 hot plate를 이용한 이방 전도성 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film) 접합의 공정을 고출력 다이오드 레이저를 이용한 공정으로 대체하였다. 다이오드 레이저를 이용한 ACF 접합은 공정 시간을 기존보다 줄일 수 있으며 평탄도 및 응용성에 있어서 hot plate 공정보다 뛰어나다. 또한 다양한 샘플에도 지그 및 레이저광의 자유로운 변형으로 응용성이 매우 뛰어나다. 에너지 분포가 고른 선광을 이용하여 ACF 접합을 수행하였다. 레이저 에너지 밀도 $100\;W/cm^2$, 압력 20 kg, 레이저 조사시간 4초 이상에서 800 gf/cm 이상의 인장력을 얻을 수 있었고 기존의 공정 시간을 두 배 이상 단축하였다.

In the case of a sensitive equipment, it require a vibration free environment to provide its proper function. Especially, lithography and inspection device, which have sub-nanometer class high accuracy and resolution, have come to necessity for producing more improved Giga Class semi conductor wafers. The aim of this study is to evaluate the allowable vibration response of a precision inspect ion equipment, which has some trouble in field, by using experimental measurement data and to proposal a proper ant i-vibration method.

플렉서블 디스플레이를 이용한 대 화면의 디스플레이 제작을 위해, 굽혀짐이 가능한 디스플레이용 재료, 장비, 공정 기술 개발이 활발하게 추진 중이지만, 상용화로 제품이 출시되기에는 상당한 시일이 소요될 것으로 예상되므로, 대 화면을 요구하는 시장 환경에 부응하여 접이식 디스플레이 장치가 대안이 될 수 있다. 따라서 접이식 디스플레이 패널 제작 시에 패널을 구동하기 위해, 이음매를 최소로 하는 접이식 구동 임베디드 모듈의 개발이 요구되고 있으며, 이러한 요구에 발맞추어 새로운 시스템 개발 시마다 변형된 표준에 부응한 경쟁력 있는 핵심 칩 개발용 임베디드 모듈이 제안되었고, 임베디드 모듈은 추후 칩 기능 최적화의 시스템 온칩화(System On Chip)를 통하여 시스템의 프로세서와 주변 디바이스에 접목되어 사용되는 플랫폼 등으로 연구될 수 있다.

백색 LED 램프를 제조하는 공정에서 램프간의 전기적 개방상태의 절연상태를 유지하기 위해 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 계 반도체 에피박막층을 제거하기 위해 유도 결합형 플라즈마 식각 공정을 이용하였다. 4 미크론의 두께를 갖는 GaN 층을 식각하는데 있어 식각 방지 마스킹 물질로 포토레지스트, $SiO_2,\;Si_{3}N_4$ 및 $Al_{2}O_3$를 시험하였다. 동일한 전력 및 가스유량상태에서 $Al_{2}O_3$만 에피층을 보호할 수 있음을 확인하였다.

Pentacene channel OTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 film by thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM\;+\;O_2)$ = 0.5의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 팬타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2$(bimolecular nucleophilic substitution) 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 팬타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

본 논문에서는 $Bi_{3}Ti_{4}O_{12}$에 Nd를 치환했을 때 향상되는 강유전체 특성을 sol-gel 방법을 이용하여 분석하였다. 이를 위해 $10\;wt\%$의 $12\%$과량의 Bi가 첨가된 $Bi_{3.15}Nd_{0.85}Ti_{13}O_{12}$ sol-gel 용액을 제작하였다. BNT 박막은 $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ 기판 위에 스핀 코팅 방법을 이용하여 증착하였으며, 최종 증착된 박막의 조성은 Rutherford backscattering spectroscopy 분석을 이용하여 $Bi_{3.15}Nd_{0.85}Ti_{13}O_{12}$임을 확인하였다. 200 nm 두께의 BNT 박막은 XRD 분석을 통해 (117)방향에서 강한 피크가 나오며, (001) 방향에서 Nd 치환에 따른 효과로 억제된 피크가 나오는 것을 확인하였다. Pt/BNT/Pt 구조를 이용하여 잔류분극을 측정한 결과 7 V에서 $48\;{\mu}\;C/cm^2$ 이 나왔다. 이것은 다른 강유전체 물질인 PZT, SBT, BLT보다 월등히 큰 값이다.

고분해능 투과전자현미경을 이용하여 PRAM소자의 상변화물질인 $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}(GST)$의 결정화에 관해 미세구조 분석을 수행하였다. 결정성을 측정하는 일반적인 방법인 XRD법에 비해 고분해능 투과전자현미경을 이용한 미세구조 분석은 XRD에서 분석할 수 없는 결정화 초기 양상을 분석할 수 있을 뿐만 아니라, 소자내부의 국부적인 영역과 같이 특정한 영역에서의 결정구조 및 원자배열에 관한 분석이 가능하였다. 이를 통해 GST박막의 전기적 특성이 결정립 크기에 직접적으로 연관성이 있음을 밝혀내었다. GST의 결정구조 및 원자배열에 관해서는, 제한시야전자회절 기법을 통해 준안정상에서의 GST는 FCC 구조를 가지고 안정상의 GST는 hexagonal 구조를 가짐을 보여주었으며, 고분해능 이미지 관찰을 통해 원자단위로 GST의 결정성을 규명하였다.

펄스 플라즈마 원자층 증착 방법 (PPALD : Pulse Plasma Atomic Layer Deposition)을 이용하여 삼원계 박막인 W-C-N 박막을 ILD layer인 TEOS 위에 제조하였다. 실험은 $WF_6,\;N_2.\;CH_4$ 가스의 순차적 주입과 $N_2$를 이용한 퍼징으로 이루어지며 $N_2$와 $CH_4$ 가스 주입 시에 pulse plasma가 적용되었다. 일반적인 ALD 증착 기구를 그대로 따르는 PPALD 방법에 의해 제조된 W-C-N 박막은 $H_2/N_2$ 플라즈마 초기 표면 처리에 의해 incubation cycles 없이 초기 cycles부터 0.2 nm/cycle의 일정한 증착율을 가지고 증착되므로 정확한 두께의 control이 가능하며 $300\;{\mu}{\Omega}-cm$의 매우 낮은 비저항 특성을 나타내었다.

유기 절연층을 갖는 유기 박막트랜지스터 (organic TFT)를 제작하여 소자 성능을 조사하였다. 유기 절연층의 형성에서는 polyvinyl 계열의 PVP(poly-4-vinylphenol)와 PVT(polyvinyltoluene)를 용질로, PGMEA (propylene glycol mononethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한, 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용하여 유기 절연층의 cross-link 를 시도하였다. MIM 구조로 유기 절연층의 특정을 측정한 결과, PVT는 PVP에 비해 절연 특성이 떨어지는 경향을 보였다. 게이트 절연막의 제작에서 PVP를 cobpolymer 방식과 cross-linked 방식으로 실험 해 본 결과, cross-link 방식에서 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. OTFT 제작에서는 PVP를 용질로, poly(melanine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용한 cross-linked PVP 를 게이트 절연막으로 이용하였다. PVP copolymer($20\;wt\%$)에 $10\;wt\%$ poly(melamine- co-formaldehyde)를 혼합한 cross-linked PVP 를 게이트 절연막으로 사용하여 top contact 구조의 OTFT를 제작한 결과 약 $0.23\;cm^2/Vs$의 정공 이동도와 약 $0.4{\times}10^4$의 평균 전류점멸비를 나타내었다.

The AIN/AI thin films were prepared at various conditions, such as $N_2$ gas flow rate [$N_2(N_2+Ar)$] from 0.6 to 0.9, a substrate temperature ranging from room temperature to $300^{\circ}C$ and working pressure 1mTorr. We estimated crystallographic characteristics and c-axis preferred orientations of AIN/AI thin films as function of AI electrode surface roughness. The optimal processing conditions for AI electrode were found at substrate temperature of $300^{\circ}C$ sputtering power of 100W and a working pressure of 2mTorr. In these conditions, we obtained the c-axis preferred orientation of $AIN/AI/SiO_2/Si$ thin film about 4 degree.

In this study, AZO(ZnO:Al) thin film were Prepared by FTS(Facing Target Sputtering) system. The electrical, optical properties and crystalline of AZO thin film with thickness have been investigated. The thickness, transmittance, crystalline and electrical Properties of AZO thin film were measured by $\alpha$-step, UV-VIS spectrometer, hall effect measurement system, XRD and four-point probe, respectively. As a result, AZO thin film deposited with the transmittance over $80\%$ and the resistivity about $10^{-4}{\Omega}-cm$.

The ZnO:Al thin films were prepared on glass by Facing Target Sputtering (FTS) system. We investigated electrical, optical, and structural properties of AZO thin film with sputter ins current 0.1[A]-0.6[A]. We obtained the lowest resistivity $2.3{\times}\;10^{-4}[{\Omega}-cm]$ at sputtering current 0.6[A] from the 4-point probe and the strong (002) peak at sputtering current 0.3[A] from the X-ray Diffractometer (XRD). The optical transmittance of AZO thin films show a very high transmittance of $80\~95\%$ in the visible range and exhibit the absorpt ion edge of about 350 nm.

In this study Al electrode for OLED was deposited by FTS(Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar, Kr or mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr ). The film thickness and I-V curve of Al/cell were evaluated by $\alpha$-step and semiconductor parameter (HP4156A) measurement.

The ITO thin films for Top-Emitting Organic Light Emitting Devices (TOLEDs) were prepared on cell(LiF/Organic Layer/Bottom Electrode : ITO ) by FTS (Facing Targets Sputtering) system under different sputtering conditions which were varying gas pressure, input current and distance of target to target($D_{T-T}$). As a function of sputtering conditions, I-V characteristics of prepared ITO thin films on cell were measured by 4156A (HP). In the results, when the In thin films were deposited at $D_{T-T}$ 70mm and working pressure 1mTorr, the leakage current of ITO/cell was about 11[V] and 5E-6[$mA/cm^2$].

This paper proposes an intelligent method for the optimal load distribution of two cooperating robots(TCRs) using fuzzy logic. The proposed scheme requires the knowledge of the robots' dynamics, which in turn depend upon the characteristics of large flat panel displays(LFPDs) carried by the TCRs. However, the dynamic properties of the LFPD are not known exactly, so that the dynamics of the robots, and hence the required joint torque, must be calculated for nominal set of the LFPD characteristics. The force of the TCRs is an important factor in carrying the LFPD. It is divided into external force and internal force. In general , the effects of the internal force of the TCRs are not considered in performing the load distribution in terms of optimal time, but they are essential in optimal trajectory planning: if they are not taken into consideration, the optimal scheme is no longer fitting. To alleviate this deficiency, we present an algorithm for finding the internal-force factors for the TCRs in terms of optimal time. The effectiveness of the proposed system is demonstrated by computer simulations using two three-joint planner robot manipulators.

To produce a highly sensitive uncooled microbolometer, the development of a high-performance thermometric material is essential. In this work, amorphous vanadium-tungsten oxide was developed as a thermometric material at a low temperature of $300^{\circ}C$, and the microbolometer, coupled with the material, was designed and fabricated using surface micromachining technology. The vanadium-tungsten oxide showed good properties for application to the microbolometer, Such as a high temperature coefficient of resistance of over -4.0 $\%$/K and good compatibility with the surface micromachining and integrated circuit fabrication process due to its low fabrication temperature. As a result, the uncooled microbolometer could be fabricated with high detectivity over $1.0\;{\times}\;10^9\;cmHz^{1/2}/W$ at a bias current of $7.5\;{\mu}A$ and a chopper frequency of 10-20 Hz

투명전극용 AZO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터로 낮은 온도에서 제조하였다. Al을 도핑한 ZnO 박막을 유리위에 증착하였고, AZO의 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막은 hexagonal wurtzite 구조를 가진 다결정계이다. 이 박막은 가시광선 영역에서 $90.7\%$ 이상의 투과율을 보였고, 가장 낮은 비저항 값은 $5.86{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$이었다.

스퍼터링 공정으로 Al이 $2\%$ 함유된 ZnO 박막을 PET에 증착하여 김서림 제거용 투명발열체를 제작하였다. 증착된 투명발열체는 $5\;{\times}\;10^{-3}{\Omega}\;cm$ 의 비저항과 $80\%$ 이상의 가시광 투과도를 나타내었고, 조도는 12.5nm로 양호하였다. 투명발열체의 비저항, 가시광 투과도, 그리고 조도는 각각 Hall 계수 측정장비, IR-VIS-UV spectrophotometer, 그리고 AFM을 이용하여 측정하였다. 증착된 투명발열체에 12V의 전압을 인가하였을 때, 표면의 온도는 평균적으로 1분에 약 $10^{\circ}C$ 증가하였다.

Quantum dot(QD) 메모리용 silicon nano-particle을 corona 방전방법에 의해 상온에서 대량 발생하는 방법을 개발하였다. Silicon QD는 SiH4 가스를 코로나 방전 영역을 통과시켜 발생시켰으며, 코로나 전압은 2.75kV를 사용하였다. SiH4 몰농도 $0.33{\times}10^{-7}\;mol/l$ 일 경우 발생된 QD입자 크기는 약 10nm이며 기하학적 표준편차(geometric standard deviation)는 1.31이었다. 이 조건에서 nonvolatile quantum dot semiconductor memory (NVQDM)를 제작하였으며, 이렇게 제작된 NVQDM flat band voltage는 1.5 volt였다.

패턴화된 ITO (indium tin oxide)/Glass 기판 위에 정공수송층인 PEDOT:PSS [poly(3,4-othylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]와 발광층인 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/AI 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. PLED 제작시 MEH-PPV 의 농도를 ($0.1\;wt\%\;{\~}\;0.9\;wt\%$) 변수로 하여 박막의 표면 거칠기와 박막 층의 마찰재수(friction coefficient) 측정을 통하여 농도에 따른 특성 변화를 조사하였다. MEH-PP 의 농도를 $0.1\;wt\%$ 에서 $0.9\;wt\%$ 로 증가함에 따라 발광 층의 RMS (root mean square)같은 1.72 nm 에서 1.00 nm 로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 그러나 박막간의 마찰계수는 0.048 에서 0.035 로 감소하여 박막간의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 소자의 전기, 광학적 특성의 경우 MEH-PPV 농도가 $0.5\;{\~}\;0.9\;wt\%$ 범위에서 약 0.35 mA (at 9V)의 전류밀도를 나타내었으며, 최대 휘도는 $0.5\;wt\%$ 농도에서 $409\;cd/m^2$의 값을 나타내었다.

We process a novel approach cal led combined nanoimprint and photolithography (CNP) to greatly simplify the fabrication in conventional nanoimprint lithography (NIL). In this study, a novel HMM with anti-sticking $SiO_2$ layer is introduced to improve the quality of transferred pattern. The surface property was investigated using contact angle measurement and spectrophotometer. Replicate pattern with CNP using HMM showed complete pattern transfer without defect.

In this paper, we present the enhanced performance of resistive RAM devices with multi-step deposited and annealed oxides. By using multi-step deposition and low temperature multi-step annealins, forming-free Re-RAM is achieved with lower operation voltages and larger resistive ratio than those of conventional Re-RAM with typical single deposited oxide.

High speed presses with high resolution in semiconductor lead frame manufacturing process are needed . But high speed operation accompanies mechanical vibration. therefore optimized kinematic structure to minimize vibration is required for a high speed press. And the growing competition in the industry asks a press with low cost, high speed, high resolution, and high pressing force, For this purpose a high speed press was modeled with 3D CAD solid modeling system and dynamic analysis were performed with CAE S/W for multibody dynamic analysis, Through these analyses a motor appropriate to a high speed press was selected and link structure for feeding system of the press was modified to reduce vibration. To perform this analysis working Model which is 2D kinematics and dynamic analysis software was used.

In this paper, MEMS inductor was integrated on a 5GHz VCO using BCB as low-k dielectric layer for MEMS inductor. The VCO core circuit is realized by IBM SiGe process. We varied the spiral inductor's suspension height and posit ion on circuit, and studied their circuit interference effect on VCO performance. The VCO with inductor placed on BCB with More height and the VCO with inductor that was not positioned above active area showed better characteristics.

지문인식에 있어서 지문의 원 영상이 여러 가지 이유로 손상되어 발생 될 수 있는 특징 및 정보들이 지문인식 시스템에 많은 영향을 주어 인식률이 낮아지게 된다. 본 논문에서는 개선된 영상처리를 통하여 이러한 의사 특징점의 수를 줄여 보다 정확한 특징점을 추출하여 지문인식 시스템의 성능을 향상시키는 알고리즘을 제안하고자 한다. 지문의 손상으로 생기는 의사 특징점을 줄임으로써 전체 시스템의 계산량을 줄여 지문인식 속도를 향상시키고자 한다.

본 연구는 산업용과 의료용에 사용되는 비파괴 검사용 X 선 영상시스템에 이용되는 X 선을 직접 감지하는 방식의 센서를 실리콘 반도체 재료를 사용하여 개발하는데 목적이 있다. 이를 위해서 실리콘 반도체를 기본 물질로 하는 X-선 센서를 제작하고, 광범위한 영역에서 응용이 가능한 비파괴 시험용으로 제품화하기 위해 센서 어레이와 주변회로 및 구동회로 시스템과의 연관기술을 검토한다.

본 연구에서는 fresnoite ($Ba_{2}TiSi_{2}O_{8}$) 결정화 유리를 $xK_{2}O-(33.3-x)BaO-16.7TiO_{2}-50SiO_{2}$ ($0{\le}x{\le}\;20mol\%$)으로 부터 제조하였으며, 특성평가를 하였다. $K_{2}O$의 치환량이 증가함에 따라, 유리전이 온도와 결정화 온도는 감소하였으며, 유리의 안정화를 나타내는 ${\Delta}$T는 증가하였다. $Ba_{2}TiSi_{2}O_{8}$ 결정상의 형성은 XRD와 SEM분석을 통하여 관찰하였고, LCR meter를 사용하여 열처리에 의하여 제조된 결정화 유리의 유전율은 측정하였으며, 결정화 유리는 $Ba_{2}Si_{2}TiO_{8}$ 단결정 보다 낮은 유전율은 보였다.

품질 관리의 목표는 최종제품의 품질 보증에 있다. 이러한 목표를 달성하기 위해서는 품질 특성이 명확해야 하며, 동시에 품질 특성치에 영향을 주는 공정의 여러 변동 요인을 분명히 해야 한다. 실험계획법(Design of Experiments)은 특성에 영향을 미치는 여러 인자를 선정하며, 또한 이들의 관계를 알아보기 위한 실험을 실시하여 제품의 최적 제조조건을 경제적으로 찾아내는 기법이다. 본 연구에서는 실험계획법을 사용하여 유량을 최적화하는 요인을 선정, 얻어진 데이터를 통계적 방법으로 분석하여 최적의 조건을 나타내었다.

Thin films of diblock copolymers may be suitable for semiconductor device applications since they enable patterning of ordered domains with dimensions below photolithographic resolution over wafer-scale area. We obtained nanometer-scale cylindrical structure of dibock copolymer of polystyrene-block-poly(methylmethacrylate), PS-b-PMMA, also demonstrate pattern transfer of the nanoporous polymer using both reactive ion etching. The size of fabricated naonoholes were about 10 nm. Fabricated nanopattern surface was observed by field emission scanning electron microscope (FESEM).

나노 구동용 선형 모터는 이송체의 구동에 따른 진동과 열 특성으로 인하여 발생되는 기구간의 진동과 기계적인 마찰력 변화로 나노위치제어에 어려움이 있다. 그러므로 이송체에 대한 진동과 열에 대한 분석이 필요하다. 본 논문에서는 개발된 선형 모터의 이송체를 무부하 상태에서 유한 요소 해석을 통해 진동 특성을 분석하고 실험계획법을 적용하여 이송체에 대하여 최적화된 설계 방향을 제시하고자 한다. 또한 이송체의 진동 특성을 고려한 경량화를 통해 선형 모터의 안정된 구동을 모색하고자 한다.

Low resistance Ni thin films for using NiSi formation and metallization by atomic layer deposition (ALD) method have been studied. ALD temperature window is formed between $200^{\circ}C\;and\;250^{\circ}C$ with deposition rate of $1.25{\AA}$/cycle. The minimum resistance of deposited Ni films shows $4.333\;{\Omega}/\square$ on the $SiO_2/Si$ substrate by $H_2$ direct purging process. The reason of showing the low resistance is believed to be due to format ion of the $Ni_3C$ phase by residual carbon in Bis-Ni The deposited film exhibits excellent step coverage in the trench having 1(100 nm) : 16 (1.6 um) aspect ratio.

Due to high permeability of the ferrite core, the characteristics of the ICP are expected to be greatly improved. We investigated the effect of the ferrite cores on conventional inductively coupled plasma. It was observed that the current and voltage in ike ICP antenna are slightly decreased and the power transfer efficiency is increased. However, due to eddy current and hysterisis loss, plasma density in the ICP with the ferrite cores is not increased. It seems that the ICP with the ferrite cores at low frequency (${\~}$100kHz) will be greatly improved since the losses at the low frequency can be negligible.