1 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004)
DOI
ScienceOn
|
2 |
Q. Lu, D. Park, A Kalnitsky, C. Chang, C. C. Cheng, and S. P. Tay, IEEE Electron Device Lett 19, 341 (1998)
DOI
ScienceOn
|
3 |
S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. C. Wang, M. T. Hsieh, H. S. Kim, and W. L. Gladfelter, et al. IEEE Trans Electron Devices 44, 104. (1997)
DOI
ScienceOn
|
4 |
H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, and Hideya kumomi, Appl. Phys. 89, 112123 (2006)
|
5 |
B. D. Ahn, J. H. Kim, H. S. Kang, C. H. Lee, S. H. Oh, G. H. Kim, D. H. Li. and S. Y. Lee, Materials Science in semiconductor processing, 9, 1119 (2006)
DOI
ScienceOn
|
6 |
J. M. Le'ger, J. Haines, and B. Blanzat, J. Mater. Sci. Lett. 13, 1688 (1994)
DOI
ScienceOn
|
7 |
A. Antony, M. Nisha, R. Manoj, and M. K. Jayaraj, Appl. Surf. Sci. 225, 294 (2004)
DOI
ScienceOn
|
8 |
T. H. Pemg, C. H. Chien, C. W. Chen, P. Lehnen, and C. Y. Chang, Thin Solid Films, 469, 345 (2004)
DOI
ScienceOn
|
9 |
J. H. Sim, S. C. Song, P. D. Kirsch, C. D. Young, R. Choi, D. L. Kwong, B. H. Lee, and G. Bersuker, Microelectronic Enginerring, 80, 218 (2005)
DOI
ScienceOn
|
10 |
M. Houssa, V. V. Afanasev, A Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1885 (2000)
DOI
ScienceOn
|
11 |
Y. C. Yeo, T. J. King, and C. Hu, Appl. Phys. Lett. 81, 2091 (2002)
DOI
ScienceOn
|
12 |
J. Zhu, Y. R. Li, and Z. G. Liu, J. Phys. D, 37, 2896 (2004)
DOI
ScienceOn
|
13 |
H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Device Lett, 23, 514 (2002)
DOI
ScienceOn
|
14 |
J. F. Wager, science 300, 1269 (2003)
DOI
PUBMED
ScienceOn
|
15 |
W. K. Henson, N. Yang, S. Kubicek, E. M. Vogel, J. J. Wortman k. D. Meyer, and abdalla Naem, IEEE Trans.Electom Devices 47, 1393, (2000)
DOI
ScienceOn
|
16 |
J. M. Le'ger, A Atouf, P. E. Tomaszewski, and A. S. Pereira, Phys. Rev. B, 48, 93 (1993)
DOI
ScienceOn
|
17 |
J. E. Chung, M. C. Jeng, J. E. Moon, P. K. Ko, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, 38, 3m 545 (1991)
DOI
ScienceOn
|
18 |
G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243(2001)
DOI
ScienceOn
|
19 |
E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76 176 (2000)
DOI
ScienceOn
|
20 |
H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006)
DOI
ScienceOn
|
21 |
A. I. Kingon and S. K. streiffer, current opinion in solid state & mater. Sci. 4, 1 39 (1999)
DOI
ScienceOn
|
22 |
H. S. Momose, M. One, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, and H. Iwai, IEEE Trans.Electron Devices 43, 1233 (1996)
DOI
ScienceOn
|