• 제목/요약/키워드: STI structure

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고집적을 위한 얕은 트랜치 격리에서 제안한 구조의 특성 모의 분석 (Simulations Analysis of Proposed Structure Characteristics in Shallow Trench Isolation for VLSI)

  • 이용재
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.27-32
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    • 2014
  • 본 논문에서는, 초고집적 CMOS 회로를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조 보다 개선된 성질을 갖는 새로운 구조를 제안하고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이다. 특성 분석은 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포, 열전자 스트레스의 산화막 모양, 전위와 전계 플럭스, 열 손상의 유전 전계와 소자에서 전류-전압 특성을 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 전류와 시간의 인가 스트레스 조건이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이었다. 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계, 전자농도 분포가 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스에 의한 산화막의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 소자의 전류-전압 특성 결과 분석도 양호한 특성으로 나타났다.

Private Value of Innovation(Patents)

  • Kim, ByungWoo
    • 한국기술혁신학회:학술대회논문집
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    • 한국기술혁신학회 2010년도 추계 학술대회 논문집
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    • pp.203-212
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    • 2010
  • Examining the relation between market structure and the value of innovation is important for competition and STI policy. If the value is large in a specific industry structure, government may lead the industry to take that form to enhance innovation. Our simple calibration in the case of linear demand and constant MC results in the conclusion that the incentive for R&D in the case of major and minor innovation in Cournot competition is less than that of merger and cooperative R&D. This emphasizes again "necessary evil" as a monopoly for innovation.

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Alternative Optimization Techniques for Shallow Trench Isolation and Replacement Gate Technology Chemical Mechanical Planarization

  • Stefanova, Y.;Cilek, F.;Endres, R.;Schwalke, U.
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제8권1호
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    • pp.1-4
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    • 2007
  • This paper discusses two approaches for pre-polishing optimization of oxide chemical mechanical planarization (CMP) that can be used as alternatives to the commonly applied dummy structure insertion in shallow trench isolation (STI) and replacement gate (RG) technologies: reverse nitride masking (RNM) and oxide etchback (OEB). Wafers have been produced using each optimization technique and CMP tests have been performed. Dishing, erosion and global planarity have been investigated with the help of conductive atomic force microscopy (C-AFM). The results demonstrate the effectiveness of both techniques which yield excellent planarity without dummy structure related performance degradation due to capacitive coupling.

연성 막구조의 파라메트릭 설계 시스템 개발 (Development of a Parametric Design System for Membrane Structures)

  • 최현철;이시은;김치경
    • 한국공간구조학회논문집
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    • 제16권4호
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    • pp.29-36
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    • 2016
  • The objective of this research is to development of a parametric design system for membrane structures. The parametric design platform for the spatial structures has been designed and implemented. Rhino3D is used as a 3D graphic kernel and Grasshopper is introduced as a parametric modeling engine. Modeling components such as structural members, loading conditions, and support conditions are developed for structural modeling of the spatial structures. The interface module with commercial structural analysis programs is implemented. An iterative generation algorithm for design alternatives is a part of the design platform. This paper also proposes a design approach for the parametric design of Spoke Wheel membrane structures. A parametric modeling component is designed and implemented. SOFiSTik is examined to interact with the design platform as the structural analysis module. The application of the developed interface is to design optimally Spoke Wheel Shaped Ductile Membrane Structure using parametric design. It is possible to obtain objective shape by controlling the parameter using a parametric modeling designed for shape finding of spoke wheel shaped ductile membrane structure. Recently, looking at the present Construction Trends, It has increased the demand of the large spatial structure. But, It requires a lot of time for Modeling design and the Structural analysis. Finally an optimization process for membrane structures is proposed.

자원제약을 고려한 분해 일정계획 문제에 대한 2 단계 발견적 기법 (A Two-Stage Heuristic for Capacitated Disassembly Scheduling)

  • Jeon, Hyong-Bae;Kim, Jun-Gyu;Kim, Hwa-Joong;Lee, Dong-Ho
    • 한국경영과학회:학술대회논문집
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    • 한국경영과학회/대한산업공학회 2005년도 춘계공동학술대회 발표논문
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    • pp.715-722
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    • 2005
  • Disassembly scheduling is the problem of determining the quantity and timing of disassembling used products while satisfying the demand of their parts or components over a planning horizon. The case of single product type with assembly structure is considered for the objective of minimizing the sum of disassembly operation and inventory holding costs. In particular, the resource capacity constraint is explicitly considered. The problem is formulated as an integer programming model, and a two-stage heuristic with construction and improvement algorithms is suggested in this paper. To show the performance of the heuristic, computational experiments are done on a number of randomly generated problems, and the test results show that the algorithm can give near optimal solutions within a very short amount of computation time.

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A Two-Stage Heuristic for Disassembly Scheduling with Capacity Constraints

  • Jeon Hyong-Bae;Kim Jun-Gyu;Kim Hwa-Joong;Lee Dong-Ho
    • Management Science and Financial Engineering
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    • 제12권1호
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    • pp.95-112
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    • 2006
  • Disassembly scheduling is the problem of determining the quantity and timing of disassembling used or end-of-life products while satisfying the demand of their parts and/or components over a planning horizon. The case of assembly product structure is considered while the resource capacity constraints are explicitly considered. A cost-based objective is considered that minimizes the sum of disassembly operation and inventory holding costs. The problem is formulated as an integer programming model, and a two-stage heuristic with construction and improvement algorithms is suggested in this paper. To test the performance of the heuristic, computational experiments are done on randomly generated problems, and the results show that the heuristic gives near optimal solutions within a very short amount of computation time.

수준 분해 일정계획 문제에 대한 최적 알고리듬 (An Exact Algorithm for Two-Level Disassembly Scheduling)

  • 김화중;이동호
    • 대한산업공학회지
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    • 제34권4호
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    • pp.414-424
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    • 2008
  • Disassembly scheduling is the problem of determining the quantity and timing of disassembling used or end-of-life products while satisfying the demand of their parts or components over a given planning horizon. This paper considers the two-level disassembly structure that describes a direct relationship between the used product and its parts or components. To formulate the problem mathematically, we first suggest an integer programming model, and then reformulate it to a dynamic programming model after characterizing properties of optimal solutions. Based on the dynamic programming model, we develop a polynomial exact algorithm and illustrate it with an example problem.

초고집적용 새로운 회자 구조의 얕은 트랜치 격리의 특성 분석 (The Characteristics Analysis of Novel Moat Structures in Shallow Trench Isolation for VLSI)

  • 이용재
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권10호
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    • pp.2509-2515
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    • 2014
  • 본 논문에서는, 초고집적 CMOS를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조에서 내부 임계전압과 활성 영역의 스트레스 영향을 개선시키고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이며, 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포와 게이트 바이어스 대 에너지 밴드 형태, 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이며, 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 제작한 소자의 결과 분석도 시뮬레이션 결과 데이터와 거의 동일하였다.

BCAT구조 DRAM의 패싱 워드 라인 유도 누설전류 분석 (Analysis of Passing Word Line Induced Leakage of BCAT Structure in DRAM)

  • 김수연;김동영;박제원;김신욱;임채혁;김소원;서현아;이주원;이혜린;윤정현;이영우;조형진;이명진
    • 전기전자학회논문지
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    • 제27권4호
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    • pp.644-649
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    • 2023
  • DRAM(Dynamic Random Access Memory) 스케일링 과정에서 발생하는 셀간 거리의 감소에 따라 STI(Shallow Trench Isolation)두께 감소는 문턱이하 누설이 증가되는 패싱워드라인 효과를 유발한다. 인접한 패싱워드라인에 인가된 전압으로 인한 문턱이하누설 전류의 증가는 데이터 보존시간에 영향을 주며, 리프레시의 동작 횟수가 증가되어 DRAM의 소비 전력을 증가시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 TCAD Simulation을 통해 패싱워드라인 효과에 대한 원인을 확인한다. 결과적으로, 패싱워드라인 효과가 발생하는 DRAM 동작상황을 확인하고, 이때 패싱워드라인 효과로 인해 전체 누설전류의 원인에 따른 비중이 달라지는 것을 확인하였다. 이를 통해, GIDL(Gate Induced Drain Leakage)에 의한 누설전류뿐만 아니라 문턱이하 누설전류를 고려의 필요성을 확인하며 이에 따른 DRAM 구조의 개선 방향의 지침이 될 수 있다.

TCAD 툴을 이용한 제안된 얕은 트랜치 격리의 시뮬레이션 (Simulations of Proposed Shallow Trench Isolation using TCAD Tool)

  • 이용재
    • 한국시뮬레이션학회논문지
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    • 제22권4호
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    • pp.93-98
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    • 2013
  • 본 논문에서는, 초고집적과 초고내압 MOSFET를 위한 높은 임계전압에서 제안한 구조의 얕은 트랜치 접합 격리 구조에 대한 시뮬레이션 하였다. 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계의 물리적 기본 모델들은 주위 온도와 스트레스 바이어스의 넓은 범위에 걸친 집적화된 소자들에 있어서 분석하는 전기적의 목표인 TCAD 툴을 이용하였다. 시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차, 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났다.