Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

SOI MOSFET device fabricated by Solid Phase Diffusion

고상확산법을 이용한 SOI MOSFET 제작 기술

  • Lee, Woo-Hyun (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Koo, Hyun-Mo (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Kim, Kwan-Su (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Ki, Eun-Ju (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Cho, Won-Ju (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Koo, Sang-Mo (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University) ;
  • Chung, Hong-Bay (Department of Electronic materials engineering, Kwangwoon University)
  • 이우현 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 구헌모 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김관수 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 기은주 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 조원주 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 구상모 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정홍배 (광운대학교 전자재료공학과)
  • Published : 2010.04.01
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Abstract

고상 확산 방법을 이용하여 얕은 소스/드레인 접합을 가지는 SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET 소자를 제작하였다. 확산원으로는 PSG(Phosphorus silicate glass) 박막과 PBF(Poly Boron Film) 박막이 각각 n, p-type 소자 형성을 위해 사용되었다. 얕은 접합 형성을 위하여 급속 열처리 방법(RTA: Rapid Thermal Annealing)을 이용하여 PSG와 PBF로부터 인과 붕소를 SOI MOSFET 소자의 소스/드레인으로 확산시켰다. 또한, 소자 특성 개선을 위한 후 속 열처리 공정으로 희석된 수소 분위기 중에서 FA(Furnace Annealing)를 실시하였다. SPD 기술을 적용하여 10 nm 이하의 매우 얕은 p-n 접합을 형성할 수 있었고, 양호한 다이오드 특성을 얻을 수 있었다. 또한, SPD 방법으로 결함이 없는 접합 형성이 가능하며, 소자 제작 공정의 최적화를 통해 차세대 CMOS 소자로 기대되는 SOI MOSFET를 성공적으로 제작할 수 있었다.

Keywords