• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제14권4호
• /
• pp.87-92
• /
• 2007

[ $CaAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ ] 적색 형광체는 $Mn^{4+}$이온이 0.02 mol 첨가되었을 때 최대 발광 세기가 관찰되었고 $1600^{\circ}C$, 3시간 소성조건에서 우수한 결정성과 발광 효율을 나타내며 중심 파장이 658 nm에서 관찰되었다. 본 연구에서 개발된 $CaAl_{12}O_{19}:Mn^{4+}$ 형광체를 에폭시와 함께 1:3으로 혼합하여서 InGaN UV 발광체의 Bare 칩 위에 코팅하여 중심파장이 658 nm인 적색 LED를 제조하였다. 적색 형광체를 이용하여, 기존의 UV LED를 여기 광원으로 다양한 느낌의 백색 발광체를 설계 할 수 있을 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.62-62
• /
• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.63-63
• /
• 2002

• 한국자기학회지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.133-137
• /
• 2009

GaAs 기판 위에 증착된 $MnGeP_2$ 박막이 상온에서 강자성을 보임을 자기화 및 자기저항 측정을 통해 확인하였다. 강자성-상자성 전이 온도는 320 K 정도였고, 항자력장은 5, 250, 300 K에서 각각 3870, 1380, 155 Oe 정도였다. 전하 운반자가 스핀 편극되어 있음을 암시하는 비정상 홀 효과를 관측하였다. 자기장에 따른 자기저항과 홀 저항을 측정할 때 이력곡선이 나타남을 확인하였다. $MnGeP_2$ 박막과 n-형 GaAs 기판 사이에 I-V 측정을 통해 전형적인 p-n 다이오드 특성을 보임을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.112-112
• /
• 2003

최근 자성반도체(diluted magnetic semiconductor; DMS)를 이용한 소자 개발이 가긍해짐에 따라 국내외에서 활발한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구실에서는 GaN-단일전구체를 이용하여 상온에서 자기적 특성을 나타내는 p-type GaMnN를 성장시켰다 극한 환경에서의 자성반도체 재료의 물성 변화를 알아보기 위해, 본 연구에서는 세계 최초로 중성자 빔의 조사에 따른 자성반도체의 구조적, 자기적 특성 및 열처리에 따른 특성 변화를 관찰 및 분석하였다. Molecular beam epitaxy(MBE)를 이용하여 Mn cell 온도가 각각 77$0^{\circ}C$, 94$0^{\circ}C$인 GaMnN 박막을 성장시켰다. 성장된 박막 시편에 한국원자력연구소 하나로 HTS공에서 중성자 빔을 각각 20min(4.17$\times$$10^{16}$n/$\textrm{cm}^2$), 24hour(3.0$\times$$10^{18}$n/$\textrm{cm}^2$)씩 조사하였다 중성자 빔을 조사한 시편은 진공분위기 하에서 100$0^{\circ}C$, 30초간 열처리하였다.(rapid thermal annealing;RTA, 승온속도: 8$^{\circ}C$/sec) 중성자 빔을 조사한 GaMnN 박막의 구조적인 특성은 X-ray diffraction(XRD) 측정을 통해 관찰하였고, 박막의 자기적 특성은 superconducting quantum interference device(SQUID)를 통해 측정하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제15권1호
• /
• pp.73-77
• /
• 2005

Motivated by the enhanced magnetic properties of Mg-codoped GaMnN ferromagnetic semiconductors, Be-codoped GaMnAs films were grown via molecular beam epitaxy with varying Mn flux at a fixed Be flux. The structural, electrical, and magnetic properties were investigated. GaAs:(Mn,Be) films showed metallic behavior while GaAs:Mn films showed semiconducting behavior as determined by the temperature dependent resistivity measurements. The Hall-effect measurements with varying magnetic field showed clear anomalous Hall effect up to room temperature proving ferromagnetism and magnetotransport in the GaAs:(Mn,Be) films. Planar Hall resistance measurement also confirmed the properties. The dramatic enhancement of the Curie temperature in GaMnAs system was attributed to Be codoping in the GaMnAs films as well as MnAs precipitation.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권7호
• /
• pp.652-656
• /
• 2003

녹색발광을 하는 스피넬 구조의 ZnGa$_2$O$_4$:Mn 형광체박막을 산소분압비를 증착변수로 이용하여 rf 마그네트론 스퍼터링법으로 증착하였으며, 증착된 박막을 산화, 진공+질소 분위기에서 각각 열처리를 하였다. 증착시 산소분압비 및 열처리시 산소분위기가 형광체 박막의 성장 및 발광특성에 미치는 영향을 관찰하였다. 열처리시 박막의 산화를 막을수록 발광특성이 향상되는 것으로 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.113-117
• /
• 2016

수소를 생산하는 방법 중 하나로, 광전기화학적(photoelectrochemical; PEC) 물 분해 시스템은 높은 이론적 효율을 가진 친환경적이고 경제적인 방법이다. 광전극으로서 질화갈륨(gallium nitride; GaN)은 내화학성이 좋고 밴드갭이 물의 산화환원준위($V_{redox}=1.23$ V vs. SHE)를 포함하여 외부 전압 없이 수소를 생산할 수 있는 시스템을 구축할 수 있다. 그러나 이때 발생하는 높은 산소 발생 과전압은 시스템의 반응 효율을 저하시킨다. 산소 발생 과전압을 줄이기 위한 방법으로 광전극에 조촉매를 이용하는 방법이 많이 알려져 있다. 본 연구에서는 GaN 광전극에 입자 형태의 이산화망간(manganese dioxide; $MnO_2$)을 조촉매로 도입하여 PEC 시스템의 특성을 분석하고자 한다. $MnO_2$가 광전극에 잘 형성되었는지를 확인하기 위하여 표면분석을 수행하였고, potentiostat(PARSTAT4000)을 이용해 PEC 특성을 분석해 평가하였다. $MnO_2$가 코팅됨에 따라 flat-band potential($V_{fb}$)과 onset voltage($V_{onset}$)가 각각 음의 방향으로 0.195 V, 0.116 V 이동하는 것이 확인되었다. 광전류밀도 값에 대해서도 $MnO_2$ 코팅 샘플이 더 높게 나타나며, 시간에 따른 광전류의 저하도 개선되었다. 이로부터 $MnO_2$이 조촉매로서 효과가 있음을 확인하였고, PEC 시스템 전반에 걸쳐 효율 향상에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of Magnetics
• /
• 제17권1호
• /
• pp.13-18
• /
• 2012

Starting with Kubo's formula and using the projection operator technique introduced by Kawabata, EPR lineprofile function for a $Mn^{2+}$-doped wurtzite structure GaN semiconductor was derived as a function of temperature at a frequency of 9.49 GHz (X-band) in the presence of external electromagnetic field. The line-width is barely affected in the low-temperature region because there is no correlation between the resonance fields and the distribution function. At higher temperature the line-width increases with increasing temperature due to the interaction of electrons with acoustic phonons. Thus, the present technique is considered to be more convenient to explain the resonant system as in the case of other optical transition systems.

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
• /
• 한국현미경학회 2004년도 제35차 추계학술대회 및 제2회 HVEM 이용자 워크샵
• /
• pp.66-71
• /
• 2004