• 한국정보통신학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.147-156
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• 1998

본 논문에서는 다치 논리를 이용한 연산기를 설계하였다. 다치 논리를 구현하기 위해서 전류모드 CMOS 회로를 이용하였으며 이진 전압모드 신호를 다치 전류모드 신호로 바꾸어 주는 인코더와 연산 결과인 다치 전류모드 신호를 이진 전압모드 신호로 바꾸어 주는 디코오더를 사용하여 기존의 이진 시스템에 적용할 수 있도록 하였으며, 승산기 설계시 부분곱 수를 줄이기 위하여 기존의 Booth 알고리즘을 확장한 4진 SD수 부분곱 발생 알고리즘을 사용하였다. 제안된 회로는 SPICE 시뮬레이션 및 FPGA Chip을 이용한 하드웨어 에뮬레이션으로 그 유효함을 확인하였다

• 전자공학회논문지SC
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• 제40권3호
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• pp.135-144
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• 2003

본 논문에서는 고속 혼성모드 집적회로를 위한 온-칩(on-chip) CMOS 전류 및 전압 레퍼런스 회로를 제안한다. 제안하는 전류 레퍼런스 회로는 기존의 전류 레퍼런스 회로에서 부정확한 전류 값을 조정하기 위해 주로 사용되는 아날로그 보정 기법과는 달리 디지털 영역에서의 보정 기법을 사용한다. 또한, 제안하는 전압 레퍼런스 회로는 고속으로 동작하는 혼성모드 집적회로의 출력단에서 발생할 수 있는 고주파수의 잡음 성분을 최소한으로 줄이기 위해 고주파 신호 성분에 대해 작은 출력 저항을 볼 수 있는 구조의 레퍼런스 전압 구동회로를 사용한다. 이 레퍼런스 전압 구동회로는 전력 소모 및 칩 면적을 최소화하기 위해서 저 전력의 증폭기와 크기가 작은 온-칩 캐패시터를 사용하여 구현하였다. 제안하는 레퍼런스 회로는 0.18 um n-well CMOS 공정으로 설계 및 제작되었으며, 250 um x 200 um의 면적을 차지한다. 칩 제작 및 측정결과, 제안하는 전류 및 전압 레퍼런스 회로는 공급 전압 및 온도의 변화에 대해서 각각 2.59 %/V와 48 ppm/℃의 변화율을 보인다.

• ETRI Journal
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• 제39권4호
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• pp.582-591
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• 2017

To address the wire complexity problem in large-scale globally asynchronous, locally synchronous systems, a current-mode ternary encoding scheme was devised for a two-phase asynchronous protocol. However, for data transmission through a very long wire, few studies have been conducted on reducing the long propagation delay in current-mode circuits. Hence, this paper proposes a current steering logic (CSL) that is able to minimize the long delay for the devised current-mode ternary encoding scheme. The CSL creates pulse signals that charge or discharge the output signal in advance for a short period of time, and as a result, helps prevent a slack in the current signals. The encoder and decoder circuits employing the CSL are implemented using $0.25-{\mu}m$ CMOS technology. The results of an HSPICE simulation show that the normal and optimal mode operations of the CSL achieve a delay reduction of 11.8% and 28.1%, respectively, when compared to the original scheme for a 10-mm wire. They also reduce the power-delay product by 9.6% and 22.5%, respectively, at a data rate of 100 Mb/s for the same wire length.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.433-434
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• 2007

This paper describes a low-voltage dynamic random-access memory (DRAM) focusing on subthreshold leakage reduction during self-refresh (sleep) mode. By sharing a power switch, multiple iterative circuits such as row and column decoders have a significantly reduced subthreshold leakage current. To reduce the leakage current of complex logic gates, dual channel length scheme and input vector control method are used. Because all node voltages during the standby mode are deterministic, zigzag super-cutoff CMOS is used, allowing to Preserve internal data. MTCMOS technique Is also used in the circuits having no need to preserve internal data. Sub-1.2-V 1-Gb mobile DDR DRAM employing all these low-power techniques was designed in a 60 nm CMOS technology and achieved over 77% reduction of overall leakage current during the self-refresh mode.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권8호
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• pp.49-63
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• 1997

This paper presents a current sensor that detects defects in CMOS integrated circuits using the current testing technique. The current sensor is built in a CMOS integrated circuit to test an abnormal current. The proposed circuit has a very small impact on the performance of the circuit under test during the normal mode. In the testing mode, the proposed circuit detects the abnormal current caused by permanent manufacturing defects and determines whether the circuit under test is defect-free or not. The proposed current sensor is simple and requires no external voltage and current sources. Hence, the circuit has less area and performance degradation, and is more efficient than any previous works. The validity and effectiveness are verified through the HSPICE simulation on circuits with defects.

• Journal of Power Electronics
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• 제16권3호
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• pp.840-848
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• 2016

A primary-side regulation AC-DC converter operating in the PFM (Pulse Frequency Modulation) mode with a high precision output current is designed, which applies a novel inductance compensation technique to improve the precision of the output current, which reduces the bad impact of the large tolerance of the transformer primary side inductance in the same batch. In this paper, the output current is regulated by the OSC charging current, which is controlled by a CC (constant current) controller. Meanwhile, for different primary inductors, the inductance compensation module adjusts the OSC charging current finely to improve the accuracy of the output current. The operation principle and design of the CC controller and the inductance compensation module are analyzed and illustrated herein. The control chip is implemented based on a TSMC 0.35μm 5V/40V BCD process, and a 12V/1.1A prototype has been built to verify the proposed control method. The deviation of the output current is within ±3% and the variation of the output current is less than 1% when the inductances of the primary windings vary by 10%.

• 정보처리학회논문지A
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• 제14A권4호
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• pp.203-208
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• 2007

본 논문에서는 CMOS 다치 논리회로를 이용하여 $64{\times}64$ 비트 Modified Booth 곱셈기를 설계하였다. 설계한 곱셈기는 Radix-4 알고리즘을 이용하여 전류모드 CMOS 4치 논리회로로 구현하였다. 이 곱셈기는 트랜지스터 수를 기존의 전압모드 2진 논리 곱셈기에 비해 64.4% 감소하였으며, 내부 구조를 규칙적으로 배열하여 확장성을 갖도록 설계하였다. 설계한 회로는 2.5V의 공급전압과 단위전류 $5{\mu}A$를 사용하여, $0.25{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 구현하였으며 HSPICE를 사용하여 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 2진 논리 곱셈기는 $7.5{\times}9.4mm^2$의 점유면적에 9.8ns의 최대 전달지연시간과 45.2mW의 평균 전력소모 특성을 갖는 반면, 설계한 곱셈기는 $5.2{\times}7.8mm^2$의 점유면적에 11.9ns의 최대 전달지연시간과 49.7mW의 평균 전력소모 특성으로 점유면적이 42.5% 감소하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.278-281
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• 1988

This paper realizes the multi-output truncated difference circuits using current mode CMOS, and presents the algorithm designing multi - valued logic functions of a given multivalued truth tables. This algorithm divides the discrete valued functions and the interval functions, and transforms them into the truncated difference functions. The transformed functions are realized by current mode CMOS. The technique presented here is applied to MOD4 addition circuit and GF(4) multiplication circuit.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.76-82
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• 2002

본 논문에서는 전류 모드 다치 논리 CMOS 회로를 이용하여 4치-2치 논리 복호기, 4치 논리 전류 버퍼 4치 논리 전가산기를 제안하였다. 제안한 전가산기는 15개의 트랜지스터를 사용하여 기존의 2치 논리 CMOS 형태의 전가산기와 Current의 전가산기에 비하여 소자수가 각각 60.5%와 48.3% 감소되었으며, 이로 인해 면적 및 내부 노드수가 감소되었다. 본 논문의 회로들은 HSPICE를 사용하여 시뮬레이션 하였고 그 결과를 통하여 각각의 회로들이 정확하게 동작함을 확인하였다. 시뮬레이션 결과, 제안한 전가산기는 1.5ns의 전달 지연과 0.45mW의 전력소모 특성을 갖는다. 또한 전가산기는 본 논문에서 설계한 복호기 및 4치 논리 전류 버퍼를 사용하면 기존의 2치 논리에 쉽게 적용할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권12호
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• pp.72-79
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• 2003

본 논문에서는 CMOS 다치 논리회로를 이용한 32×32 Modified Booth 곱셈기를 제시하였다. 이 곱셈기는 Radix-4 알고리즘을 이용하였으며, 전류모드 CMOS 4차 논리회로로 구현하였다. 설계한 곱셈기는 트랜지스터 수를 기존의 전압 모드 2진 논리 곱셈기에 비해 63.2%, 이전의 다치 논리 곱셈기에 비해 37.3% 감소시켰다. 이 곱셈기는 내부 구조를 규칙적으로 배열하여 확장성을 갖도록 하였다. 설계한 회로는 3.3V의 공급전압과 단위전류 10㎂를 사용하여, 0.3㎛ CMOS 기술을 이용하여 구현하였으며 HSPICE를 사용하여 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 설계한 곱셈기는 5.9㎱의 최대 전달지연시간과 16.9mW의 평균 전력소모 특성을 갖는다.