Light Emitting Diode (LED) 칩의 크기는 전도를 통한 열의 방출에 있어 면적의 확대로 인한 열 밀도의 감소와 칩의 외부양자효율 변화로 인하여 LED 칩의 p-n 정션 온도와 패키지의 열 저항에 영향을 미친다. 본 연구에서는 16칩 LED 패키지에서 칩의 크기가 0.6 mm와 1 mm인 두 가지 경우에 대하여 순전압(forward voltage)을 측정하였고, 순간열분석법(thermal transient analysis)을 이용하여 정션 온도와 열 저항을 평가하였으며, 이를 LED 칩의 전기적인 특성과 LED 패키지의 구조적인 특성과 연관하여 해석하였다.
In order to understand the thermal performance of each LED chips in multi-chip LED package, a quantitative parametric analysis of the temperature evolution was investigated by thermal transient analysis. TSP (Temperature Sensitive Parameter) value was measured and the junction temperature was predicted. Thermal resistance between the p-n junction and the ambient was obtained from the structure function with the junction temperature evolution during the cooling period of LED. The results showed that, the thermal resistance of the each LED chips in 4 chip-LED package was higher than that of single chip- LED package.
The light emitting diodes(LED) package of new structure is proposed to promote the reliability and lifespan by maximize heat dissipation occurred on the chip. We designed and fabricated the LED packages mixing the advantages of chip on board(COB) based on conventional metal printed circuit board(PCB) and the merits of Si sub-mount using base as a substrate. The proposed LED package samples were selected for the superior efficiency of the material through the sealant properties, chip characteristics, and phosphor properties evaluations. Reliability test was conducted the thermal shock test and flux rate according to the usage time at room temperature, high-temperature operation, high-temperature operation, high-temperature storage, low-temperature storage, high-temperature and high-humidity storage. Reliability test result, the average flux rate was maintained at 97.04% for each items. Thus, the Si sub-mount based LED package is expected to be applicable to high power down-light type LED light sources.
This research was analyzed thermal characteristics that was appointed disadvantage when smart LED driver ICs was packaged and we applied extracted thermal characteristics for optimal layout design. We confirmed reliability of smart LED driver ICs package without additional heat sink. If the package is not heat sink, we are possible to minimize package. For extracting thermal loss due to overshoot current, we increased driver current by two and three times. As a result of experiment, we obtained 22 mW and 49.5 mW thermal loss. And we obtained optimal data of 350 mA driver current. It is important to distance between power MOSFET and driver ICs. If thhe distance was increased, the temperature of package was decreased. And so we obtained optimal data of 3.7 mm distance between power MOSFET and driver ICs. Finally, we fabricated real package and we analyzed the electrical characteristics. We obtained constant 35 V output voltage and 80% efficiency.
본 연구는, LED 칩 패키지에 있는 토출된 형광체 수지의 모양을 인라인 측정을 통해 개발된 검사 시스템을 기초로 한 효율적인 머신 비전에 관한 연구이다. 형광체의 반투명 특성 때문에 조사된 빛이 칩의 표면뿐만 아니라 하단 부에서도 반사된다. 이러한 현상이 LED 칩 검사의 신뢰성을 저하시키기 때문에 적절한 조명 광학계를 결정하기 위해 백색광 LED 와 635nm의 레이저 슬릿 빛을 이용하여 검사하였다. 또한, 광 삼각측정법을 이용해 정반사와 분산반사법으로 검사를 수행하였다. 실험 결과 백색 슬릿 광과 정반사 반사법의 조합이 가장 좋은 검사 결과를 낸다는 것을 확인할 수 있었다. Catmull-Rom 스플라인 보간법을 이용하여 측정된 데이터를 부드러운 표면 형상으로 나타내었다. 측정 결과를 통해 개발된 시스템이 LED 칩 패키징 공정에 인라인 검사에 성공적으로 적용될 수 있다는 결론을 내릴 수 있다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권2호
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pp.59-61
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2017
This research was analyzed thermal characteristics that was appointed disadvantage when smart LED driver ICs was packaged and we applied extracted thermal characteristics for optimal layout design. We confirmed reliability of smart LED driver ICs package without additional heat sink. If the package is not heat sink, we are possible to minimize package. For extracting thermal loss due to overshoot current, we increased driver current by two and three times. As a result of experiment, we obtained 22 mW and 49.5 mW thermal loss. And we obtained optimal data of 350 mA driver current. It is important to distance between power MOSFET and driver ICs. If the distance was increased, the temperature of package was decreased. And so we obtained optimal data of 3.7 mm distance between power MOSFET and driver ICs. Finally, we fabricated real package and we analyzed the electrical characteristics. We obtained constant 35 V output voltage and 80% efficiency.
In this paper, we present thermal dependancy of LED package element by changing temperature of MCPCB for design high efficiency LED lamp, and confirmed influence of LED chip against temperature with analysis of thermal resistance and thermal capacitance. As increasing temperature, WPOs were decreased from 25 to 22.5 [%] and optical power were also decreased. that is decreased reason of optical power that forward voltage was declined by decrease of energy bandgap. Therefore optical power by temperature of MCPCB should consider to design lamp for street light and security light. Moreover, compensation from declined optical efficiency is demanded when LED package is composed. Also, thermal resistances from chip to metal PCB were decreased from 12.18 to 10.8[$^{\circ}C/W$] by changing temperature. Among the thermal resistances, the thermal resistance form chip to die attachment was decreased from 2.87 to 2.5[$^{\circ}C/W$] and was decreased 0.72[$^{\circ}C/W$] in Heat Slug by chaning temperature. Therefore, because of thermal resistance gap in chip and heat slug, reliability and endurance of high power LED affect by increasing non-radiative recombination in chip from heat.
LED 칩 패키징에서 다이 본딩은 웨이퍼에서 분할된 다이를 리드 프레임에 접착제로 고정시켜 칩이 다음 공정을 견딜 수 있는 충분한 강도를 제공하는 중요한 공정이다. 본 논문에서는 PLCC 구조 LED 패키지 프레임에 소형 제너 다이오드를 부착하는 다이 본딩 공정능력의 최적화를 위하여 공정에 영향을 미치는 여러 인자를 분석하여 반응표면분석법을 적용하여 그 결과를 도출하였다. 인자를 분석하여 5인자 3수준 4반응치를 고려하여 실험계획법을 수립하였으며, 그 결과 모든 반응치의 목표를 만족하는 최적 조건을 확보할 수 있었다.
Recently, the use of LED is increasing. This paper presents the new package process of thermal compression bonding using metal layered LED chip for the high power LED device. Effective thermal dissipation, which is required in the high power LED device, is achieved by eutectic/flip chip bonding method using metal bond layer on a LED chip. In this study, the process condition for the LED eutectic die bonder system is proposed by using the analysis program, and some experimental results are compared with those obtained using a DST (Die Shear Tester) to illustrate the reliability of the proposed process condition. The cause of bonding failures in the proposed process is also investigated experimentally.
고출력 LED 패키지의 방열 특성 향상을 위하여, 다이 접합부에 실리콘 접착제와 금속 패턴의 병렬 접합 구조를 적용하여 열 유동 해석을 수행하였다. 그 결과, LED 칩에서 발생한 열은 주로 금속 패턴 구조물을 통해 기판으로 효과적으로 전달되고 있으나, 패턴 구조물의 크기에 따라 효율의 차이가 있음을 확인하였고, 그 효과를 정량화하기 위해 정규화 길이를 도입하여 칩과 금속 패턴 구조물의 면적에 따른 열 저항을 비교하였다. 정규화 길이가 길어지면 금속 패턴 구조물에 의한 열 우회 경로가 칩에 고르게 분포하여 열 저항이 감소하였으며, 그 값은 단순 병렬 열 저항 이론 값보다 다소 큰 수치로 수렴하지만, 충분한 열 저항 개선 효과를 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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