• 정보교육학회논문지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.243-252
• /
• 2015

2019학년도부터 초등학교에서 소프트웨어 교육이 실시될 예정이다. 초등학교 소프트웨어 교육의 주된 내용 중의 하나는 학생들이 프로그래밍을 체험하는 것이다. 프로그래밍에 대하여 관심을 보이는 학생들에게는 보다 높은 수준의 프로그래밍 교육이 필요하며 동아리 활동을 통하여 시행할 수 있다. 그러나 초등학교에서의 동아리 활동을 위한 프로그래밍 교재는 많지 않다. 따라서 본 연구에서는 초등학교의 동아리 활동을 위한 프로그래밍 교재를 개발하였다. 따라 하기 형태의 매뉴얼 방식을 지양하고 학생들이 문제를 이해하고, 문제 분할 및 추상화 과정을 따라 설계하며 이를 프로그램으로 작성할 수 있도록 하여 자연스럽게 Computational Thinking 능력을 배양하도록 하였으며 시범 수업을 통하여 개발한 교재가 초등학생들에게 적절한 내용과 수준임을 입증하였다. 따라서 본 연구에서 제시하는 교재 집필 방법들이 초등학교의 소프트웨어 교육에 기여할 것으로 기대한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
• /
• pp.15-16
• /
• 2005

Chalcogenide phase change memory has high performance to be next generation memory, because it is a nonvolatile memory processing high programming speed, low programming voltage, high sensing margin, low consumption and long cycle duration. We have developed a new material of PRAM with $Ge_1Se_1Te_2$. This material has been propose to solve the high energy consumption and high programming current. We have investigated the phase transition behaviors in function of various process factor including contact size, cell size, and annealing time. As a result, we have observed that programming voltage and writing current of $Ge_1Se_1Te_2$ are more improved than $Ge_2Sb_2Te_5$ material.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권9호
• /
• pp.771-774
• /
• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by 0.35 $\mu\textrm{m}$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the multi-bit operation per cell, charges must be locally frapped in the nitride layer above the channel near the source-drain junction. Programming method is selected by Channel Hot Electron (CUE) injection which is available for localized trap in nitride film. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve are investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated. Also, Hot Hole(HH) injection for fast erasing is used. The fabricated SONOS devices have ultra-thinner gate dielectrics and then have lower programming voltage, simpler process and better scalability compared to any other multi-bit storage Flash memory. Our programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 컴퓨터교육학회논문지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.69-79
• /
• 2011

본 연구는 대학에서 교육되고 있는 프로그래밍 강좌를 위한 프로그래밍 교육 프레임워크를 제안한다. 먼저 프로그래밍에 관한 국내외의 다양한 심리학 및 교육학 관련 논문을 살펴본 결과, 몇 개의 논문에서 초보 프로그래머와 전문 프로그래머 사이에 존재하는 정신 모델, 프로그래밍 지식과 전략에 관한 차이를 확인할 수 있었다. 또한 초보 프로그래머가 겪는 많은 문제점들도 확인할 수 있었다. 그래서 이를 우선 정리하여 프로그래밍 교사에게 실제적인 도움이 될 수 있는 시사점을 도출하였고, 초보 프로그래머의 실력을 향상시키기 위해 프로그래밍 개발 과정, 프로그래밍 학습 요소, 교수학습 방법을 세 개의 차원으로 하는 프로그래밍 교육 프레임워크를 제안한다. 이 프레임워크는 프로그래밍 강좌의 개발과 운영, 평가를 위한 가이드라인이 될 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.54-57
• /
• 2002

In this study, a new programming method, to minimize the generation of Si-SiO$_2$ interface traps of scaled SONOS flash memory as a function of number of program/erase cycles has been proposed. In the proposed programming method, power supply voltage is applied to the gate, forward biased program voltage is applied to the source and the drain, while the substrate is left open, so that the program is achieved by Modified Fowler-Nordheim (MFN) tunneling of electron through the tunnel oxide over source and drain region. For the channel erase, erase voltage is applied to the gate, power supply voltage is applied to the substrate, and the source and drain are open. A single power supply operation of 3 V and a high endurance of 1${\times}$10$\^$6/ prograss/erase cycles can be realized by the proposed programming method. The asymmetric mode in which the program voltage is higher than the erase voltage, is more efficient than symmetric mode in order to minimize the degradation characteristics of scaled SONOS devices because electrical stress applied to the Si-SiO$_2$ interface is reduced by short programming time.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제25권6호
• /
• pp.409-413
• /
• 2012

In this study, a substrate-bias assisted 2-step pulse programming method is proposed for realizing 4-bit/1-cell operation of the SONOS memory. The programming voltage and time are considerably reduced by this programming method than a gate-bias assisted 2-step pulse programming method and CHEI method. It is confirmed that the difference of 4-states in the threshold voltage is maintained to more than 0.5 V at least for 10-year for the multi-level characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
• /
• pp.80-83
• /
• 2003

In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by $0.35\;{\mu}m$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the two-bits per cell operation, charges must be locally trapped in the nitride layer above the channel near the junction. Channel hot electron (CHE) injection for programming can operate in multi-bit using localized trap in nitride film. CHE injection in our devices is achieved with the single power supply of 5 V. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve were investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated with a reverse read scheme. Also, hot hole injection for fast erasing is used. Due to the ultra-thin gate dielectrics, our results show many advantages which are simpler process, better scalability and lower programming voltage compared to any other two-bit storage flash memory. This fabricated structure and programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.

• 한국실천공학교육학회논문지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.69-74
• /
• 2011

본 논문에서는 정보교육과정의 "문제해결방법과 절차" 영역에 필요한 알고리즘적 사고 문제 모델을 활용하고, 두리틀 프로그래밍 내용 요소를 적용하여 두리틀 프로그래밍 알고리즘적 사고 문제를 제안하였다. 그리고 개발된 두리틀 프로그래밍 알고리즘적 사고 문제들에 대해 실험수업을 실시하여 알고리즘적 사고에 따른 답안들의 다양성과 효율성 및 개발된 문제들의 난이도 적절성에 대한 분석을 통해 본 논문에서 제안된 문제들에 대한 두리틀 프로그래밍 알고리즘적 사고 문제로서의 적합성을 검증하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.3-3
• /
• 2010

The Characteristics of Digital Vterbi Decoder utilizing the analog parallel processing circuit technology is proposed. The Analog parallel structure of the viterbi decoder acted by a replacement of the conventional digital viterbi Decoder is progressing fastly. The proposed circuits design han, low distortion, high accuracy over the previous implementation and dynamic programming.

• 한국콘텐츠학회논문지
• /
• 제11권1호
• /
• pp.458-468
• /
• 2011

미래를 준비하는 학생들에게 정보통신기술의 발달은 지식의 암기를 넘어 정보의 탐색 및 활용을 통해 효과적으로 문제를 해결해나가는 창의적인 능력이 요구되어진다. 컴퓨터 교육에 있어 프로그래밍 교육은 프로그래밍을 하는 과정에서 여러 문제를 접하게 되고, 해결 방안을 탐색하는 과정에서 유연한 사고를 통해 학생의 창의력을 키워준다는 여러 연구가 발표되었다. 특히 초등학생들에게 있어 학습에 용이한 EPL의 활용을 통한 프로그래밍 교육은 프로그래밍 교육을 처음 받는 학생들이 느끼는 프로그래밍 언어 자체를 익힘으로서의 어려움을 감소시켜주어 학생이 더욱 사고에 집중할 수 있도록 해준다. 이에 본 연구는 초등학생들을 대상으로 한 EPL 교육 자료 초안을 제작, 적용하여 학생들의 창의적 요소의 신장을 살펴보았다. 또한 초안 적용을 통해 도출된 개선점을 수정, 보완하여 현장에서 바로 사용할 수 있은 교육 자료(학습지, 교수학습 과정안)를 제작하였다.