References
- A. Shen, Y. Horikoshi, H. Ohno and S. P. Guo, Appl. Phys. Lett., 71, 1540 (1997) https://doi.org/10.1063/1.119973
- H. Ohno, Science, 281, 951 (1998) https://doi.org/10.1126/science.281.5379.951
- A. Shen, F. Matsukura, S. P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, H. Abe and H.C. Liu, J. Crystal Growth, 201/202, 679 (1999) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01447-X
- H. Ohno, J. Mag. Mag. Mater., 200, 110 (1999) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00444-8
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth, 175/176, 1063 (1997) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00937-2
- H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett., 74, 398 (1999) https://doi.org/10.1063/1.123082
- A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach and G. Borghs, Phys. Rev., B56, 13103 (1997) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.13103
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, C. G. Kim, S. H. Yoo and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett., 82, 4755 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1586484
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Appl. Phys., 93, 6793 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1556114
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996) https://doi.org/10.1063/1.118061
- K. H. Kim, J. H. Park, B. D. Kim, C. S. Kim, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Metals Mater., 8, 177 (2002) https://doi.org/10.1007/BF03027015
- C. R. Chang, IEEE Tr. Mag., 36, 1214 (2000) https://doi.org/10.1109/20.877658
- K. Kakuno, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 1334 (1994) https://doi.org/10.1143/JJAP.33.1334
- F. C. Yu, W. S. Im, C. X. Gao, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Nanotechnology, submitted
- M. Tanaka, J. P. Harbison, J. Deboeck, T. Sands, B. Philips, T. L. Cheeks and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett., 63, 1565 (1993) https://doi.org/10.1063/1.108642