• 제목/요약/키워드: MIM device

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Trench구조와 산화물 고유전체에 따른 Trench MIM Capacitor S-Parameter 해석 (S-Parameter Simulation for Trench Structure and Oxide High Dielectric of Trench MIM Capacitor)

  • 박정래;김구성
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.167-170
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    • 2021
  • Integrated passive device (IPD) technology has emerged with the need for 5G. In order to integrate and miniaturize capacitors inside IPD, various studies are actively performed using high-k materials and trench structures. In this paper, an EM(Electromagnetic) simulation study was performed by applying an oxide dielectric to the capacitors having a various trench type structures. Commercially available materials HfO2, Al2O3, and Ta2O5 are applied to non, circle, trefoil, and quatrefoil type trench structures to confirm changes in each material or structure. As a result, the bigger the capacitor area and the higher dielectric constant of the oxide dielectric, the insertion loss tended to decrease.

Arachidic acid와 Stearic acid의 누적전이와 전기특성 (Deposition Transfer and Electrical Properties of Arachidic acid and Stearic acid)

  • 최영일;송진원;이경섭
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.764-767
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    • 2001
  • Because using LB method, result that produce Arachidic acid and Stearic acid LB film and measure the accumulation characteristic and electrical characteristic is as following. Organic monolayers of surface of the water compression each 9 layer's LB film to slide glass and manufactured MIM device compressing molecular film only. Could confirm that accumulation was good seeing as absorption coefficient and SEM picture, AFM picture that prevent manufactured LB films. Formation of domain of coexistence form that prevent LB film is indefinite and distinction of border side was not clear, and could know that roughness appears greatly. Obtained current by applied voltage could know that is proportional almost, though Arachidic acid appeared as bulk of current that happen in equaler certification voltage than Stearic acid is less, this alkyl chain longer Arachidic acid that serving relations special quality is superior know can .

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DMPC 인지질 단분자막의 변위전류 특성 (Displacement Current Characteristics of DMPC Lipid Monolayer)

  • 최용성;송진원;이경섭
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.12-13
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    • 2006
  • The physical properties of DMPC monolayer were made for dielectric relaxation phenomena by the detection of the surface pressures and displacements current. The current was measured after the electric bias across the manufactured MIM device. It is found that the phospolipid monolayer of dielectric relaxation takes a little time and depend on the molecular area. When electric bias is applied across the manufactured MIM device by the deposition condition of phospolipid mono-layer, it wasn't breakdown when the higher electric field to impress by increase of deposition layers.

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Decoupled Plasma Nitridation에 의한 Flicker 노이즈 개선에 관한 연구 (A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation)

  • 문성열;강성준;정양희
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제9권7호
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    • pp.747-752
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    • 2014
  • 본 논문은 $0.13{\mu}m$ 기술의 디자인을 10% 축소하는데 기존의 로직 디바이스만의 축소와는 달리 로직뿐 아니라 입, 출력 회로의 축소에 관한 것이다. 게이트 산화막(1.2V)을 decoupled plasma nitridation(DPN) oxide로 변경함으로써 flicker 노이즈를 축소 전 공정에 비해 1/3-1/5배 감소됨을 확인하였다. 또한, 축소에 의한 피할 수 없는 문제는 일반적인 metal insulator metal(MIM)의 캐패시터 문제이다. 이를 해결하기 위하여 20% 높은 MIM 캐패시터($1.2fF/{\mu}m^2$)를 개선하고 그 특성을 평가하였다.

테라헤르츠 영역에서 금으로 구성된 주기적인 소형 개구의 투과 현상 (Transmission Characteristics of Periodic Au Slits at Terahertz Regimes)

  • 류성준;박종언;이준용;추호성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권2호
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    • pp.77-82
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    • 2018
  • 테라헤르츠 영역에서 MIM(Metal - Insulator - Metal) 도파관이 주기적으로 배열되어 있는 경우, 도파관 두께의 변화에 따른 전자파의 투과 특성은 널리 연구되지 않았다. 본 논문에서는 금속이 금으로 구성된 주기 구조의 경우 MIM 도파관에 수직으로 입사하는 수평 편파에 의한 전자파의 투과 특성을 다양한 테라헤르츠 주파수 영역에서 확인하고, 그 결과를 분석하고자 한다. 또한 완전 도체의 경우와 비교해 봄으로써 그 차이점을 확인한다.

Effect of MIM and n-Well Capacitors on Programming Characteristics of EEPROM

  • Lee, Chan-Soo;Cui, Zhi-Yuan;Jin, Hai-Feng;Sung, Si-Woo;Lee, Hyung-Gyoo;Kim, Nam-Soo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제12권1호
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    • pp.35-39
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    • 2011
  • An electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) containing a stacked metal-insulator-metal (MIM) and n-well capacitor is proposed. It was fabricated using a 0.18 $\mu$m standard complementary metal-oxide semiconductor process. The depletion capacitance of the n-well region was effectively applied without sacrificing the cell-area and control gate coupling ratio. The device performed very similarly to the MIM capacitor cell regardless of the smaller cell area. This is attributed to the high control gate coupling ratio and capacitance. The erase speed of the proposed EEPROM was faster than that of the cell containing the MIM control gate.

투명전자소자를 위한 HfO2계 투명 MIM 커패시터 특성연구 (Characteristics of Transparent Mim Capacitor using HfO2 System for Transparent Electronic Device)

  • 조영제;이지면;곽준섭
    • 한국진공학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.30-36
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    • 2009
  • 투명 전자소자의 고유전 $HfO_2$ 절연막을 개발하기 위하여, ITO/$HfO_2$/ITO 금속-절연체-금속 (Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터 구조를 형성한후 $HfO_2$ 박막의 두께에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성의 변화를 연구하였다. $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 유전상수는 20에서 10이하로 감소하였으나, $HfO_2$ 두께가 증가함에 따라 누설전류는 감소하여 200 nm 이상의 두께에서는 $2.7{\times}10^{-12}\;A/cm^2$ 이하의 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. ITO/$HfO_2$/ITO MIM 커패시터의 $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 투과율은 감소하였으나 300 nm 두께에서도 가시광선 영역에서 80% 이상의 투과율을 나타내어 우수한 투과도 특성을 나타내었다.

유기박막트랜지스터 응용을 위해 플라즈마 중합된 Styrene 게이트 절연박막 (Plasma Polymerized Styrene for Gate Insulator Application to Pentacene-capacitor)

  • 황명환;손영도;우인성;바산바트호약;임재성;신백균
    • 한국진공학회지
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    • 제20권5호
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    • pp.327-332
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    • 2011
  • ITO가 코팅된 유리 기판 위에 플라즈마 중합법으로 styrene 고분자 박막을 제작하고 상부 전극을 진공 열증착법으로 제작된 Au 박막으로 한 MIM (metal-insulator-metal) 소자를 제작하였다. 또한, 플라즈마 중합된 styrene 고분자 박막을 유기 절연박막으로 하고 진공열증착법으로 pentacene 유기반도체 박막을 제작하여 유기 MIS (metal-insulator-semiconductor) 소자를 제작하였다. 플라즈마 중합법으로 제작된 styrene (ppS; plasma polymerized styrene) 고분자 박막은 styrene 단량체(모노머) 고유의 특성을 유지하면서 고분자 박막을 형성함을 확인하였으며, 통상적인 중합법으로 제작된 고분자 박막 대비 k=3.7의 높은 유전상수 값을 보였다. MIM 및 MIS 소자의 I-V 및 C-V 측정을 통하여 ppS 고분자 박막은 전계강도 $1MVcm^{-1}$에서 전류밀도 $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ 수준의 낮은 누설전류를 보이고 히스테리시스가 거의 없는 우수한 절연체 박막임이 판명되었다. 결과적으로 유기박막 트랜지스터 및 유기 메모리 등 플렉서블 유기전자소자용 절연체 박막으로의 응용이 기대된다.

유기박막의 전기적 특성 (Genome Detection Using Hoechst 33258 Groove Binder)

  • 송진원;최용성;문종대;이경섭
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.370-371
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    • 2006
  • Maxwell displacement current (MDC) measurement has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. A linear relationship between the monolayer compression speed and the molecular area Am. Compression speed was about 30, 40, 50mm/min. Langmuir-Blodgett(LB)layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 9~21. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V. The I-V characteristics of the device are measured from -3 to +3[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.

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금속산화 박막 전기소자의 전기적 특성 연구 (A Study on the Electrical Properties of Transition Metal Oxides Thin Film Device)

  • 최성재
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제11권6호
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    • pp.9-14
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    • 2011
  • $AlO_x$ 박막 소자를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 소자는 Electrode를 Top-bottom구조로 제작하였으며 스위칭 특성을 연구하기 위해 전극간의 $AlO_x$ 박막의 전도특성이 측정되었다. 박막소자의 저항변화는 전압을 선형적으로 인가하여 측정하였다. 제작된 소자는 MIM구조로써 외부에서 인가하는 전기적 신호에 의하여 전기전도도가 큰 On-state와 전기전도도가 낮은 Off-state로 바뀌는 특성을 나타내었다. 본 연구에 사용된 $AlO_x$ 박막은 초기 저항 상태가 저저항 On 상태였으며, 전압을 인가함에 따라 저저항 On 상태와 고저항 Off 상태의 가역적 저항 변화 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 $AlO_x$ 박막소자는 차세대 비휘발성 메모리로는 물론 다른 전기적 응용도 기대되는 물질임을 확인하게 되었다.