• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.1-11
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• 2004

A FinFET, a novel double-gate device structure is capable of scaling well into the nanoelectronics regime. High-performance CMOS FinFETs , fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) devices have been demonstrated down to 15 nm gate length and are relatively simple to fabricate, which can be scaled to gate length below 10 nm. In this paper, some of the key elements of these technologies are described including sub-lithographic pattering technology, raised source/drain for low series resistance, gate work-function engineering for threshold voltage adjustment as well as metal gate technology, channel roughness on carrier mobility, crystal orientation effect, reliability issues, process variation effects, and device scaling limit.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.163-165
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• 2002

LDD구조를 가진 LDMOS 전력소자의 LDD영역과 채널영역변화에 의한 전기적 특성을 비교 조사하였다. MEDICI 시뮬레이션 tool을 이용하여 hot-carrier전류의 특성, ON 저항의 변화, breakdown 전압의 특성과 switch transient 특성을 조사하였다. Gate-drain 사이의 불순물도핑 영역 및 농도에 따른 소자의 특성해석은 LDD구조를 가진 LDMOS가 hot-carrier resistance 및 전력소모 관점에서 우수한 특성을 나타낼 것으로 사료된다

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권4호
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• pp.287-294
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• 2011

In this paper, two competing mechanisms determining drain current of tunneling field-effect transistors (TFETs) have been investigated such as band-to-band tunneling and drift. Based on the results, the characteristics of TFETs have been discussed in the tunneling-dominant and drift-dominant region.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.3-4
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• 2007

고분자 반도체를 이용한 유기 박막트랜지스터(OTFT) 소자 제작시 특성 향상을 위해 Self-Assemble Monolayer (SAM)을 이용한 유기 Gate 절연막과 source/drain 전극의 표면처리에 대해 설명하였다. Gate insulator의 경우 소수성 SAM이 고분자 반도체와의 상호작용으로 배열도를 향상시켜 이동도를 증가시켰으며, 전극처리의 경우 접촉저항을 낮추어 injection을 증대시키는 효과를 나타내었다. 각각의 경우 적용되는 SAM 재료와 효과를 극대화시키기 위한 처리공정 전반에 대해 설명하였다.

• 한국지진공학회:학술대회논문집
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• 한국지진공학회 2003년도 춘계 학술발표회논문집
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• pp.313-320
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• 2003

The responses of a 1:5 scale 3-story masonry-infilled RC frame which was designed only for gravity loads were simulated by using a nonlinear analysis program, DRAIN-2DX. The objective of this study is to verify the correlation between the experimental and analytical responses of a masonry-infilled RC frame. It is concluded from this comparison that the strength and stiffness of the whole structure can be predicted with quite high reliability using compressive strut (compression link element, Type 09).

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권8호
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• pp.605-610
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• 2010

The devices based on electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) structure are proposed for the detection of external electric charges. A large size charge contact window (CCW) extended from the floating gate is employed to immobilize external charges, and a control gate with stacked metal-insulator-metal (MIM) capacitor is adapted for a standard single polysilicon CMOS process. When positive voltage is applied to the capacitor of CCW of an n-channel EEPROM, the drain current increases due to the negative shift of its threshold voltage. Also when a pre-charged external capacitor is directly connected to the floating gate metal of CCW, the positive charges of the external capacitor make the drain current increase for n-channel, whereas the negative charges cause it to decrease. For an p-channel, however, the opposite behaviors are observed by the external voltage and charges. With the attachment of external charges to the CCW of EEPROM inverter, the characteristic inverter voltage behavior shifts from the reference curve dependent on external charge polarity. Therefore, we have demonstrated that the EEPROM inverter is capable of detecting external immobilized charges on the floating gate. and these devices are applicable to sensing the pH's or biomolecular reactions.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.23-28
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• 2010

본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 분극에 의한 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대해서 분석하였다. 몰 분율, AlGaN barrier 층의 두께의 물리적인 변화에 따라서 이차원 전자가스 채널의 농도 변화가 이루어지는 것을 바탕으로 DC 특성 및 분극을 고려한 최적화된 구조에 대해서 시뮬레이션을 진행하였다. AlGaN의 몰 분율이 0.3 몰에서 0.4 몰로 증가할수록 분극에 의한 bound sheet charge가 16 % 증가하며 그에 따라서 Id-Vd 특성 역시 37% 증가하게 된다. 또한 AlGaN 층의 두께가 17 nm에서 38nm로 증가할수록 Id-Vd의 특성이 증가하다가 임계두께인 39nm에 이르게 되면 AlGaN층의 relaxation에 의해서 급격하게 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다.

• 한국가스학회지
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• 제13권2호
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• pp.7-13
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• 2009

관망 내 배관의 간섭 거동에 따른 지하 매설 배관의 영향선 분석을 위하여 실제 환경에 부합 하도록 지하의 상부와 하부에 각각 하수관거와 가스관을 매설하여 유한요소모델을 구현하였으며, 두 배관의 교차 정도에 따라 하부 가스 배관의 영향선을 분석하였다. 하수관거와 가스관은 각각 1.0m와 3.39m의 매설심도를 가지며, 두 배관이 이루는 교차각은 $0{\sim}90^{\circ}$에 대하여 해석을 실시하였다. 본 연구에서는 Ring Deflection과 Bending Stress의 결과로부터, 교차각에 따른 영향선을 분석하였으며, 그 결과 두 배관이 이루는 교차각과 하부 배관의 영향선은 일치함을 알 수 있었다. 따라서 배관의 간섭 거동에 따른 하부 배관의 영향선은 두 배관의 교차각과 깊은 관계가 있다고 판단된다.

• 한국환경보건학회지
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• 제37권2호
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• pp.141-149
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• 2011

This study aimed for developing a two stage dual media filtration system. It has a sand and activated carbon layer above the under-drain system, and a sand layer above the middle-drain system for pretreatment. When retrofitting an old sand filter bed or designing a new one, this technology can substitute the existing sand filter bed without requiring a new plant site. The removal rate of total particle is 93, and 3~7 ${\mu}m$ and 5~15 ${\mu}m$ particles are all 97%. These high removal efficiencies of each pollutant due to adsorption and biological oxidation in activated carbon filter layer. The best backwashing method of two stage dual media filtration system is ascertained by air injection, air + water injection and water injection sequence. In this study, a pilot plant of two stage and dual filtration system was operated for 4 months in water treatment plant. The stability of turbidity was maintained below 1 NTU. The TOC, THMFP and HAAFP were removed about 90% by two stage and dual media filtration system, which is almost 2 times higher than existing water treatment plant.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.117-124
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• 2018

박막 두께가 다른 무접합 비정질 InGaZnO 막막 트랜지스터를 제작하고 박막 두께, 동작 온도 및 빛의 세기에 따른 소자의 성능 변수를 추출하고 게이트 산화층 항복전압을 분석하였다. 박막의 두께가 클수록 소자의 성능이 우수하나 드레인 전류의 증가로 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 고온에서도 소자의 성능은 개선되었으나 게이트 산화층 항복 전압은 감소하였다. 빛의 세기가 증가할수록 광자에 의해 생성된 전자로 드레인 전류는 증가 하였으나 역시 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 박의 두께가 클수록, 고온일수록, 빛의 세기가 강할수록 채널의 전자수가 증가하여 산화층으로 많이 주입되었기 때문이다. 무접합 a-IGZO 트랜지스터를 BEOL 트랜지스터로 사용하기 위해서는 박막 두께 및 동작 온도를 고려해서 산화층 두께를 설정해야 됨을 알 수 있었다.