• 전기학회논문지
• /
• 제56권4호
• /
• pp.761-767
• /
• 2007

In this paper, we deal wih a concurrent dual band low noise amplifier for a Radio Frequency Identification(RFID) reader operating at 912MHz and 2.45GHz. The design of the low noise amplifier is based on the TSMC $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The chip size is $1.8mm\times1.8mm$. To improve the noise figure of the circuit, SMD components and a bonding wire inductor are applied to input matching. Simulation results show that the 521 parameter is 11.41dB and 9.98dB at 912MHz and 2.45GHz, respectively The noise figure is also determined to 1.25dB and 3.08dB at the same frequencies with a power consumption of 8.95mW.

• 전자통신동향분석
• /
• 제25권2호
• /
• pp.57-67
• /
• 2010

최근에 3.5G, 4G 이동통신, WiMax 등 다양한 고속 무선 데이터 서비스의 발달이 급속도로 진행됨에 따라 기지국을 위한 무선 백홀의 전송속도가 현재 보다 급격히 높아질것으로 예상되며, 광 백본망에 연결되지 않은 빌딩들을 위한 광통신망과 빌딩간 'Last Mile' 구간에 대한 경제적인 통신망 확보가 요구되고 있다. 본 고에서는 경제적으로 Gbps급 광 백본망과 가입자를 연결하거나, Gbps급 사설통신망 및 백홀에 이용할 수 있는 E-band 이용 Multi-Gbps급 고정 점대점 통신 시스템과 송수신기 핵심 구성 부품의 기술 개발 동향을 소개하고자 한다.

• ETRI Journal
• /
• 제33권6호
• /
• pp.969-972
• /
• 2011

This letter presents a CMOS RF front-end operating in a subthreshold region for low-power Band-III mobile TV applications. The performance and feasibility of the RF front-end are verified by integrating with a low-IF RF tuner fabricated in a 0.13-${\mu}m$ CMOS technology. The RF front-end achieves the measured noise figure of 4.4 dB and a wide gain control range of 68.7 dB with a maximum gain of 54.7 dB. The power consumption of the RF front-end is 13.8 mW from a 1.2 V supply.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.183-186
• /
• 1999

A 900 71Hz RF band-pass amplifier for wireless communication systems is designed and fabricated. HSPICE simulation results show that the amplifier can achieve a tunable center frequency between 880 MHz and 920 MHz. The gain of designed amplifier is 19 dB at Q=88, and the power dissipation is about 61 mW under 3 V power supply by using the spiral inductor with negative-7m circuit and center frequency tunning circuit. The designed band-pass amplifier is implemented by using 0.6 um 2-poly-3-metal standard CMOS process.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제16권12호
• /
• pp.1179-1185
• /
• 2005

본 논문에서는 3중 대역 이상의 이동 통신 단말기를 위해 주파수 튜닝이 가능한 새로운 형태의 내장형 안테나를 제안하였다. 설계된 안테나의 동작 주파수 대역은 GSM(880${\~}$960 MHz)/GPS(1,575 $\pm$ 10 MHz)/DCS(1,710${\~}$1,880 MHz)/US-PCS(1,850${\~}$l,990 MHz)/W-CDMA(1,920${\~}$2,170 M/Hz) 대역을 포함한다. 제안된 안테나는 반파장 로디드 라인 구조와 모노폴 구조를 결합한 형태를 띄고 있으며 하나의 단락점과 급전점을 공유한다. 그리고 단락점과 접지면 사이의 집중형 인덕턴스 소자의 값을 조절함으로써 GSM과 GPS대역을 그대로 유지하면서 각각 DCS, US-PCS, W-CDMA대역을 만족시킬 수 있다. 사용된 인덕터 소자의 값은 주파수 튜닝에 따른 이득 저하를 최소화하기 위하여 최대 3.3 nH로 한정하였으며 이에 따른 안테나의 최대 이득은 GSM대역에서 -0.58${\~}$-0.30 dBi, GPS 대역에서 -0.57${\~}$0.43 dBi, DCS/US-PCS/W-CDMA 대역에서 0.38${\~}$l.15 dBi로 측정되었다. 시뮬레이션과 측정을 통해 제안된 안테나가 높은 주파수 대역에서 약 0.77 dB의 이득 변화 폭 내에서 약 240 MHz의 공진 주파수를 효과적으로 조절할 수 있음을 확인하였다.

• 센서학회지
• /
• 제29권4호
• /
• pp.261-265
• /
• 2020

In cantilever type piezoelectric energy harvester, the amount of power generation decreases rapidly when outside a certain frequency. The thickness and weight of the cantilever metal plate were modified to develop cantilevers that could produce high power over a wide frequency range. The thicker the cantilever, the higher the power in the higher frequency range. As the weight of the mass increased, the cantilever tended to generate higher power, and the frequency band decreased. A 0.6 mm metal plate cantilever that had a mass of 3.3 g generated power that exceeded 3 mW within the 91-102 Hz range, with average and output values of 9.484 mW and 20.748 mW, respectively, at 99 Hz.

• 한국태양에너지학회 논문집
• /
• 제29권6호
• /
• pp.32-38
• /
• 2009

The effects of surface radiative properties on the radiant cooling of opaque surfaces under clear sky condition are studied. Two types of surfaces, one gray and the other selective, are compared. For the nighttime cooling, black surface gives the lowest plate temperature and on the other hand the ideal selective surface gives the highest temperature. The reverse is true when there is an insolation. Equivalent radiative heat transfer coefficient of radiant cooling without convection is about $1{\sim}7\;W/m^2-K$ for the range of values studied. The surface with black within the $6{\sim}13\;{\mu}m$ band else zero emissivity could be regarded as a black surface for the nighttime radiant cooling purposes. However, lower band limit of $4\;{\mu}m$ is preferred to $6\;{\mu}m$ for small insolation situations.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권11호
• /
• pp.77-82
• /
• 2006

직접 변환 방식의 IEEE 802.11a 무선랜 수신기에 사용되는 아날로그 채널 선택 필터에 대하여 기술한다. 채널 선택필터는 10MHz의 차단주파수를 갖는 5차의 체비셰프 필터이며 active-RC 구조로 설계되었다. 2단의 연산증폭기를 사용하였는데, 전력 소모를 최소화하기 위하여 전류재사용 feedforward 주파수 보상 방법을 사용하였다. 필터는 $0.l8{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 제작하였으며 1.8V의 전원 전압에서 20mW의 전력 소모를 갖고 있으며 19dBV의 out-of-band iIP3를 갖는다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제35권2호
• /
• pp.505-512
• /
• 2014

A new donor-accepter-donor-accepter-donor (D-A-D-A-D) type 2,1,3-benzothiadiazole-thiophene-based acceptor unit 2,5-di(4-(5-bromo-4-octylthiophen-2-yl)-2,1,3-benzothiadiazol-7-yl)thiophene ($DTBTTBr_2$) was synthesized. Copolymerized with fluorene and indeno[1,2-b]fluorene electron-rich moieties, two alternating narrow band gap (NBG) copolymers PF-DTBTT and PIF-DTBTT were prepared. And two copolymers exhibit broad and strong absorption in the range of 300-700 nm with optical band gap of about 1.75 eV. The highest occupied molecular orbital (HOMO) energy levels vary between -5.43 and -5.52 eV and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy levels range from -3.64 to -3.77 eV. Potential applications of the copolymers as electron donor material and $PC_{71}BM$ ([6,6]-phenyl-$C_{71}$ butyric acid methyl ester) as electron acceptors were investigated for photovoltaic solar cells (PSCs). Photovoltaic performances based on the blend of PF-DTBTT/$PC_{71}BM$ (w:w; 1:2) and PIF-DTBTT/$PC_{71}BM$ (w:w; 1:2) with devices configuration as ITO/PEDOT: PSS/blend/Ca/Al, show an incident photon-to-current conversion efficiency (IPCE) of 2.34% and 2.56% with the open circuit voltage ($V_{oc}$) of 0.87 V and 0.90 V, short circuit current density ($J_{sc}$) of $6.02mA/cm^2$ and $6.12mA/cm^2$ under an AM1.5 simulator ($100mA/cm^2$). The photocurrent responses exhibit the onset wavelength extending up to 720 nm. These results indicate that the resulted narrow band gap copolymers are viable electron donor materials for polymer solar cells.

• 대한전자공학회논문지TC
• /
• 제44권11호
• /
• pp.48-53
• /
• 2007

본 논문에서는 branch line coupler와 ${\lambda}/4$ 전송라인을 이용한 94 GHz 발룬 회로를 설계하였고, 이를 이용하여 높은 LO-RF 격리도 특성을 갖는 W-밴드용 MIMIC 단일 평형 주파수 혼합기를 개발하였다. 혼합기는 $0.1\;{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT 다이오드를 적용하였다. 혼합기에 사용된 MHEMT는 전류이득차단 주파수가 154 GHz, 최대공진 주파수 특성이 454 GHz의 특성을 나타내었다. 제작된 혼합기의 특성 측정 결과 LO 입력 전력이 8.6 dBm일 때 12.8 dB의 변환 손실 특성을 나타내었으며, 입력 및 출력 P1 dB는 각각 5 dBm, -8.9 dBm의 특성을 나타내었다. 또한 LO-RF 격리도 특성은 94 GHz에서 37.2 dB로 높은 격리도 특성을 나타내었다. 격리도 특성을 고려할 때, 본 논문에서 설계 및 제작된 W-밴드용 MIMIC 단일 평형 주파수 혼합기는 기존의 밀리미터파 대역 혼합기와 비교하여 높은 LO-RF 격리도 특성을 나타내었다.