The Relation between Electrical Property of SOI MOSFET and Gate Oxide Interface Trap Density (SOI MOSFET의 전기적 특성과 게이트 산화막 계면준위 밀도의 관계)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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- pp.81-82
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- 2006