• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권2호
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• pp.7-12
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• 2007

고휘도 LED(Light-Emitting Diode)를 구현하기 위한 칩 설계의 최적화에 이용할 수 있는 SPICE 기반의 LED 3차원 회로 모델을 개발하였다. 본 모델은 LED를 일정한 면적의 픽셀로 구획하고, 각각의 픽셀은 n-전극, n-형 반도체, p-형 반도체, 및 p-전극 등의 일반적인 LED 레이어 구조를 반영하는 회로망으로 나타낸다. 개별의 박막 층과 접촉 저항은 저항 네트웍으로, pn-접합부는 일반적인 pn-접합 다이오드로 각각 모델링 한다. 별도의 테스트 패턴을 이용하여 독립적으로 추출한 파라미터를 이용한 시뮬레이션 결과는 실험 결과와 정확하게 일치함을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.7-12
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• 2008

본 연구에서는 게이트 finger수가 증가될수록 드레인 전류의 증가율과 차단주파수가 감소되는 wide width effect를 관찰하였으며, 이 현상을 모델링하기 위하여 기존 BSIM3v3 RF 모델에 finger수에 무관한 외부 소스 저항을 새로 첨가한 개선된 SPICE MOSFET RF 모델을 개발하였다. 이러한 모델로 시뮬레이션된 Nf 종속 드레인 전류와 차단주파수는 기존 BSIM3v3 RF모델보다 $0.13{\mu}m$ multi-finger MOSFET의 측정데이터와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 RF 모델의 정확도를 증명한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권4호
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• pp.1-12
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• 2003

본 논문에서는 과도상태 회로 시뮬레이션에서 각각의 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)가 독립적으로 다루어질 수 있는 영역을 체계적으로 조사했다. Interconnection 정전용량이 충분히 큰 회로의 과도상태 시뮬레이션에서도 정상상태 경우와 마찬가지로 각각의 SET가 독립적으로 다뤄질 수 있음을 찾았다. 그러나, 각각의 SET들이 서로 독립적으로 다뤄질 수 있는 interconnection의 부하정전용량은 정상상태보다 약 10배 정도 크다. 이런 조건에서 SPICE에 적용 가능한 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)의 과도상태 compact 모델을 제시한다. 이 모델은 SPICE main routine의 admittance 행렬과 전류 행렬 구성 요소를 효율적으로 만들기 위해 새롭게 개발된 등가회로 접근방식에 기초한다. 과도상태 모델은 전자우물 안의 전자 개수를 정확히 계산하기 위해서 시변 master 방정식 solver를 각각 포함한다. 이 모델을 이용해서 단일전자 회로 및 단일전자 소자/회로와 CMOS 회로가 결합한 SET/CMOS hybrid 회로를 성공적으로 계산했다. SPICE에 적용된 기존의 시뮬레이터의 결과와 비교해서 상당히 일치하며 CPU 계산 시간도 더 짧아짐을 보인다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2002년도 학술대회논문집
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• pp.19-21
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• 2002

Electroded lamps operated at a high enough frequency can usually be modeled for the purpose of ballast design, as a resistor. Electrodeless fluorescent lamps include other components such as the arc tube's inductance. But that's impedance is small and so will be neglected in this paper. So, electrodeless fluorescent lamps is modeled as a resistor. A SPICE compatible model was developed for an electrodeless fluorescent lamp(OSRAM SYLVANIA ICETRON/ENDURA 150W).

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 1998년도 연구회 합동 학술발표회 논문집
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• pp.68-72
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• 1998

The parameter through the motor designing program is used to predict motor response and design the motor drive circuits. The application programs such as "Saber" are often used for these. However, making the electrical model of motor for these simulation tool is uncomfortable and impossible for general users. Therefore, in this paper, we develop the "Spice" library generation program with the motor designing program "Motor Expert". This program will assist the user to make the motor library comfortablely and correctlyry comfortablely and correctly

• 센서학회지
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• 제22권1호
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• pp.44-48
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• 2013

For a successful commercialization of microbolometer, it is required to develop a robust package including thermal stabilizing mechanism. In order to regulate the temperature within some operating range, thermoelectric cooler is generally used but it's not easy to model the whole package due to the coupled physics nature of thermoelectric cooler. In this paper, SPICE-compatible modeling methodology of a microbolometer package is presented, whose steady-state results matched well with FEM results at the maximum difference of 5.95%. Although the time constant difference was considerable as 15.7%, it can be offset by the quite short simulation time compared to FEM simulation. The developed model was also proven to be useful for designing the thermal stabilizer through parametric and transient analyses under the various working conditions.

• 전기학회논문지
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• 제60권12호
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• pp.2281-2285
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• 2011

An algorithm for extracting SPICE MOS level 2 model parameters for the high voltage MOSFET DC model is proposed. The optimization method for analyzing the nonlinear data of the current-voltage curve using the Gauss-Newton algorithm is proposed and the pre-process step for calculating the threshold voltage and the mobility is proposed. The drain current obtained from the proposed method shows the maximum relative error of 5.6% compared with the drain current of 2-dimensional device simulation for the high voltage MOSFET.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권2호
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• pp.251-258
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• 1994

To apply the Power MOSFET to the high powerd circuits, the parallel operation of the Power MOSFET must be considered because of their low power rating. This means, in practical applications, design methods for the parallel operations are required. However, it is very difficult to investigate the problem of parallel operations by directly changing the internal parameters of the MOSFET. Thus, in this paper, the effects of internal parameters for the parallel operation are investigated using SPICE program which is often used and known that the program is very reliable. The investigation results show that while the gate resistance and gate capacitances are the parameters which affect to the dynamic switching operations, the drain and source resistances are the parameters which affect to the steady-state current unbalances. Through this investigation, the design methods for the parallel operation of the MOSFET are suggested, which, in turn, contributes to the practical use of Power MOSFETs.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권12A호
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• pp.1985-1991
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• 1999

본 논문은 HANbit ACE64 ATM 교환기 시스템의 데이터 경로인 IMI(Inter Module Path)에 사용되는 고속 전송선로인 Twinax 케이블을 two-port lumped Spice-network 모델로 구현하기 위해 lumped 네트워크 요소와 수학적 함수를 사용하여 개발하였다. 사용된 요소들은 저항성분과 주파수의존 전압제어 소스로 구성되어 있고 Hspice 수학적 함수인 FREQ, DELAY, POLY를 사용하여 구현하였다. 구현된 모델을 사용하여 케이블 길이와 종류에 따른 각종 노이즈 분석을 실시하여 그 특성을 비교 분석하였다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제8권5호
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• pp.1182-1187
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• 2013

Transient radiation is emitted during a nuclear explosion and causes fatal errors as upset and latch-up in CMOS circuits. This paper proposes the transient radiation SPICE models of NMOS, PMOS, and INVERTER based on the transient radiation analysis using TCAD (Technology Computer Aided Design). To make the SPICE model of a CMOS circuit, the photocurrent in the PN junction of NMOS and PMOS was replaced as current source, and a latch-up phenomenon in the inverter was applied using a parasitic thyristor. As an example, the proposed transient radiation SPICE model was applied to a CMOS NAND circuit. The CMOS NAND circuit was simulated by SPICE and TCAD using the 0.18um CMOS process model parameter. The simulated results show that the SPICE results were similar to the TCAD simulation and the test results of commercial CMOS NAND IC. The simulation time was reduced by 120 times compared to the TCAD simulation.