• 제목/요약/키워드: depletion 모드

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공핍 모드 N형 나노선 전계효과 트랜지스터의 전류 전도 모델 (Current Conduction Model of Depletion-Mode N-type Nanowire Field-Effect Transistors (NWFETS))

  • 유윤섭;김한정
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권4호
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    • pp.49-56
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    • 2008
  • 본 논문은 효율적인 회로 시뮬레이션을 위한 긴 채널 공핍 모드 n형 나노선 전계효과트랜지스터(nanowire field-effect transistor: NWFET)의 간단한 해석적 전류 전도 모델을 소개한다. 본 연구에서 사용된 NWFET는 bottom-up 방식으로 제작되었으며 게이트가 채널의 아래에 존재하는 구조를 가진다. 이 모델은 다양한 바이어스 조건에서 동작하는 NWFET의 모든 전류 전도 메카니즘을 포함한다. 새롭게 개발된 NWFET 모델로 계산된 결과는 이전에 발표된 NWFET 실험 데이터와 비교할 때 10% 오차범위 안에서 서로 일치한다.

평판 도파로에서의 체렌코프 펌프 형태에 의한 광 매개증폭 (Optical Parametric Amplification in Cerenkov-pump Configuration in a Planar Waveguide)

  • 서정식
    • 한국광학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.44-49
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    • 2014
  • 평판 도파로에서 pump가 체렌코프 복사(Cerenkov radiation)의 파동인 경우, pump, signal, 그리고 idler 사이의 매개적 상호작용에 의한 signal의 증폭현상을 해석하였다. 결합모드 이론을 사용하여 pump의 고갈(depletion)을 무시할 수 있는 경우, 수치적 계산으로 쉽게 풀 수 있는 1차 결합모드 미분방정식을 유도하였다. 이 미분방정식의 근사해와 수치적 계산 예를 통해서 signal이 매개적으로 증폭될 수 있음을 보였다.

Cerenkov-idler configuration 광 매개증폭에서의 0° 체렌코프 복사각도 효과 (Zero Cerenkov Radiation Angle Effect in Optical Parametric Amplification in the Cerenkov-idler Configuration)

  • 서정식
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권1호
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    • pp.225-232
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    • 2014
  • 평판 도파로에서 Cerenkov-idler configuration 형태의 광학적 매개증폭에 대해서 결합모드 이론을 적용하여 결합모드 방정식을 유도하고, 이 방정식의 근사해를 펌핑광의 고갈(depletion)이 없는 경우에 대해서 구한다. 이 근사해로부터 발생되는 idler의 체렌코프 복사각이 $0^{\circ}$도에 접근할 때 signal의 이득이 크게 향상될 수 있음을 보여주고 수치적 예를 보인다.

소비자의 자아조절자원과 자기조절모드가 패션제품의 구매의도에 미치는 영향 (Influence of Self-Regulatory Resource and Self-Regulatory Modes on Fashion Product Purchase Intention)

  • 백소라;황선진
    • Human Ecology Research
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    • 제53권5호
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    • pp.543-556
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    • 2015
  • This study examined the influence of self-regulatory resource depletion and self-regulatory modes on fashion product purchase intention. Initial research design dealt with differences of the resource depletion effect according to self-regulatory modes. The study used a 2 (self-regulatory resource depletion: depletion/non-depletion) ${\times}$ 2 (regulatory mode: assessment mode/locomotion mode) between-subjects factorial design. Second, the research design empirically analyzed the influence of self-regulatory resource depletion and self-regulatory mode on the fashion product purchase intention by each product group divided by type and involvement of fashion product. The subjects for the initial research were 255 university students in Seoul, Gyeonggi, and Daejeon. The subjects for the second research were 873 university students in Seoul and Daejeon. Collected data were analyzed with SPSS statistical package with reliability analysis, t -test, analysis of variance (ANOVA), and analysis of covariance (ANCOVA). The results were as follows. First, assessment-oriented consumers showed low purchase intentions about fashion products when self-regulatory resources were exhausted than when self-regulatory resource were not exhausted. Locomotion-oriented consumers, indicated no differences in purchase intention about fashion products regardless of self-regulatory resource depletion. Second, influences on purchase intention by self-regulatory resource depletion and self-regulatory mode were different according to the fashion product group. The results of this study implied that strategies should be differentiated when establishing a fashion industry marketing strategy according to the self-regulatory resource depletion and self-regulatory mode of consumers.

$Al_2O_3$ 게이트 절연막을 이용한 공핍형 p-채널 GaAs MOSFET의 제조 (Fabrication of a depletion mode p-channel GaAs MOSFET using $Al_2O_3$ gate insulator)

  • 전본근;이태헌;이정희;이용현
    • 센서학회지
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    • 제8권5호
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    • pp.421-426
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    • 1999
  • 본 논문에서는 반절연성 GaAs(semi-insulating GaAs) 기판위에 $Al_2O_3$ 절연막이 게이트 절연막으로 이용된 공핍형모드 p-채널 GaAs MOSFET (depletion mode p-channel GaAs MOSFET)를 제조하였다. 반절연성 GaAs 기판위에 $1\;{\mu}m$의 GaAs 버퍼층(buffer layer), $4000\;{\AA}$의 p형 GaAs 에피층(epi-layer), $500\;{\AA}$의 AlAs층, 그리고 $50\;{\AA}$의 캡층(cap layer)을 차례로 성장시키고 습식열산화시켰으며, 이를 통하여 AlAs층은 완전히 $Al_2O_3$층으로 산화되었다. 제조된 MOSFET의 I-V, $g_m$, breakdown특성 측정을 통하여 AlAs/GaAs epilayer/S I GaAs 구조의 습식열산화는 공핍형 모드 p-채널 GaAs MOSFET를 구현하기에 적합함을 알 수 있다.

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공핍 모드 InGaZnO 박막 트랜지스터를 이용한 저소비전력 스캔 구동 회로 (Low Power Consumption Scan Driver Using Depletion-Mode InGaZnO Thin-Film Transistors)

  • 이진우;권오경
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권2호
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    • pp.15-22
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    • 2012
  • 본 논문에서 공핍 모드 n-채널 InGaZnO 박막트랜지스터를 이용하여 소비전력이 낮은 스캔 구동 회로를 제안한다. 제안된 스캔 구동 회로는 단 2개의 클록 신호만을 사용하고 추가적인 마스킹 신호나 회로가 필요 없이 이웃하는 스캔 출력 간에 겹쳐짐이 없는 스캔 출력 신호를 만들어 낸다. 클록 신호를 줄임과 동시에 단락 전류를 줄임으로써 소비전력을 줄일 수 있었다. 모의 실험 결과 트랜지스터 문턱전압의 편차 범위가 -3.0 ~ 1.0V일 때에도 스캔 출력 신호가 정상적으로 출력됨을 확인하였다. XGA의 해상도를 갖는 디스플레이를 대상으로 양과 음의 전원 전압이 각각 15V, -5V이고 동작 주파수가 46KHz일 때, 스캔구동 회로의 소비전력이 4.89mW이다.

Zinc Oxide와 갈륨이 도핑 된 Zinc Oxide를 이용하여 Radio Frequency Magnetron Sputtering 방법에 의해 상온에서 제작된 박막 트랜지스터의 특성 평가 (Fabrication and Characteristics of Zinc Oxide- and Gallium doped Zinc Oxide thin film transistor using Radio Frequency Magnetron sputtering at Room Temperature)

  • 전훈하;;노경석;김도현;최원봉;전민현
    • 한국진공학회지
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    • 제16권5호
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    • pp.359-365
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    • 2007
  • 본 논문에서는 zinc oxide (ZnO)와 gallium이 도핑 된 zinc oxide (GZO)를 이용하여 radio frequency (RF) magnetron sputtering 방법에 의해 상온에서 제작된 bottom-gate 박막 트랜지스터의 특성을 평가하고 분석하였다. 게이트 절연층 물질로서 새로운 물질을 사용하지 않고 열적 성장된 $SiO_2$를 사용하여 게이트 누설 전류를 수 pA 수준까지 줄일 수 있었다. ZnO와 GZO 박막의 표면 제곱평균제곱근은 각각 1.07 nm, 1.65 nm로 측정되었다. 그리고 ZnO 박막은 80% 이상, GZO 박막은 75% 이상의 투과도를 가지고 있었고, 박막의 두께에 따라 투과도가 달라졌다. 또한 두 시료 모두 (002) 방위로 잘 정렬된 wurtzite 구조를 가지고 있었다. 제작된 ZnO 박막 트랜지스터는 2.5 V의 문턱 전압, $0.027\;cm^2/(V{\cdot}s)$의 전계효과 이동도, 104의 on/off ratio, 1.7 V/decade의 gate voltage swing 값들을 가지고 있었고, enhancement 모드 특성을 가지고 있었다. 반면에 GZO 박막 트랜지스터의 경우에는 -3.4 V의 문턱 전압, $0.023\;cm^2/(V{\cdot}s)$의 전계효과 이동도, $2{\times}10^4$의 on/off ratio, 3.3 V/decade의 gate voltage swing 값들을 가지고 있었고, depletion 모드 특성을 가지고 있었다. 우리는 기존의 ZnO와 1wt%의 Ga이 도핑된 ZnO를 이용하여 두 가지 모드의 트랜지스터 특성을 보이는 박막 트랜지스터를 성공적으로 제작하고 분석하였다.

$Al_2O_3$ 절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조 (Fabrication of a Depletion mode n-channel GaAs MOSFET using $Al_2O_3$ as a gate insulator)

  • 전본근;이석헌;이정희;이용현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권1호
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    • pp.1-7
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    • 2000
  • 본 논문에서는 반절연성 GaAs 기판위에 $Al_2O_3$ 절연막이 제이트 절연막으로 이용된 공핍형보드 n형 채널 GaAs MOSFET(depletion mode n-channel GaAs MOSFET)를 제조하였다. 반절연성 GaAs 기판위에 1 ${\mu}$m의 GaAs 버퍼층, 1500 ${\AA}$의 n형 GaAs층, 500 ${\AA}$의 AlAs층, 그리고 50 ${\AA}$의 캡층을 차례로 성장시키고 습식열산화 시켰으며, 이를 통하여 AlAs층은 완전히 $Al_2O_3$층으로 변환되었다. 제조된 MOSFET의 I-V, $g_m$, breakdown특성 측정 등을 통하여 AlAs/GaAs epilayer/S${\cdot}$I GaAs 구조의 습식열산화는 공핍형 모드 GaAs MOSFET를 구현하기에 적합함을 알 수 있다.

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대용량 splitter less full-feed depletion SPLITT 분획법 (Large scale FFD-SF)에서의 분획효율(FE)및 시료처리량(TP)의 최적화 (Optimization of fractionation efficiency (FE) and throughput (TP) in a large scale splitter less full-feed depletion SPLITT fractionation (Large scale FFD-SF))

  • 음철헌;노아람;최재영;유영석;김운중;이승호
    • 분석과학
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    • 제28권6호
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    • pp.453-459
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    • 2015
  • Split-flow thin cell fractionation (SPLITT fractionation, SF)은 밀도와 입자 크기에 따라 입자성 물질이나 거대분자를 연속적으로 분리 및 분획하는 기술이다. SF 모드 중 full-feed depletion mode (FFD)는 오직 한 개의 주입 구를 가지고 있으며, outlet에만 flow stream splitter가 존재한다. SPLITT은 두 가지의 중요 인자가 있다. 하나는 시간에 따라 통과되는 시료의 양 (throughput, TP)과 또 다른 하나는 이론에 의해 예측된 크기를 가지는 입자들의 수 퍼센트로 정의하는 분획효율 (fractionation efficiency, FE)이다.. 기존 FFD 모드에서는 splitter가 outlet에 존재하여, 채널 규모를 확장시키는 데 제한이 있어 시료 처리량의 한계가 있다. 따라서 splitter를 제거하고 채널규모를 증가하여 시료 처리량을 대폭 증가시킬 수 있는 대규모 중력장 FFD-SF 채널을 사용하였다. 따라서 이 논문에서는 대용량 중력장 FFD-SF의 TP와 FE 최적화를 위하여 시료농도와 유속변화로 실험을 진행하였다. 이 실험에서는 두 개의 다른 입자 분포 (3~7 µm, 2~30 µm) 를 가지는 Polyurethane (PU) latex beads가 사용되었다. 시료의 농도는 0.2~0.8% (wt/vol)을 사용하였으며, 채널의 유속은 70~160 mL/min을 사용하였다. 분획된 입자는 광학 현미경으로 확인하여 직접 크기 관찰을 하였으며 시료 회수율 (recovery)은 수집된 입자를 0.1 µm 맴브레인 필터로 거른 후 무게측정으로 실험하였다. 본 연구를 통해 fraction-a의 분획효율 (FE)은 이론에 따라 정확히 맞춰준다면 언제든 좋은 수치를 얻을 수 있다는 것이 확인되었고, 시료의 입자크기가 커서 채널에 쌓일 경우, 시료 회수율을 높이기 위해서는 이동상을 더 흘려주는 방법을 사용하면 효과적인 것을 확인하였다. 또한 효율적인 TP로 실험을 진행하기 위해서는 최소한 0.4% 농도는 사용해야 효율적인 분획이 이뤄진다는 것을 확인하였다.

시험모드 특성이 전기자동차의 에너지소비효율에 미치는 영향 연구 (The impact study on fuel economy of electric vehicle according to the test mode characteristics)

  • 노경하;임재혁;김성우;김기호;하종한;오상기
    • 동력기계공학회지
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    • 제19권6호
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    • pp.39-46
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    • 2015
  • With rising fuel costs and the depletion of fossil fuels, electric vehicles of high efficiency has been increasing interest. although high-performance battery continually is developing, Electric vehicles is not satisfied with the characteristics of the environment. In this study, By using the current fuel economy testing methods(5-cycle test), until the fully discharged battery electric vehicles is evaluated for a variety of environmental and operating conditions. As a result, Electric vehicles showed a low energy consumption efficiency in low temperature and rapid acceleration, deceleration in the operating environment compared with normal temperature.