• 전자공학회논문지
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• 제51권1호
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• pp.79-89
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• 2014

최근 새롭게 보급되는 휴대기기(스마트폰, 울트라북, 태블릿 PC)로 인하여 고용량과 빠른 속도를 원하는 소비자가 증가하고 있다. 이에 따라 Flash Memory의 수요도 지속적으로 증가하고 있다. Flash Memory는 NAND형과 NOR형으로 구분되어 있다. NAND형 Flash Memory는 NOR형 Flash Memory에 비해 속도는 느리지만 가격이 저렴하다. 그렇기 때문에 NAND형 Flash Memory는 Mobile 시장에서 많이 사용되어지고 있다. 그래서 Flash Memory Test를 위한 Fault 검출은 메우 중요하다. 본 논문에서는 Fault 검출 향상을 위한 NAND형 Flash Memory의 Pattern Test를 위한 PMBIST를 제안한다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권12호
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• pp.72-82
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• 2014

최근 스마트폰, 태블릿 PC, SSD(Solid State Drive)의 보급률 증가로 메모리 반도체 산업시장의 규모는 지속적으로 증가하고 있다. 또한 최근 SSD시장에 TLC NAND-형 플래시 메모리 제품의 출시로 인해 TLC NAND-형 플래시 메모리의 수요가 점차 증가할 것으로 예상된다. SLC NAND 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되었지만 TLC NAND 플래시 메모리는 연구가 진행되지 않고 있다. 또한 NAND-형 플래시 메모리는 고가의 외부장비에 의존하여 테스트를 하고 있다. 따라서 본 논문은 기존에 제안된 SLC NAND 플래시 메모리와 MLC NAND 플래시 메모리 테스트 알고리즘을 TLC NAND 플래시 메모리에 맞게 알고리즘과 패턴을 수정하여 적용하고 고가의 외부 테스트 장비 없이 자체 테스트 수행이 가능한 구조를 제안한다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권6호
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• pp.122-130
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• 2013

메모리반도체산업이 성장함에 따라 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 그 중 플래시 메모리가 스마트폰, 테블릿PC, SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 나뉜다. NOR-형 플래시 메모리는 BIST(Built-In Self Test), BISR(Built-In Self Repair), BIRA(Built-In Redundancy Analysis) 등 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형 플래시 메모리 BIST는 연구가 진행되지 않았다. 현재 NAND-형 플래시 메모리 패턴 테스트는 고가의 외부 테스트 장비를 사용하여 테스트를 수행하고 있다. NAND-형 플래시 메모리에서는 블록단위로 소거, 페이지 단위로 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 자체 내장 테스트가 존재하지 않고 외부장비에 의존하고 있다. 고가의 외부 패턴 테스트 장비에 의존해서 테스트를 수행하던 NAND-형 플래시 메모리를 외부 패턴 테스트 장비 없이 패턴 테스트를 수행할 수 있도록 두 가지의 유한 상태 머신 기반 구조를 갖고 있는 BIST를 제안한다.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제8권6호
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• pp.2139-2151
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• 2014

Embedded system testing, especially long-term reliability testing, of flash memory solutions such as embedded multi-media card, secure digital card and solid-state drive involves strategic decision making related to test sample size to achieve high test coverage. The test sample size is the number of flash memory devices used in a test. Earlier, there were physical limitations on the testing period and the number of test devices that could be used. Hence, decisions regarding the sample size depended on the experience of human testers owing to the absence of well-defined standards. Moreover, a lack of understanding of the importance of the sample size resulted in field defects due to unexpected user scenarios. In worst cases, users finally detected these defects after several years. In this paper, we propose that a large number of potential field defects can be detected if an adequately large test sample size is used to target weak features during long-term reliability testing of flash memory solutions. In general, a larger test sample size yields better results. However, owing to the limited availability of physical resources, there is a limit on the test sample size that can be used. In this paper, we address this problem by proposing a self-adaptive reliability testing scheme to decide the sample size for effective long-term reliability testing.

• 전자공학회논문지CI
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• 제47권5호
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• pp.41-49
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• 2010

휴대용 정보기기와 엔터테인먼트기기 등의 사용이 대중화 되면서 플래쉬 메모리의 수요도 급격히 증가하였다. 일반적으로 플래시 메모리는 장착되는 장치에 따라 다양한 형태의 오류 패턴을 가지며, 메모리 생산자들은 최종적인 생산과정에서 실제 장착되는 기기와 동일한 환경에서 전기적/물리적 테스트를 수행한다. 이 과정을 메모리의 응용기기 실장 테스트라고 하며, 여기에서 사용되는 장비를 메모리 실장기라 한다. 현재 여러 가지 종류의 실장기들이 제작되어 메모리 생산 환경에서 사용되고 있으나 대부분이 검수자의 청각이나 시각 등의 감각에 의존하여 메모리의 오류를 판단하고 있다. MP3 실장기의 경우 음원의 재생 기능을 이용하여 메모리 오류를 판단하는데 적절한 자동 검수 기법이 존재하지 않아 검수자가 실장기에서 재생되는 음원을 직접 듣고 오류를 판단한다. 이런 과정은 실장환경의 자동화에 있어 큰 걸림돌이 되고 있으며 인력 활용 측면에서도 비효율적이다. 본 논문에서는 MP3 장치용 플래시 메모리의 효과적인 오류 검증을 위한 음원 비교 기법을 제안한다. 제안하는 방법은 원본 파일과 MP3 장치에서 재생되는 샘플값의 분산을 활용함으로써 메모리 오류 발생 여부를 판단한다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제34권8호
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• pp.377-384
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• 2007

최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분의 메모리로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분의 행과 열 메모리로 효율적인 재배치를 위해 재배치 알고리즘을 제안하고자 한다. 재배치 정보는 고장난 메모리를 매번 테스트해야만 얻을 수 있다. 매번 테스트를 통해 재배치 정보를 얻는 것은 시간적 문제가 발생한다. 이것을 막기 위해 한번 테스트해서 얻은 재배치 정보를 플래시 메모리에 저장해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리를 이용해 재배치 정보의 활용도를 높인다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권3호
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• pp.61-71
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• 2014

임베디드 시스템의 저장매체 시장의 플래시 메모리의 점유율이 증가되고 반도체 산업이 성장함에 따라 플래시 메모리의 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 특히 스마트폰, 테블릿 PC, SSD등 SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 셀 배열 구조에 따라 NOR-형과 NAND-형으로 나뉘고 NAND-형은 다시 Cell당 저장 가능한 bit수에 따라서 SLC(Single Level Cell)과 MLC(Multi Level Cell)로 구분된다. NOR-형은 BIST(Bulit-In Self Test), BIRA(Bulit-In Redundancy Analysis)등의 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형의 경우 BIST 연구가 적다. 기존의 BIST의 경우 고가의 ATE 등의 외부 장비를 사용하여 테스트를 진행해야한다. 하지만 본 논문은 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위해 제안되었던 MLC NAND March(x)알고리즘과 패턴을 사용하며 내부에 필요한 패턴을 내장하여 외부 장비 없이 패턴 테스트가 가능한 유한상태머신(Finite State Machine) 기반구조의 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위한 BIST를 제안하여 시스템의 신뢰도 향상과 수율향상을 위한 시도이다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제8권1호
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• pp.36-45
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• 2002

본 논문에서는 실제 플래시 메모리와 동일한 특성을 갖는 플래시 메모리 시뮬레이터를 설계 및 구현한 내용을 설명한다. 본 시뮬레이터는 생산 방식, 전체 용량, 블록 크기, 페이지 크기 등 플레시 메모리의 특성을 변화시키면서 실험할 수 있을 뿐만 아니라 정확한 수행 시간과 인자 검증 기능을 제공함으로써, 운영체제 입장에서는 실제 플래시 메모리 장치를 사용하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 내부 루틴의 수행 시간 로깅 기능을 제공함으로써 플래시 메모리 관리 소프트웨어의 병목 지점을 판단할 수 있도록 하였다. 마지막으로, Linux 운영체제 환경에 구현된 시뮬레이터와 실제 플래시 메모리를 장착한 테스트 보드에서 응용 프로그램의 성능 측정 결과를 비교함으로써 본 시뮬레이터가 실제 플래시 메모리 장치 대용으로 사용할 수 있음을 보였다.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제3권5호
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• pp.129-140
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• 2014

기존의 메모리에서 발생하는 다양한 고장들을 검출하기 위한 기법으로 BIST(Built-in self test)가 있고 고장이 검출되면 Spare를 할당하여 수리하는 BIRA(Built-in redundancy analysis)가 있다. 그리고 BIST와 BIRA를 통합한 형태인 BISR(Built-in self repair)를 통해 전체 메모리의 수율을 증가시킬 수 있다. 그러나 이전에 제안된 기법들은 RAM을 위해 제안된 기법으로 RAM의 메모리 구조와 특성이 다른 NAND-형 플래시 메모리에 사용하기에는 NAND-형 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance를 진단하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 NAND-형 플래시 메모리에서 발생하는 Disturbance 고장을 검출하고 고장의 위치도 진단할 있는 BISD(Built-in self diagnosis)와 고장 블록을 수리할 수 있는 BISR을 제안한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권4호
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• pp.26-33
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• 2012

임베디드 시스템의 저장매체 시장에서 플래시 메모리가 점유율을 높여나가고 시스템 내에서 대부분의 면적을 차지하게 되면서, 시스템 신뢰도에 무거운 영향을 미치고 있다. 플래시 메모 리는 셀 배열구조에 따라 NOR/NAND-형으로 나뉘어져 있고 플로팅 게이트 셀의 Reference 전압의 갯수 따라 SLC(Single Level Cell)와 MLC(Multi Level Cell)로 구분된다. NAND-형 플래시 메모리는 NOR-형에 비해 속도는 느린 편이지만 대용량화가 쉽고 가격이 저렴하다. 또한 MLC NAND-형 플래시 메모리는 대용량 메모리의 수요가 급격히 높아진 모바일 시장의 영향으로 멀티미디어 데이터 저장의 목적으로 널리 채용되고 있다. 이에 따라 MLC NAND-형 플래시 메모리의 신뢰성을 보장하기 위해 고장 검출 테스팅의 중요도 커지고 있다. 전통적인 RAM에서부터 SLC 플래시 메모리를 위한 테스팅 알고리즘은 많은 연구가 있었고 많은 고장을 검출해 내었다. 하지만 MLC 플래시 메모리의 경우 고장검출을 위한 테스팅 시도가 많지 않았기 때문에 본 논문은 SLC NAND-형 플래시 메모리에서 제안된 기법을 확장한 MLC NAND-형 플래시 메모리를 위한 고장검출 알고리즘을 제안하여 이러한 차이를 줄이려는 시도이다.